JPH0378649B2 - - Google Patents

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JPH0378649B2
JPH0378649B2 JP57063294A JP6329482A JPH0378649B2 JP H0378649 B2 JPH0378649 B2 JP H0378649B2 JP 57063294 A JP57063294 A JP 57063294A JP 6329482 A JP6329482 A JP 6329482A JP H0378649 B2 JPH0378649 B2 JP H0378649B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の対象 本発明は記憶装置の制御方式に関し、特に計算
機システムの外部記憶装置に用いられる複数の情
報トラツクを有する回転記憶型装置における読取
りチエツク付きデータ書込み効率的な制御方式に
関するものである。
従来技術 従来、磁気デイスク装置等においては、記憶媒
体上の複数のブロツクへの読取りチエツク付きデ
ータ書込みを行う際、不良ブロツクを検出すると
即座に、ヘツドの交代ブロツクへの再位置付けと
データ書込みとを行つた後、ヘツドを前記不良ブ
ロツクの次のブロツクに再位置付けを行つて、続
きのデータの書込みを行つている。
しかしながら、上述の如きデータ書込み制御方
式は、これを信頼度の低い媒体を用いる装置、例
えば光デイスク装置に適用した場合、交代ブロツ
クへの再位置付けが多発して、効率が著しく低下
するという問題がある。
発明の目的 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、従来のデータ書込み制御
方式における上述の如き問題を解消し、複数の情
報トラツクにわたるデータの書込み、書込み後続
取り、不良個所の再書込みおよびその再読取りの
動作を高速かつ円滑に実行可能とする効率的なデ
ータ書込み制御方式を提供することにある。
発明の総括的説明 前記目的は、同心円状もしくはスパイラル状の
いずれか一方の情報トラツクを有するデイスク状
記憶媒体と、該記憶媒体の目的とする情報トラツ
クにヘツドを位置決めするアクセス機構を備える
記憶装置において、前記各情報トラツクの対応し
た位置に交代領域を設けて、任意の情報トラツク
の書込み動作ないし書込み後の読取りチエツク動
作の終了後であつて、前記交代領域に書かれた情
報をチエツクするためのアクセスの回転待ちの間
に、次の情報トラツクの書込みないし書込み後の
読取りチエツクを実行させる如く制御することに
よつて達成される。
発明の実施例 第１図は本発明の制御方式による制御の対象と
なる光デイスク装置におけるデータ記録軌跡とト
ラツクの指定方法を示す図である。トラツクは第
１図に示した光デイスクＤの片面当り、1024本が
スパイラル状に設けられており、外周からトラツ
ク０（T0）、トラツク（T1）……トラツク1023
（T1023）と番号付けられている。
第２図はトラツク内の記録記形式を示すもので
ある。各トラツクはｍ個のブロツクB0，B1…
Bn-1から成つており、各ブロツクには各々ID部
とデータ部とがある。ID部には主として各ブロ
ツクの物理的位置（トラツク番号、ブロツク番
号）が記録されている。データ部には512バイト
のデータおよびエラー回復符号、誤り検出符号が
記録されている。
また、各トラツクのブロツクB0〜Bn-4までは
通常のユーザデータ書込み領域であり、これを通
常ブロツク（NB）と呼ぶ。これに対して、ブロ
ツクBn-3〜Bn-1は当該トラツク内で書込みが失
敗したブロツクの交代用として用いられる領域で
あり、これを交代ブロツク（AB）と呼ぶ。通常
ブロツクの先頭および交代ブロツクの先頭には、
それぞれインデツクスI1およびI2が設けられてい
る。
第３図は本発明の一実施例を示す記憶装置の構
成図である。図において、１は光デイスク、２は
読取りおよび書込み能力を有する光デイスクアク
セス機構、３はそれぞれが１トラツク分以上のデ
ータを保持可能な高速メモリ、４は制御装置、５
は前記光デイスクアクセス機構２にアクセスすべ
きトラツクを選択させるための機構である。制御
装置４はメモリ６に内蔵されたマイクロプログラ
ムにより制御される。また、７は前記メモリ６に
マイクロプログラムをロードするためのフロツピ
ーデイスク、８は本記憶装置の全般的制御を行う
OPUである。
以下、第４図に示したフローチヤートに基づ
き、複数トラツク連続書込み時の動作を説明す
る。
第４図は、光デイスク１の回転に同期して読取
り／書込み動作、使用メモリおよびトラツクを切
換えるための信号線１〜４と、実際に実行される
デイスクへのアクセスの仕方を時空間に展開した
ものである。信号線１は１アクセスヘツドに対す
る書込み動作（「Ｗ」で表わされている。）と書込
み後の読取りチエツク動作（「Ｒ」で表わされて
いる。）との切換えを行うもので、光デイスク装
置のヘツドイレーザの出力増減に対応する。信号
線２は前記２つのメモリ３（その一方をメモリ
M1、他方をメモリM2とする。）の切換えを行う
もので、どちらのメモリからのデータを書込むべ
きかを指定する。
信号線３はアクセスヘツドを１トラツク外周へ
切換えるためのものであり、信号線４はアクセス
ヘツドを１トラツク内周へ切換えるためのもので
ある。これらの切換えは、アクセスヘツドがブロ
ツクとブロツクとの境界会を通過する間に行われ
ることが望ましい。もし、前記切換えがブロツク
とブロツクとの境界で行われなかつた場合には、
後側のブロツクが使用されないことになる。
上記信号線１はアクセスヘツドがインデツクス
I1を検出したときに、信号線２はアクセスヘツド
が書込み開始後奇数回目のインデツクスI2を検出
したときにパルスが発生するように、また、信号
線３はアクセスヘツドがインデツクスI2を検出し
たときに、信号線４はアクセスヘツドが書込み開
始後偶数回目のインデツクスI1を検出したときに
パルスが発生するようになつている。なお、Ｔは
光デイスクの回転周期である。
上述の如き信号線１〜４を用いて、トラツクＮ
（TN）、トラツクＮ＋１（TN+1）、…にデータ書込
みを行う動作は、第４図から理解される如く、次
のように行われる。
(1) トラツクＮ（TN）の通常ブロツクの書込み
（Ｗ）該書込み終了後、メモリM1→メモリM2
への切換えおよび１トラツク外周へのトラツク
切換えが行われる。
(2) トラツクＮ−１（TN-1）の交代ブロツクへの
アクセス 今の場合、TN-1は対象外で処理なし。該交
代ブロツク終了後、書込み→読取りチエツクへ
の切換えが行われる。
(3) トラツクＮ（TN）の通常ブロツクへの前記書
込みの読取りチエツク（Ｒ） 該読取りチエツク終了後、１トラツク外周へ
のトラツク切換えが行われる。
(4) トラツクＮ−１（TN-1）の交代ブロツクへの
アクセス 今の場合、TN-1は対象外で処理なし。該交
代ブロツク終了後、読取りチエツク→書込みへ
の切換えおよび１トラツク内周へのトラツク切
換えが行われる。
(5) トラツクＮ＋１（TN+1）の通常ブロツクの書
込み（Ｗ）該書込み終了後、メモリM2→メモ
リM1への切換えおよび１トラツク外周へのト
ラツク切換えが行われる。
(6) トラツクＮ（TN）の交代ブロツクへのアクセ
ス(3)の読取りチエツクで書込みの失敗があつた
ものについて、当交代ブロツクに再書込みを行
う。
該書込み終了後、書込み→読取りチエツクへ
の切換えが行われる。
(7) トラツクＮ＋１（TN+1）の通常ブロツクへの
前記書込みの読取りチエツク（Ｒ） 該読取りチエツク終了後、１トラツク外周へ
のトラツク切換えが行われる。
(8) トラツクＮ（TN）の交代ブロツクへの前記書
込みの読取りチエツク（Ｒ） 該読取りチエツク終了後、読取りチエツク→
書込みへの切換および１トラツク内周へのトラ
ツク切換えが行われる。
以下、トラツクＮ＋２（TN+2）の通常ブロツク
の書込み、トラツクＮ＋１（TN+1）の交代ブロツ
クの書込み、トラツクＮ＋２（TN+2）の通常ブロ
ツクの読取り、トラツクＮ＋１（TN+1）の交代ブ
ロツクの読取り、トラツクＮ＋３（TN+3）の通常
ブロツクの書込み…という如く、交代ブロツクの
書込みもしくは読取りチエツクに付随した回転待
ちの間に次のトラツクの書込みもしくは読取りチ
エツクが行われる。従つて、全体として、回転待
ちが殆んどなくなるという動作が実現できる。
なお、交代ブロツクへの書込みが、該当する通
常ブロツクの読取りチエツク終了後直ちに実行可
能である場合には、第５図に示す如き動作が可能
となる。第５図に示した制御方式においては、書
込み／読取りチエツク動作の切換えを行う信号線
１は、アクセスヘツドかインデツクスI2を検出し
たときにパルスが発生するように、メモリの切換
えを行う信号線２はアクセスヘツドが書込み開始
後偶数回目のインデツクスI1を検出したときにパ
ルスが発生するように、また、アクセスヘツドを
１トラツク外周へ切換える信号線３はアクセスヘ
ツドが書込み開始後奇数回目のインデツクスI2を
検出したときにパルスが発生するようになつてお
り、前記信号線４に対応する信号は不要である。
前記両実施例においては、２つのメモリM1，
M2を用いており、それぞれ互いに他方のメモリ
が用いられている間にその内容を更新するような
使い方となつているが、これは３つ以上のメモリ
を用いるようにしても良い。その場合には、交代
ブロツクの書込み後の読取りチエツクで異常が見
出された場合にも速やかに対処できるという利点
がある。
また、上記実施例においては、スパイラル状の
トラツクを有する光デイスクを用いる装置の制御
を例にとつて説明したが、本発明はこれらに限ら
れるものではないことは言うまでもない。
発明の効果 以上述べた如く、本発明によれば、同心円状も
しくはスパイラル状のトラツクを有する記憶媒体
を用い、隣接するトラツクへのアクセスを瞬間的
に切換える回路を有するアクセス機構およびそれ
ぞれが１トラツク分以上のデータを保持可能な複
数の高速メモリを備えた記憶装置サブシステムに
おいて、前記各トラツクの最後部に交代領域を設
けて任意のトラツクの書込み動作または書込み後
の読取りチエツク動作終了後における前記交代大
領域アクセスに付随する回転待ちの間に、次のト
ラツクの書込みまたは書込みの後の読取りチエツ
クを先行して実行される如く制御するようにした
ので、複数のトラツクにわたるデータの書込みお
よび書込み後の読取りチエツクの動作を高速かつ
円滑に実行することを可能とする記憶装置の制御
方式を実現できるという顕著な効果を奏するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は光デイスクのトラツクを示す図、第２
図はトラツク内の記録形式を示す図、第３図は本
発明の一実施例を示す記憶装置の構成図、第４
図、第５図は実施例装置の動作を示すフローチヤ
ートである。 １：光デイスク、２：光デイスクアクセス機
構、３：高速メモリ、４：制御装置、５：トラツ
ク選択制御機構、６：メモリ、７：フロツピーデ
イスク、８：CPU、Ti：トラツク、I1，I2：イン
デツクス、Bi：ブロツク、NB：通常ブロツク、
AB：交代ブロツク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 同心円状もしくはスパイラル状のいずれか一
    方の情報トラツクを有するデイスク状記憶媒体
    と、該記憶媒体の目的とする情報トラツクにヘツ
    ドを位置決めするアクセス機構を備える記憶装置
    において、前記各情報トラツクの対応した位置に
    交代領域を設けて、任意の情報トラツクの書込み
    動作ないし書込み後の読取りチエツク動作の終了
    後であつて、前記交代領域に書かれた情報をチエ
    ツクするためのアクセスの回転待ちの間に、次の
    情報トラツクの書込みないし書込み後の読取りチ
    エツクを実行させる如く制御することを特徴とす
    る記憶装置の制御方式。
JP57063294A 1982-04-16 1982-04-16 記憶装置の制御方式 Granted JPS58181163A (ja)

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JP57063294A JPS58181163A (ja) 1982-04-16 1982-04-16 記憶装置の制御方式
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