JPH0370746A - 平滑性フィルム - Google Patents
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Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は平滑性フィルムに関し、詳しくは不純物含量の
少ない主としてシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体からなり、耐熱性とともに高度な平滑性を有
するフィルムに関する。
少ない主としてシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体からなり、耐熱性とともに高度な平滑性を有
するフィルムに関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来、
プラスチックフィルムにおいては、取扱いの問題から滑
り性が重要視され、表面に凹凸を設けることによって滑
り性が改良されてきた。特に磁気テープにおいては、平
滑性と易滑性の両方の要求を満足させるため、微粒子の
添加を中心とする技術が開発されてきた。ところが、近
年ビデオテープの普及により、さらに小型で長時間記録
可能な高画質なビデオテープが要求され、磁性体を蒸着
することによる技術、とりわけ垂直磁化による技術が注
目され開発されてきた。この蒸着法を用いる技術におい
て、ベースフィルム表面は高度な平滑性及び耐熱性が要
求される。
プラスチックフィルムにおいては、取扱いの問題から滑
り性が重要視され、表面に凹凸を設けることによって滑
り性が改良されてきた。特に磁気テープにおいては、平
滑性と易滑性の両方の要求を満足させるため、微粒子の
添加を中心とする技術が開発されてきた。ところが、近
年ビデオテープの普及により、さらに小型で長時間記録
可能な高画質なビデオテープが要求され、磁性体を蒸着
することによる技術、とりわけ垂直磁化による技術が注
目され開発されてきた。この蒸着法を用いる技術におい
て、ベースフィルム表面は高度な平滑性及び耐熱性が要
求される。
この技術に対応するために、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムにおいては、高度に平滑なフィルムの片面に
易滑性層を設け、平滑面と易滑面を有するフィルムを開
発してきた。しかし、垂直磁化層形成のための高温、高
真空の条件においては、オリゴマーの析出、耐熱性の不
足により、本来の高密度化が充分に達成できなかった。
トフィルムにおいては、高度に平滑なフィルムの片面に
易滑性層を設け、平滑面と易滑面を有するフィルムを開
発してきた。しかし、垂直磁化層形成のための高温、高
真空の条件においては、オリゴマーの析出、耐熱性の不
足により、本来の高密度化が充分に達成できなかった。
ところで、本発明者らのグループが先般開発した主とし
てシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体は
、ポリエチレンテレフタレートに比べ、耐熱性や耐水性
にすぐれ、しかもオリゴマ−の少ない重合体であって、
様々な用途が期待されている。
てシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体は
、ポリエチレンテレフタレートに比べ、耐熱性や耐水性
にすぐれ、しかもオリゴマ−の少ない重合体であって、
様々な用途が期待されている。
そこで、本発明者らはこの主としてシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を用いて、上記磁気テー
プ等の特性を満足するフィルムを開発すべく鋭意研究を
重ねた。
構造を有するスチレン系重合体を用いて、上記磁気テー
プ等の特性を満足するフィルムを開発すべく鋭意研究を
重ねた。
その結果、不純物含量が少なく高純度の上記スチレン系
重合体をフィルム素材として用いることによって、目的
を達成できることを見出した。
重合体をフィルム素材として用いることによって、目的
を達成できることを見出した。
すなわち本発明は、残留アルミニウム分が3000pp
m以下、残留チタン分が10ppm以下及び残留スチレ
ン系単量体が7000ppm以下である主としてシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体を主成分と
する延伸フィルムであって表面粗さRaが0.02μm
以下である平滑性フィルムを提供するものである。
m以下、残留チタン分が10ppm以下及び残留スチレ
ン系単量体が7000ppm以下である主としてシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体を主成分と
する延伸フィルムであって表面粗さRaが0.02μm
以下である平滑性フィルムを提供するものである。
本発明に用いる主としてシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体とは、立体化学構造が主としてシン
ジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成され
る主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基
が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものであ
り、そのタフティシティ−は同位体炭素による核磁気共
鳴法(13C−NMR法)により定量される。IICN
MR法により測定されるタフティシティ−は、連続する
複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダイ
アツド、3個の場合はトリアット。
るスチレン系重合体とは、立体化学構造が主としてシン
ジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成され
る主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基
が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものであ
り、そのタフティシティ−は同位体炭素による核磁気共
鳴法(13C−NMR法)により定量される。IICN
MR法により測定されるタフティシティ−は、連続する
複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダイ
アツド、3個の場合はトリアット。
5個の場合はペンタッドによって示すことができるが、
本発明に言う主としてシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体とは、通常はラセミダイアンドで75
%以上、好ましくは85%以上、若しくはラセ逅ペンタ
ッドで30%以上、好ましくは50%以上のシンジオタ
クテイシテイ−を有するポリスチレン、ポリ(アルキル
スチレン)。
本発明に言う主としてシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体とは、通常はラセミダイアンドで75
%以上、好ましくは85%以上、若しくはラセ逅ペンタ
ッドで30%以上、好ましくは50%以上のシンジオタ
クテイシテイ−を有するポリスチレン、ポリ(アルキル
スチレン)。
ポリ(ハロゲン化スチレン)、ポリ(アルコキシスチレ
ン)、ポリ(ビニル安息香酸エステル)。
ン)、ポリ(ビニル安息香酸エステル)。
これらの水素化重合体およびこれらの混合物、あるいは
これらの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、こ
こでポリ(アルキルスチレン)としては、ポリ(メチル
スチレン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(プロピル
スチレン)、ポリ(ブチルスチレン)、ポリ(フェニル
スチレン)、ポリ(ビニルナフタレン)、ポリ(、ビニ
ルスチレン)。
これらの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、こ
こでポリ(アルキルスチレン)としては、ポリ(メチル
スチレン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(プロピル
スチレン)、ポリ(ブチルスチレン)、ポリ(フェニル
スチレン)、ポリ(ビニルナフタレン)、ポリ(、ビニ
ルスチレン)。
ポリ(アセナフチレン)などがあり、ポリ(ハロゲン化
スチレン)としては、ポリ(クロロスチレン)、ポリ(
ブロモスチレン)、ポリ(フルオロスチレン)などがあ
る。また、ポリ(アルコキシスチレン)としては、ポリ
(メトキシスチレン)。
スチレン)としては、ポリ(クロロスチレン)、ポリ(
ブロモスチレン)、ポリ(フルオロスチレン)などがあ
る。また、ポリ(アルコキシスチレン)としては、ポリ
(メトキシスチレン)。
ポリ(エトキシスチレン)などがある。これらのうち特
に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、
ポリ(P−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレ
ン)、ポリ(p−ターシャリ−ブチルスチレン)、ポリ
(p−クロロスチレン)。
に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、
ポリ(P−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレ
ン)、ポリ(p−ターシャリ−ブチルスチレン)、ポリ
(p−クロロスチレン)。
ポリ (m−クロロスチレン)、ポリ(p−フルオロス
チレン)、またスチレンとp−メチルスチレンとの共重
合体をあげることができる(特開昭62−187708
号公報)。
チレン)、またスチレンとp−メチルスチレンとの共重
合体をあげることができる(特開昭62−187708
号公報)。
更に、スチレン系共重合体におけるコモノマーとしては
、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチ
レン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオ
レフィンモノマー、ブタジェン、イソプレン等のジエン
モノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、
無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノ
マー等をあげることができる。
、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチ
レン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオ
レフィンモノマー、ブタジェン、イソプレン等のジエン
モノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、
無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノ
マー等をあげることができる。
またこのスチレン系重合体は、分子量について特に制限
はないが、重量平均分子量がto、oo。
はないが、重量平均分子量がto、oo。
以上3,000,000以下のものが好ましく、とりわ
け50.000以上1,500,000以下のものが最
適である。ここで重量平均分子量が10.000未満で
あると、延伸が充分にできない、さらに、分子量分布に
ついてもその広狭は制約がなく、様々なものを充当する
ことが可能であるが、重量平均分子lit(Mw)/数
平均分子it(Mn)が1.5以上8以下が好ましい。
け50.000以上1,500,000以下のものが最
適である。ここで重量平均分子量が10.000未満で
あると、延伸が充分にできない、さらに、分子量分布に
ついてもその広狭は制約がなく、様々なものを充当する
ことが可能であるが、重量平均分子lit(Mw)/数
平均分子it(Mn)が1.5以上8以下が好ましい。
なお、この主としてシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン
系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
チレン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン
系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
本発明で用いる主としてシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体は、不純物含量が少ないものでなけ
ればならない。具体的には残留アルミニウム分が300
0ppm以下、好ましくは11000pp以下、残留チ
タン分がloppm以下、好ましくは7 ppm以下及
び残留スチレン系単量体が7000ppm以下、好まし
くは5000ppm以下のものである。
るスチレン系重合体は、不純物含量が少ないものでなけ
ればならない。具体的には残留アルミニウム分が300
0ppm以下、好ましくは11000pp以下、残留チ
タン分がloppm以下、好ましくは7 ppm以下及
び残留スチレン系単量体が7000ppm以下、好まし
くは5000ppm以下のものである。
このような高純度のスチレン系重合体を製造するには、
様々な手法があるが、例えば次の如くである。まず、残
留アルミニウム分及び残留チタン分を上記の範囲内に抑
えるためには、下記の■あるいは■の方法によることが
効果的である。
様々な手法があるが、例えば次の如くである。まず、残
留アルミニウム分及び残留チタン分を上記の範囲内に抑
えるためには、下記の■あるいは■の方法によることが
効果的である。
■ い ス レン A工
去抜(特願昭63−7466号明細書参照)即ち、(A
)一般式 %式% 〔式中、Rはシクロペンタジェニル基、置換シクロペン
タジェニル基又はインデニル基を示し、x、Y及びZは
それぞれ独立に炭素数l〜12のアルキル基、炭素数1
〜12のアルコキシ基、炭素数6〜20のアリール基、
炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素数6〜20の
アリールアルキル基又はハロゲンを示す。〕 で表わされるチタン化合物。
去抜(特願昭63−7466号明細書参照)即ち、(A
)一般式 %式% 〔式中、Rはシクロペンタジェニル基、置換シクロペン
タジェニル基又はインデニル基を示し、x、Y及びZは
それぞれ独立に炭素数l〜12のアルキル基、炭素数1
〜12のアルコキシ基、炭素数6〜20のアリール基、
炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素数6〜20の
アリールアルキル基又はハロゲンを示す。〕 で表わされるチタン化合物。
(B)有機アルミニウム化合物と縮合剤との接触生成物
及び (C)有機アルミニウム化合物 からなる高活性触媒を用いてスチレン系単量体を重合す
る方法である。
及び (C)有機アルミニウム化合物 からなる高活性触媒を用いてスチレン系単量体を重合す
る方法である。
ここで触媒の(A)rIi、分は、上記のように一般式
%式%()
で表わされるチタン化合物である。この式中のRで示さ
れる置換シクロペンタジェニル基は、例えば炭素数1〜
6のアルキル基で1個以上置換されタシクロベンタジェ
ニル基、具体的にはメチルシクロペンタジェニル基、1
.2−ジメチルシクロペンタジェニル基、ペンタメチル
シクロペンタジェニル基である。また、X、 Y及び
Zはそれぞれ独立に炭素数1〜12のアルキル基(具体
的にはメチル基、エチル基2プロピル、n−ブチル基。
れる置換シクロペンタジェニル基は、例えば炭素数1〜
6のアルキル基で1個以上置換されタシクロベンタジェ
ニル基、具体的にはメチルシクロペンタジェニル基、1
.2−ジメチルシクロペンタジェニル基、ペンタメチル
シクロペンタジェニル基である。また、X、 Y及び
Zはそれぞれ独立に炭素数1〜12のアルキル基(具体
的にはメチル基、エチル基2プロピル、n−ブチル基。
イソブチル基、アくル基、イソアミル基、オクチル基、
2−エチルヘキシル基等)、炭素数1〜12のアルコキ
シ基(具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基、アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、
オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキシ基等)、
炭素数6〜20のアリール基(具体的にはフェニル基、
ナフチル基等)、炭素数6〜20のアリールオキシ基(
具体的にはフェノキシ基等)、炭素数6〜2oのアリー
ル7ttt−JrrIi (74体的にはベンジル基)
又はハロゲン(具体的には塩素、臭素、沃素あるいは弗
素)を示す。
2−エチルヘキシル基等)、炭素数1〜12のアルコキ
シ基(具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基、アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、
オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキシ基等)、
炭素数6〜20のアリール基(具体的にはフェニル基、
ナフチル基等)、炭素数6〜20のアリールオキシ基(
具体的にはフェノキシ基等)、炭素数6〜2oのアリー
ル7ttt−JrrIi (74体的にはベンジル基)
又はハロゲン(具体的には塩素、臭素、沃素あるいは弗
素)を示す。
このような一般式(I)で表わされるチタン化合物の具
体例としては、シクロペンタジェニルトリメチルチタン
、シクロペンタジェニルトリエチルチタン、シクロペン
タジェニルトリプロビルチタン、シクロペンタジェニル
トリブチルチタン。
体例としては、シクロペンタジェニルトリメチルチタン
、シクロペンタジェニルトリエチルチタン、シクロペン
タジェニルトリプロビルチタン、シクロペンタジェニル
トリブチルチタン。
メチルシクロペンタジェニルトリメチルチタン。
1.2−ジメチルシクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリブチルチタ
ン、シクロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、シ
クロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、ペンタメ
チルシクロペンタジェニルメチルチタンジクロリド、ペ
ンタメチルシクロペンタジェニルエチルチタンジクロリ
ド、シクロペンタジェニルジメチルチタンモノクロリド
、シクロペンタジェニルジエチルチタンモノクロリド、
シクロペンタジェニルチタントリメトキシド、シクロペ
ンタジェニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェ
ニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェニルチタ
ントリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジェニ
ルチタントリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルチタントリエトキシド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルチタントリブロボキシド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリブトキシド、ペンタメチル
シクロペンタジェニルチタントリフェノキシド、シクロ
ペンタジェニルチタントリクロリド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリクロリド、シクロペンタジ
ェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジェニ
ルジメトキシチタンクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジ
ェニルトリベンジルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジェニルメチルジェトキシチタン、インデニルチタント
リクロリド。
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリブチルチタ
ン、シクロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、シ
クロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、ペンタメ
チルシクロペンタジェニルメチルチタンジクロリド、ペ
ンタメチルシクロペンタジェニルエチルチタンジクロリ
ド、シクロペンタジェニルジメチルチタンモノクロリド
、シクロペンタジェニルジエチルチタンモノクロリド、
シクロペンタジェニルチタントリメトキシド、シクロペ
ンタジェニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェ
ニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェニルチタ
ントリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジェニ
ルチタントリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルチタントリエトキシド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルチタントリブロボキシド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリブトキシド、ペンタメチル
シクロペンタジェニルチタントリフェノキシド、シクロ
ペンタジェニルチタントリクロリド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリクロリド、シクロペンタジ
ェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジェニ
ルジメトキシチタンクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジ
ェニルトリベンジルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジェニルメチルジェトキシチタン、インデニルチタント
リクロリド。
インデニルチタントリメトキシド、インデニルチタント
リエトキシド、インデニルトリメチルチタン、インデニ
ルトリベンジルチタン等があげられる。
リエトキシド、インデニルトリメチルチタン、インデニ
ルトリベンジルチタン等があげられる。
これらのチタン化合物のうち、ハロゲン原子を含まない
化合物が好適であり、特に、上述した如き少なくともl
配位子が不飽和なπ電子系配位子であるような4配位型
のチタン化合物が好ましい。
化合物が好適であり、特に、上述した如き少なくともl
配位子が不飽和なπ電子系配位子であるような4配位型
のチタン化合物が好ましい。
一方、上記チタン化合物とともに用いる(B)成分は、
水と各種の有機アルミニウムとの縮合生成物(接触生成
物)であるが、ここで有機アルミニウムとしては通常は
一般式 %式%() 〔式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す。]で
表わされる有機アルミニウム化合物、具体的には、トリ
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム等があげられ、中でもトリメチル
アルミニウムが最も好ましい。
水と各種の有機アルミニウムとの縮合生成物(接触生成
物)であるが、ここで有機アルミニウムとしては通常は
一般式 %式%() 〔式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す。]で
表わされる有機アルミニウム化合物、具体的には、トリ
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム等があげられ、中でもトリメチル
アルミニウムが最も好ましい。
一方、有機アルミニウム化合物と縮合させる縮合剤とし
ては、典型的には水があげられるが、この他にアルキル
アルミニウムが縮合反応するいかなるものを用いてもよ
い。
ては、典型的には水があげられるが、この他にアルキル
アルミニウムが縮合反応するいかなるものを用いてもよ
い。
(B)成分の代表としてのアルキルアルミニウム等の有
機アルミニウム化合物と水との反応生成物の例は、具体
的には 一般式 (式中、nは2〜50の整数を示す。)で表わされる鎖
状アルキルアルミノキサンあるいは一般式 で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキルアルミ
ノキサン(重合度2〜52)等がある。
機アルミニウム化合物と水との反応生成物の例は、具体
的には 一般式 (式中、nは2〜50の整数を示す。)で表わされる鎖
状アルキルアルミノキサンあるいは一般式 で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキルアルミ
ノキサン(重合度2〜52)等がある。
−mに、トリアルキルアルミニウム等の有機アルミニウ
ム化合物と水との接触生成物は、上述の鎖状アルキルア
ルミノキサンや環状アルキルアルミノキサンとともに、
未反応のトリアルキルアルミニウム、各種の縮合生成物
の混合物、さらにはこれらが複雑に会合した分子であり
、これらはトリアルキルアルミニウムと水との接触条件
によって様々な生成物となる。こめうち、本発明におい
て、触媒の(B)成分として好適に用いられる上記トリ
アルキルアルミニウム(好ましくはトリメチルアルミニ
ウム)と水との接触生成物は、プロトン核磁気共鳴吸収
法で観測されるアルミニウムーメチル基(、+1−CH
I)結合に基くメチルプロトンシグナル領域における高
磁場成分が50%以下のものである。つまり、上記の接
触生成物を、室温下、トルエン溶媒中でそのプロトン核
磁気共鳴(’H−NMR)スペクトルを観測すると、A
/!−CH3に基くメチルプロトンシグナルは、テトラ
メチルシラン(TMS)基準において1,0〜−0.5
ppmの範囲に見られる。TMSのプロトンシグナル
(Oppm)が、1M−CH3に基くメチルプロトン観
測領域にあるため、このA/!−CH3に基くメチルプ
ロトンシグナルを、7MS基準におけるトルエンのメチ
ルプロトンシグナル2.35pp−を基準にし°ζ測定
し、高磁場成分(即ち、−〇、1〜−0.5ppm)と
他の磁場成分(即ち、1.0〜−0.1ppm)とに分
けたときに、該高磁場成分が全体の50%以下、好まし
くは45〜5%のものが触媒の(B)成分として好適に
使用される。
ム化合物と水との接触生成物は、上述の鎖状アルキルア
ルミノキサンや環状アルキルアルミノキサンとともに、
未反応のトリアルキルアルミニウム、各種の縮合生成物
の混合物、さらにはこれらが複雑に会合した分子であり
、これらはトリアルキルアルミニウムと水との接触条件
によって様々な生成物となる。こめうち、本発明におい
て、触媒の(B)成分として好適に用いられる上記トリ
アルキルアルミニウム(好ましくはトリメチルアルミニ
ウム)と水との接触生成物は、プロトン核磁気共鳴吸収
法で観測されるアルミニウムーメチル基(、+1−CH
I)結合に基くメチルプロトンシグナル領域における高
磁場成分が50%以下のものである。つまり、上記の接
触生成物を、室温下、トルエン溶媒中でそのプロトン核
磁気共鳴(’H−NMR)スペクトルを観測すると、A
/!−CH3に基くメチルプロトンシグナルは、テトラ
メチルシラン(TMS)基準において1,0〜−0.5
ppmの範囲に見られる。TMSのプロトンシグナル
(Oppm)が、1M−CH3に基くメチルプロトン観
測領域にあるため、このA/!−CH3に基くメチルプ
ロトンシグナルを、7MS基準におけるトルエンのメチ
ルプロトンシグナル2.35pp−を基準にし°ζ測定
し、高磁場成分(即ち、−〇、1〜−0.5ppm)と
他の磁場成分(即ち、1.0〜−0.1ppm)とに分
けたときに、該高磁場成分が全体の50%以下、好まし
くは45〜5%のものが触媒の(B)成分として好適に
使用される。
この際の有機アル主ニウム化合物と水との反応は特に限
定はなく、公知の手法に準じて反応させればよい。例え
ば、(1)有機アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解し
ておき、これを水と接触させる方法、(2)重合時に当
初有機アルミニウム化合物を加えておき、後に水を添加
する方法、さらには(3)金属塩等に含有されている結
晶水、無機物や有機物への吸着水を有機アルミニウム化
合物と反応させる等の方法がある。
定はなく、公知の手法に準じて反応させればよい。例え
ば、(1)有機アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解し
ておき、これを水と接触させる方法、(2)重合時に当
初有機アルミニウム化合物を加えておき、後に水を添加
する方法、さらには(3)金属塩等に含有されている結
晶水、無機物や有機物への吸着水を有機アルミニウム化
合物と反応させる等の方法がある。
また触媒を構成する(C)成分としては、各種の有機ア
ルミニウム化合物が充当できるが、具体的には一般式 %式%() 〔式中、R4及びR3はそれぞれ独立に炭素数1〜8、
好ましくは炭素数1〜4のアルキル基を示し、XIはハ
ロゲンを示し、kはO<k≦3、mはOhm≦3、pは
O≦p<3、qは0≦q<3であって、しかもに+m+
p+q=3である〕で表わされる有機アルミニウム化合
物である。
ルミニウム化合物が充当できるが、具体的には一般式 %式%() 〔式中、R4及びR3はそれぞれ独立に炭素数1〜8、
好ましくは炭素数1〜4のアルキル基を示し、XIはハ
ロゲンを示し、kはO<k≦3、mはOhm≦3、pは
O≦p<3、qは0≦q<3であって、しかもに+m+
p+q=3である〕で表わされる有機アルミニウム化合
物である。
前記の一般式(IV)で表わされる有機アル【ニウム化
合物としては、次のものを例示することができる。p”
”q”oの場合に相当するものは、−般式R’*A f
fi (OR’)3−k(式中、R4及びR%は前記と
同じであり、kは好ましくは1.5≦に≦3の数である
)で表わされる。m=p=oの場合に相当スルモノハ、
一般式R’mA I X ’ff−* (式中、R4及
びXIは前記と同じであり、kは好ましくはQ<k<3
である)で表わされる。m=q=0の場合に相当するも
のは、一般式R’mA i H*−k(式中、R4は前
記と同じであり、kは好ましくは2≦k<3である)で
表わされる。p=0の場合に相当するものは、一般式R
’kAIOR’)、X’。
合物としては、次のものを例示することができる。p”
”q”oの場合に相当するものは、−般式R’*A f
fi (OR’)3−k(式中、R4及びR%は前記と
同じであり、kは好ましくは1.5≦に≦3の数である
)で表わされる。m=p=oの場合に相当スルモノハ、
一般式R’mA I X ’ff−* (式中、R4及
びXIは前記と同じであり、kは好ましくはQ<k<3
である)で表わされる。m=q=0の場合に相当するも
のは、一般式R’mA i H*−k(式中、R4は前
記と同じであり、kは好ましくは2≦k<3である)で
表わされる。p=0の場合に相当するものは、一般式R
’kAIOR’)、X’。
(式中、R’、R’及びXIは前記と同じであり、0<
k≦3.0≦m < 3.0≦q<3で、k十m十q−
3である)で表わされる。
k≦3.0≦m < 3.0≦q<3で、k十m十q−
3である)で表わされる。
前記の一般式(IV)で表わされる有機アルミニウム化
合物において、p=q=oで、k=3の化合物は、例え
ばトリエチルアル逅ニウム、トリブチルアルミニウム等
のトリアルキルアルミニウム又はこれらの組み合わせか
ら選ばれ、好ましいものはトリエチルアルくニウム、ト
リーn−ブチルアルよニウム、トリイソブチルアルミニ
ウムである。p−q=oで、1.5≦k<3の場合は、
ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウ
ムブトキシド等のジアルキルアルミニウムアルコキシド
、エチルアルミニウムセスキエトキシド。
合物において、p=q=oで、k=3の化合物は、例え
ばトリエチルアル逅ニウム、トリブチルアルミニウム等
のトリアルキルアルミニウム又はこれらの組み合わせか
ら選ばれ、好ましいものはトリエチルアルくニウム、ト
リーn−ブチルアルよニウム、トリイソブチルアルミニ
ウムである。p−q=oで、1.5≦k<3の場合は、
ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウ
ムブトキシド等のジアルキルアルミニウムアルコキシド
、エチルアルミニウムセスキエトキシド。
ブチルアルミニウムセスキブトキシド等のアルキルアル
ミニウムセスキアルコキシドの他に、R’z、5Al(
OR’)o、s等で表わされる平均組成を有する部分的
にアルコキシ化されたアルキルアルミニウムをあげるこ
とができる。m−p=0の場合に相当する化合物の例は
、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウ
ムクローリド。
ミニウムセスキアルコキシドの他に、R’z、5Al(
OR’)o、s等で表わされる平均組成を有する部分的
にアルコキシ化されたアルキルアルミニウムをあげるこ
とができる。m−p=0の場合に相当する化合物の例は
、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウ
ムクローリド。
ジエチルアルミニウムプロミド等のようなジアルキルア
ルミニウムハロゲニド(k=2)、エチルアルミニウム
セスキクロリド、ブチルアルくニウムセスキクロリド、
エチルアルミニウムセスキプロミドのようなアルキルア
ル壽ニウムセスキハロゲニド(k−1,5)、エチルア
ルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリ
ド、ブチルアル逅ニウムジブロξド等のようなアルキル
アルミニウムジハロゲニド(k−1)等の部分的にハロ
ゲン化されたアルキルアルミニウムである0m=q−〇
の場合に相当する化合物の例は、ジエチルアルミニウム
ヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等のジアルキ
ルアルミニウムヒドリド(k−2)、 エチルアルミニ
ウムジヒドリド、プロビルアルミニウムジヒドリド等の
アルキルアルミニウムジヒドリド(m=k)等の部分的
に水素化されたアルキルアルミニウムである。P=0の
場合に相当する化合物の例は、エチルアルミニウムエト
キシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、
エチルアルミニウムエトキシプロミド(k=m=q=1
)等の部分的にアルコキシ化及びハロゲン化されたアル
キルアルミニウムである。
ルミニウムハロゲニド(k=2)、エチルアルミニウム
セスキクロリド、ブチルアルくニウムセスキクロリド、
エチルアルミニウムセスキプロミドのようなアルキルア
ル壽ニウムセスキハロゲニド(k−1,5)、エチルア
ルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリ
ド、ブチルアル逅ニウムジブロξド等のようなアルキル
アルミニウムジハロゲニド(k−1)等の部分的にハロ
ゲン化されたアルキルアルミニウムである0m=q−〇
の場合に相当する化合物の例は、ジエチルアルミニウム
ヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等のジアルキ
ルアルミニウムヒドリド(k−2)、 エチルアルミニ
ウムジヒドリド、プロビルアルミニウムジヒドリド等の
アルキルアルミニウムジヒドリド(m=k)等の部分的
に水素化されたアルキルアルミニウムである。P=0の
場合に相当する化合物の例は、エチルアルミニウムエト
キシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、
エチルアルミニウムエトキシプロミド(k=m=q=1
)等の部分的にアルコキシ化及びハロゲン化されたアル
キルアルミニウムである。
本発明で好ましく用いる触媒は、前記(A)。
(B)及び(C)成分を主成分とするものであり、前記
の他さらに所望により他の触媒成分を加えることもでき
る。この触媒中の(A)成分、(B)成分及び(C)成
分の配合割合は、各種の条件により異なり、一義的には
定められないが、通常は(B)成分及び(C)成分中の
アルミニウムと(A)成分中のチタンとの比、即ちアル
ミニウム/チタン(モル比)として1〜104、好まし
くは10〜103である。
の他さらに所望により他の触媒成分を加えることもでき
る。この触媒中の(A)成分、(B)成分及び(C)成
分の配合割合は、各種の条件により異なり、一義的には
定められないが、通常は(B)成分及び(C)成分中の
アルミニウムと(A)成分中のチタンとの比、即ちアル
ミニウム/チタン(モル比)として1〜104、好まし
くは10〜103である。
上記の如き触媒は、主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体の製造において高い活性を示す
。
有するスチレン系重合体の製造において高い活性を示す
。
この方法によりスチレン系重合体を製造するには、上記
の(A)、(B)及び(C)成分を主成分とする触媒の
存在下でスチレン及び/又はスチレン誘導体(アルキル
スチレン、アルコキシスチレン、ハロゲン化スチレン、
ビニル安息香aftエステルなど)等のスチレン系モノ
マーを重合(あるいは共重合)するが、この重合は塊状
でもよく、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭
化水素、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素あるいはベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒中
で行ってもよい、また、重合温度は特に制限はないが、
一般には一30〜120℃、好ましくは一10〜100
℃である。
の(A)、(B)及び(C)成分を主成分とする触媒の
存在下でスチレン及び/又はスチレン誘導体(アルキル
スチレン、アルコキシスチレン、ハロゲン化スチレン、
ビニル安息香aftエステルなど)等のスチレン系モノ
マーを重合(あるいは共重合)するが、この重合は塊状
でもよく、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭
化水素、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素あるいはベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒中
で行ってもよい、また、重合温度は特に制限はないが、
一般には一30〜120℃、好ましくは一10〜100
℃である。
なお、この方法において(1)(C)成分の使用量を調
節する、(2)重合温度を調節する、(3)水素ガスの
導入量をIJI節する等の操作を行えば、得られるシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の分子量
を容易に調節することができる。
節する、(2)重合温度を調節する、(3)水素ガスの
導入量をIJI節する等の操作を行えば、得られるシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の分子量
を容易に調節することができる。
このようにして得られたシンジオタクチック構造のスチ
レン系重合体を、必要に応じて、脱灰洗浄すれば、さら
に残留アルミニウム分及び残留チタン分の少ないものが
得られる。
レン系重合体を、必要に応じて、脱灰洗浄すれば、さら
に残留アルミニウム分及び残留チタン分の少ないものが
得られる。
■ ・ パによる
即ち、特開昭62−187708号公報等に記載の通常
のIVA族の有機金属化合物とメチルアルミノキサン等
のアルキルアル湾ノキサンを触媒成分として、スチレン
系単量体を重合させた後、得られたシンジオタクチック
構造のスチレン系重合体を、酸、アルカリを適当な溶媒
に溶解させた溶液により脱灰し、適当な溶媒で洗浄する
方法である0例えば、水酸化ナトリウムのメタノール溶
液で脱灰後、メタノールで洗浄する方法、あるいは塩酸
のメタノール溶液で脱灰後、メタノールで洗浄する方法
がある。この方法によれば、重合後の残留金属量が多い
場合でも、本発明で使用できる高純度のシンジオタクチ
ック構造のスチレン系重合体が得られる。ただし、酸や
アルカリの残留が好ましくない場合には、上記■の方法
が好適である。
のIVA族の有機金属化合物とメチルアルミノキサン等
のアルキルアル湾ノキサンを触媒成分として、スチレン
系単量体を重合させた後、得られたシンジオタクチック
構造のスチレン系重合体を、酸、アルカリを適当な溶媒
に溶解させた溶液により脱灰し、適当な溶媒で洗浄する
方法である0例えば、水酸化ナトリウムのメタノール溶
液で脱灰後、メタノールで洗浄する方法、あるいは塩酸
のメタノール溶液で脱灰後、メタノールで洗浄する方法
がある。この方法によれば、重合後の残留金属量が多い
場合でも、本発明で使用できる高純度のシンジオタクチ
ック構造のスチレン系重合体が得られる。ただし、酸や
アルカリの残留が好ましくない場合には、上記■の方法
が好適である。
このようにしてのあるいは■の方法により、残留アルミ
ニウム分及び残留チタン分の少ないシンジオタクチック
構造のスチレン系重合体が得られるが、さらに、これを
下記■あるいは■の方法で処理すれば、残留スチレン系
単量体が7000pp−以下のものとなる。
ニウム分及び残留チタン分の少ないシンジオタクチック
構造のスチレン系重合体が得られるが、さらに、これを
下記■あるいは■の方法で処理すれば、残留スチレン系
単量体が7000pp−以下のものとなる。
■上 スチレン ム
ここで減圧乾燥するにあたっては、乾燥温度を該重合体
のガラス転移温度以上とすると効率がよい。
のガラス転移温度以上とすると効率がよい。
■上 スチレン 人 に る先広
上記スチレン系重合体あるいは■の方法で減圧乾燥した
スチレン系重合体を、押出機にまり脱気し、同時に成形
用材料(ペレット)とする、ここで押出機はベント付き
が好ましく、−軸、二輪いずれの押出機を用いてもよい
。
スチレン系重合体を、押出機にまり脱気し、同時に成形
用材料(ペレット)とする、ここで押出機はベント付き
が好ましく、−軸、二輪いずれの押出機を用いてもよい
。
このような処理を経て残留アルミニウム分、残留チタン
分及び残留スチレン系単量体の少ない高純度のシンジオ
タクチック構造のスチレン系重合体が得られる。ここで
、残留アルミニウム分が3000ppmを超えるかある
いは残留チタン分が10ppn+を超えると、触媒残渣
成分の凝集により、平滑な面のフィルムが得られない。
分及び残留スチレン系単量体の少ない高純度のシンジオ
タクチック構造のスチレン系重合体が得られる。ここで
、残留アルミニウム分が3000ppmを超えるかある
いは残留チタン分が10ppn+を超えると、触媒残渣
成分の凝集により、平滑な面のフィルムが得られない。
また、残留スチレン系単量体の量が7000ppmを超
えると、押出延伸後のフィルム表面が、スチレン系単量
体の揮発によって粗面化され平滑な面とならない。
えると、押出延伸後のフィルム表面が、スチレン系単量
体の揮発によって粗面化され平滑な面とならない。
本発明においては、上記のような高純度のシンジオタク
チック構造のスチレン系重合体によりフィルムを底形す
る。このフィルムを得る方法は、特に制限はないが、こ
れらの材料を加熱溶融後、予備成形体とし、加熱延伸後
、熱固定すればよい。
チック構造のスチレン系重合体によりフィルムを底形す
る。このフィルムを得る方法は、特に制限はないが、こ
れらの材料を加熱溶融後、予備成形体とし、加熱延伸後
、熱固定すればよい。
なお、フィルムの素材であるスチレン系重合体には、必
要に応じて、本発明の目的を阻害しない範囲で、酸化防
止剤、帯電防止剤、難燃剤、無機充填材、さらに他の樹
脂(アタクチックポリスチレン、アイソタクチックポリ
スチレン、ポリフェニレンエーテル、スチレン無水マレ
イン酸共重合体等)などを適宜配合することもできる。
要に応じて、本発明の目的を阻害しない範囲で、酸化防
止剤、帯電防止剤、難燃剤、無機充填材、さらに他の樹
脂(アタクチックポリスチレン、アイソタクチックポリ
スチレン、ポリフェニレンエーテル、スチレン無水マレ
イン酸共重合体等)などを適宜配合することもできる。
加熱溶融から熱固定までの操作を具体的に説明すれば、
次の通りである。
次の通りである。
まず、上述の如く得られたスチレン系重合体を成形素材
として、これを通常は押出成形して、延伸用予備成形体
(フィルム、シートまたはチューブ)とする、この成形
にあっては、上記成形素材の加熱溶融したものを押出成
形機にて所定形状に成形するのが一般的であるが、成形
素材を加熱溶融させずに、軟化した状態で成形してもよ
い。ここで用いる押出成形機は、−軸押出成形機、二軸
押出成形機のいずれでもよく、またベント付き。
として、これを通常は押出成形して、延伸用予備成形体
(フィルム、シートまたはチューブ)とする、この成形
にあっては、上記成形素材の加熱溶融したものを押出成
形機にて所定形状に成形するのが一般的であるが、成形
素材を加熱溶融させずに、軟化した状態で成形してもよ
い。ここで用いる押出成形機は、−軸押出成形機、二軸
押出成形機のいずれでもよく、またベント付き。
ベント無しのいずれでもよいが、−軸のタンデム型が好
ましい。なお、押出機には適当なメツシュを使用すれば
、夾雑物や異物を除去することができる。特にこの際の
メツシュは、100メツシュ以上が好ましく、とりわけ
400メツシユ舅上が最適である。ここでこれらのメツ
シュを用いる際には、メツシュそのものの耐圧1強度を
考慮して、上記以下の番手を前後に入れても良い。また
メツシュの形状は、平板状1円筒状等適当に選定して使
用することができる。
ましい。なお、押出機には適当なメツシュを使用すれば
、夾雑物や異物を除去することができる。特にこの際の
メツシュは、100メツシュ以上が好ましく、とりわけ
400メツシユ舅上が最適である。ここでこれらのメツ
シュを用いる際には、メツシュそのものの耐圧1強度を
考慮して、上記以下の番手を前後に入れても良い。また
メツシュの形状は、平板状1円筒状等適当に選定して使
用することができる。
またここで押出条件は、特に制限はなく、様々な状況に
応じて適宜選定すればよいが、好ましくは温度を成形素
材の融点〜分解温度より50°C高い温度の範囲で選定
し、剪断応力を5X10bdyne/c(以下とする。
応じて適宜選定すればよいが、好ましくは温度を成形素
材の融点〜分解温度より50°C高い温度の範囲で選定
し、剪断応力を5X10bdyne/c(以下とする。
用いるダイはT−グイ、円環グイ等をあげることができ
る。
る。
上記押出成形後、得られた延伸用子Mj成形体を冷却固
化する。この際の冷媒は、気体、液体、金属ロール等各
種のものを使用することができる。
化する。この際の冷媒は、気体、液体、金属ロール等各
種のものを使用することができる。
金属ロール等を用いる場合、エアナイフ、エアチャンバ
ー、タッチロール、静電印荷等の方法によると厚みムラ
や波うち防止に効果的である。
ー、タッチロール、静電印荷等の方法によると厚みムラ
や波うち防止に効果的である。
冷却固化の温度は、通常はO℃〜延伸用予備成形体のガ
ラス転移温度より30″C高い温度の範囲、好ましくは
ガラス転移温度より50°C低い温度〜ガラス転移温度
の範囲である。また冷却速度は200〜3°C/秒の範
囲で適宜選択する。
ラス転移温度より30″C高い温度の範囲、好ましくは
ガラス転移温度より50°C低い温度〜ガラス転移温度
の範囲である。また冷却速度は200〜3°C/秒の範
囲で適宜選択する。
本発明では、冷却、固化した予備成形体を一軸あるいは
二輪に延伸する。二輪延伸の場合は縦方向及び横方向に
同時に延伸してもよいが、任意の順序で逐次延伸しても
よい。また延伸は一段で行ってもよく、多段で行っても
よい。
二輪に延伸する。二輪延伸の場合は縦方向及び横方向に
同時に延伸してもよいが、任意の順序で逐次延伸しても
よい。また延伸は一段で行ってもよく、多段で行っても
よい。
ここで延伸方法としては、テンターによる方法。
ロール間で延伸する方法、気体圧力を利用してバブリン
グによる方法、圧延による方法など様々であり、これら
を適当に選定あるいは組み合わせて適用すればよい。延
伸温度は、一般には予備成形体のガラス転移温度と融点
の間で設定すればよい。
グによる方法、圧延による方法など様々であり、これら
を適当に選定あるいは組み合わせて適用すればよい。延
伸温度は、一般には予備成形体のガラス転移温度と融点
の間で設定すればよい。
また延伸速度は、通常は1×10〜lXl0’%/分、
好ましくはlXl0”〜lXl0’%/分である。上述
の如き条件で延伸して得られた延伸フィルムに、さらに
高温時の寸法安定性、耐熱性。
好ましくはlXl0”〜lXl0’%/分である。上述
の如き条件で延伸して得られた延伸フィルムに、さらに
高温時の寸法安定性、耐熱性。
フィルム面内の強度バランスが要求される場合などには
、さらに熱固定を行うことが好ましい、熱固定は、通常
行われている方法で行うことができるが、この延伸フィ
ルムを緊張状態、弛緩状態あるいは制限収縮状態の下で
、該フィルムのガラス転移温度〜融点、好ましくは融点
より100℃低い温度〜融点直前の温度範囲にて、0,
5〜120秒間保持することによって行えばよい。なお
、この熱固定は、上記範囲内で条件を変えて二回以上行
うことも可能である。また、この熱固定はアルゴンガス
、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下で行っても良い。
、さらに熱固定を行うことが好ましい、熱固定は、通常
行われている方法で行うことができるが、この延伸フィ
ルムを緊張状態、弛緩状態あるいは制限収縮状態の下で
、該フィルムのガラス転移温度〜融点、好ましくは融点
より100℃低い温度〜融点直前の温度範囲にて、0,
5〜120秒間保持することによって行えばよい。なお
、この熱固定は、上記範囲内で条件を変えて二回以上行
うことも可能である。また、この熱固定はアルゴンガス
、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下で行っても良い。
このようにして得られる本発明の延伸フィルムは、厚さ
0.5〜1000μm、好ましくは1〜500I1mで
あり、また表面粗さRaが0.02μm以下、好ましく
は0.015μm以下のものである。Raが0.02μ
mを超えると超平滑面を要求される用途(例えば、磁気
テープの平滑面等)には不充分である。
0.5〜1000μm、好ましくは1〜500I1mで
あり、また表面粗さRaが0.02μm以下、好ましく
は0.015μm以下のものである。Raが0.02μ
mを超えると超平滑面を要求される用途(例えば、磁気
テープの平滑面等)には不充分である。
次に本発明を実施例及び比較例によりさらに詳しく説明
する。
する。
参考例1
(1)トリメチルアルミニウムと水との接触生成物の調
製 アルゴン置換した内容積500−のガラス製容器に、硫
酸銅5水塩(CuS Os ・5 HzO) 17.8
g(71ミリモル)、トルエン2007d及びトリメチ
ルアルミニウム24d(250ξリモル)を入れ、40
”Cで8時間反応させた。その後、固体部分を除去して
得られた溶液から、更に、トルエンを室温下で減圧留去
して接触生成物6.7gを得た。このものの凝固点降下
法によって測定した分子量は610であった。また、’
H−NMR測定による前述の高磁場成分(即ち、−〇、
1〜−0.5ppm)は43%であった。
製 アルゴン置換した内容積500−のガラス製容器に、硫
酸銅5水塩(CuS Os ・5 HzO) 17.8
g(71ミリモル)、トルエン2007d及びトリメチ
ルアルミニウム24d(250ξリモル)を入れ、40
”Cで8時間反応させた。その後、固体部分を除去して
得られた溶液から、更に、トルエンを室温下で減圧留去
して接触生成物6.7gを得た。このものの凝固点降下
法によって測定した分子量は610であった。また、’
H−NMR測定による前述の高磁場成分(即ち、−〇、
1〜−0.5ppm)は43%であった。
(2)スチレン系重合体の製造
内容積21の反応容器に、上記(1)で得られた接触生
成物をアルミニウム原子として5ミリモル、トリイソブ
チルアルミニウムを5ミリモル。
成物をアルミニウム原子として5ミリモル、トリイソブ
チルアルミニウムを5ミリモル。
ペンタメチルシクロペンタジェニルチタントリメトキシ
ド0.025ミリモル及び精製スチレン1℃を加え、9
0″Cで5時間重合反応を行った。その後、メタノール
を注入して重合を停止し、乾燥して重合体308gを得
た。次いで、この重合体をソックスレー抽出器を用いて
メチルエチルケトンで抽出したところ、抽出残(MIP
)98.0%を得た。得られた重合体の重量平均分子量
は389.000 、重量平均分子量/数平均分子量は
2.64であった。融点及びI3C−NMR測定により
得られた重合体はシンジオタクチック構造のポリスチレ
ンであることを確認した。また、この重合体中には、ア
ルミニウム分が880ppm+チタン分が4ppm含有
されていた。
ド0.025ミリモル及び精製スチレン1℃を加え、9
0″Cで5時間重合反応を行った。その後、メタノール
を注入して重合を停止し、乾燥して重合体308gを得
た。次いで、この重合体をソックスレー抽出器を用いて
メチルエチルケトンで抽出したところ、抽出残(MIP
)98.0%を得た。得られた重合体の重量平均分子量
は389.000 、重量平均分子量/数平均分子量は
2.64であった。融点及びI3C−NMR測定により
得られた重合体はシンジオタクチック構造のポリスチレ
ンであることを確認した。また、この重合体中には、ア
ルミニウム分が880ppm+チタン分が4ppm含有
されていた。
参考例2
(1)トリメチルアルミニウムと水との接触生成物の調
製 トルエン200−中に、トリメチルアル旦ニウム47.
4d (492ミリモル)を加え、これに硫酸銅5水塩
(CuS Oa ・51(to) 35.5 g(14
2ξリモル)を加えて20℃で24時間反応させた0反
応終了後、溶媒であるトルエンを濾別により除去して、
メチルアルミノキサン12.4gを得た。
製 トルエン200−中に、トリメチルアル旦ニウム47.
4d (492ミリモル)を加え、これに硫酸銅5水塩
(CuS Oa ・51(to) 35.5 g(14
2ξリモル)を加えて20℃で24時間反応させた0反
応終了後、溶媒であるトルエンを濾別により除去して、
メチルアルミノキサン12.4gを得た。
(2)スチレン系重合体の製造
内容積500dの攪拌機付ガラス容器に、トルエン10
0Ir1と上記(1)で得られたメチルアル壽ノキサン
をアルミニウム原子として40ミリモル加え、次いでこ
れにシクロペンタジェニルチタニウムトリクロリド0.
05ミリモルを加えた。
0Ir1と上記(1)で得られたメチルアル壽ノキサン
をアルミニウム原子として40ミリモル加え、次いでこ
れにシクロペンタジェニルチタニウムトリクロリド0.
05ミリモルを加えた。
続いて、20°Cにおいてスチレン1801fを加え1
時間重合反応を行った後、メタノールを注入して反応を
停止した。
時間重合反応を行った後、メタノールを注入して反応を
停止した。
得られた重合体の収量は16.5gであり、その重量平
均分子量は28万、数平均分子量は5.7万であった。
均分子量は28万、数平均分子量は5.7万であった。
さらに、この重合体をソックスレー抽出器を用いてメチ
ルエチルケトンで4時間抽出したところ、97重量%が
不溶であった。
ルエチルケトンで4時間抽出したところ、97重量%が
不溶であった。
なお、13C−NMR測定により得られた重合体はシン
ジオタクチック構造のポリスチレンであることを確認し
た。また、この重合体中には、アルミニウム分が65,
000ppm、チタン分が145ρp謹含有されていた
。
ジオタクチック構造のポリスチレンであることを確認し
た。また、この重合体中には、アルミニウム分が65,
000ppm、チタン分が145ρp謹含有されていた
。
実施例1
参考例1で得られたスチレン系重合体パウダーを150
°C,2時間攪拌しながら真空乾燥した。
°C,2時間攪拌しながら真空乾燥した。
このパウダーをベント付単軸押出機の先端にキャピラリ
ーを複数個含むダイを取り付けた装置で溶融押出後、冷
却し、カットして押出用成形材料(ベレット)を作成し
た。この時溶融温度は300°C9押出機のスクリュー
径は50mmでフルフライト型のものを用い、押出量を
30kg/時、ベント圧を10an*Hgとした。この
後このベレットを熱風中で攪拌しながら結晶化、乾燥を
行った。得られたベレットの残留スチレン単量体量は1
100ρρm。
ーを複数個含むダイを取り付けた装置で溶融押出後、冷
却し、カットして押出用成形材料(ベレット)を作成し
た。この時溶融温度は300°C9押出機のスクリュー
径は50mmでフルフライト型のものを用い、押出量を
30kg/時、ベント圧を10an*Hgとした。この
後このベレットを熱風中で攪拌しながら結晶化、乾燥を
行った。得られたベレットの残留スチレン単量体量は1
100ρρm。
結晶化度は35%であった。このベレットを用いて直列
タンデム型単軸押出機の先端に、T−ダイを取り付けた
防震型装置で押し出した。この時の押出温度は320℃
で、剪断応力は2 X 10 ’dyne/C1iであ
り、バレル内に平滑性を出すため、50/l 50/4
00/400/150150のメツシュを導入した。
タンデム型単軸押出機の先端に、T−ダイを取り付けた
防震型装置で押し出した。この時の押出温度は320℃
で、剪断応力は2 X 10 ’dyne/C1iであ
り、バレル内に平滑性を出すため、50/l 50/4
00/400/150150のメツシュを導入した。
この溶融押出されたシートを静電印荷により、金属冷却
ロールに密着冷却させ、延伸用原反を作成した。この時
金属冷却ロールを70℃に調節した。なお、冷却速度は
50’C/秒であった。また作成した原反の厚みは11
0umで、結晶化度は15%であった。この原反をテー
ブルテンターにて、110”C,3000%/分で押出
方向、それと垂直方向の順に3倍ずつ逐次二輪延伸した
。その後この延伸フィルムを制限収縮下で260”C。
ロールに密着冷却させ、延伸用原反を作成した。この時
金属冷却ロールを70℃に調節した。なお、冷却速度は
50’C/秒であった。また作成した原反の厚みは11
0umで、結晶化度は15%であった。この原反をテー
ブルテンターにて、110”C,3000%/分で押出
方向、それと垂直方向の順に3倍ずつ逐次二輪延伸した
。その後この延伸フィルムを制限収縮下で260”C。
30秒熱処理した。得られたフィルムの厚みは12μm
、結晶化度は55%であった。このフィルムをJIS
B−0601に準拠し、カットオフ(Io、08mm
で表面粗さRaを測定したところ、0.08μmであっ
た。
、結晶化度は55%であった。このフィルムをJIS
B−0601に準拠し、カットオフ(Io、08mm
で表面粗さRaを測定したところ、0.08μmであっ
た。
実施例2
参考例1で得られたスチレン系重合体を水酸化ナトリウ
ムのメタノール溶液で触媒成分を分解し、メタノールで
充分洗浄した。このパウダーを実施例1と同様に乾燥後
、スクリュー径40mmのベント付異方向二軸押出機を
用いた他は、実施例1と同様の条件でペレタイズした。
ムのメタノール溶液で触媒成分を分解し、メタノールで
充分洗浄した。このパウダーを実施例1と同様に乾燥後
、スクリュー径40mmのベント付異方向二軸押出機を
用いた他は、実施例1と同様の条件でペレタイズした。
このペレットの残留Ti、Af!、スチレン単量体はそ
れぞれ75ppm。
れぞれ75ppm。
2ppm 、 5001)l)lであった。この材料
を用いて実施例1と同様に延伸フィルムを作成した。結
果を表に示す。
を用いて実施例1と同様に延伸フィルムを作成した。結
果を表に示す。
実施例3
参考例2で得られたスチレン系重合体を用いた他は、実
施例2と同様にした。結果を表に示す。
施例2と同様にした。結果を表に示す。
実施例4
参考例1の重合温度を変え、重量平均分子量277.0
00.重量平均分子量/数平均分子量が2.80のスチ
レン系重合体を得た。この重合体を用いたこと以外は、
実施例2と同様の操作を行った。結果を表に示す。
00.重量平均分子量/数平均分子量が2.80のスチ
レン系重合体を得た。この重合体を用いたこと以外は、
実施例2と同様の操作を行った。結果を表に示す。
比較例1
成形材料を作成する時に、ベント引きせずに単軸押出機
でペレタイズした。この材料を用いたことの他は実施例
1と同様にした。結果を表に示す。
でペレタイズした。この材料を用いたことの他は実施例
1と同様にした。結果を表に示す。
比較例2
参考例2のスチレン系重合体を脱灰・洗浄せずに用いた
ことの他は実施例1と同様にした。結果を表に示す。
ことの他は実施例1と同様にした。結果を表に示す。
表
〔発明の効果〕
軟土の如く、本発明のよれば耐熱性にすぐれ、しかも高
度な平滑面を有するベースフィルムを得ることができる
。
度な平滑面を有するベースフィルムを得ることができる
。
したがって、この平滑性フィルムは、磁気テープのベー
スフィルム基材をはじめ、各種産業用基材、包装用基材
に幅広く利用することができる。
スフィルム基材をはじめ、各種産業用基材、包装用基材
に幅広く利用することができる。
*2
1.2.4−)クリロロベンゼンを溶媒としてゲルパー
ミェーションクロマトグラフィーにて測定 JIS B−0601に準拠、カットオフ値0.08
園
ミェーションクロマトグラフィーにて測定 JIS B−0601に準拠、カットオフ値0.08
園
Claims (1)
- (1)残留アルミニウム分が3000ppm以下、残留
チタン分が10ppm以下及び残留スチレン系単量体が
7000ppm以下である主としてシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を主成分とする延伸フィ
ルムであって表面粗さRaが0.02μm以下である平
滑性フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20838589A JP2742099B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 平滑性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20838589A JP2742099B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 平滑性フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0370746A true JPH0370746A (ja) | 1991-03-26 |
JP2742099B2 JP2742099B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16555391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20838589A Expired - Fee Related JP2742099B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 平滑性フィルム |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2742099B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0691750A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH06100711A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH0699485A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH06107813A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH06107812A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH06106616A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH0724911A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-27 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系フィルム |
WO1996017005A1 (fr) * | 1994-12-02 | 1996-06-06 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Film de polystyrene etire et procede pour la preparation de ce film |
JP2000355613A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-12-26 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | スチレン系重合体および該重合体を成形してなる成形体 |
WO2019107525A1 (ja) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂の製造方法及びスチレン系樹脂成形体 |
CN111433231B (zh) * | 2017-12-01 | 2024-07-16 | 出光兴产株式会社 | 苯乙烯系树脂的制造方法和苯乙烯系树脂成形体 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP20838589A patent/JP2742099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0691750A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
JPH06100711A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
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JPH06107812A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルム |
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JPH0724911A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-27 | Toyobo Co Ltd | シンジオタクチックポリスチレン系フィルム |
WO1996017005A1 (fr) * | 1994-12-02 | 1996-06-06 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Film de polystyrene etire et procede pour la preparation de ce film |
US5837384A (en) * | 1994-12-02 | 1998-11-17 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Polystyrenic stretched film and process for producing the polystyrenic stretched film |
JP2000355613A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-12-26 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | スチレン系重合体および該重合体を成形してなる成形体 |
WO2019107525A1 (ja) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂の製造方法及びスチレン系樹脂成形体 |
CN111417658A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-07-14 | 出光兴产株式会社 | 苯乙烯系树脂、苯乙烯系树脂组合物及其成形品、以及苯乙烯系树脂的制造方法 |
KR20200086295A (ko) | 2017-12-01 | 2020-07-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스타이렌계 수지의 제조 방법 및 스타이렌계 수지 성형체 |
CN111433231A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-07-17 | 出光兴产株式会社 | 苯乙烯系树脂的制造方法和苯乙烯系树脂成形体 |
US11180584B2 (en) | 2017-12-01 | 2021-11-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method for producing styrene resin and styrene resin molded article |
CN111433231B (zh) * | 2017-12-01 | 2024-07-16 | 出光兴产株式会社 | 苯乙烯系树脂的制造方法和苯乙烯系树脂成形体 |
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---|---|
JP2742099B2 (ja) | 1998-04-22 |
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