JPH0374377A - ラクトン類の製造法 - Google Patents
ラクトン類の製造法Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Furan Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はラクトン類の製造法に関するものである。詳し
くは、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジ
カルボン酸エステルな液相で水素化することによりラク
トン類を製造する方法の改良に関するものである。
くは、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジ
カルボン酸エステルな液相で水素化することによりラク
トン類を製造する方法の改良に関するものである。
(従来の技術)
ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボ
ン酸エステルを水素化してラクトン類を製造する方法は
古くから検討されており、これまでに多数の提案がなさ
れている。例えは触媒として、ニッケル系触媒(特公昭
43−6947号公報)、コバルト系触媒(特開昭51
−95057号公報)、銅−クロム系触媒(特公昭38
−20119号公報)、銅−亜鉛系触媒(特公昭42−
14463号公報)等を使用して、固定床又は懸濁液相
により水素化反応を行なう方法が知られている。
ン酸エステルを水素化してラクトン類を製造する方法は
古くから検討されており、これまでに多数の提案がなさ
れている。例えは触媒として、ニッケル系触媒(特公昭
43−6947号公報)、コバルト系触媒(特開昭51
−95057号公報)、銅−クロム系触媒(特公昭38
−20119号公報)、銅−亜鉛系触媒(特公昭42−
14463号公報)等を使用して、固定床又は懸濁液相
により水素化反応を行なう方法が知られている。
一方、均一系のルテニウム系触媒を使用して上記の水素
化反応を行なう方法も知られ、例えは米国特許3957
827号には、[RuXn(PR+tt2R3)xLy
コ型のルテニウム系触媒を使用し40〜400 psi
の加圧下で水素化してラクトン類を製造する方法が記載
され、また米国特許4485246号には、同様の触媒
による水、素化反応を有機アミンの存在下で行なうこと
が記載されている。
化反応を行なう方法も知られ、例えは米国特許3957
827号には、[RuXn(PR+tt2R3)xLy
コ型のルテニウム系触媒を使用し40〜400 psi
の加圧下で水素化してラクトン類を製造する方法が記載
され、また米国特許4485246号には、同様の触媒
による水、素化反応を有機アミンの存在下で行なうこと
が記載されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記のニッケル系触媒、コバルト系触媒
、銅−クロム系触媒、銅−亜鉛系触媒等の固体触媒を使
用する従来の方法は、反応条件が数十気圧以上の苛酷な
条件の採用は避けられないという問題点があった。一方
、上記均一系のルテニウム系触媒を使用する方法は、比
較的温和な条件下で水素化反応が進行するという特徴が
ある半面、触媒活性がやや低水準であるうえ、触媒寿命
が短かく、またハロゲンを使用しているため反応装置の
腐蝕が生ずるという問題がある。
、銅−クロム系触媒、銅−亜鉛系触媒等の固体触媒を使
用する従来の方法は、反応条件が数十気圧以上の苛酷な
条件の採用は避けられないという問題点があった。一方
、上記均一系のルテニウム系触媒を使用する方法は、比
較的温和な条件下で水素化反応が進行するという特徴が
ある半面、触媒活性がやや低水準であるうえ、触媒寿命
が短かく、またハロゲンを使用しているため反応装置の
腐蝕が生ずるという問題がある。
そこで本出願人は、先に触媒としてルテニウム、有機ホ
スフィン及び pKa値が2より小さい酸の共役塩基を
含有するルテニウム系触媒を使用し、液相で水素化する
方法を提案した(特開平1−25771号公報)。この
方法では、高活性なルテニウム触媒を使用するので、温
和な条件下で良好に水素化反応を行うことができるが、
ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボ
ン酸エステルを原料として水素化反応を行なった場合、
反応帯域で分解あるいは重縮合等による高沸点成分が生
成し、ラクトン類の収率が低下する欠点があった。
スフィン及び pKa値が2より小さい酸の共役塩基を
含有するルテニウム系触媒を使用し、液相で水素化する
方法を提案した(特開平1−25771号公報)。この
方法では、高活性なルテニウム触媒を使用するので、温
和な条件下で良好に水素化反応を行うことができるが、
ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボ
ン酸エステルを原料として水素化反応を行なった場合、
反応帯域で分解あるいは重縮合等による高沸点成分が生
成し、ラクトン類の収率が低下する欠点があった。
本発明は、ルテニウム触媒を使用する方法の」−述の問
題点を解決し、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び
/又はジカルボン酸エステルから、工業的有利にラクト
ン類を製造することを目的とするものである。
題点を解決し、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び
/又はジカルボン酸エステルから、工業的有利にラクト
ン類を製造することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明者等は上記の目的を達成するために検討の結果、
ルテニウム触媒を使用してジカルボン酸、ジカルボン酸
無水物及び/又はジカルボン酸エステルを液相て水素化
することによりラクトン類を製造する場合に、水素化反
応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を特定割合以
下に保持すると、ラクトン類の収率が向上するはかりで
なく、触媒の水素化活性の向」二にも効果があることを
見出し、本発明に到達した。即ち、本発明の要旨は、ジ
カルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボン
酸エステルをルテニウム触媒の存在下液相で水素化する
ことによりラクトン類を製造する方法において、水素化
反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を3重量%
以下に保持することを特徴とするラクトン類の製造法に
存する。
ルテニウム触媒を使用してジカルボン酸、ジカルボン酸
無水物及び/又はジカルボン酸エステルを液相て水素化
することによりラクトン類を製造する場合に、水素化反
応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を特定割合以
下に保持すると、ラクトン類の収率が向上するはかりで
なく、触媒の水素化活性の向」二にも効果があることを
見出し、本発明に到達した。即ち、本発明の要旨は、ジ
カルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボン
酸エステルをルテニウム触媒の存在下液相で水素化する
ことによりラクトン類を製造する方法において、水素化
反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を3重量%
以下に保持することを特徴とするラクトン類の製造法に
存する。
本発明の詳細な説明するに、本発明にお(プる原 3
料物質としては、炭素数3〜7の飽和又は不飽和のジカ
ルボン酸、それ等の無水物、もしくはそれ等のジカルボ
ン酸のエステルが挙げられ、エステルとしては低級アル
キルエステルが好ましい。具体的には例えば、マレイン
酸、フマール酸、コハク酸、無水マレイン酸、無水コハ
ク酸、マレイン酸ジメチル、フマール酸ジエチル、コハ
ク酸−ジ−nブチル等が使用される。
ルボン酸、それ等の無水物、もしくはそれ等のジカルボ
ン酸のエステルが挙げられ、エステルとしては低級アル
キルエステルが好ましい。具体的には例えば、マレイン
酸、フマール酸、コハク酸、無水マレイン酸、無水コハ
ク酸、マレイン酸ジメチル、フマール酸ジエチル、コハ
ク酸−ジ−nブチル等が使用される。
本発明に使用されるルテニウム触媒としては特に限定さ
れないが、例えば(イ)ルテニウム、(ロ)有機ホスフ
ィン及び(ハ)pKaが2より小さい酸の共役塩基を含
有するルテニウム系触媒、あるいはこのルテニウム系触
媒に更に(ニ)中性配位子を含有させた触媒が好適に使
用される。
れないが、例えば(イ)ルテニウム、(ロ)有機ホスフ
ィン及び(ハ)pKaが2より小さい酸の共役塩基を含
有するルテニウム系触媒、あるいはこのルテニウム系触
媒に更に(ニ)中性配位子を含有させた触媒が好適に使
用される。
本発明は、上述のジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及
び/又はジカルボン酸エステルを上記ルテニウム触媒の
存在下に液相で水素化してラクトン類を製造する際に、
水素化反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を3
重量%以下、好ましくは2重量%以下に保持することを
骨子とするものである。このためには、例えは溶媒を用
いて希釈したり、あるいは触媒濃度を高くして、水素化
反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度が3重量%
以下になるようにする方法等が採られる。
び/又はジカルボン酸エステルを上記ルテニウム触媒の
存在下に液相で水素化してラクトン類を製造する際に、
水素化反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を3
重量%以下、好ましくは2重量%以下に保持することを
骨子とするものである。このためには、例えは溶媒を用
いて希釈したり、あるいは触媒濃度を高くして、水素化
反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度が3重量%
以下になるようにする方法等が採られる。
このような方法により、原料物質の分解あるいは重縮合
に基づく高沸点物質の生成が抑制されて、ラクトン類の
収率が向上するばかりでなく、触媒の水素化活性の向上
が認められる。
に基づく高沸点物質の生成が抑制されて、ラクトン類の
収率が向上するばかりでなく、触媒の水素化活性の向上
が認められる。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明における前売(イ)ルテニウム、(ロ)有機ホス
フィン及び(ハ)pKa値が2より小さい酸の共役塩基
を含有し、場合により中性配位子を含有していてもよい
ルテニウム触媒の詳細は次の通りである。
フィン及び(ハ)pKa値が2より小さい酸の共役塩基
を含有し、場合により中性配位子を含有していてもよい
ルテニウム触媒の詳細は次の通りである。
(イ)ルテニウム:
ルテニウムとしては、金属ルテニウム及びルテニウム化
合物の何れも使用することができる。ルテニウム化合物
としては、ルテニウムの酸化物、ハロゲン化物、水酸化
物、無機酸塩、有機酸塩又は錯化合物が使用され、具体
的には例えば、二酸化ルテニウム、四酸化ルテニウム、
二本酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム
、ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム
、トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘキサクロ
ロルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニルルテニウ
ム酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウム、シクロ
ペンタジエニルジ力ルポニルルテニウム、ジブロモトリ
カルボニルルテニウム、クロロトリス(トリフェニルホ
スフィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリーn−ブチ
ルホスフィン)トリカルボニルルテニウム、ドデカカル
ボニルトリルテニウム、テトラヒトリドデカカルボニル
テトラルテニウム、オクタデカカルボニルへキザルテニ
ウム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒドリドトリル
テニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が挙げられる
。これ等の金属ルテニウム及びルテニウム化合物の使用
量は、反応溶液1リツトル中のルテニウムとして0.0
001〜100ミリモル、好ましくは0.001〜10
ミリモルである。
合物の何れも使用することができる。ルテニウム化合物
としては、ルテニウムの酸化物、ハロゲン化物、水酸化
物、無機酸塩、有機酸塩又は錯化合物が使用され、具体
的には例えば、二酸化ルテニウム、四酸化ルテニウム、
二本酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム
、ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム
、トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘキサクロ
ロルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニルルテニウ
ム酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウム、シクロ
ペンタジエニルジ力ルポニルルテニウム、ジブロモトリ
カルボニルルテニウム、クロロトリス(トリフェニルホ
スフィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリーn−ブチ
ルホスフィン)トリカルボニルルテニウム、ドデカカル
ボニルトリルテニウム、テトラヒトリドデカカルボニル
テトラルテニウム、オクタデカカルボニルへキザルテニ
ウム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒドリドトリル
テニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が挙げられる
。これ等の金属ルテニウム及びルテニウム化合物の使用
量は、反応溶液1リツトル中のルテニウムとして0.0
001〜100ミリモル、好ましくは0.001〜10
ミリモルである。
(ロ)有機ホスフィン:
有機ホスフィンは、主触媒である(イ)のルテニウムの
電子状態を制御したり、ルテニウムの活性状態を安定化
するのに寄与するものと考えられる。
電子状態を制御したり、ルテニウムの活性状態を安定化
するのに寄与するものと考えられる。
有機ホスフィンの具体例としては、トリー〇−オクチル
ボスフィン、トリー〇−ブチルボスフィン、ジメチル−
〇−オクチルボスフィン等のトリアルキルボスフィン類
、トリシクロへキシルボスフィンのようなトリシクロア
ルキルホスフィン類、トリフェニルホスフィンのような
トリアリールボスフィン類、ジメチルフェニルホスフィ
ンのようなアルキルアリールホスフィン類、1.2−ヒ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタンのような多官能性ホ
スフィン類が挙げられる。有機ボスフィンの使用量は通
常、ルテニウム1モルに対して、0.1〜1000モル
程度、好ましくは1〜100モルである。また、有機ボ
スフィンは、それ自体単独で、あるいはルテニウム触媒
との複合体の形で、反応系に供給することができる。
ボスフィン、トリー〇−ブチルボスフィン、ジメチル−
〇−オクチルボスフィン等のトリアルキルボスフィン類
、トリシクロへキシルボスフィンのようなトリシクロア
ルキルホスフィン類、トリフェニルホスフィンのような
トリアリールボスフィン類、ジメチルフェニルホスフィ
ンのようなアルキルアリールホスフィン類、1.2−ヒ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタンのような多官能性ホ
スフィン類が挙げられる。有機ボスフィンの使用量は通
常、ルテニウム1モルに対して、0.1〜1000モル
程度、好ましくは1〜100モルである。また、有機ボ
スフィンは、それ自体単独で、あるいはルテニウム触媒
との複合体の形で、反応系に供給することができる。
(ハ)pKa値が2より小さい酸の共役塩基:pKa値
が2より小さい酸の兵役塩基は、ルテニウ 7 ム触媒の1」加的促進剤として作用し、触媒調製中又は
反応系中において、pKa値が2より小さい酸の共役塩
基を生成するものであればよく、その供給形態としては
、pKa値が2より小さいブレンステッド酸又はその各
種の塩等が用いられる。具体的には例えは、硫酸、亜硫
酸、硝酸、亜硝酸、過塩素酸、燐酸、ホウフッ化水素酸
、ヘキサフルオロ燐酸、タングステン酸、燐モリブデン
酸、燐タングステン酸、シリコンタングステン酸、ポリ
ケイ酸、フルオロスルホン酸等の無機酸類、トリクロロ
酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルボ
ン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ラウリルスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸、p−)ルエンスルホン酸等
の有機酸、あるいはこれ等の酸のアンモニウム塩、ホス
ホニウム塩が挙げられる。
が2より小さい酸の兵役塩基は、ルテニウ 7 ム触媒の1」加的促進剤として作用し、触媒調製中又は
反応系中において、pKa値が2より小さい酸の共役塩
基を生成するものであればよく、その供給形態としては
、pKa値が2より小さいブレンステッド酸又はその各
種の塩等が用いられる。具体的には例えは、硫酸、亜硫
酸、硝酸、亜硝酸、過塩素酸、燐酸、ホウフッ化水素酸
、ヘキサフルオロ燐酸、タングステン酸、燐モリブデン
酸、燐タングステン酸、シリコンタングステン酸、ポリ
ケイ酸、フルオロスルホン酸等の無機酸類、トリクロロ
酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルボ
ン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ラウリルスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸、p−)ルエンスルホン酸等
の有機酸、あるいはこれ等の酸のアンモニウム塩、ホス
ホニウム塩が挙げられる。
また、これ等の酸の共役塩基が反応系で生成すると考え
られる酸誘導体、例えば酸ハロゲン化物、酸無水物、エ
ステル、酸アミド等の形で添加しても同様の効果が得ら
れる。これ等の酸又はその塩の使用量は、ルテニウム1
モルに対して0.01〜1000モル、好ましくは0.
1〜100モル、更に好ましくは0.5〜20モルの範
囲である。
られる酸誘導体、例えば酸ハロゲン化物、酸無水物、エ
ステル、酸アミド等の形で添加しても同様の効果が得ら
れる。これ等の酸又はその塩の使用量は、ルテニウム1
モルに対して0.01〜1000モル、好ましくは0.
1〜100モル、更に好ましくは0.5〜20モルの範
囲である。
」二記(イ)、(ロ)及び(ハ)の成分の外に、場合に
より含有することがてきる(二)中性配位子としては、
水素、エチレン、プロピレン、ブテン、シクロペンテン
、シクロヘキセン、ブタジェン、シクロペンタジェン、
シクロオクタジエン、ノルボナジエン等のオレフィン類
、−酸化炭素、ジエチルエーテル、アニソール、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトフェノン
、ベンゾフェノン、シクロヘキサノン、プロピオン酸、
カプロン酸、酪酸、安息香酸、酢酸エチル、酢酸アリル
、安息香酸ヘンシル、ステアリン酸ベンジル等の含酸素
化合物、酸化窒素、アセトニトリル、プロピオニトリル
、ベンゾニトリル、シクロヘキシルイソニトリル、プチ
ルアミシ、アニリン、トルイジン、トリエチルアミン、
ビロール、ピリジン、N−メチルホルムアミド、アセト
アミド、1,1,3,3テトラメチル尿素、N−メチル
ピロリドン、カプロラクタム、ニトロメタン等の含窒素
化合物、二硫化炭素、n−ブチルメルカプタン、チオフ
ェノール、ジメチルスルフィド、ジメチルジスルフィド
、チオフェン、ジメチルスルホキシド、シフェニルスル
ボキシト等の含硫黄化合物、トリブチルボスフィンオキ
シド、エチルジフェニルホスフィンオキシト、トリフェ
ニルホスフィンオキシト、ジエチルフェニルホスフィネ
ート、ジフェニルメチルホスフィネート、ジフェニルエ
チルホスフィネート、0.0−ジメチルメチルホスホノ
チオレート、トリエチルホスファイト、トリフェニルホ
スファイト、トリエチルホスフェート、トリフェニルホ
スフェト、ヘキサメチルホスポリツクトリアミド等の有
機ホスフィン以外゛の含燐化合物が挙げられる。
より含有することがてきる(二)中性配位子としては、
水素、エチレン、プロピレン、ブテン、シクロペンテン
、シクロヘキセン、ブタジェン、シクロペンタジェン、
シクロオクタジエン、ノルボナジエン等のオレフィン類
、−酸化炭素、ジエチルエーテル、アニソール、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトフェノン
、ベンゾフェノン、シクロヘキサノン、プロピオン酸、
カプロン酸、酪酸、安息香酸、酢酸エチル、酢酸アリル
、安息香酸ヘンシル、ステアリン酸ベンジル等の含酸素
化合物、酸化窒素、アセトニトリル、プロピオニトリル
、ベンゾニトリル、シクロヘキシルイソニトリル、プチ
ルアミシ、アニリン、トルイジン、トリエチルアミン、
ビロール、ピリジン、N−メチルホルムアミド、アセト
アミド、1,1,3,3テトラメチル尿素、N−メチル
ピロリドン、カプロラクタム、ニトロメタン等の含窒素
化合物、二硫化炭素、n−ブチルメルカプタン、チオフ
ェノール、ジメチルスルフィド、ジメチルジスルフィド
、チオフェン、ジメチルスルホキシド、シフェニルスル
ボキシト等の含硫黄化合物、トリブチルボスフィンオキ
シド、エチルジフェニルホスフィンオキシト、トリフェ
ニルホスフィンオキシト、ジエチルフェニルホスフィネ
ート、ジフェニルメチルホスフィネート、ジフェニルエ
チルホスフィネート、0.0−ジメチルメチルホスホノ
チオレート、トリエチルホスファイト、トリフェニルホ
スファイト、トリエチルホスフェート、トリフェニルホ
スフェト、ヘキサメチルホスポリツクトリアミド等の有
機ホスフィン以外゛の含燐化合物が挙げられる。
本発明の方法は、特に溶媒を使用せず、原料物質自体を
溶媒として実施することができるが、原料物質以外に他
の溶媒を使用することもできる。
溶媒として実施することができるが、原料物質以外に他
の溶媒を使用することもできる。
このような溶媒としては、例えばジエチルエチル、アニ
ソール、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエ
チルエーテル、l・リエチレングリコールジメチルエー
テル、ジオキサン等のエテル類:アセトン、メチルエチ
ルケトン、アセトフェノン等のケトン類;メタノール、
エタノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、エ
チレングリコール、ジエチレングリコール等のアルコー
ル類;フェノール類;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、トル
イル酸等のカルボン酸類;酢酸メチル、酢酸n−ブチル
、安息香酸ベンジル等のエステル類;ベンゼン、トルエ
ン、エチルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;
n−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘキサン等の脂肪
族炭化水素;ジクロロメタン、トリクロロエタン、クロ
ロヘフィン等のハロゲン化炭化水素;ニトロメタン、二
トロヘンゼン等のニトロ化炭化水素; N、N−ジメチ
ルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン等のカルボン酸アミド;ヘキサメチル
リン酸トリアミド、N、N、N’、N’−テトラエチル
スルファミド等のその他のアミド類; N、N’−ジメ
チルイミダソリトン、N、N、N、N−テトラメチル尿
素等の尿素類ニジメチルスルボン、テトラメチレンスル
ホン等のスルポン類ニジメチルスルホキシド、ジフエ=
11− ニルスルホキシド等のスルホキシF類;γ−ブチロラク
トン、ε−カプロラクトン等のラクトン類;トリプライ
ム(トリエチレングリコールジメチルエーテル)、テト
ラグライム(テトラエチレングリコールジメチルエーテ
ル)、18−クラウン−6等のポリエーテル類、アセト
ニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ジメチルカ
ーボネート、エチレンカーボネート等の炭酸エステル類
が挙げられる。
ソール、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジエ
チルエーテル、l・リエチレングリコールジメチルエー
テル、ジオキサン等のエテル類:アセトン、メチルエチ
ルケトン、アセトフェノン等のケトン類;メタノール、
エタノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、エ
チレングリコール、ジエチレングリコール等のアルコー
ル類;フェノール類;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、トル
イル酸等のカルボン酸類;酢酸メチル、酢酸n−ブチル
、安息香酸ベンジル等のエステル類;ベンゼン、トルエ
ン、エチルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;
n−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘキサン等の脂肪
族炭化水素;ジクロロメタン、トリクロロエタン、クロ
ロヘフィン等のハロゲン化炭化水素;ニトロメタン、二
トロヘンゼン等のニトロ化炭化水素; N、N−ジメチ
ルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン等のカルボン酸アミド;ヘキサメチル
リン酸トリアミド、N、N、N’、N’−テトラエチル
スルファミド等のその他のアミド類; N、N’−ジメ
チルイミダソリトン、N、N、N、N−テトラメチル尿
素等の尿素類ニジメチルスルボン、テトラメチレンスル
ホン等のスルポン類ニジメチルスルホキシド、ジフエ=
11− ニルスルホキシド等のスルホキシF類;γ−ブチロラク
トン、ε−カプロラクトン等のラクトン類;トリプライ
ム(トリエチレングリコールジメチルエーテル)、テト
ラグライム(テトラエチレングリコールジメチルエーテ
ル)、18−クラウン−6等のポリエーテル類、アセト
ニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ジメチルカ
ーボネート、エチレンカーボネート等の炭酸エステル類
が挙げられる。
本発明の方法により、水素化反応を行うには、反応容器
に、原料物質、前記の触媒成分及び所望により溶媒を導
入し、これに水素を導入する。水素は、窒素あるいは二
酸化炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであ
ってもよい。反応温度は通常50〜2506C1好まし
くは100〜200℃である。反応系内の水素分圧は特
に限られるものではないが、工業的実施上は通常0.1
〜100 kg/cm2、好ましくは1〜50 kg/
cm2である。反応は回分方式及び連続方式の何れでも
実施することができる。
に、原料物質、前記の触媒成分及び所望により溶媒を導
入し、これに水素を導入する。水素は、窒素あるいは二
酸化炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであ
ってもよい。反応温度は通常50〜2506C1好まし
くは100〜200℃である。反応系内の水素分圧は特
に限られるものではないが、工業的実施上は通常0.1
〜100 kg/cm2、好ましくは1〜50 kg/
cm2である。反応は回分方式及び連続方式の何れでも
実施することができる。
回分方式の場合の所要反応時間は通常l〜20時間−1
2− である。反応生成液から蒸留、抽出等の通常の分離精製
手段により目的物であるラクトン類を採取することがで
きる。また蒸留残渣は触媒成分として反応系に循環され
る。
2− である。反応生成液から蒸留、抽出等の通常の分離精製
手段により目的物であるラクトン類を採取することがで
きる。また蒸留残渣は触媒成分として反応系に循環され
る。
(実施例)
以下本発明を実施例及び比較例について更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限りこれ等の実施
例に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨を超えない限りこれ等の実施
例に限定されるものではない。
実施例1
触媒液の調製:
0.039重量%のルテニウムアセチルアセトナ) 、
0.37重量%のトリオクチルホスフィン及び0.16
重量%のp−トルエンスルホン酸をトリエチレングリコ
ールジメチルエーテルに溶解し、200℃で2時間加熱
処理して触媒液を調製した。
0.37重量%のトリオクチルホスフィン及び0.16
重量%のp−トルエンスルホン酸をトリエチレングリコ
ールジメチルエーテルに溶解し、200℃で2時間加熱
処理して触媒液を調製した。
水素化反応:
第1図に示す流通型反応設備を使用して水素化反応を実
施した。第1図において、1は反応器、2は触媒容器、
3は圧縮機、4は原料容器、5は気液分離器、6は蒸留
塔である。
施した。第1図において、1は反応器、2は触媒容器、
3は圧縮機、4は原料容器、5は気液分離器、6は蒸留
塔である。
触媒液を触媒容器2から2500 g/ hrの流量て
反応器1に供給し、水素カスを圧縮機3より8 Nm3
/hrの流量で反応器1に供給し、反応器1の圧力を4
0 kg/cm2 G、温度を205℃に加熱保持した
。
反応器1に供給し、水素カスを圧縮機3より8 Nm3
/hrの流量で反応器1に供給し、反応器1の圧力を4
0 kg/cm2 G、温度を205℃に加熱保持した
。
一方、無水コハク酸80重量%及びγ−ブチロラクトン
20重量%からなる原料液を、原料容器4から200g
/hrの流量で連続的に反応器1に供給して水素化反応
を行った。
20重量%からなる原料液を、原料容器4から200g
/hrの流量で連続的に反応器1に供給して水素化反応
を行った。
反応混合物は気液分離器5に導入してa液分離し、ガス
は圧縮機3に循環し一部をパージした。
は圧縮機3に循環し一部をパージした。
ガス分離後の反応生成液は蒸留塔6に送給して、塔頂か
ら生成γ−ブチロラクトン及び水を蒸留分離し、触媒液
は塔底から抜出して触媒容器2に循環した。
ら生成γ−ブチロラクトン及び水を蒸留分離し、触媒液
は塔底から抜出して触媒容器2に循環した。
このような方法により15日間反応を継続し、生成物を
カスクロマトグラフィーにより分析したところ、後半(
反応開始後10〜15日)におけるγ−ブチロラクトン
の収率は98.8%であった。また、反応期2間中にお
ける反応器1中の無水コハクMi!1度は1.1重量%
であった。更に、無水コハク酸の反応速度定数は1.9
hr−1であった。
カスクロマトグラフィーにより分析したところ、後半(
反応開始後10〜15日)におけるγ−ブチロラクトン
の収率は98.8%であった。また、反応期2間中にお
ける反応器1中の無水コハクMi!1度は1.1重量%
であった。更に、無水コハク酸の反応速度定数は1.9
hr−1であった。
実施例2〜3及び比較例1〜2
実施例1において使用した原料液の供給It(200g
/hr)を、表1に示す種々の量に変えた以外は、実施
例1と全く同様に反応を行った。その結果を表1に示す
。
/hr)を、表1に示す種々の量に変えた以外は、実施
例1と全く同様に反応を行った。その結果を表1に示す
。
表1
(注)CSC:無水コハク酸、 GBL :γ−ブチロ
ラクトン実施例4 実施例1において使用した触媒液の代わりに、0.12
重量%のルテニウムアセチルアセトナート1.11重量
%のトリオクチルホスフィン及び0.49重= 15− 量%のp−)ルエンスルホン酸をトリエチレングリコー
ルジメチルエーテルに溶解し、200℃で2時間加熱処
理して調製した触媒液を使用し、かつ実施例1において
使用した原料液の供給量を400 g/h「とし、その
他は実施例1と全く同様に反応を行った。その結果γ−
ブチロラクトンの収率は98%であり、反応期間中にお
ける反応器1中の無水コハク111濃度は1.1重量%
であった。また無水コハク酸の反応速度定数は5.2
hriであっk。
ラクトン実施例4 実施例1において使用した触媒液の代わりに、0.12
重量%のルテニウムアセチルアセトナート1.11重量
%のトリオクチルホスフィン及び0.49重= 15− 量%のp−)ルエンスルホン酸をトリエチレングリコー
ルジメチルエーテルに溶解し、200℃で2時間加熱処
理して調製した触媒液を使用し、かつ実施例1において
使用した原料液の供給量を400 g/h「とし、その
他は実施例1と全く同様に反応を行った。その結果γ−
ブチロラクトンの収率は98%であり、反応期間中にお
ける反応器1中の無水コハク111濃度は1.1重量%
であった。また無水コハク酸の反応速度定数は5.2
hriであっk。
比較例3
実施例1において使用した触媒液の代わりに、0.01
9重量%のルテニウムアセチルアセトナ−) 、0.1
9重量%のトリオクチルホスフィン及び0.08重量%
のp−トルエンスルホン敢をトリエチレングリコールジ
メチルエーテルに溶解し、200°Cで2時間加熱処理
して!1IfIIJ&シた触媒液を使用し、かつ実施例
1において使用した原料液の供給量を210g/hrと
し、その他は実施例1と全く同様に反応を行った。その
結果γ−ブチロラクトンの収率は95.0%であり、反
応期間中における反応器1−16− 中の無水コハク酸濃度は4.3重量%てあった。また無
水コハク酸の反応速度定数は0.7 hrlてあつに0 (発明の効果) 本発明方法によれは、ルテニウム触媒を使用してジカル
ボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボン酸エ
ステルを液相て水素化することによりラクトン類を製造
する場合に、水素化反応号域におけるジカルボン酸無水
物の濃度を3重量%以下に保持することにより、ラクト
ン類の収率が向上するばかりでなく、触媒の水素化活性
も向上し、工業的に実施する場合の価値は大きい。
9重量%のルテニウムアセチルアセトナ−) 、0.1
9重量%のトリオクチルホスフィン及び0.08重量%
のp−トルエンスルホン敢をトリエチレングリコールジ
メチルエーテルに溶解し、200°Cで2時間加熱処理
して!1IfIIJ&シた触媒液を使用し、かつ実施例
1において使用した原料液の供給量を210g/hrと
し、その他は実施例1と全く同様に反応を行った。その
結果γ−ブチロラクトンの収率は95.0%であり、反
応期間中における反応器1−16− 中の無水コハク酸濃度は4.3重量%てあった。また無
水コハク酸の反応速度定数は0.7 hrlてあつに0 (発明の効果) 本発明方法によれは、ルテニウム触媒を使用してジカル
ボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボン酸エ
ステルを液相て水素化することによりラクトン類を製造
する場合に、水素化反応号域におけるジカルボン酸無水
物の濃度を3重量%以下に保持することにより、ラクト
ン類の収率が向上するばかりでなく、触媒の水素化活性
も向上し、工業的に実施する場合の価値は大きい。
縮機、4は原料容器、5は気液分離器、6は蒸留塔であ
る。
る。
Claims (1)
- (1)ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジ
カルボン酸エステルをルテニウム触媒の存在下液相で水
素化することによりラクトン類を製造する方法において
、水素化反応帯域におけるジカルボン酸無水物の濃度を
3重量%以下に保持することを特徴とするラクトン類の
製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206719A JP2516815B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | ラクトン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206719A JP2516815B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | ラクトン類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0374377A true JPH0374377A (ja) | 1991-03-28 |
JP2516815B2 JP2516815B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=16527974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1206719A Expired - Fee Related JP2516815B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | ラクトン類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2516815B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6230248A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
US7427684B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-09-23 | Davy Process Technology Limited | Process for the production of lactams |
US7498450B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-03-03 | Davy Process Technology Limited | Homogeneous process for the hydrogenation of dicarboxylic acids and/or anhydrides thereof |
US7709689B2 (en) | 2002-05-02 | 2010-05-04 | Davy Process Technololgy Limited | Homogenous process for the hydrogenation of carboxylic acids and derivatives thereof |
JP2015187103A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 三菱化学株式会社 | ガンマブチロラクトンの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6333123A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Ig Tech Res Inc | 金属薄板材成形ロ−ル装置 |
JPS6425771A (en) * | 1986-08-19 | 1989-01-27 | Mitsubishi Chem Ind | Production of lactones |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1206719A patent/JP2516815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6333123A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Ig Tech Res Inc | 金属薄板材成形ロ−ル装置 |
JPS6425771A (en) * | 1986-08-19 | 1989-01-27 | Mitsubishi Chem Ind | Production of lactones |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6230248A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
US7709689B2 (en) | 2002-05-02 | 2010-05-04 | Davy Process Technololgy Limited | Homogenous process for the hydrogenation of carboxylic acids and derivatives thereof |
US9636671B2 (en) | 2002-05-02 | 2017-05-02 | Davy Process Technology Limited | Homogeneous process for the hydrogenation of carboxylic acids and derivatives thereof |
US7427684B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-09-23 | Davy Process Technology Limited | Process for the production of lactams |
US7498450B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-03-03 | Davy Process Technology Limited | Homogeneous process for the hydrogenation of dicarboxylic acids and/or anhydrides thereof |
JP2015187103A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 三菱化学株式会社 | ガンマブチロラクトンの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2516815B2 (ja) | 1996-07-24 |
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