JPH0359012A - スチレン系重合体の精製方法 - Google Patents
スチレン系重合体の精製方法Info
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Landscapes
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- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Polymerization Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスチレン系重合体の精製方法に関し、詳しくは
重合体連鎖の立体化学構造が主としてシンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体を効率よく高度に精製
する方法に関する。
重合体連鎖の立体化学構造が主としてシンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体を効率よく高度に精製
する方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題]従来か
らラジカル重合法等により製造されるスチレン系重合体
は、その立体構造がアタクチック構造を有しており、種
々の成形法、例えば射出成形、押出成形、中空成形、真
空底形、注入成形などの方法によって、様々な形状のも
のに成形され、家庭電気器具、事務機器、家庭用品、包
装容器。
らラジカル重合法等により製造されるスチレン系重合体
は、その立体構造がアタクチック構造を有しており、種
々の成形法、例えば射出成形、押出成形、中空成形、真
空底形、注入成形などの方法によって、様々な形状のも
のに成形され、家庭電気器具、事務機器、家庭用品、包
装容器。
玩具、家具2合成紙その他産業資材などとして幅広く用
いられている。
いられている。
しかしながら、このようなアタクチック構造のスチレン
系重合体は、耐熱性、耐薬品性に劣るという欠点があっ
た。
系重合体は、耐熱性、耐薬品性に劣るという欠点があっ
た。
ところで、本発明者らのグループは、先般、シンジオタ
クテイシテイ−の高いスチレン系重合体を開発すること
に成功し、さらにチタン化合物及び有機アルミニウム化
合物と縮合剤との接触生成物(アルキルアルミノキサン
)からなる触媒を用いることによりシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体が得られることを示した
(特開昭62−187708号公報等)。
クテイシテイ−の高いスチレン系重合体を開発すること
に成功し、さらにチタン化合物及び有機アルミニウム化
合物と縮合剤との接触生成物(アルキルアルミノキサン
)からなる触媒を用いることによりシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体が得られることを示した
(特開昭62−187708号公報等)。
このようなシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体は、スラリー重合、塊状重合等により製造される
が、触媒活性及び生産性の点からスチレンを高濃度にし
て重合を行うことが有利である。また、得られる重合体
製品中に残留する触媒成分を脱灰により低減することが
望まれている。
重合体は、スラリー重合、塊状重合等により製造される
が、触媒活性及び生産性の点からスチレンを高濃度にし
て重合を行うことが有利である。また、得られる重合体
製品中に残留する触媒成分を脱灰により低減することが
望まれている。
しかしながら、一般に、転化率の低いものあるいはスチ
レンを低濃度にして重合した重合体製品は、脱灰が容易
であるが、転化率が60%以上と高い場合の重合体製品
は、転化率の上昇とともに、その後の脱灰洗浄が困難と
なるという問題がある。
レンを低濃度にして重合した重合体製品は、脱灰が容易
であるが、転化率が60%以上と高い場合の重合体製品
は、転化率の上昇とともに、その後の脱灰洗浄が困難と
なるという問題がある。
そこで、本発明者らは、上記従来技術の問題点を解消し
、高転化率のスチレン系重合体を効率よく脱灰(残留触
媒の除去)することができ、高純度に精製しろる方法を
開発すべく鋭意研究を重ねた。
、高転化率のスチレン系重合体を効率よく脱灰(残留触
媒の除去)することができ、高純度に精製しろる方法を
開発すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、転化率60%以上で製造されたスチレン系重
合体を特定の溶媒を用いて膨潤状態とした後に、脱灰処
理を行うことにより上記の課題を解決できることを見出
した。本発明はかかる知見に基いて完成したものである
。
合体を特定の溶媒を用いて膨潤状態とした後に、脱灰処
理を行うことにより上記の課題を解決できることを見出
した。本発明はかかる知見に基いて完成したものである
。
すなわち、本発明は(A)アルミノキサン及び(B)遷
移金属化合物からなる触媒を用いて得られた主としてシ
ンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を精製
するにあたり、転化率60%以上で製造された前記スチ
レン系重合体に芳香族溶媒及び/又はスチレン系単量体
を添加して膨潤させた後に脱灰することを特徴とするス
チレン系重合体の精製方法を提供するものである。
移金属化合物からなる触媒を用いて得られた主としてシ
ンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を精製
するにあたり、転化率60%以上で製造された前記スチ
レン系重合体に芳香族溶媒及び/又はスチレン系単量体
を添加して膨潤させた後に脱灰することを特徴とするス
チレン系重合体の精製方法を提供するものである。
本発明に使用する触媒の(A)成分であるアルミノキサ
ンとは、各種の有機アルミニウム化合物と縮合剤とを接
触して得られるものである。反応原料とする有機アルミ
ニウム化合物としては、通常は一般式 %式%() 〔式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す。
ンとは、各種の有機アルミニウム化合物と縮合剤とを接
触して得られるものである。反応原料とする有機アルミ
ニウム化合物としては、通常は一般式 %式%() 〔式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す。
で表わされる有機アルミニウム化合物、具体的には、ト
リメチルアルミニウム、トリエチルアル〔ニウム、トリ
イソブチルアルミニウム等があげられ、中でもトリメチ
ルアルミニウムが最も好ましい。
リメチルアルミニウム、トリエチルアル〔ニウム、トリ
イソブチルアルミニウム等があげられ、中でもトリメチ
ルアルミニウムが最も好ましい。
一方、有機アルミニウム化合物と縮合させる縮合剤とし
ては、典型的には水があげられるが、この他にアルキル
アルミニウムが縮合反応するいかなるものを用いてもよ
い。
ては、典型的には水があげられるが、この他にアルキル
アルミニウムが縮合反応するいかなるものを用いてもよ
い。
(A)成分であるアルミノキサンとしては、一般式
〔式中、nは重合度を示し、2〜5oの数であり、R1
は炭素数1〜8のアルキル基を示す。〕で表わされる鎖
状アルキルアルミノキサンあるいは 一般式 で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキルアルミ
ノキサン等がある。このようなアルキルアルミノキサン
のうち、R1がメチル基であるもの、すなわちメチルア
ルミノキサンが特に好ましい。
は炭素数1〜8のアルキル基を示す。〕で表わされる鎖
状アルキルアルミノキサンあるいは 一般式 で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキルアルミ
ノキサン等がある。このようなアルキルアルミノキサン
のうち、R1がメチル基であるもの、すなわちメチルア
ルミノキサンが特に好ましい。
一般に、トリアルキルアルミニウム等のアルキルアルミ
ニウム化合物と水との接触生成物は、上述の鎖状アルキ
ルアルもツキサンや環状アルキルアルミノキサンととも
に、未反応のトリアルキルアルミニウム、各種の縮合生
成物の混合物、さらにはこれらが複雑に会合した分子で
あり、これらはアルキルアルミニウム化合物と水との接
触条件によって様々な生成物となる。
ニウム化合物と水との接触生成物は、上述の鎖状アルキ
ルアルもツキサンや環状アルキルアルミノキサンととも
に、未反応のトリアルキルアルミニウム、各種の縮合生
成物の混合物、さらにはこれらが複雑に会合した分子で
あり、これらはアルキルアルミニウム化合物と水との接
触条件によって様々な生成物となる。
この際のアルキルアルミニウムと水との反応は特に限定
はなく、公知の手法に準じて反応させればよい6例えば
、■アルキルアルミニウムを有機溶剤に溶解しておき、
これを水と接触させる方法、■重合時に当初アルキルア
ルミニウムを加えておき、後に水を添加する方法、さら
には■金属塩などに含有されている結晶水、無機物や有
機物への吸着水をアルキルアルミニウムと反応させるな
どの方法がある。なお、上記の水にはアンモニア。
はなく、公知の手法に準じて反応させればよい6例えば
、■アルキルアルミニウムを有機溶剤に溶解しておき、
これを水と接触させる方法、■重合時に当初アルキルア
ルミニウムを加えておき、後に水を添加する方法、さら
には■金属塩などに含有されている結晶水、無機物や有
機物への吸着水をアルキルアルミニウムと反応させるな
どの方法がある。なお、上記の水にはアンモニア。
エチルアミン等のアミン、硫化水素等の硫黄化合物、亜
燐酸エステル等の燐化合物などが20%程度まで含有さ
れていてもよい。
燐酸エステル等の燐化合物などが20%程度まで含有さ
れていてもよい。
本発明に用いるアルミノキサン、特にアルキルアルミノ
キサンとしては、上記の接触反応の後、含水化合物等を
使用した場合には、固体残渣を濾別し、濾液を常圧下あ
るいは減圧下で30〜200″Cの温度、好ましくは4
0°C〜150°Cの温度で20分〜8時間、好ましく
は30分〜5時間の範囲で溶媒を留去しつつ熱処理した
ものが好ましい。この熱処理にあたっては、温度は各種
の状況によって適宜窓めればよいが、通常は上記範囲で
行う。一般に、30″C未満の温度では、効果が発現せ
ず、また200°Cを超えると、アル稟ツキサン自体の
熱分解が起こり、好ましくない、熱処理の処理条件によ
り反応生成物は、無色の固体又は溶液状態で得られる。
キサンとしては、上記の接触反応の後、含水化合物等を
使用した場合には、固体残渣を濾別し、濾液を常圧下あ
るいは減圧下で30〜200″Cの温度、好ましくは4
0°C〜150°Cの温度で20分〜8時間、好ましく
は30分〜5時間の範囲で溶媒を留去しつつ熱処理した
ものが好ましい。この熱処理にあたっては、温度は各種
の状況によって適宜窓めればよいが、通常は上記範囲で
行う。一般に、30″C未満の温度では、効果が発現せ
ず、また200°Cを超えると、アル稟ツキサン自体の
熱分解が起こり、好ましくない、熱処理の処理条件によ
り反応生成物は、無色の固体又は溶液状態で得られる。
このようにして得られた生成物を、必要に応じて炭化水
素溶媒で溶解あるいは希釈して触媒溶液として使用する
ことができる。
素溶媒で溶解あるいは希釈して触媒溶液として使用する
ことができる。
このようなアルキルアルミノキサンの好適な例は、プロ
トン核磁気共鳴吸収法で観測されるアルミニウムーメチ
ル基(Al2−CI−13)結合に基くメチルプロトン
シグナル領域における高磁場成分が50%以下のもので
ある。つまり、上記の接触生成物を、室温下、トルエン
溶媒中でそのプロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペ
クトルを観測すると、A/!−CH3に基くメチルプロ
トンシグナルは、テトラメチルシラン(TMS)基準に
おいて1.0〜−0.5 ppmの範囲に見られる。T
MSのプロトンシグナル(Oppm)がARCH3に基
くメチルプロトン観測領域にあるため、このAl−CH
5に基くメチルプロトンシグナルを、7MS基準におけ
るトルエンのメチルプロトンシグナル2.35ppmを
基準にして測定し、高磁場成分(即ち、−〇、1〜−0
.5pp鋼)と他の磁場成分(即ち、1.0〜−o、x
pp請)とに分けたときに、該高磁場成分が全体の50
%以下、好ましくは45〜5%のものが本発明のアルキ
ルアルミノキサンとして好適に使用できる。
トン核磁気共鳴吸収法で観測されるアルミニウムーメチ
ル基(Al2−CI−13)結合に基くメチルプロトン
シグナル領域における高磁場成分が50%以下のもので
ある。つまり、上記の接触生成物を、室温下、トルエン
溶媒中でそのプロトン核磁気共鳴(’H−NMR)スペ
クトルを観測すると、A/!−CH3に基くメチルプロ
トンシグナルは、テトラメチルシラン(TMS)基準に
おいて1.0〜−0.5 ppmの範囲に見られる。T
MSのプロトンシグナル(Oppm)がARCH3に基
くメチルプロトン観測領域にあるため、このAl−CH
5に基くメチルプロトンシグナルを、7MS基準におけ
るトルエンのメチルプロトンシグナル2.35ppmを
基準にして測定し、高磁場成分(即ち、−〇、1〜−0
.5pp鋼)と他の磁場成分(即ち、1.0〜−o、x
pp請)とに分けたときに、該高磁場成分が全体の50
%以下、好ましくは45〜5%のものが本発明のアルキ
ルアルミノキサンとして好適に使用できる。
一方、本発明に使用する触媒の(B)成分である遷移金
属化合物としては、チタン化合物、ジルコニウム化合物
、ハフニウム化合物あるいはバナジウム化合物がある。
属化合物としては、チタン化合物、ジルコニウム化合物
、ハフニウム化合物あるいはバナジウム化合物がある。
チタン化合物としては様々なものがあるが、好ましくは
、一般式 %式%) () 〔式中、R1,R3,R4及びR5はそれぞれ水素原子
、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアル
コキシ基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルアリ
ール基、アリールアルキル基、炭素数i〜20のアシル
オキシ基、シクロペンタジェニルL !換シクロペンタ
ジェニル基、インデニル基あるいはハロゲン原子を示す
。
、一般式 %式%) () 〔式中、R1,R3,R4及びR5はそれぞれ水素原子
、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアル
コキシ基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルアリ
ール基、アリールアルキル基、炭素数i〜20のアシル
オキシ基、シクロペンタジェニルL !換シクロペンタ
ジェニル基、インデニル基あるいはハロゲン原子を示す
。
a、b、cはそれぞれ0〜4の整数を示し、d。
eはそれぞれO〜3の整数を示す。〕
で表わされるチタン化合物およびチタンキレート化合物
よりなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物である
。
よりなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物である
。
コノ一般式(IV)又は(V)中のR”、Rコ R4及
びR5はそれぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基(具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ア藁ル基、イソアミル基。
びR5はそれぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基(具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ア藁ル基、イソアミル基。
イソブチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基など
)、炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的にはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基。
)、炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的にはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基。
ブトキシ基、ア〔ルオキシ基、ヘキシルオキシ基。
2−エチルへキシルオキシ基など)、炭素数6〜20の
アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基
(具体的にはフェニル基、トリル基。
アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基
(具体的にはフェニル基、トリル基。
キシリル基、ベンジル基など)、炭素数1〜20のアシ
ルオキシ基(具体的にはヘプタデシルカルボニルオキシ
基など)、シクロペンタジェニル基。
ルオキシ基(具体的にはヘプタデシルカルボニルオキシ
基など)、シクロペンタジェニル基。
置換シクロペンタジェニル基(具体的にはメチルシクロ
ペンタジェニル基、1.2−ジメチルシクロペンタジェ
ニル基、ペンタメチルシクロヘンタジエニル基など〉、
インデニル基あるいはハロゲン原子(具体的には塩素、
臭素、沃素、弗素)を示す。これらRZ、R’、R’及
びR5は同一のものであっても、異なるものであっても
よい。さらにa、b、cはそれぞれ0〜4の整数を示し
、またd、eはそれぞれO〜3の整数を示す。
ペンタジェニル基、1.2−ジメチルシクロペンタジェ
ニル基、ペンタメチルシクロヘンタジエニル基など〉、
インデニル基あるいはハロゲン原子(具体的には塩素、
臭素、沃素、弗素)を示す。これらRZ、R’、R’及
びR5は同一のものであっても、異なるものであっても
よい。さらにa、b、cはそれぞれ0〜4の整数を示し
、またd、eはそれぞれO〜3の整数を示す。
更に好適なチタン化合物とし、では一般式%式%()
[式中、Rはシクロペンタジェニル基、置換シクロペン
タジェニル基又はインデニル基を示し、X、Y及びZは
それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基
、炭素数1−12のアルコキシ基、炭素数6〜20のア
リール基、炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素数
6〜20のアリールアルキル基又はハロゲン原子を示す
。〕 で表わされるチタン化合物がある。この式中のRで示さ
れる置換シクロペンタジェニル基は、例えば炭素数1〜
6のアルキル基で1個以上置換されたシクロペンタジェ
ニル基、具体的にはメチルシクロペンタジェニルL
1,2−ジメチルシクロペンタジェニル基、ペンタメチ
ルシクロペンタジェニル基等である。また、X、Y及び
Zはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキ
ル基(具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基。
タジェニル基又はインデニル基を示し、X、Y及びZは
それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基
、炭素数1−12のアルコキシ基、炭素数6〜20のア
リール基、炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素数
6〜20のアリールアルキル基又はハロゲン原子を示す
。〕 で表わされるチタン化合物がある。この式中のRで示さ
れる置換シクロペンタジェニル基は、例えば炭素数1〜
6のアルキル基で1個以上置換されたシクロペンタジェ
ニル基、具体的にはメチルシクロペンタジェニルL
1,2−ジメチルシクロペンタジェニル基、ペンタメチ
ルシクロペンタジェニル基等である。また、X、Y及び
Zはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキ
ル基(具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基。
n−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基
、オクチル基、2−エチルヘキシル基等)炭素数1−1
2のアルコキシ基(具体的にはメトキシ基、エトキシ基
、プロポキシ基、ブトキシ基ア朶ルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキ
シ基等)、炭素数6〜20のアリール基(具体的にはフ
ェニル基ナフチル基等)、炭素数6〜20のアリールオ
キシ基(具体的にはフェノキシ基等)、炭素数6〜20
のアリールアルキル基(具体的にはベンジル基)又はハ
ロゲン原子(具体的には塩素、臭素。
、オクチル基、2−エチルヘキシル基等)炭素数1−1
2のアルコキシ基(具体的にはメトキシ基、エトキシ基
、プロポキシ基、ブトキシ基ア朶ルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキ
シ基等)、炭素数6〜20のアリール基(具体的にはフ
ェニル基ナフチル基等)、炭素数6〜20のアリールオ
キシ基(具体的にはフェノキシ基等)、炭素数6〜20
のアリールアルキル基(具体的にはベンジル基)又はハ
ロゲン原子(具体的には塩素、臭素。
沃素あるいは弗素)を示す。
このような一般式(VT)で表わされるチタン化合物の
具体例としては、シクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、シクロペンタジェニルトリエチルチタン、シクロペ
ンタジェニルトリプロピルチタン、シクロペンタジェニ
ルトリブチルチタン。
具体例としては、シクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、シクロペンタジェニルトリエチルチタン、シクロペ
ンタジェニルトリプロピルチタン、シクロペンタジェニ
ルトリブチルチタン。
メチルシクロペンタジェニルトリメチルチタン。
1.2−ジメチルシクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリブチルチタ
ン、シクロペンタジェニルメチルチタンジクロリド、シ
クロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、ペンタメ
チルシクロペンタジェニルメチルチタンジクロリド、ペ
ンタメチルシクロペンタジェニルエチルチタンジクロリ
ド、シクロペンタジェニルジメチルチタンモノクロリド
、シクロペンタジェニルジエチルチタンモノクロリド、
シクロペンタジェニルチタントリメトキシド、シクロペ
ンタジェニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェ
ニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェニルチタ
ントリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジェニ
ルチタントリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルチタントリエトキシド、ベンタメチルシクロペン
タジエニルチタントリブロボキシド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリブトキシド、ペンタメチル
シクロペンタジェニルチタントリフェノキシド、シクロ
ペンタジェニルチタントリクロリド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリクロリド、シクロペンタジ
ェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジェニ
ルジメトキシチタンクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルメチルチタンジクロリド、シクロペンタジェ
ニルトリベンジルチタン、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルメチルジェトキシチタン、インデニルチタントリ
クロリド。
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリメチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリエチルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジェニルトリブチルチタ
ン、シクロペンタジェニルメチルチタンジクロリド、シ
クロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、ペンタメ
チルシクロペンタジェニルメチルチタンジクロリド、ペ
ンタメチルシクロペンタジェニルエチルチタンジクロリ
ド、シクロペンタジェニルジメチルチタンモノクロリド
、シクロペンタジェニルジエチルチタンモノクロリド、
シクロペンタジェニルチタントリメトキシド、シクロペ
ンタジェニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェ
ニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェニルチタ
ントリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジェニ
ルチタントリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルチタントリエトキシド、ベンタメチルシクロペン
タジエニルチタントリブロボキシド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリブトキシド、ペンタメチル
シクロペンタジェニルチタントリフェノキシド、シクロ
ペンタジェニルチタントリクロリド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルチタントリクロリド、シクロペンタジ
ェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジェニ
ルジメトキシチタンクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルメチルチタンジクロリド、シクロペンタジェ
ニルトリベンジルチタン、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルメチルジェトキシチタン、インデニルチタントリ
クロリド。
インデニルチタントリメトキシド、インデニルチタント
リエ・トキシド、インデニルトリメチルチタン、インデ
ニルトリベンジルチタン等があげられる。
リエ・トキシド、インデニルトリメチルチタン、インデ
ニルトリベンジルチタン等があげられる。
これらのチタン化合物のうち、ハロゲン原子を含まない
化合物が好適であり、特に、上述した如きπ電子系配位
子を1個有するチタン化合物が好ましい。
化合物が好適であり、特に、上述した如きπ電子系配位
子を1個有するチタン化合物が好ましい。
さらにチタン化合物としては一般式
〔式中、Rh、R7はそれぞれハロゲン原子、炭素数1
〜20のアルコキシ基、アシロキシ基を示し、mは2〜
20を示す。〕 で表わされる縮合チタン化合物を用いてもよい。
〜20のアルコキシ基、アシロキシ基を示し、mは2〜
20を示す。〕 で表わされる縮合チタン化合物を用いてもよい。
さらに、上記チタン化合物は、エステルやエーテルなど
と錯体を形成させたものを用いてもよい。
と錯体を形成させたものを用いてもよい。
上記一般式(V)で表わされる三価チタン化合物は、典
型的には三塩化チタンなどの三ハロゲン化チタン、シク
ロペンタジェニルチタニウムジクロリドなどのシクロペ
ンタジェニルチタン化合物があげられ、このほか四価チ
タン化合物を還元して得られるものがあげられる。これ
ら三価チタン化合物はエステル、エーテルなどと錯体を
形成したものを用いてもよい。
型的には三塩化チタンなどの三ハロゲン化チタン、シク
ロペンタジェニルチタニウムジクロリドなどのシクロペ
ンタジェニルチタン化合物があげられ、このほか四価チ
タン化合物を還元して得られるものがあげられる。これ
ら三価チタン化合物はエステル、エーテルなどと錯体を
形成したものを用いてもよい。
また、遷移金属化合物としてのジルコニウム化金物は、
テトラベンジルジルコニウム、ジルコニウムテトラエト
キシド、ジルコニウムナトラブ1−キシド、ビスインデ
ニルジルコニウムジクロリド。
テトラベンジルジルコニウム、ジルコニウムテトラエト
キシド、ジルコニウムナトラブ1−キシド、ビスインデ
ニルジルコニウムジクロリド。
トリイソプロポキシジルコニウムクロリド、ジルコニウ
ムベンジルジクロリド、トリブトキシジルコニウムクロ
リドなどがあり、ハフニウム化合物は、テトラベンジル
ハフニウム、ハフニウムテトラエトキシド、ハフニウム
テトラブトキシドなどがあり、さらにバナジウム化合物
は、バナジルビスアセチルアセトナート、バナジルトリ
アセチルアセトナート、トリエトキシバナジル、トリプ
ロポキシバナジルなどがある。これら遷移金属化合物の
なかではチタン化合物が特に好適である。
ムベンジルジクロリド、トリブトキシジルコニウムクロ
リドなどがあり、ハフニウム化合物は、テトラベンジル
ハフニウム、ハフニウムテトラエトキシド、ハフニウム
テトラブトキシドなどがあり、さらにバナジウム化合物
は、バナジルビスアセチルアセトナート、バナジルトリ
アセチルアセトナート、トリエトキシバナジル、トリプ
ロポキシバナジルなどがある。これら遷移金属化合物の
なかではチタン化合物が特に好適である。
本発明の方法においては、上記の遷移金属化合物の他に
さらに所望により他の触媒成分、例えば有機アルミニウ
ムなどを加えることもできる。
さらに所望により他の触媒成分、例えば有機アルミニウ
ムなどを加えることもできる。
この有機アルごニウムとしては、一般式%式%()
〔式中、R8及びR9はそれぞれ独立に炭素数1〜8、
好ましくは炭素数l〜4のアルキル基を示し、Xはハロ
ゲンを示し、kはOak≦3、mは02m<3、pは0
≦p<3、qはO≦q〈3であって、しかもに+m+p
+qセ3である] で表わされる有機アルミニウム化合物があり、これを加
えることにより、活性が更に向上する。
好ましくは炭素数l〜4のアルキル基を示し、Xはハロ
ゲンを示し、kはOak≦3、mは02m<3、pは0
≦p<3、qはO≦q〈3であって、しかもに+m+p
+qセ3である] で表わされる有機アルミニウム化合物があり、これを加
えることにより、活性が更に向上する。
前記の一般式(■)で表わされる有機アルミニウム化合
物としては、次のものを例示することができる。p=q
=oの場合に相当するものは、般式 %式%): [式中、R8及びR9は前記と同じであり、kは好まし
くは1.5≦に≦3の数である〕で表わされる。m=p
=0の場合に相当するものは、一般式 %式% 〔式中、R8及びXは前記と同じであり、kは好ましく
はO<k<3である〕 で表わされる。m=q=oの場合に相当するものは、一
般式 %式% 〔式中、R1は前記と同じであり、kは好ましくは2≦
k<3である〕 で表わされる。P−0の場合に相当するものは、一般式 %式%) 〔式中、 R11,Re及びXは前記と同じであり、O
ak≦3.0≦m<3、O≦q<3で、k十m+q=3
である〕 で表わされる。
物としては、次のものを例示することができる。p=q
=oの場合に相当するものは、般式 %式%): [式中、R8及びR9は前記と同じであり、kは好まし
くは1.5≦に≦3の数である〕で表わされる。m=p
=0の場合に相当するものは、一般式 %式% 〔式中、R8及びXは前記と同じであり、kは好ましく
はO<k<3である〕 で表わされる。m=q=oの場合に相当するものは、一
般式 %式% 〔式中、R1は前記と同じであり、kは好ましくは2≦
k<3である〕 で表わされる。P−0の場合に相当するものは、一般式 %式%) 〔式中、 R11,Re及びXは前記と同じであり、O
ak≦3.0≦m<3、O≦q<3で、k十m+q=3
である〕 で表わされる。
前記の一般式(■)で表わされる有機アル呉ニウム化合
物において、p””q=oで、k=3の化合物は、例え
ばトリエチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム等
のトリアルキルアルミニウム又はこれらの組み合わせか
ら選ばれ、好ましいものはトリエチルアルミニウム、ト
リーn・−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウムである。p”q=oで、1.5≦k<3の場合は
、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニ
ラムブトキシド等のジアルキルアルミニウムアルコキシ
ド、エチルアルミニウムセスキエトキシド。
物において、p””q=oで、k=3の化合物は、例え
ばトリエチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム等
のトリアルキルアルミニウム又はこれらの組み合わせか
ら選ばれ、好ましいものはトリエチルアルミニウム、ト
リーn・−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウムである。p”q=oで、1.5≦k<3の場合は
、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニ
ラムブトキシド等のジアルキルアルミニウムアルコキシ
ド、エチルアルミニウムセスキエトキシド。
ブチルアルミニウムセスキブトキシド等のアルキルアル
ミニウムセスキアルコキシドの他に、R”t、s Af
(OR’)。4等で表わされる平均組成を有する部分的
にアルコキシ化されたアルキルアルミニウムをあげるこ
とができる。m=p=0の場合に相当する化合物の例は
、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアル5ニウ
ムクロリド。
ミニウムセスキアルコキシドの他に、R”t、s Af
(OR’)。4等で表わされる平均組成を有する部分的
にアルコキシ化されたアルキルアルミニウムをあげるこ
とができる。m=p=0の場合に相当する化合物の例は
、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアル5ニウ
ムクロリド。
ジエチルアルもニウムプロミド等のようなジアルキルア
ルミニウムハロゲニド(k=2)、エチルアルミニウム
セスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、
エチルアル藁ニウムセスキプロミドのようなアルキルア
ルミニウムセスキハロゲニド(k=1.5)、エチルア
ルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリ
ド、ブチルアルξニウムジブロミド等のようなアルキル
アルミニウムジハロゲニド(k=1)等の部分的にハロ
ゲン化されたアルキルアルミニウムである。
ルミニウムハロゲニド(k=2)、エチルアルミニウム
セスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、
エチルアル藁ニウムセスキプロミドのようなアルキルア
ルミニウムセスキハロゲニド(k=1.5)、エチルア
ルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリ
ド、ブチルアルξニウムジブロミド等のようなアルキル
アルミニウムジハロゲニド(k=1)等の部分的にハロ
ゲン化されたアルキルアルミニウムである。
m=q=oの場合に相当する化合物の例は、ジエチルア
ルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等
のジアルキルアルミニウムヒドリド(k=2)、エチル
アルξニウムジヒドリド、プロビルアルミニウムジヒド
リド等のアルキルアルミニウムジヒドリド(m=k)等
の部分的に水素化されたアルキルアルミニウムである。
ルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等
のジアルキルアルミニウムヒドリド(k=2)、エチル
アルξニウムジヒドリド、プロビルアルミニウムジヒド
リド等のアルキルアルミニウムジヒドリド(m=k)等
の部分的に水素化されたアルキルアルミニウムである。
p=Oの場合に相当する化合物の例は、エチルアル5ニ
ウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシク
ロリド、エチルアルミニウムエトキシプロミド(k=m
=q=1)等の部分的にアルコキシ化及びハロゲン化さ
れたアルキルアルごニウムである。これらの中でも特に
好適なものは、トリイソブチルアルミニウム、トリイソ
ブチルアル旦ニウムヒドリドである。
ウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシク
ロリド、エチルアルミニウムエトキシプロミド(k=m
=q=1)等の部分的にアルコキシ化及びハロゲン化さ
れたアルキルアルごニウムである。これらの中でも特に
好適なものは、トリイソブチルアルミニウム、トリイソ
ブチルアル旦ニウムヒドリドである。
本発明に用いる触媒は、前記の(A)及び(B)成分を
主成分とするものであり、前記の他さらに所望により、
他の触媒成分を加えることもできる。
主成分とするものであり、前記の他さらに所望により、
他の触媒成分を加えることもできる。
この触媒中の(A)成分及び(B)成分の配合割合は、
各種の条件により異なり、一義的には定められないが、
通常は(A)成分中のアルミニウムと(B)成分中の金
属との比、即ちアルミニウム/金属(モル比)として1
〜10”、好ましくは10−10’である。
各種の条件により異なり、一義的には定められないが、
通常は(A)成分中のアルミニウムと(B)成分中の金
属との比、即ちアルミニウム/金属(モル比)として1
〜10”、好ましくは10−10’である。
スチレン系重合体を製造するには、上記の(A)及びC
B)成分を主成分とする触媒の存在下でスチレン系単量
体を重合(あるいは共重合)する。
B)成分を主成分とする触媒の存在下でスチレン系単量
体を重合(あるいは共重合)する。
ここで、スチレン系単量体とは、スチレン及び/又はス
チレン誘導体を指称する。スチレン誘導体の具体例して
は、P−メチルスチレン:m−メチルスチレン;O−メ
チルスチレン;2,4−ジメチルスチレン;2.5−ジ
メチルスチレン;3゜4−ジメチルスチレン;3,5−
ジメチルスチレン;p−エチルスチレン;m−エチルス
チレン;p −Lert−ブチルスチレンなどのアルキ
ルスチレン、p−クロロスチレン;m−クロロスチレン
;0−クロロスチレン;P−ブロモスチレン;mブロモ
スチレン;0−ブロモスチレン;ρ−フルオロスチレン
;m−フルオロスチレン;O−フルオロスチレン;O−
メチル−P−フルオロスチレンなどのハロゲン化スチレ
ン、p−メトキシスチレン;m−メトキシスチレン;0
−メトキシスチレン:p−エトキシスチレン;m−エト
キシスチレン;0−エトキシスチレンなどのアルコキシ
スチレン、p−カルボキシメチルスチレン;m−カルボ
キシメチルスチレン;0−カルボキシメチルスチレンな
どのカルボキシエステルスチレン、p−ビニルベンジル
プロビルエーテルなどのアルキルエーテルスチレン等、
あるいはこれら二種以上混合したものがあげられる。
チレン誘導体を指称する。スチレン誘導体の具体例して
は、P−メチルスチレン:m−メチルスチレン;O−メ
チルスチレン;2,4−ジメチルスチレン;2.5−ジ
メチルスチレン;3゜4−ジメチルスチレン;3,5−
ジメチルスチレン;p−エチルスチレン;m−エチルス
チレン;p −Lert−ブチルスチレンなどのアルキ
ルスチレン、p−クロロスチレン;m−クロロスチレン
;0−クロロスチレン;P−ブロモスチレン;mブロモ
スチレン;0−ブロモスチレン;ρ−フルオロスチレン
;m−フルオロスチレン;O−フルオロスチレン;O−
メチル−P−フルオロスチレンなどのハロゲン化スチレ
ン、p−メトキシスチレン;m−メトキシスチレン;0
−メトキシスチレン:p−エトキシスチレン;m−エト
キシスチレン;0−エトキシスチレンなどのアルコキシ
スチレン、p−カルボキシメチルスチレン;m−カルボ
キシメチルスチレン;0−カルボキシメチルスチレンな
どのカルボキシエステルスチレン、p−ビニルベンジル
プロビルエーテルなどのアルキルエーテルスチレン等、
あるいはこれら二種以上混合したものがあげられる。
スチレン系単量体の重合(あるいは共重合)は、塊状で
もよく、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭
化水素、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素あるいは
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶
媒中で行ってもよい。
もよく、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭
化水素、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素あるいは
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶
媒中で行ってもよい。
スラリー重合においては、スチレン系単量体を高濃度と
して重合するのが、生産性の点で好ましい。
して重合するのが、生産性の点で好ましい。
本発明においては、スチレン系単量体濃度を50容猾%
以上として重合を行うのが好ましく、70容量%以上と
して重合を行うのが一層好ましい。スラリー重合では、
かさ密度が高く、芳香族溶媒の重合体に対する含浸性及
び脱灰性の良好な重合体が得られる。また、塊状重合は
、生産性及び上述した含浸性において優れている。
以上として重合を行うのが好ましく、70容量%以上と
して重合を行うのが一層好ましい。スラリー重合では、
かさ密度が高く、芳香族溶媒の重合体に対する含浸性及
び脱灰性の良好な重合体が得られる。また、塊状重合は
、生産性及び上述した含浸性において優れている。
また、重合温度は特に制限はないが、一般には0〜10
0″C5好ましくは20〜80℃である。
0″C5好ましくは20〜80℃である。
さらに、得られるスチレン系重合体の分子量を調節する
には、水素の存在下で重合反応を行うことが効果的であ
る。
には、水素の存在下で重合反応を行うことが効果的であ
る。
このようにして得られるスチレン系重合体は、主として
シンジオタクチック構造を有するものである。ここで、
スチレン系重合体における主としてシンジオタクチック
構造とは、立体化学構造が主としてシンジオタクチック
構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して
側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方
向に位置する立体構造を有することを意味し、そのタフ
ティシティ−は同位体炭素による核磁気共鳴法(”C−
NMR法)により定量される。′3CNMR法により測
定されるタフティシティ−は、連続する複数個の構成単
位の存在割合、例えば2個の場合はダイアツド、3個の
場合はトリアット5個の場合はペンタッドによって示す
ことができるが、本発明に言うr主としてシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体」とは、通常はク
セ5ダイアツドで75%以上、好ましくは85%以上、
若しくはラセミペンタッドで30%以上、好ましくは5
0%以上のシンジオタクテイシテイ−を有するポリスチ
レン、ポリ(アルキルスチレン)、ポリ(ハロゲン化ス
チレン)、ポリ(アルコキシスチレン)、ポリ(ビニル
安息香酸エステル)及びこれらの混合物、あるいはこれ
らを主成分とする共重合体を意味する。なお、ここでポ
リ(アルキルスチレン)としては、ポリ(メチルスチレ
ン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(イソプロピルス
チレン)、ポリ(ターシャリープチノ〉スチレン)等が
あり、ポリ(ハロゲン化スチレン)としては、ポリ(ク
ロロスチレン)、ポリ(ブロモスチレン)、ポリ(フル
オロスチレン)等がある。また、ポリ(アルコキシスチ
レン)としては、ポリ(メトキシスチレン)、ポリ (
エトキシスチレン)等がある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ(p
−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレン)。
シンジオタクチック構造を有するものである。ここで、
スチレン系重合体における主としてシンジオタクチック
構造とは、立体化学構造が主としてシンジオタクチック
構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して
側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方
向に位置する立体構造を有することを意味し、そのタフ
ティシティ−は同位体炭素による核磁気共鳴法(”C−
NMR法)により定量される。′3CNMR法により測
定されるタフティシティ−は、連続する複数個の構成単
位の存在割合、例えば2個の場合はダイアツド、3個の
場合はトリアット5個の場合はペンタッドによって示す
ことができるが、本発明に言うr主としてシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体」とは、通常はク
セ5ダイアツドで75%以上、好ましくは85%以上、
若しくはラセミペンタッドで30%以上、好ましくは5
0%以上のシンジオタクテイシテイ−を有するポリスチ
レン、ポリ(アルキルスチレン)、ポリ(ハロゲン化ス
チレン)、ポリ(アルコキシスチレン)、ポリ(ビニル
安息香酸エステル)及びこれらの混合物、あるいはこれ
らを主成分とする共重合体を意味する。なお、ここでポ
リ(アルキルスチレン)としては、ポリ(メチルスチレ
ン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(イソプロピルス
チレン)、ポリ(ターシャリープチノ〉スチレン)等が
あり、ポリ(ハロゲン化スチレン)としては、ポリ(ク
ロロスチレン)、ポリ(ブロモスチレン)、ポリ(フル
オロスチレン)等がある。また、ポリ(アルコキシスチ
レン)としては、ポリ(メトキシスチレン)、ポリ (
エトキシスチレン)等がある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ(p
−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレン)。
ポリ(p−ターシャリ−ブチルスチレン)、ポリ(P−
クロロスチレン)、ポリ(m−クロロスチレン)、ポリ
(p−フルオロスチレン)、さらにはスチレンとp−メ
チルスチレンとの共重合体をあげることができる。
クロロスチレン)、ポリ(m−クロロスチレン)、ポリ
(p−フルオロスチレン)、さらにはスチレンとp−メ
チルスチレンとの共重合体をあげることができる。
本発明の方法においては、上記のようにして重合を転化
率が60%以上、好ましくは70%以上となるまで続け
る。転化率は、使用する触媒1重合部度1時間などの重
合条件によって調節することができる。
率が60%以上、好ましくは70%以上となるまで続け
る。転化率は、使用する触媒1重合部度1時間などの重
合条件によって調節することができる。
本発明の方法においては、上記のようにして転化率60
%以上で製造されたスチレン系重合体に、芳香族溶媒及
び/又は上記のようなスチレン系単量体(ただし、必ず
しも製造されたスチレン系重合体に対応するスチレン系
単量体と同一であることを要しない。)を添加して重合
体を膨潤させた後に、脱灰、洗浄を行う。ここで、芳香
族溶媒としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン
。
%以上で製造されたスチレン系重合体に、芳香族溶媒及
び/又は上記のようなスチレン系単量体(ただし、必ず
しも製造されたスチレン系重合体に対応するスチレン系
単量体と同一であることを要しない。)を添加して重合
体を膨潤させた後に、脱灰、洗浄を行う。ここで、芳香
族溶媒としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン
。
クメン、キシレンなどを使用することができる。
このような芳香族溶媒又はスチレン系単量体は、重合体
の膨潤度が2以下、好ましくは1,8以下、特に0.4
〜1.35の範囲となるように添加する。
の膨潤度が2以下、好ましくは1,8以下、特に0.4
〜1.35の範囲となるように添加する。
膨潤は通常0−100°C1好ましくは20〜80°C
にて行なう。なお、膨潤度とは、下記の式で算出される
ものである。
にて行なう。なお、膨潤度とは、下記の式で算出される
ものである。
(式中、溶媒とは芳香族溶媒のみならず、添加したスチ
レン系単量体をも指称する。)上記のような割合で芳香
族溶媒及び/又はスチレン系単量体を添加して膨潤させ
たスチレン系重合体を、例えば塩酸と炭素数1〜8のア
ルコール(好ましくはメタノール)との混合物(塩酸濃
度0.05〜15重量%程度)又は水酸化ナトリウム若
しくは水酸化カリウムと炭素数l〜8のアルコール(好
ましくはメタノール)との混合′pA(水酸化ナトリウ
ム若しくは水酸化カリウムの濃度O1O〜15重量%程
度)等を含む洗浄液で脱灰処理し、洗浄、減圧乾燥を経
てA1等の金属含有量300ppm以下の極めて高純度
で、かつシンジオタクテイシテイ−の大きいスチレン系
重合体が入手できる。
レン系単量体をも指称する。)上記のような割合で芳香
族溶媒及び/又はスチレン系単量体を添加して膨潤させ
たスチレン系重合体を、例えば塩酸と炭素数1〜8のア
ルコール(好ましくはメタノール)との混合物(塩酸濃
度0.05〜15重量%程度)又は水酸化ナトリウム若
しくは水酸化カリウムと炭素数l〜8のアルコール(好
ましくはメタノール)との混合′pA(水酸化ナトリウ
ム若しくは水酸化カリウムの濃度O1O〜15重量%程
度)等を含む洗浄液で脱灰処理し、洗浄、減圧乾燥を経
てA1等の金属含有量300ppm以下の極めて高純度
で、かつシンジオタクテイシテイ−の大きいスチレン系
重合体が入手できる。
さらに必要に応じてメチルエチルケトン等の溶媒で洗浄
して可溶分を除去し、得られる不溶分をさらにクロロボ
ルム等で処理することもできる。
して可溶分を除去し、得られる不溶分をさらにクロロボ
ルム等で処理することもできる。
〔実施例]
次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
比較例1
窒素置換した21のオートクレーブにスチレン400d
を入れ、70°Cに昇温後、触媒成分としてトリイソブ
チルアルミニウム4旦リモル及びメチルアルミノキサン
4ミリモルを入れ、30分間攪拌後に触媒成分としてペ
ンタメチルシクロペンタジェニルチタニウムトリメトキ
シド0.02ミリモルを入れ、70°Cで1時間重合を
行った。次いで、更にトリイソブチルアルミニウム4ミ
リモル、メチルアルミノキサン4ミリモル及びペンタメ
チルシクロペンタジェニルチタニウムトリメトキシド0
.02Gリモルを加え、引き続き4時間重合を行った。
を入れ、70°Cに昇温後、触媒成分としてトリイソブ
チルアルミニウム4旦リモル及びメチルアルミノキサン
4ミリモルを入れ、30分間攪拌後に触媒成分としてペ
ンタメチルシクロペンタジェニルチタニウムトリメトキ
シド0.02ミリモルを入れ、70°Cで1時間重合を
行った。次いで、更にトリイソブチルアルミニウム4ミ
リモル、メチルアルミノキサン4ミリモル及びペンタメ
チルシクロペンタジェニルチタニウムトリメトキシド0
.02Gリモルを加え、引き続き4時間重合を行った。
その後、50m1のメタノールで触媒を失活させ、別の
容器に移し、メタノール21及び水酸化ナトリウム20
gを加えて室温で2時間攪拌した。濾過後、新たにメタ
ノール21を加え、室温で1時間攪拌して洗浄を行った
。この洗浄操作を更に1回繰り返した後、濾別し、乾燥
した。
容器に移し、メタノール21及び水酸化ナトリウム20
gを加えて室温で2時間攪拌した。濾過後、新たにメタ
ノール21を加え、室温で1時間攪拌して洗浄を行った
。この洗浄操作を更に1回繰り返した後、濾別し、乾燥
した。
得られた重合体について金属分析を行ったところ、はと
んど脱灰できておらず、Tiは8ppm。
んど脱灰できておらず、Tiは8ppm。
Afは1200ppm含まれていた。なお、重合体の収
量は260.4 g、転化率は72.3%であった。
量は260.4 g、転化率は72.3%であった。
実施例1
比較例1において、重合後にスチレン200−を加え、
70″Cで1時間攪拌して膨潤度0.84で膨潤させた
後に、上記の比較例1と同様の脱灰。
70″Cで1時間攪拌して膨潤度0.84で膨潤させた
後に、上記の比較例1と同様の脱灰。
洗浄操作を行った。
得られた重合体について金属分析を行ったところ、Ti
は3ppm、AI!、は200ppmLか含まれてい
なかった。
は3ppm、AI!、は200ppmLか含まれてい
なかった。
実施例2
重合後に、スチレンの代わりにエチルベンゼン200d
を加えたこと以外は、実施例1と同様にして後処理した
。
を加えたこと以外は、実施例1と同様にして後処理した
。
得られた重合体について金属分析を行ったところ、Ti
は3ppm、Afは170ppmL、か含まれていなか
った。
は3ppm、Afは170ppmL、か含まれていなか
った。
実施例3
重合後に、スチレンの代わりにエチルベンゼン400−
を加えたこと以外は、実施例1と同様にして後処理した
。
を加えたこと以外は、実施例1と同様にして後処理した
。
得られた重合体について金属分析を行ったところ、Ti
は2ppm、 Aj2は150ppml、か含まれて
いなかった。
は2ppm、 Aj2は150ppml、か含まれて
いなかった。
実施例4
比較例1と同様に重合を行った後、トルエン200dを
加え、70°Cで1時間攪拌して膨潤度0.84で膨潤
させた。
加え、70°Cで1時間攪拌して膨潤度0.84で膨潤
させた。
その後、501R1のメタノールで触媒を失活させ、別
の容器に移し、メタノール21及び塩酸を加えて室温で
2時間攪拌した。濾過後、新たにメタノール2i!、を
加え、室温で1時間攪拌して洗浄を行った。この洗浄乾
燥を更に1回繰り返した後、濾別し、乾燥した。
の容器に移し、メタノール21及び塩酸を加えて室温で
2時間攪拌した。濾過後、新たにメタノール2i!、を
加え、室温で1時間攪拌して洗浄を行った。この洗浄乾
燥を更に1回繰り返した後、濾別し、乾燥した。
得られた重合体について金属分析を行ったところ、Ti
は3 ppm、 A j2は150ppmLか含まれて
いなかった。
は3 ppm、 A j2は150ppmLか含まれて
いなかった。
本発明によれば、スチレン系単量体を高濃度。
高転化率として重合させたスチレン系重合体を効率よく
脱灰洗浄できるので、高純度のスチレン系重合体が得ら
れ、高純度スチレン系重合体の生産性を著しく向上する
ことができる。
脱灰洗浄できるので、高純度のスチレン系重合体が得ら
れ、高純度スチレン系重合体の生産性を著しく向上する
ことができる。
したがって、本発明は主としてシンジオタクチック構造
のスチレン系重合体を高純度でしかも効率よく製造する
方法として、工業的価値が極めて高い。
のスチレン系重合体を高純度でしかも効率よく製造する
方法として、工業的価値が極めて高い。
手続補正書(自発)
平底2年7月20日
Claims (3)
- (1)(A)アルミノキサン及び(B)遷移金属化合物
からなる触媒を用いて得られた主としてシンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系重合体を精製するにあたり
、転化率60%以上で製造された前記スチレン系重合体
に芳香族溶媒及び/又はスチレン系単量体を添加して膨
潤させた後に脱灰することを特徴とするスチレン系重合
体の精製方法。 - (2)スチレン系重合体に芳香族溶媒又はスチレン系単
量体を添加して膨潤度が2以下になるように膨潤させる
請求項1記載のスチレン系重合体の精製方法。 - (3)遷移金属化合物がチタン化合物、ジルコニウム化
合物、ハフニウム化合物あるいはバナジウム化合物であ
る請求項1記載のスチレン系重合体の精製方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1193880A JP2820964B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | スチレン系重合体の精製方法 |
US07/964,560 US5321122A (en) | 1989-07-28 | 1992-10-21 | Process for purification of styrene polymer |
US08/216,181 US5420240A (en) | 1989-07-28 | 1994-03-21 | Process for purification of syndiotactic styrene polymer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1193880A JP2820964B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | スチレン系重合体の精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0359012A true JPH0359012A (ja) | 1991-03-14 |
JP2820964B2 JP2820964B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=16315277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1193880A Expired - Fee Related JP2820964B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | スチレン系重合体の精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2820964B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5449746A (en) * | 1992-04-17 | 1995-09-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for purification of styrenic polymer |
JP2004501071A (ja) * | 2000-04-03 | 2004-01-15 | バイエル・クロツプサイエンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 有害生物防除剤及び除草剤として用いられるc2フェニル−置換環状ケト−エノール |
DE102010061142A1 (de) | 2009-12-10 | 2011-09-01 | Denso Corporation | Metallentfernendes Agens und metallentfernender Filter |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62187708A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-08-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系重合体の製造法 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1193880A patent/JP2820964B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62187708A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-08-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系重合体の製造法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5449746A (en) * | 1992-04-17 | 1995-09-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for purification of styrenic polymer |
JP2004501071A (ja) * | 2000-04-03 | 2004-01-15 | バイエル・クロツプサイエンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 有害生物防除剤及び除草剤として用いられるc2フェニル−置換環状ケト−エノール |
JP2011236222A (ja) * | 2000-04-03 | 2011-11-24 | Bayer Cropscience Ag | C2フェニル−置換環状ケト−エノール |
DE102010061142A1 (de) | 2009-12-10 | 2011-09-01 | Denso Corporation | Metallentfernendes Agens und metallentfernender Filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2820964B2 (ja) | 1998-11-05 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |