JPH0374006B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザービームにより抵抗値をトリ
ミングする抵抗トリミング装置に関するものであ
る。

従来の技術 抵抗トリミング装置は、ハイブリツドICの普
及等にともない広く利用されている。近年とく
に、抵抗値精度の向上、トリミングタクトの短縮
等の要求が強くなつてきている。

抵抗値を高精度にトリミングする方法として
は、従来、第２図のような英文字のＬのようにト
リミングするＬカツトが用いられてきた。Ｌカツ
トでは導体１に抵抗計測器のプローブをあて、抵
抗体２に一定電流を流し、抵抗体２の両端の電圧
を監視しながら、まず、開始点３より第１カツト
目標点５に向かい、トリミングする。抵抗体の抵
抗値はトリミングすることにより徐々に大きくな
つてゆく。次に、所定値（たとえば目標抵抗値の
90％）に達する場所４（ターン点という）で90度
まがり、目標抵抗値までトリミングする。導体と
平行な方向（３→５の方向）のカツトは抵抗値変
化が大きく、導体と垂直な方向（４→６の方向）
のカツトは変化が小さいため、最終抵抗値の精度
は、いわゆるストレートカツトやサーペンタイン
カツトに比べて良い。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、Ｌカツトにおいてもターン点の
位置が抵抗体の中央にあるか端の方にあるかによ
つて、抵抗値変化の割合が異なる。たとえば、抵
抗体２の初期抵抗値が大きい場合は、ターン点が
4aのように抵抗体のわずかに入つたところとな
る。すると4a→6aの方向にカツトした時の抵抗
値変化は小さい。逆に、初期抵抗値が小さい場合
は、ターン点は4bのように深くなる。そのため
4b→6bの方向にカツトした時、抵抗値が大きく
変化する。したがつて、ターン点が4aの時は抵
抗値が所定の目標値まで上らなかつたり、逆に
4bの時は精度が悪化したりする。

ところで、ターン点の抵抗値の設定方法として
は、目標抵抗値の何％とする絶対値的な方法と、
初期値計測を行ない目標抵抗値と初期抵抗値の差
の何％とする相対値的な方法との二通りの方法が
用いられている。

絶対値的な方法によると、初期値計測の必要が
ないのでタクトの短縮は行なえるが、ターン点の
位置が初期抵抗値によりばらつき、前記のよう
に、目標値に達しなかつたり、精度が悪化したり
するばかりでなく、初期抵抗値がターン点抵抗値
より大きい場合はまつたくトリミングできないと
いう大きな問題がある。

一方、相対値的な方法では、初期抵抗値が大き
く変化しても比較的ターン点の位置のばらつきは
小さくなる。ターン後にトリミングによつて切り
上げる抵抗値は初期値が大きいほど（つまり手前
でターンする時ほど）少なくなるので、目標値に
達しないという不良も少なくなる。しかしなが
ら、必ず初期値計測と演算が必要なため、トリミ
ングのタクトを短縮できず、生産性が悪いという
大きな欠点がある。

本発明は、上記問題点を解消するためになされ
たもので、初期抵抗値の値にかかわらずタクトア
ツプをはかりかつ高精度にトリミングを行なう抵
抗トリミング装置を提供するものである。

問題点を解決するための手段 この目的を達するために本発明の抵抗トリミン
グ装置は、抵抗計測器の計測値と設定値を比較す
る比較器とＸ・Y2軸同時動作可能なスキヤナ制
御装置から構成されている。

作 用 初期抵抗値と設定抵抗値を比較器で直接比較す
ることにより演算をなくして時間短縮をはかり、
従来のＬカツトと２軸同時動作による斜めカツト
を自動的に切り換えることにより、いかなる初期
値の抵抗においても、高速・高精度のトリミング
を実現するものである。

実施例 以下本発明の一実施例について述べる。

本発明では、抵抗体の初期抵抗値により、第１
図のような斜めカツトと第２図のＬカツトを選択
してトリミングする。第１図において、１は導
体、２は抵抗体、３はトリミング開始点、７は斜
めカツトのターン点である。

第３図は、初期抵抗値とカツト形式の関係を示
したものである。R_Sは斜めカツト判定抵抗値、
R_LはＬカツトターン点抵抗値、R_Fは目標抵抗値
である。初期抵抗値がR_S以下の時はＬカツト、
R_Sより大きい時は斜め（45度）のカツトをする。

第４図は本実施例の構成を示したブロツク図、
第５図は同概略図である。７は中央制御装置、８
は抵抗計測値を中央制御装置に入力するための
Ａ／Ｄ変換器、９は比較器に対して計測値と比較
するための設定値を出力するためのＤ／Ａ変換
器、１０は計測値と設定値を比較する比較器、１
１は抵抗計測器、１２はＸ・Ｙ方向の２軸が同時
動作可能なスキヤナ制御装置、１３はＸ軸ガルバ
ノメータ、１３ａはＸ軸スキヤナミラー、１４は
Ｙ軸ガルバノメータ、１４ａはＹ軸スキヤナミラ
ー、１５はレーザー制御装置、１６はレーザー発
振器、１７は基板、１８はプローブである（比較
器１０は測定値が設定値より大の時ONする。）。
レーザー発振器１６から出たレーザービームは、
まずＸ軸ガルバノメータ１３についたＸ軸スキヤ
ナミラー１３ａで反射され、続けてＹ軸ガルバノ
メータ１４についたＹ軸スキヤナミラー１４ａで
反射され光学系を通して基板上の抵抗体を加工す
る。Ｘ軸ガルバノメータ１３を動かすことにより
Ｘ軸方向に、Ｙ軸ガルバノメータ１４を動かすこ
とによりＹ軸方向にレーザービームをスキヤンす
ることができる。通常のストレートカツトやサー
ペンタインカツトは１軸のみを、またＬカツトも
１軸ずつ単独に動かす事によりトリミングを行な
つている。

以下、動作を第６図の動作フローチヤートにし
たがつて説明する。

トリミングしようとする抵抗体に抵抗計測器の
計測端子（プローブ１８）をセツトする。中央制
御装置はまずＤ／Ａ変換器９に斜めカツト判定値
を出力し、比較器１０の出力を見て、ONであれ
ば斜めカツトに、OFFであればＬカツトに決定
する。

斜めカツトの場合は、まず実際のカツト速度が
変らないように各軸の移動速度を1/√2に下げる。
つぎに、抵抗目標値をＤ／Ａ変換器９に出力す
る。比較器１０の出力をチエツクしながら、Ｘ・
Y2軸同時にガルバノメータを駆動し、レーザー
ビームを45度方向に移動しながらトリミングす
る。途中、抵抗値が目標値に達するまでに斜めカ
ツトターン点を越えたら、１軸を停止し第１図の
導体１と垂直な方向（７→６の方向）の移動に切
り換えトリミングを続ける。抵抗値が目標値に達
するか、トリミング最終点６まで達した時点でレ
ーザー制御装置１５によりレーザービームを停止
しトリミングを終了する。

Ｌカツトの場合は、ターン点抵抗値をＤ／Ａ変
換器９に出力し、比較器１０の出力をチエツクし
ながらまず第１図の導体１と平行な方向（３→５
の方向）にトリミングする。抵抗値がターン点抵
抗値に達するか、第１カツト目標点に達すると、
今度は抵抗目標値をＤ／Ａ変換器９に出力しなお
し導体１と垂直な方向（４→６の方向）にトリミ
ングする。抵抗値が目標値に達するか、トリミン
グ最終点６まで達した時点で、レーザービームを
停止しトリミングを終了する。

以上のように本実施例によれば、判定をすべて
Ｄ／Ａ変換器と比較器で行なつているため、計測
値をＡ／Ｄ変換して中央制御装置が演算を行ない
判定する方法と比して短時間で処理できる。ま
た、初期値が大きい場合目標値に近い部分（最後
のつめの部分）のトリミングが斜めカツトである
ため抵抗値変化の割合が小さく、また初期値が小
さい場合でも目標値に近い部分は導体と垂直な方
向のトリミングであるためやはり抵抗値変化の割
合が小さいので精度の高いトリミングを行なう事
ができる。

発明の効果 以上のように本発明は、計測値と設定値を比較
する比較器とレーザービームを所定の斜め方向に
走査する２軸同時動作可能なスキヤナ制御装置を
設け、初期抵抗値を比較器で判定して、Ｌカツト
と斜めカツトの自動切り換えを行なうことによ
り、タクトをそこなうことなく初期抵抗値の大小
にかかわらず高精度にトリミングすることがで
き、その効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は斜めカツトの例を示す図、第２図はＬ
カツトの例を示す図、第３図は本実施例における
初期抵抗値に対するカツトパターンを示す図、第
４図は本実施例における構成のブロツク図、第５
図は本実施例における構成の概略図、第６図は本
実施例における動作フローチヤートである。 ９……Ｄ／Ａ変換器、１０……比較器、１１…
…抵抗計測器、１２……スキヤナ制御装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 抵抗計測器と、この抵抗計測器により計測し
   た計測値と設定値を比較する比較器と、スキヤナ
   ミラーを取り付けたガルバノメータを１軸または
   ２軸同時に動作させ、かつその速度を可変できる
   スキヤナ制御装置とを有し、初期抵抗値を比較器
   で判定した結果によりＬカツトと斜めカツトを自
   動切り換えすることを特徴とする抵抗トリミング
   装置。