JPH0372043A - バッキングプレート用銅合金 - Google Patents
バッキングプレート用銅合金Info
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、スパッタリングに用いられるバッキングプレ
ートに好適な銅合金に関する。
ートに好適な銅合金に関する。
（従来の技術〉
近年、透明導電電極、光及び磁気記憶素子、半導体素子
などに高機能性薄膜の需要が急増している。これらの薄
膜の多くは、それぞれの目的に応じたターゲツト材を使
用してスパッタリング法により作成される。
などに高機能性薄膜の需要が急増している。これらの薄
膜の多くは、それぞれの目的に応じたターゲツト材を使
用してスパッタリング法により作成される。
こうしたターゲツト材は通常バッキングプレートにろう
接等の方法により固定して使用される。
接等の方法により固定して使用される。
しかし、ターゲツト材を保持・冷却する必要からバッキ
ングプレート用の材料にはスパッタリング時の熱影響に
よって変形しないこと、熱伝導性の良いことに加えて、
ろう接性の良好なこと等の特性が要求される。そのため
、従来バッキングプレートには熱伝導性に優れた無酸素
銅が使用されてきた。
ングプレート用の材料にはスパッタリング時の熱影響に
よって変形しないこと、熱伝導性の良いことに加えて、
ろう接性の良好なこと等の特性が要求される。そのため
、従来バッキングプレートには熱伝導性に優れた無酸素
銅が使用されてきた。
（発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、近年、ターゲツト材の大型化が進むにつ
れスパッタリング時の熱歪が大きくなってきており、そ
のため無酸素銅のバッキングプレートではスパッタリン
グ時に変形を起こし、繰り返し使用することが困難とな
っている。
れスパッタリング時の熱歪が大きくなってきており、そ
のため無酸素銅のバッキングプレートではスパッタリン
グ時に変形を起こし、繰り返し使用することが困難とな
っている。
したがって、本発明は上記のような問題点に鑑み、熱歪
による変形が少なく、繰り返し使用が可能であり、かつ
熱伝導性やろう接も良好であるバッキングプレートに用
いるのに好適な銅合金を提供することを目的としている
。
による変形が少なく、繰り返し使用が可能であり、かつ
熱伝導性やろう接も良好であるバッキングプレートに用
いるのに好適な銅合金を提供することを目的としている
。
（課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、発明者等は種々検討を加え
た結果、本発明に到達したものである。
た結果、本発明に到達したものである。
すなわち、本発明の第工のバッキングプレート用銅合金
は、Ｆｅ０．１〜２．６％（以下重量％を単に％と記す
）、Ｐ０．ＯＯ１〜０．１％、残部Ｃｕ及び不可避不純
物からなることを特徴とするものであり、第２のバッキ
ングプレート用銅合金は、Ｆｅ０．１〜２．６％、Ｐ
０．００１〜０．１％を含み、更に、Ｚｎ０．０１〜１
．０％、Ｓｎ ０．０１〜２．５％、８００．００１〜
０．５％、Ｃｏ０．０１〜１．０％、Ｎｉ ０．０１〜
１．０％、ｒｅ ０．０１〜１．０％、Ｐｂ０．０１〜
４．０％のうち１種以上を含み、残部Ｃｕ及び不可避不
純物からなることを特徴とするものである。
は、Ｆｅ０．１〜２．６％（以下重量％を単に％と記す
）、Ｐ０．ＯＯ１〜０．１％、残部Ｃｕ及び不可避不純
物からなることを特徴とするものであり、第２のバッキ
ングプレート用銅合金は、Ｆｅ０．１〜２．６％、Ｐ
０．００１〜０．１％を含み、更に、Ｚｎ０．０１〜１
．０％、Ｓｎ ０．０１〜２．５％、８００．００１〜
０．５％、Ｃｏ０．０１〜１．０％、Ｎｉ ０．０１〜
１．０％、ｒｅ ０．０１〜１．０％、Ｐｂ０．０１〜
４．０％のうち１種以上を含み、残部Ｃｕ及び不可避不
純物からなることを特徴とするものである。
（作 用〉
次に、本発明合金を構成する合金成分の添加理由とその
組成範囲の限定理由を説明する。
組成範囲の限定理由を説明する。
第１の発明における「ｅは合金中に析出物として分散す
ることにより、熱伝導性をあまり低下せずに、合金強度
を増し、熱歪による変形を小さく抑える働きをするが、
Ｆｅ含有量を０．１〜２．６％としたのは、０．１未満
では、その効果が充分でなく、逆に２．６％を超えると
粗大なＦｅ相が出現するようになり、ろう接が低下する
ためである。Ｐは脱酸剤として働くが、Ｐ含有量を０．
００１〜０．１％としたのは、０．００１％０１％未満
酸効果が充分でなく、逆に、０．１％を超えると脱酸効
果が飽和するためである。
ることにより、熱伝導性をあまり低下せずに、合金強度
を増し、熱歪による変形を小さく抑える働きをするが、
Ｆｅ含有量を０．１〜２．６％としたのは、０．１未満
では、その効果が充分でなく、逆に２．６％を超えると
粗大なＦｅ相が出現するようになり、ろう接が低下する
ためである。Ｐは脱酸剤として働くが、Ｐ含有量を０．
００１〜０．１％としたのは、０．００１％０１％未満
酸効果が充分でなく、逆に、０．１％を超えると脱酸効
果が飽和するためである。
第２の発明におけるＦｅ、Ｐは第１の発明に記載したと
おりで、次にＩｎは合金の鋳造性を改善するが、Ｚｎの
含有量を０．０１〜１．０％としたのは、０．０１未満
では、その効果が充分でなく、逆に１．０％を超えると
ろう後件が低下するためである。Ｓｏは合金強度を向上
し、熱歪による変形を抑える働きをするが、Ｓｎの含有
量をｏ、 ｏｉ〜２，５％としたのは、０．０１未満で
はその効果が充分でなく、逆に２．５％を超えると熱伝
導性の低下が著しくなるからである。Ｈｇは合金強度を
向上し、熱歪による変形を抑える働きをするが、Ｈ（７
の含有量を０．００１〜０．５％としたのは、０．００
１未溝では、その効果が充分でなく、逆に２．５％を超
えると合金の鋳造性が著しく低下するからである。Ｎｉ
、Ｃｏは合金強度を向上し、熱歪による変形を抑える働
きをするが、Ｎ（及びＣｏの含有量を共に０．０１〜１
，０％としたのは、０．０１％未満では、その効果が充
分でなく、逆に１．０％を超えると、効果が飽和するか
らである。
おりで、次にＩｎは合金の鋳造性を改善するが、Ｚｎの
含有量を０．０１〜１．０％としたのは、０．０１未満
では、その効果が充分でなく、逆に１．０％を超えると
ろう後件が低下するためである。Ｓｏは合金強度を向上
し、熱歪による変形を抑える働きをするが、Ｓｎの含有
量をｏ、 ｏｉ〜２，５％としたのは、０．０１未満で
はその効果が充分でなく、逆に２．５％を超えると熱伝
導性の低下が著しくなるからである。Ｈｇは合金強度を
向上し、熱歪による変形を抑える働きをするが、Ｈ（７
の含有量を０．００１〜０．５％としたのは、０．００
１未溝では、その効果が充分でなく、逆に２．５％を超
えると合金の鋳造性が著しく低下するからである。Ｎｉ
、Ｃｏは合金強度を向上し、熱歪による変形を抑える働
きをするが、Ｎ（及びＣｏの含有量を共に０．０１〜１
，０％としたのは、０．０１％未満では、その効果が充
分でなく、逆に１．０％を超えると、効果が飽和するか
らである。
丁ｅ、Ｐｂはそれぞれ合金の快削性を向上する働きをす
るが、ｒｅ及びｐｂの含有量をそれぞれｏ、 ｏｉ〜１
．０％、０．０１〜４゜０％としたのは、所定量未満で
は、その効果が充分でなく、逆に、所定量を超えると効
果が飽和するからである。
るが、ｒｅ及びｐｂの含有量をそれぞれｏ、 ｏｉ〜１
．０％、０．０１〜４゜０％としたのは、所定量未満で
は、その効果が充分でなく、逆に、所定量を超えると効
果が飽和するからである。
（実施例〉
以下、実施例により説明する。
通常の電気銅を高周波溶解炉で大気溶解し、目的値に応
じたＦｅ、Ｐ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 ）Ｉｇ、Ｃ０．Ｎ＋
、ｒｅ、ｐｂを純金属若しくは各々１０〜５０％含有す
る銅母合金に加えた後、半連続鋳造法により厚さ１００
ｍｍ、中４００１ＴＩＩＴＩの断面を持つ鋳塊を得た
。得られた鋳塊の組成は第１表の通りである。これらの
鋳塊を８５０〜９５０℃に加熱した後、熱間圧延により
厚さ１５朋の板とした。こうして得られた板の表面酸化
層を片面２．５ ｍｍずつ面削することにより板厚１０
ｍｍの供試材とした。
じたＦｅ、Ｐ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 ）Ｉｇ、Ｃ０．Ｎ＋
、ｒｅ、ｐｂを純金属若しくは各々１０〜５０％含有す
る銅母合金に加えた後、半連続鋳造法により厚さ１００
ｍｍ、中４００１ＴＩＩＴＩの断面を持つ鋳塊を得た
。得られた鋳塊の組成は第１表の通りである。これらの
鋳塊を８５０〜９５０℃に加熱した後、熱間圧延により
厚さ１５朋の板とした。こうして得られた板の表面酸化
層を片面２．５ ｍｍずつ面削することにより板厚１０
ｍｍの供試材とした。
このようにして作製された試料の評価として、ろう接試
験及びスパッタリング試験を行った。
験及びスパッタリング試験を行った。
先ず、ろう後件は上記供試材から１０＋ｎｍ Ｘ １０
ｍｍ Ｘ５０＋＋ｖｎの試験片を切り出し、その試験片
を酸洗・乾燥後、Ｉｎ−１０％ＳＯ浴中に５分間浸漬し
、ろうが表面に均一に濡れるかどうかを目視観察するこ
とによって評価した。
ｍｍ Ｘ５０＋＋ｖｎの試験片を切り出し、その試験片
を酸洗・乾燥後、Ｉｎ−１０％ＳＯ浴中に５分間浸漬し
、ろうが表面に均一に濡れるかどうかを目視観察するこ
とによって評価した。
次に、スパッタリング試験は上記供試材からｒ１１５４
ｍｍ、長さ４４４閣、厚さ１０朋のバッキングプレー
トを切削により作製した後、実際に巾１３０ｍｍ、長さ
４２０ ｒｒｒｒｔ＋、厚さ５門のＩ和ターゲット及び
Ａｅ−３ｉ合金ターゲットを上記バッキングプレートに
ｌｏ−１０％Ｓｎろう材を用いて接合し、スパッタリン
グを行なうという工程を繰り返した場合に、熱歪による
変形によって使用できなくなるまで何回繰り返し使用で
きたかを評価した。但し、スパッタリングは電流１０〜
２０Ａ、電圧３００〜４００Ｖのテスト条件で２４Ｈｒ
のバッチ操業で行なった。また、バッキングプレートの
熱歪による変形限度は使用後のバッキングプレートを定
盤上にＷ′ｐ置し、曲り、ねじれなどにより浮上った部
分の最大寸法を５１ＴＩｍとして、この値を超えるもの
を使用不可とした。
ｍｍ、長さ４４４閣、厚さ１０朋のバッキングプレー
トを切削により作製した後、実際に巾１３０ｍｍ、長さ
４２０ ｒｒｒｒｔ＋、厚さ５門のＩ和ターゲット及び
Ａｅ−３ｉ合金ターゲットを上記バッキングプレートに
ｌｏ−１０％Ｓｎろう材を用いて接合し、スパッタリン
グを行なうという工程を繰り返した場合に、熱歪による
変形によって使用できなくなるまで何回繰り返し使用で
きたかを評価した。但し、スパッタリングは電流１０〜
２０Ａ、電圧３００〜４００Ｖのテスト条件で２４Ｈｒ
のバッチ操業で行なった。また、バッキングプレートの
熱歪による変形限度は使用後のバッキングプレートを定
盤上にＷ′ｐ置し、曲り、ねじれなどにより浮上った部
分の最大寸法を５１ＴＩｍとして、この値を超えるもの
を使用不可とした。
これらの結果を同様な工程で作製し、評価した比較合金
の結果と共に第■表に示した。
の結果と共に第■表に示した。
第１表に示すごとく、本発明に係わる合金は、従来材の
無酸素銅に比べ熱歪による変形によって使用できなくな
るまでの使用回数が２倍以上となっており、かつ、ろう
後件も良好であることは明らかである。また、スパッタ
リング試験の結果、本発明に係わる合金は熱伝導性も０
．２ Ｃａ１ ｉ’ｃｎｓｅｃ ・℃以上あり、実用上
問題なく、加えて有害な元素の蒸発がなく、正常なスパ
ッタリングを行なうことができることも明らかになって
いる。
無酸素銅に比べ熱歪による変形によって使用できなくな
るまでの使用回数が２倍以上となっており、かつ、ろう
後件も良好であることは明らかである。また、スパッタ
リング試験の結果、本発明に係わる合金は熱伝導性も０
．２ Ｃａ１ ｉ’ｃｎｓｅｃ ・℃以上あり、実用上
問題なく、加えて有害な元素の蒸発がなく、正常なスパ
ッタリングを行なうことができることも明らかになって
いる。
（発明の効果）
以上のことから明らかなように、本発明によればスパッ
タリングに用いられるバ・ソキングプレートに好適な材
料を提供することが可能であり、本発明の工業的価値は
大である。
タリングに用いられるバ・ソキングプレートに好適な材
料を提供することが可能であり、本発明の工業的価値は
大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｆｅ０．１〜２．６重量％、Ｐ０．００１〜０．１
重量％、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなることを特徴
とするバッキングプレート用銅合金。 ２、Ｆｅ０．１〜２．６重量％、Ｐ０．００１〜０．１
重量％を含み、更にＺｎ０．０１〜１．０重量％、Ｓｎ
０．０１〜２．５重量％、Ｍｇ０．００１〜０．５重量
％、Ｃｏ０．０１〜１．０重量％、Ｎｉ０．０１〜１．
０重量％、Ｔｅ０．０１〜１．０重量％、Ｐｂ０．０１
〜４．０重量％のうち、１種以上を含む、残部Ｃｕ及び
不可避不純物からなることを特徴とするバッキングプレ
ート用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209381A JP2552920B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | バッキングプレート用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209381A JP2552920B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | バッキングプレート用銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0372043A true JPH0372043A (ja) | 1991-03-27 |
| JP2552920B2 JP2552920B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=16571974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1209381A Expired - Fee Related JP2552920B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | バッキングプレート用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552920B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471164A1 (en) * | 2002-01-30 | 2004-10-27 | Nikko Materials Company, Limited | Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target |
| US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4872577B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-02-08 | 日立電線株式会社 | 銅合金製バッキング・プレートおよびバッキング・プレート用銅合金の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245752A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-05 | Nippon Mining Co Ltd | 高力高導電銅合金 |
| JPS60245754A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-05 | Nippon Mining Co Ltd | 高力高導電銅合金 |
| JPS61207538A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | Toshiba Corp | 金型鋳造用金型 |
| JPH01180975A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパッタリング用バッキングプレート |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1209381A patent/JP2552920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245752A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-05 | Nippon Mining Co Ltd | 高力高導電銅合金 |
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| EP1471164A4 (en) * | 2002-01-30 | 2008-04-09 | Nippon Mining Co | SPUTTERTARGET OF COPPER ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| EP2465969A3 (en) * | 2002-01-30 | 2013-07-17 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | Copper alloy sputtering target and manufacturing method of said target |
| US9896745B2 (en) | 2002-01-30 | 2018-02-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target |
| US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2552920B2 (ja) | 1996-11-13 |
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