DE19932867A1 - Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff - Google Patents
Cu- oder Ag-haltiger WerkstoffInfo
- Publication number
- DE19932867A1 DE19932867A1 DE1999132867 DE19932867A DE19932867A1 DE 19932867 A1 DE19932867 A1 DE 19932867A1 DE 1999132867 DE1999132867 DE 1999132867 DE 19932867 A DE19932867 A DE 19932867A DE 19932867 A1 DE19932867 A1 DE 19932867A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dispersoid
- doped
- contact material
- vacuum chambers
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 title description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 title description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
- C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
- C22C32/0021—Matrix based on noble metals, Cu or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
- H01H1/0206—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches containing as major components Cu and Cr
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
- H01H1/023—Composite material having a noble metal as the basic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Contacts (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Es wird ein Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff, insbesondere ein Kontaktwerkstoff für Vakuumkammern, auch mit einer Cr/Cu-Sinterstruktur beschrieben, der mit wenigstens einem Dispersoid dotiert ist, dessen Löslichkeit im Werkstoff möglichst gering ist, wobei der Wert der Bildungsenthalpie KG möglichst stark negativ ist. Als Dispersoide kommen Metalle von Si, Al, Zr, Nb, Tr, Cr und Si und/oder Yttrium sowie Oxide, Nitride und Karbide von Si, W, Zr und/oder reiner Kohlenstoff in Frage.
Description
Die Erfindung betrifft einen Werkstoff gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Die Qualität und die Schaltfähigkeit eines Schaltgerätes hängt im wesentlichen von dem
Kontaktwerkstoff ab. Während es für Schaltgeräte im unteren und mittleren Leistungs
bereich befriedigende Kontaktwerkstoffe gibt, sind Kontaktwerkstoff für Schaltgeräte im
Hochleistungsbereich, bei Hochstrom und Hochspannung, verbesserungsbedürftig und
verbesserungsfähig. Dies liegt daran, daß die Energiedichte an der Kontaktoberfläche
im Hochleistungsschalter sehr groß ist, so daß es innerhalb von weniger als 10 ms zum
Anschmelzen des Werkstoffes verbunden mit Verdampfung und Verspratzung bzw.
Verspritzung kommt.
Ein leistungsstarker bewährter Kontaktwerkstoff für Mittelspannungsvakuumkammern
ist ein Sinterwerkstoff aus Kupfer und Chrom. Leistungsstark bedeutet hier, daß der
Kontaktwerkstoff eine ausreichende mechanische Festigkeit bei guter elektrischer Leit
fähigkeit besitzt. Bei dem Sinterwerkstoff Cu/Cr 30 beträgt die Leitfähigkeit immerhin
noch 50% derjenigen des reinen Kupfers, wobei die Chrompartikel zu einer Abnahme
des Cu-Leitungsquerschnittes führen, wogegen beispielsweise ein Metall wie Beryllium
die mittlere freie Weglänge der Leitungselektronen reduziert, so daß 2% Beryllium die
Leitfähigkeit des Kupfers auf 25% verringert.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Werkstoff der eingangs genannten Art zu finden,
der bei ausreichender elektrischer Leitfähigkeit eine hohe Festigkeit besitzt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale des Anspruches 1.
Danach wird ein Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff mit wenigstens einem Dispersoid do
tiert, dessen Löslichkeit im Werkstoff möglichst gering ist, wobei der Wert der Bildungs
enthalpie ΔG des Dispersoides möglichst stark negativ ist. Die Bildungsenthalpie ΔG
(auch Gibbsenergie genannt) einer chemischen Verbindung ist ein Maß für deren che
mische Stabilität. Dabei ist die thermische Stabilität um so besser, je negativer der
Zahlenwert ist. Die Bildungsenthalpie representiert die Balance zwischen der Minimie
rung der Enthalpie H und Maximierung der Endrupie S bei der Bildung einer chemi
schen Verbindung:
ΔG = ΔH - t × ΔS
wobei t die absolute Temperatur in Kelvin ist. Für einige Verbindungen sind diese Werte
tabelliert.
Durch diese Dispersoide wird die thermische Belastbarkeit der Werkstoffe, insbeson
dere der Kontaktwerkstoffe aus Cu- oder silberhaltigem Material deutlich erhöht, wobei
in zweckmäßiger Weise die Korngröße des Dispersoiden zwischen 1 nm bis 1.000 µm
beträgt.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den weiteren Unteransprüchen
zu entnehmen.
Die Wirkung der Dispersoide besteht darin, daß sie Kupfer oder Silber härten, ohne de
ren elektrische Leitfähigkeit stark zu beeinträchtigen. Beispielsweise kann das Einbrin
gen von 1 Gew.-% Aluminiumoxid in reines Kupfer dessen Leitfähigkeit zwar um ca.
20% mindern, die mechanische Festigkeit jedoch um mindestens das fünffache erhö
hen, auch nach einer Wärmebehandlung bei bis zu 800°C und einer Stunde Haltezeit,
was insbesondere beim Lötvorgang innerhalb einer Vakuumkammer unvermeidlich ist.
Zur Herstellung eines entsprechenden Werkstoffes mit der Dotierung wird das Disper
soid in Pulverform dem ebenfalls in pulverisierter Form vorliegenden Matrixmaterial zu
gegeben, gemischt, anschließend gepreßt und gesintert oder auch bis zum fertigen
Werkstoff stranggepreßt. Solche Herstellungsverfahren sind an sich bekannt.
In der DE 195 37 657.9 ist ein Kontaktstück beschrieben, bei dem eine Schicht von
Cu/Cr-Sintermaterial auf einen Basiskörper von Kupfer aufgebracht ist. Auch bei einem
derartigen Werkstoff kann insbesondere die Kontaktschicht mit Dispersoiden dotiert
sein, in dem das mit den Dispersoiden versehene Pulver aus Chrom bzw. aus Chrom
und Kupfer auf einem Basiskörper von Kupfer aufgesintert wird.
Hieraus ist ersichtlich, daß nicht nur reine Metalle, sondern darüber hinaus auch Sin
terwerkstoffe weiter verbessert werden können, insbesondere Kontaktwerkstoffe, die
aus einem Sintermaterial aus Kupfer und Chrom hergestellt sind.
Bei der Auswahl der Dispersoide, wie sie in den Patentansprüchen angegeben sind, ist
besonders auf eine geringe Löslichkeit innerhalb der gewählten Werkstoffkombination
zu achten; demgemäß werden die Dispersoide aus solchen Materialien gebildet, die
sich in Kupfer bzw. in Silber kaum lösen. Damit ist eine kristallographische Inkohärenz
in der Regel gegeben, so daß durch die Dispersoide das elektrische leitfähige Material
nicht beeinflußt wird. Bei der Auswahl der Dispersoide ist darauf zu achten, daß das
Dispersoid thermodynamisch stabil, d. h. ΔG stark negativ ist, so daß bei der Herstel
lung des Werkstoffes insbesondere des Kontaktwerkstoffes eine chemische Reaktion
oder ein Zerfall des Dispersoides nicht eintritt. Dies gilt besonders für die meisten
Oxide, Nitride und Karbide der in den Patentansprüchen angegebenen Materialien.
Neben den chemischen Verbindungen bei nachfolgender Wärmebehandlung der sog.
Grünlinge können auch reine Metallteilchen im Pulver vorhanden sein, die thermody
namisch begünstigt innerhalb des Matrixwerkstoffes zum Dispersoid eine entspre
chende chemische Verbindung eingehen. Beispielsweise erfolgt eine Oxidation der
Metallteilchen nach der Dotierung eines Kupfer-Chromwerkstoffes mit reinem Alumi
nium, Silizium oder Zirkon durch die Reduktion des Chromoxides, das an der Chrom
oberfläche vorliegt, beim Sintervorgang. Des weiteren sollte eine gute mechanische Bin
dung zwischen Matrix und Dispersoid vorliegen, damit unter Last keine Dekohäsion
eintritt.
Zusätzlich zu den vorgenannten Verbesserungen gelingt mit Dispersoiden auch eine
Erniedrigung des sog. Chopping-Stromes.
Wie aus den Ansprüchen ersichtlich, eignen sich als Dispersoide die Oxide der Ele
mente Si, Al, Zr, Nb, Ti, Cr und Yttrium, SE, die Karbide von Si, W, Cr sowie der Koh
lenstoff selbst; die Nitride von Ti, Al und Si haben eine Verbesserung der Festigkeit des
Werkstoffes ohne eine erhebliche Reduzierung der Leitfähigkeit zur Folge, allerdings
können die genannten Nitride für Kontaktstücke in Vakuumschaltkammern nicht ver
wendet werden. Mit Dispersoiden von Zr- und Nb-Oxid werden ähnliche Wirkungen er
reicht wie mit den oben beschriebenen Oxiden. Verfahrensmöglichkeiten zur Herstel
lung von dispersionsverstärkten Werkstoffen bestehen darin, daß das Matrix- und Dis
persoidmaterial getrennt hergestellt und gemischt werden. Diese Pulver werden z. B. im
Reaktiv- oder inertem Gas plasmabehandelt und danach die Partikel in den Werkstoff
eingebracht.
Es besteht auch die Möglichkeit, daß die Matrix und das Dispersoid im selben Verfah
rensschritt beim Sintern entstehen, wobei das Dispersoid durch chemische Reaktions-,
Reduktions- bzw. Oxidationsprozesse der beteiligten Werkstoffe entstehen, beispiels
weise gemäß der Formel:
Cr2O3 + 2Al = 2Cr + Al2O3
Anhand einiger Ausführungsbeispiele soll die Erfindung näher erläutert und beschrieben
werden:
Ein Kontaktwerkstoff für eine Hochspannungsvakuumkammer wird mit folgenden Schritten hergestellt:
Ein Kontaktwerkstoff für eine Hochspannungsvakuumkammer wird mit folgenden Schritten hergestellt:
- - Mischung einer 75 Gew.-%-Menge Cu, Cr mit einer Korngröße < 100 µm mit 1 Gew.-% eines Dispersoides aus Al2O3 mit einer Korngröße von 70 nm.
- - Nach dem Mischen und Sintern bzw. Schmelzen, d. h. Tränken, bei einer Tempera tur von 1000 bzw. < 1.200°C ergibt sich ein Kontaktwerkstoff, bei dem die Leitfähig keit gegenüber der des reinen Kupfers um etwa 50% reduziert ist, wobei die Festig keit um das 3-fache erhöht ist.
- - Mischung einer 75 Gew.-%-Menge Cu, Cr mit einer Korngröße < 100 µm mit 1 Gew.-% eines Dispersoides aus SiO2 und einer Korngröße von 8 nm (entspricht etwa 0,5 Millionen Moleküle).
- - Nach dem Mischen des Pulvers und anschließendem Sintern bzw. Schmelzen bei Temperaturen von 1000 bzw. < 1.200°C ergibt sich ein Kontaktwerkstoff, bei dem die Leitfähigkeit gegenüber der des reinen Kupfers ebenfalls um etwa 50% reduziert ist, wobei die Festigkeit um das 4-fache erhöht ist.
- - Mischung einer 50 Gew.-%-Menge Cu, Cr wird mit 1,7 Gew.-% eines Dispersoides aus C und einer Korngröße von bis zu 300 nm gemischt.
- - Nach dem Mischen des Pulvers und anschließendem Schmelzen und Tränken bei Temperaturen < 1.200°C ergibt sich ein Kontaktwerkstoff, bei dem die elektrische Leitfähigkeit gegenüber der des reinen Kupfers um 50% reduziert ist, wobei die Festigkeit auf 70% der Festigkeit von CuCr 25 absinkt.
Claims (6)
1. Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff, insbesondere Kontaktwerkstoff für Vakuum
kammern, auch mit einer Cr/Cu-Sinterstruktur, dadurch gekennzeichnet, daß der Werk
stoff mit wenigstens einem Dispersoid dotiert ist, dessen Löslichkeit im Werkstoff mög
lichst gering ist, wobei der Wert der Bildungsenthalpie ΔG möglichst stark negativ ist.
2. Werkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dispersoid eine
Korngröße von etwa 1 nm bis etwa 10 µm aufweist.
3. Werkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dispersoidanteil
zwischen einem Wert < 0 und 15 Gew.-% liegt.
4. Werkstoff nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Disper
soid ein Metall aus der Gruppe Si, Al, Zr, Nb, Ti, Cr, Si und/oder Yttrium Verwendung
finden.
5. Werkstoff nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß als Dispersoid Oxide und/oder Nitride der Metalle Verwendung finden.
6. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
als Dispersoid die Karbide von Si, W, Cr, und/oder reiner Kohlenstoff Verwendung fin
den.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999132867 DE19932867A1 (de) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999132867 DE19932867A1 (de) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19932867A1 true DE19932867A1 (de) | 2001-01-18 |
Family
ID=7914724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1999132867 Withdrawn DE19932867A1 (de) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19932867A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004032166A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Robert Bosch Gmbh | Elektrischer kontakt |
JP2004214183A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Wieland Werke Ag | 電気接点を製造するための複合材およびその製造方法 |
WO2018111680A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | Eaton Corporation | Improved electrical contact alloy for vacuum contactors |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2619459A1 (de) * | 1976-05-03 | 1977-12-01 | Siemens Ag | Sinterverbundwerkstoff als kontaktwerkstoff fuer vakuum-mittelspannungs- leistungsschalter |
DE2324317C2 (de) * | 1972-05-18 | 1982-03-25 | The English Electric Co. Ltd., London | Elektrode für einen Vakuum-Leistungsschalter oder eine Vakuum-Funkenstrecke |
DE3336696A1 (de) * | 1982-10-26 | 1984-04-26 | Westinghouse Electric Corp., Pittsburgh, Pa. | Verbesserte vakuumtrennerkontakte |
DE3716106C1 (en) * | 1987-05-14 | 1989-01-19 | Battelle Institut E V | A process for the powder-metallurgical production of dispersion-hardened copper alloys |
US5019156A (en) * | 1989-06-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Sintered electric contact material for vacuum switch tube and process for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-07-14 DE DE1999132867 patent/DE19932867A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2324317C2 (de) * | 1972-05-18 | 1982-03-25 | The English Electric Co. Ltd., London | Elektrode für einen Vakuum-Leistungsschalter oder eine Vakuum-Funkenstrecke |
DE2619459A1 (de) * | 1976-05-03 | 1977-12-01 | Siemens Ag | Sinterverbundwerkstoff als kontaktwerkstoff fuer vakuum-mittelspannungs- leistungsschalter |
DE3336696A1 (de) * | 1982-10-26 | 1984-04-26 | Westinghouse Electric Corp., Pittsburgh, Pa. | Verbesserte vakuumtrennerkontakte |
DE3716106C1 (en) * | 1987-05-14 | 1989-01-19 | Battelle Institut E V | A process for the powder-metallurgical production of dispersion-hardened copper alloys |
US5019156A (en) * | 1989-06-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Sintered electric contact material for vacuum switch tube and process for manufacturing the same |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004032166A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Robert Bosch Gmbh | Elektrischer kontakt |
US7294028B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-11-13 | Robert Bosch Gmbh | Electrical contact |
JP2004214183A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Wieland Werke Ag | 電気接点を製造するための複合材およびその製造方法 |
EP1433867A3 (de) * | 2002-12-27 | 2006-05-17 | Wieland-Werke AG | Verbundmaterial zur Herstellung elekrischer Kontakte und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2018111680A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | Eaton Corporation | Improved electrical contact alloy for vacuum contactors |
US10468205B2 (en) | 2016-12-13 | 2019-11-05 | Eaton Intelligent Power Limited | Electrical contact alloy for vacuum contactors |
US10804044B2 (en) | 2016-12-13 | 2020-10-13 | Eaton Intelligent Power Limited | Electrical contact alloy for vacuum contactors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3689134T2 (de) | Kathode für Elektronenröhre. | |
DE69032065T2 (de) | Verbundwerkstoff von Silber und Metalloxyd und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP1023959B1 (de) | Pulvermetallurgisch hergestellter Verbundwerkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP0440620B1 (de) | Halbzeug für elektrische kontakte aus einem verbundwerkstoff auf silber-zinnoxid-basis und pulvermetallurgisches verfahren zu seiner herstellung | |
EP0035602B1 (de) | Verfahren zur pulvermetallurgischen Herstellung einer Gedächtnislegierung auf der Basis von Kupfer, Zink und Aluminium | |
EP0586410B1 (de) | Kontaktwerkstoff auf silberbasis zur verwendung in schaltgeräten der energietechnik sowie verfahren zur herstellung von kontaktstücken aus diesem werkstoff | |
DE69221398T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktwerkstoffen für Vakuumschalter | |
DE3213265C2 (de) | ||
EP0586411B1 (de) | Kontaktwerkstoff auf silberbasis zur verwendung in schaltgeräten der energietechnik sowie verfahren zur herstellung von kontaktstücken aus diesem werkstoff | |
DE2914581A1 (de) | Thermoelektrische generatorelektrode | |
DE3700659A1 (de) | Feinkoerniger versproedungsfester tantaldraht | |
DE2920014C2 (de) | ||
EP0369283B1 (de) | Sinterkontaktwerkstoff für Niederspannungsschaltgeräte der Energietechnik, insbesondere für Motorschütze | |
DE3150846C2 (de) | ||
DE19932867A1 (de) | Cu- oder Ag-haltiger Werkstoff | |
DE69614489T2 (de) | Kontaktmaterial für Vakuumschalter und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3911904A1 (de) | Pulvermetallurgisches verfahren zum herstellen eines halbzeugs fuer elektrische kontakte aus einem verbundwerkstoff auf silberbasis mit eisen | |
EP0660964B1 (de) | Werkstoff für elektrische kontakte auf der basis von silber-zinnoxid oder silber-zinkoxid und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19916082C2 (de) | Pulvermetallurgisch hergestellter Verbundwerkstoff, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung | |
WO2007020006A1 (de) | Verwendung von indium-zinn-mischoxid für werkstoffe auf silberbasis | |
DE69011421T2 (de) | Gesintertes Kontaktmaterial für Vakuumschalter und Verfahren zur Herstellung desselben. | |
DE3421759A1 (de) | Sinterkontaktwerkstoff fuer niederspannungsschaltgeraete der energietechnik | |
EP0338401B1 (de) | Pulvermetallurgisches Verfahren zum Herstellen eines Halbzeugs für elektrische Kontakte aus einem Verbundwerkstoff auf Silberbasis mit Eisen | |
DE4110600C2 (de) | Elektrode für einen Vakuum-Leistungsschalter | |
DE3428276C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ABB PATENT GMBH, 68526 LADENBURG, DE |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |