JPH0381281B2 - - Google Patents
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- JPH0381281B2 JPH0381281B2 JP62022558A JP2255887A JPH0381281B2 JP H0381281 B2 JPH0381281 B2 JP H0381281B2 JP 62022558 A JP62022558 A JP 62022558A JP 2255887 A JP2255887 A JP 2255887A JP H0381281 B2 JPH0381281 B2 JP H0381281B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明の薄膜温度センサに関し、特に酸化シリ
コン、アルミナ、サフアイアなどの絶縁基板の上
に電極を形成した薄膜サーミスタと端子リード線
とからなる薄膜温度センサに係わる。
コン、アルミナ、サフアイアなどの絶縁基板の上
に電極を形成した薄膜サーミスタと端子リード線
とからなる薄膜温度センサに係わる。
[従来の技術]
従来、薄膜温度センサを構成する薄膜サーミス
タの端子部の加工法には、以下に列挙する種々の
手段がとられている。
タの端子部の加工法には、以下に列挙する種々の
手段がとられている。
(1) 金、アルミニウムなどの細線をワイヤーボン
デイングしてリード線を引出す(特開昭55−
6245、特開昭55−62469)。
デイングしてリード線を引出す(特開昭55−
6245、特開昭55−62469)。
(2) 丸形又は箔状の金属線をサーミスタチツプの
電極のロウ付け、又は導電性接着剤などで接続
する(特開昭56−26402)。
電極のロウ付け、又は導電性接着剤などで接続
する(特開昭56−26402)。
(3) 基板に貫通穴を設け、ネイルヘツド状の金属
ピンを打ち込み、又はロウや導電性接着剤など
で固定する(特開昭57−85205)。
ピンを打ち込み、又はロウや導電性接着剤など
で固定する(特開昭57−85205)。
(4) バネなどでサーミスタチツプの端子を固定す
る(特開昭58−119602)。
る(特開昭58−119602)。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、従来技術によれば、以下に述べ
る問題点を有する。
る問題点を有する。
上記(1)の場合、ワイヤボンデイング用の線材の
太さは金線50μm、アルミニウム線で200μm程度
が一般的であり、振動のかかる場所で使用する場
合など断線事故を起こすことがある。また、線径
が細いため外部導線への接続には取扱いが困難で
ある。
太さは金線50μm、アルミニウム線で200μm程度
が一般的であり、振動のかかる場所で使用する場
合など断線事故を起こすことがある。また、線径
が細いため外部導線への接続には取扱いが困難で
ある。
上記(2)の場合、一般に熱応答性の良い温度セン
サを作るにはサーミスタチツプの大きさは非常に
小さいものとなり、端子リード線の太さもそれに
合せて細くする必要がある。このように細い線や
箔などは線の強度が十分ではなく、また2本の線
が絡み合つたりして取扱いが非常に困難である。
また、エポキシ系、ポリイミド系の導電性接着剤
はその強度が年々増してきているが、セラミツク
スとの熱膨張係数との差は大きく、厳しいヒート
サイクルのかかる温度センサでは、接着強度の信
頼性に問題がある。
サを作るにはサーミスタチツプの大きさは非常に
小さいものとなり、端子リード線の太さもそれに
合せて細くする必要がある。このように細い線や
箔などは線の強度が十分ではなく、また2本の線
が絡み合つたりして取扱いが非常に困難である。
また、エポキシ系、ポリイミド系の導電性接着剤
はその強度が年々増してきているが、セラミツク
スとの熱膨張係数との差は大きく、厳しいヒート
サイクルのかかる温度センサでは、接着強度の信
頼性に問題がある。
上記(3)、(4)の場合、一般に形状は立体的にな
り、薄膜サーミスタセンサの特徴である熱応答性
の速さを損う。
り、薄膜サーミスタセンサの特徴である熱応答性
の速さを損う。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、断
線事故や接着強度の問題を解消するとともに、取
扱いが容易でかつ熱応答性を損うことがない薄膜
温度センサを提供できる。
線事故や接着強度の問題を解消するとともに、取
扱いが容易でかつ熱応答性を損うことがない薄膜
温度センサを提供できる。
[問題点を解決するための手段と作用]
本発明は、少なくともパツド部に半田と濡れや
すい膜を形成した薄膜サーミスタチツプと、樹脂
フイルム上に金属箔パターンを貼り合せた端子リ
ード線とからなり、前記パツド部と金属箔パター
ンとが半田を介して熱圧着されていることを要旨
とする。本発明によれば、断線事故や接着強度の
問題を解消するとともに、取扱いが容易となり、
しかも熱応答性を損うこともない。
すい膜を形成した薄膜サーミスタチツプと、樹脂
フイルム上に金属箔パターンを貼り合せた端子リ
ード線とからなり、前記パツド部と金属箔パター
ンとが半田を介して熱圧着されていることを要旨
とする。本発明によれば、断線事故や接着強度の
問題を解消するとともに、取扱いが容易となり、
しかも熱応答性を損うこともない。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図を参
照して説明する。ここで、第1図は本発明に係る
薄膜温度センサの断面図、第2図は同センサの薄
膜サーミスタチツプの平面図、第3図は同センサ
の端子リード線の平面図である。
照して説明する。ここで、第1図は本発明に係る
薄膜温度センサの断面図、第2図は同センサの薄
膜サーミスタチツプの平面図、第3図は同センサ
の端子リード線の平面図である。
図中の1は、薄膜サーミスタチツプ(以下、チ
ツプという)である。このチツプ1は、シリコン
基板上に熱酸化膜を形成した絶縁性基板2と、こ
の絶縁性基板2上に形成されパツド部3a、クシ
型部3bからなる電極3と、この電極3のクシ型
部3bを覆うように設けられ表面に保護膜(図示
せず)を形成してなるサーミスタ薄膜4と、半田
に濡れやすい膜としてのニツケル膜5とから構成
されている。なお、前記電極3は白金層及びクロ
ム層の2層からなる。前記チツプ1には、半田層
6を介して端子リード線7が電気的に接続されて
いる。ここで、この端子リード線7はポリイミド
フイルム8上に銅箔パターン9を形成した構造と
なつており、回路基板(図示せず)に接続され
る。また、端子リード線7の銅箔パターン9の端
部と前記チツプ1のパツド部2aは、前記半田層
6を介して熱圧着されている。
ツプという)である。このチツプ1は、シリコン
基板上に熱酸化膜を形成した絶縁性基板2と、こ
の絶縁性基板2上に形成されパツド部3a、クシ
型部3bからなる電極3と、この電極3のクシ型
部3bを覆うように設けられ表面に保護膜(図示
せず)を形成してなるサーミスタ薄膜4と、半田
に濡れやすい膜としてのニツケル膜5とから構成
されている。なお、前記電極3は白金層及びクロ
ム層の2層からなる。前記チツプ1には、半田層
6を介して端子リード線7が電気的に接続されて
いる。ここで、この端子リード線7はポリイミド
フイルム8上に銅箔パターン9を形成した構造と
なつており、回路基板(図示せず)に接続され
る。また、端子リード線7の銅箔パターン9の端
部と前記チツプ1のパツド部2aは、前記半田層
6を介して熱圧着されている。
次に、こうした構造の薄膜温度センサの製法に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、シリコン基板の上に熱酸化膜を形成し
た絶縁性基板2を準備し、この絶縁性基板2上
にフオトリソグラフイーを用いてパツド部3a
及びクシ型部3bからなる電極3を形成した。
なお、この時、電極材料としては化学的安定性
と、熱膨張係数がサーミスタ材料に近いことを
考慮して白金を用いた。
た絶縁性基板2を準備し、この絶縁性基板2上
にフオトリソグラフイーを用いてパツド部3a
及びクシ型部3bからなる電極3を形成した。
なお、この時、電極材料としては化学的安定性
と、熱膨張係数がサーミスタ材料に近いことを
考慮して白金を用いた。
次に、前記チツプ1のパツド3a上にニツケ
ル膜5をフオトリソグラフイーにより形成し
た。ここで、ニツケル膜の厚みは例えば5000Å
である。
ル膜5をフオトリソグラフイーにより形成し
た。ここで、ニツケル膜の厚みは例えば5000Å
である。
次いで、前記チツプ1のクシ型部3b上に、
表面に保護膜を有したサーミスタ薄膜4を形成
した。
表面に保護膜を有したサーミスタ薄膜4を形成
した。
一方、外部リード線7は、ポリイミドフイル
ム8上に2枚の銅箔パターン9,9を前記パツ
ド部3a,3aの間隔と合うように貼り合せて
形成した。
ム8上に2枚の銅箔パターン9,9を前記パツ
ド部3a,3aの間隔と合うように貼り合せて
形成した。
この後、前記チツプ1のパツド部3a,3a
上に半田層6をのせ、ヒータで短時間加熱して
ニツケル膜5と半田層6とを接続させる。
上に半田層6をのせ、ヒータで短時間加熱して
ニツケル膜5と半田層6とを接続させる。
最後に、前記パツド部3a,3aにニツケル
膜5及び半田層6を介して外部リード線7の銅
箔パターン9,9とを重ね合せ、上から例えば
半田ゴテで加熱しながら押圧し、銅泊パターン
9と半田層6とを接続する。この方法で端子引
張り強度は1Kg以上(電気パツド面積0.8×0.7
mm2)を得た。また、パツド部3aの先端を予め
半田層でメツキしておくと、熱圧着は更に容易
となる。
膜5及び半田層6を介して外部リード線7の銅
箔パターン9,9とを重ね合せ、上から例えば
半田ゴテで加熱しながら押圧し、銅泊パターン
9と半田層6とを接続する。この方法で端子引
張り強度は1Kg以上(電気パツド面積0.8×0.7
mm2)を得た。また、パツド部3aの先端を予め
半田層でメツキしておくと、熱圧着は更に容易
となる。
しかして、第1図に示す構造の薄膜温度センサ
によれば、薄膜サーミスタチツプ1の電極3のパ
ツド部3a上にニツケル膜5を設け、前記パツド
部3aと端子リード線7の銅箔パターン9とを半
田層6を介して熱圧着した構造となつているた
め、以下に列挙する効果を有する。
によれば、薄膜サーミスタチツプ1の電極3のパ
ツド部3a上にニツケル膜5を設け、前記パツド
部3aと端子リード線7の銅箔パターン9とを半
田層6を介して熱圧着した構造となつているた
め、以下に列挙する効果を有する。
(イ) 全体として非常に薄い薄膜温度センサがで
き、種々な用途のアセンブリにおいて薄膜サー
ミスタチツプ1と被測定物との密着性を良くす
ることができる。
き、種々な用途のアセンブリにおいて薄膜サー
ミスタチツプ1と被測定物との密着性を良くす
ることができる。
(ロ) 2本の銅箔パターン9,9が1枚のポリイミ
ドフイルム8上に形成されているため、配線の
間違いや銅箔パターン9,9同志のからみ合い
などが防止でき、アセンブリが容易である。
ドフイルム8上に形成されているため、配線の
間違いや銅箔パターン9,9同志のからみ合い
などが防止でき、アセンブリが容易である。
(ハ) 銅箔パターン9の強度はほとんどポリイミド
フイルムが担うため、断線事後を防止できる。
フイルムが担うため、断線事後を防止できる。
(ニ) 電極パターン3のパターンを変えることによ
り、多様なアセンブリに対応できる。
り、多様なアセンブリに対応できる。
(ホ) ニツケル膜5をパツド部3a上に形成した状
態でパツド部3aと銅箔パターン9とを半田層
6を介して熱圧着するため、パツド部3aと半
田層6とが強固に接続される。
態でパツド部3aと銅箔パターン9とを半田層
6を介して熱圧着するため、パツド部3aと半
田層6とが強固に接続される。
なお、上記実施例では、半田に濡れやすい膜と
してニツケル膜を用いたが、これに限定されるも
のではなく、錫、銀、金、パラジウム、銅等でも
よい。また、ニツケル膜は上記実施例の如くパツ
ド部上のみならず、例えばクシ型部上に延出して
形成してもよい。
してニツケル膜を用いたが、これに限定されるも
のではなく、錫、銀、金、パラジウム、銅等でも
よい。また、ニツケル膜は上記実施例の如くパツ
ド部上のみならず、例えばクシ型部上に延出して
形成してもよい。
[発明の効果]
以上詳述した如く本発明によれば、断線事故や
接着強度の問題を解消するとともに、取扱いが容
易でかつ熱応答性を損うことがない信頼性の高い
薄膜温度センサを提供できる。
接着強度の問題を解消するとともに、取扱いが容
易でかつ熱応答性を損うことがない信頼性の高い
薄膜温度センサを提供できる。
第1図は本発明の一実施例に係る薄膜温度セン
サの断面図、第2図は同センサの薄膜サーミスタ
チツプの平面図、第3図は同センサの端子リード
線の平面図である。 1……薄膜サーミスタチツプ、2……絶縁性基
板、3……電極、3a……パツド部、3b……ク
シ型部、4……サーミスタ薄膜、5……ニツケル
膜、6……半田層、7……端子リード線、……ポ
リイミドフイルム、9……銅箔パターン。
サの断面図、第2図は同センサの薄膜サーミスタ
チツプの平面図、第3図は同センサの端子リード
線の平面図である。 1……薄膜サーミスタチツプ、2……絶縁性基
板、3……電極、3a……パツド部、3b……ク
シ型部、4……サーミスタ薄膜、5……ニツケル
膜、6……半田層、7……端子リード線、……ポ
リイミドフイルム、9……銅箔パターン。
Claims (1)
- 1 少なくともパツド部に半田と濡れやすい膜を
形成した薄膜サーミスタチツプと、樹脂フイルム
上に金属箔パターンを貼り合せた端子リード線と
からなり、前記パツド部と金属箔パターンとが半
田を介して熱圧着されていることを特徴とする薄
膜温度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2255887A JPS63192203A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 薄膜温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2255887A JPS63192203A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 薄膜温度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63192203A JPS63192203A (ja) | 1988-08-09 |
JPH0381281B2 true JPH0381281B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=12086186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2255887A Granted JPS63192203A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 薄膜温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63192203A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1138136C (zh) * | 1998-03-12 | 2004-02-11 | 株式会社山武 | 传感器及其制造方法 |
JP2006258520A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Ishizuka Electronics Corp | 電子体温計用プローブ |
JP5703842B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-04-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ付き非接触給電装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1267107A (ja) * | 1969-11-25 | 1972-03-15 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55162903U (ja) * | 1979-05-09 | 1980-11-22 |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP2255887A patent/JPS63192203A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1267107A (ja) * | 1969-11-25 | 1972-03-15 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63192203A (ja) | 1988-08-09 |
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