JPH0366680A - ラクトン類の精製方法 - Google Patents
ラクトン類の精製方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及びl又
はジカルボン酸エステルの水素化により得られたラクト
ン類を精製する方法に関する。
はジカルボン酸エステルの水素化により得られたラクト
ン類を精製する方法に関する。
(従来の技術)
ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及びl又はジカルボ
ン酸エステルを水素化してラクトン類を製造する方法は
古くから検討されており、これまでに種々の触媒が提案
されている。
ン酸エステルを水素化してラクトン類を製造する方法は
古くから検討されており、これまでに種々の触媒が提案
されている。
例えば、ニッケル系触媒(例えば特公昭43−6947
号公報)、コバルト系触媒(例えば特開昭51−950
57号公報)、銅、クロム系触媒(例えば特公昭38−
20119号公報)、及び銅−亜鉛系触媒(例えば特公
昭42−14463号公報)を使用して、固定床あるい
は液相懸濁相等の水素化反応方式によりラクトン類を製
造する方法については多数の提案がなされている。一方
、均一系のルテニウム触媒を使用して上記の水素化反応
を行うラクトン類の製造法も知られており、例えば米国
特許第3.957.827号明細書には、(RuXn(
PR1R2R3)xLy )型の触媒を使用して4O−
400psiの条件で水素化反応を行うことが記載され
、また、米国特許第4,485,246号明細書には、
同様の触媒による水素化反応を有機アミンの存在下に行
うことが記載されている。
号公報)、コバルト系触媒(例えば特開昭51−950
57号公報)、銅、クロム系触媒(例えば特公昭38−
20119号公報)、及び銅−亜鉛系触媒(例えば特公
昭42−14463号公報)を使用して、固定床あるい
は液相懸濁相等の水素化反応方式によりラクトン類を製
造する方法については多数の提案がなされている。一方
、均一系のルテニウム触媒を使用して上記の水素化反応
を行うラクトン類の製造法も知られており、例えば米国
特許第3.957.827号明細書には、(RuXn(
PR1R2R3)xLy )型の触媒を使用して4O−
400psiの条件で水素化反応を行うことが記載され
、また、米国特許第4,485,246号明細書には、
同様の触媒による水素化反応を有機アミンの存在下に行
うことが記載されている。
しかしながら、上記のようなニッケル系触媒、コバルト
系触媒、銅、クロム系触媒及び銅−亜鉛系触媒等を使用
する従来の方法には、全てが数十気圧以上の苛酷な条件
の採用は避けられない、という問題点があった。一方、
上記の均一系のルテニウム触媒を使用する従来の方法に
は、比較的温和な条件下で水素化反応が進行するという
特徴のある半面、触媒活性はやや低水準にあるばかりか
、触媒寿命は著しく短く、又ハロゲンを使用しているた
め反応装置の腐食が生ずるという致命的な問題点があっ
た。
系触媒、銅、クロム系触媒及び銅−亜鉛系触媒等を使用
する従来の方法には、全てが数十気圧以上の苛酷な条件
の採用は避けられない、という問題点があった。一方、
上記の均一系のルテニウム触媒を使用する従来の方法に
は、比較的温和な条件下で水素化反応が進行するという
特徴のある半面、触媒活性はやや低水準にあるばかりか
、触媒寿命は著しく短く、又ハロゲンを使用しているた
め反応装置の腐食が生ずるという致命的な問題点があっ
た。
そこで本出願人は先にルテニウム、有機ホスフィン及び
pKaが2よりも小さい酸の共役塩基を含有するルテニ
ウム系触媒を用いて液相で水素化反応してラクトン類を
製造する方法を特開平1−25771号で提案した。
pKaが2よりも小さい酸の共役塩基を含有するルテニ
ウム系触媒を用いて液相で水素化反応してラクトン類を
製造する方法を特開平1−25771号で提案した。
本出願人の方法によれば、極めて高収率にラクトン類を
製造することができる。
製造することができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、ルテニウム触媒を改良しても、製造した
ラクトン類の品質に於て更に改良すべき点があった。
ラクトン類の品質に於て更に改良すべき点があった。
すなわち上記ルテニウム触媒法においても溶媒としてエ
ーテル類及びl又はポリエーテル類を使用すると溶媒が
非常にわずかではあるが分解して、その分解物が製品で
あるラクトンに微量ではあるが混入するという問題があ
る。
ーテル類及びl又はポリエーテル類を使用すると溶媒が
非常にわずかではあるが分解して、その分解物が製品で
あるラクトンに微量ではあるが混入するという問題があ
る。
ラクトン類は高純度を要求される製品であり、微量不純
物の存在は工業上極めて不利となる。
物の存在は工業上極めて不利となる。
そこでラクトン類からの上記微量不純物の除去方法の開
発が切望されていた。
発が切望されていた。
(課題を解決するための手段]
本発明者等は、かかる目的を遠戚すべく鋭意検討した結
果、エーテル類及びl又はポリエーテル類の溶媒の存在
下、ルテニウム触媒による、ジカルボン酸、ジカルボン
酸無水物及びl又はジカルボン酸エステルを水素化して
得られるラクトン類をシリカゲルまたはイオン交換樹脂
で処理する事により、ラクトン中の不純物が除去できる
ことを見出し、本発明を完成した。
果、エーテル類及びl又はポリエーテル類の溶媒の存在
下、ルテニウム触媒による、ジカルボン酸、ジカルボン
酸無水物及びl又はジカルボン酸エステルを水素化して
得られるラクトン類をシリカゲルまたはイオン交換樹脂
で処理する事により、ラクトン中の不純物が除去できる
ことを見出し、本発明を完成した。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明で原料とするジカルボン酸、ジカルボン酸無水物
、ジカルボン酸エステルは、炭素数が3〜7の飽和又は
不飽和のジカルボン酸誘導体であって、エステルとして
はアルキルエステルが好ましく、とくにカルボン酸骨格
としては炭素数4の誘導体が好ましい。具体的には例え
ば、フマール酸、コハク酸、無水マレイン酸、無水コハ
ク酸、マレイン酸ジメチル、フマール酸ジエチル、コハ
ク酸−ジ−n−ブチル等が挙げられる。
、ジカルボン酸エステルは、炭素数が3〜7の飽和又は
不飽和のジカルボン酸誘導体であって、エステルとして
はアルキルエステルが好ましく、とくにカルボン酸骨格
としては炭素数4の誘導体が好ましい。具体的には例え
ば、フマール酸、コハク酸、無水マレイン酸、無水コハ
ク酸、マレイン酸ジメチル、フマール酸ジエチル、コハ
ク酸−ジ−n−ブチル等が挙げられる。
本発明の方法に用いる触媒は、ルテニウム系であれば特
に限定されないが、特に ■ルテニウム ■有機ホスフィン ■pKaが2より小さい酸の共役塩基 を含有するルテニウム系触媒、好ましくはかかるルテニ
ウム系触媒が更に■中性配位子を含有したものが好適に
用いられる。
に限定されないが、特に ■ルテニウム ■有機ホスフィン ■pKaが2より小さい酸の共役塩基 を含有するルテニウム系触媒、好ましくはかかるルテニ
ウム系触媒が更に■中性配位子を含有したものが好適に
用いられる。
ここで、■ルテニウムとしては、その供給形態において
金属ルテニウム及びルテニウム化合物のいずれもが使用
可能である。ルテニウム化合物としては、ルテニウムの
酸化物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩あるいは錯化合
物等が使用される。
金属ルテニウム及びルテニウム化合物のいずれもが使用
可能である。ルテニウム化合物としては、ルテニウムの
酸化物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩あるいは錯化合
物等が使用される。
具体的には、二酸化ルテニウム、四酸化ルテニウム、三
水酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム、
ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム、
トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘキサクロロ
ルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニルルテニウム
酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウム、シクロペ
ンタジェニルジカルボニルルテニウム、ジブロモトリカ
ルボニルルテニウム、クロロトリス(トリフェニルホス
フィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリーn−ブチル
ホスフィン)トリカルボニルルテニウム、ドデヵヵルボ
ニルトリルテニウム、テトラヒドリドデカカルボニルテ
トラルテニウム、オクタデカカルボニルへキサルテニウ
ム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒドリドトリルテ
ニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が挙げられる。
水酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム、
ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム、
トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘキサクロロ
ルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニルルテニウム
酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウム、シクロペ
ンタジェニルジカルボニルルテニウム、ジブロモトリカ
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フィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリーn−ブチル
ホスフィン)トリカルボニルルテニウム、ドデヵヵルボ
ニルトリルテニウム、テトラヒドリドデカカルボニルテ
トラルテニウム、オクタデカカルボニルへキサルテニウ
ム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒドリドトリルテ
ニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が挙げられる。
これらの金属ルテニウム及びルテニウム化合物の使用量
は、反応液中の濃度が反応溶液1リツトル中のルテニウ
ムとして0.0001〜100モル、好ましくはo、o
oi〜10モルとなる量である。
は、反応液中の濃度が反応溶液1リツトル中のルテニウ
ムとして0.0001〜100モル、好ましくはo、o
oi〜10モルとなる量である。
■ルテニウムとともに■有機ホスフィンを使用するとル
テニウムの電子状態を制御したり、ルテニウムの活性状
態を安定化するのに寄与するものと考えられる。かかる
有機ホスフィンの具体例としては、トリーn−ブチルホ
スフィン、ジメチル、n−オクチルホスフィン等のトリ
アルキルホスフィン類、トリシクロへキシルホスフィン
等のトリシクロアルキルホスフィン類、トリフェニルホ
スフィン等のトリアリールホスフィン類、ジメチルフェ
ニルホスフィン等のアルキルアリールホスフィン類、1
.2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン等の多官能
性ホスフィン類等が挙げられる。
テニウムの電子状態を制御したり、ルテニウムの活性状
態を安定化するのに寄与するものと考えられる。かかる
有機ホスフィンの具体例としては、トリーn−ブチルホ
スフィン、ジメチル、n−オクチルホスフィン等のトリ
アルキルホスフィン類、トリシクロへキシルホスフィン
等のトリシクロアルキルホスフィン類、トリフェニルホ
スフィン等のトリアリールホスフィン類、ジメチルフェ
ニルホスフィン等のアルキルアリールホスフィン類、1
.2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン等の多官能
性ホスフィン類等が挙げられる。
これらの有機ホスフィンの使用量は、ルテニウム1モル
に対して、0.1〜1000モル、好ましくは1〜10
0モルの範囲である。また、これらの有機ホスフィンは
、それ自体単独で又はルテニウムとの複合体の形で、反
応系に供給することが可能である。
に対して、0.1〜1000モル、好ましくは1〜10
0モルの範囲である。また、これらの有機ホスフィンは
、それ自体単独で又はルテニウムとの複合体の形で、反
応系に供給することが可能である。
また、水素化反応主触媒を構成するルテニウムに対する
付加的な促進剤としてpKaが2より小さい酸の共役塩
基を用いることによって、主構成成分であるルテニウム
の長所を生かして比較的温和な条件下で水素化反応を進
行させることができる他、とくに水素化触媒活性の向上
、活性安定性及び目的生成物の選択性の向上をはかるこ
とができる。
付加的な促進剤としてpKaが2より小さい酸の共役塩
基を用いることによって、主構成成分であるルテニウム
の長所を生かして比較的温和な条件下で水素化反応を進
行させることができる他、とくに水素化触媒活性の向上
、活性安定性及び目的生成物の選択性の向上をはかるこ
とができる。
pKaが2よりも小さい酸の共役塩基としては触媒調製
中又は反応系中においてかかる共役塩基を生成するもの
であればよく、その供給形態としてはpKaが2より小
さいブレンステッド酸あるいはかかる酸の各種の塩等が
用いられる。
中又は反応系中においてかかる共役塩基を生成するもの
であればよく、その供給形態としてはpKaが2より小
さいブレンステッド酸あるいはかかる酸の各種の塩等が
用いられる。
具体的には硝酸、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサ
フルオロ燐酸、フルオロスルホン酸等の無機酸類、トリ
クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、メタン
スルホン酸、ドデシルスルホン酸、オクタデシルスルホ
ン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホ
ン酸、パラトルエンスルホン酸、スルホン化スチレン−
ジビニルベンゼン共重合体等の有機酸類等のブレンステ
ッド酸もしくはこれらの酸のアルカリ金属塩、アルカリ
土類金属塩、アンモニウム塩、銀塩等が挙げられる。
フルオロ燐酸、フルオロスルホン酸等の無機酸類、トリ
クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、メタン
スルホン酸、ドデシルスルホン酸、オクタデシルスルホ
ン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホ
ン酸、パラトルエンスルホン酸、スルホン化スチレン−
ジビニルベンゼン共重合体等の有機酸類等のブレンステ
ッド酸もしくはこれらの酸のアルカリ金属塩、アルカリ
土類金属塩、アンモニウム塩、銀塩等が挙げられる。
又、これらの酸の共役塩基が反応系で生成すると考えら
れる酸誘導体の形で添加してもさしつかえない。例えば
酸ハロゲン化物、酸無水物、エステル、酸アミド等の形
で反応系に添加しても同様の効果が期待される。
れる酸誘導体の形で添加してもさしつかえない。例えば
酸ハロゲン化物、酸無水物、エステル、酸アミド等の形
で反応系に添加しても同様の効果が期待される。
これら酸あるいはその塩の使用量は、ルテニウムに対し
て0.01〜1000モル、好ましくは0.1〜100
モルの範囲である。
て0.01〜1000モル、好ましくは0.1〜100
モルの範囲である。
ルテニウム系触媒は、更に中性配位子を含有することが
できる。
できる。
かかる中性配位子として水素;エチレン、プロピレン、
ブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、ブタジェン
、シクロペンタジェン、シクロオクタジエン、ノルポナ
ジエン等のオレフィン類;−酸化炭素、ジエチルエーテ
ル、アニソール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ア
セトン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、シクロヘキ
サノン、プロピオン酸、カプロン酸、酪酸、安息香酸、
酢酸エチル、酢酸アリル、安息香酸ベンジル、ステアリ
ン酸ベンジル、バレロラクトン等の含酸素化合物;酸化
窒素、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニト
リル、シクロヘキシルイソニトリル、ブチルアミン、ア
ニリン、トルイジン、トリエチルアミン、ビロール、ピ
リジン、N−メチルホルムアミド、アセトアミド、1.
1.3.3−テトラメチル尿素、N−メチルピロリドン
、カプロラクタム、ニトロメタン等の含窒素化合物;二
硫化炭素、n−ブチルメルカプタン、チオフェノール、
ジメチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、チオフェ
ン、ジメチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド等
の含硫黄化合物;トリブチルホスフィンオキシト、エチ
ルジフェニルホスフィンオキシト、トリフェニルホスフ
ィンオキシト、ジエチルフェニルホスフィネート、ジフ
ェニルエチルホスフィネート、ジフェニルメチルホスホ
ネート、0.0−ジメチルメチルホスホノチオレート、
トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、
トリエチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、
ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の有機ホスフィ
ン以外の含燐化合物が挙げられる。
ブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、ブタジェン
、シクロペンタジェン、シクロオクタジエン、ノルポナ
ジエン等のオレフィン類;−酸化炭素、ジエチルエーテ
ル、アニソール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ア
セトン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、シクロヘキ
サノン、プロピオン酸、カプロン酸、酪酸、安息香酸、
酢酸エチル、酢酸アリル、安息香酸ベンジル、ステアリ
ン酸ベンジル、バレロラクトン等の含酸素化合物;酸化
窒素、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニト
リル、シクロヘキシルイソニトリル、ブチルアミン、ア
ニリン、トルイジン、トリエチルアミン、ビロール、ピ
リジン、N−メチルホルムアミド、アセトアミド、1.
1.3.3−テトラメチル尿素、N−メチルピロリドン
、カプロラクタム、ニトロメタン等の含窒素化合物;二
硫化炭素、n−ブチルメルカプタン、チオフェノール、
ジメチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、チオフェ
ン、ジメチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド等
の含硫黄化合物;トリブチルホスフィンオキシト、エチ
ルジフェニルホスフィンオキシト、トリフェニルホスフ
ィンオキシト、ジエチルフェニルホスフィネート、ジフ
ェニルエチルホスフィネート、ジフェニルメチルホスホ
ネート、0.0−ジメチルメチルホスホノチオレート、
トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、
トリエチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、
ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の有機ホスフィ
ン以外の含燐化合物が挙げられる。
本発明に使用する溶媒は、ジエチルエーテル、アニソー
ル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテル、ジオキサン等のエーテル類、テトラグライム
(テトラエチレングリコールジメチルエーテル)、トリ
グライム(トリエチレングリコールジメチルエーテル)
、18−クラウン−6等のポリエーテル類である。
ル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテル、ジオキサン等のエーテル類、テトラグライム
(テトラエチレングリコールジメチルエーテル)、トリ
グライム(トリエチレングリコールジメチルエーテル)
、18−クラウン−6等のポリエーテル類である。
本発明の方法により水素化反応を行うためには、反応容
器に反応原料と触媒成分並びに所望により溶媒を装入し
、これに水素を導入すればよい。水素は、窒素や二酸化
炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであって
もよい。
器に反応原料と触媒成分並びに所望により溶媒を装入し
、これに水素を導入すればよい。水素は、窒素や二酸化
炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであって
もよい。
反応温度は、通常50〜250℃、好ましくは100〜
200℃である。反応系内の水素分圧は、通常0.1〜
100kg/cm2、好ましくは1〜10kg/cm2
である。
200℃である。反応系内の水素分圧は、通常0.1〜
100kg/cm2、好ましくは1〜10kg/cm2
である。
もちろん、さらに低い圧力又は高い圧力下で実施するこ
とも不可能ではないが、工業的に有利ではない。
とも不可能ではないが、工業的に有利ではない。
反応は、回分方式および連続方式のいずれでも実施する
こともできる。回分方式の場合の所要反応時間は通常1
〜20時間である。
こともできる。回分方式の場合の所要反応時間は通常1
〜20時間である。
反応生成液からは、蒸留、抽出等の通常の分離精製手段
により、目的物であるラクトン類を収得することが出来
る。溶媒はごく微量ではあるが水添反応条件下において
加水分解され、分解物が生成し、この1部又は全部が不
純物としてラクトン中に混入してくる。本発明はこの不
純物をシリカゲル、またはイオン交換樹脂で処理するこ
とを特徴とする。
により、目的物であるラクトン類を収得することが出来
る。溶媒はごく微量ではあるが水添反応条件下において
加水分解され、分解物が生成し、この1部又は全部が不
純物としてラクトン中に混入してくる。本発明はこの不
純物をシリカゲル、またはイオン交換樹脂で処理するこ
とを特徴とする。
シリカゲルまたはイオン交換樹脂による処理は反応生成
液に対して行う事も出来るが、通常、蒸留等の公知の方
法により触媒+溶媒液(以下触媒液という)とラクトン
+生成水とを分離した後のラクトン+生成水に対して行
うのが有利であり、更にはラクト°ンと水とを分離した
後のラクトンに対して行うのが最も有利である。
液に対して行う事も出来るが、通常、蒸留等の公知の方
法により触媒+溶媒液(以下触媒液という)とラクトン
+生成水とを分離した後のラクトン+生成水に対して行
うのが有利であり、更にはラクト°ンと水とを分離した
後のラクトンに対して行うのが最も有利である。
処理は回分式および連続流通式いずれでも行う事が出来
る。処理条件としてはシリカゲルの場合、通常−60℃
〜200℃の温度、処理時間は数分〜数十時間、シリカ
ゲルの量はラクトンとの重量比でシリカゲル!ラクトン
=o、ooo5〜10、圧力は常圧〜数十kg/cm2
Gが好ましいが特に臨界的ではなく、減圧下でも利用出
来る。またシリカゲルは市販のものでよいが比表面積(
m2/g)が400以上好ましくは500以上のものが
効果が大きい。
る。処理条件としてはシリカゲルの場合、通常−60℃
〜200℃の温度、処理時間は数分〜数十時間、シリカ
ゲルの量はラクトンとの重量比でシリカゲル!ラクトン
=o、ooo5〜10、圧力は常圧〜数十kg/cm2
Gが好ましいが特に臨界的ではなく、減圧下でも利用出
来る。またシリカゲルは市販のものでよいが比表面積(
m2/g)が400以上好ましくは500以上のものが
効果が大きい。
また使用前に、シリカゲルを高温及びl又は真空での脱
気処理、硝酸水溶液、塩酸水溶液での酸洗などの公知の
前処理を行ってもよい。
気処理、硝酸水溶液、塩酸水溶液での酸洗などの公知の
前処理を行ってもよい。
また、イオン交換樹脂の場合の処理条件としては、通常
0℃〜200℃の温度、処理時間は数分〜数十時間、イ
オン交換樹脂の量はラクトンとの重量比でイオン交換樹
脂lラクトン=o、ooo5以上、望ましくは0.00
05〜101圧力は常圧〜数十kg/cm2Gが好まし
いが、特に臨界的ではなく、減圧下でも利用できる。
0℃〜200℃の温度、処理時間は数分〜数十時間、イ
オン交換樹脂の量はラクトンとの重量比でイオン交換樹
脂lラクトン=o、ooo5以上、望ましくは0.00
05〜101圧力は常圧〜数十kg/cm2Gが好まし
いが、特に臨界的ではなく、減圧下でも利用できる。
また、イオン交換樹脂は特に種類及びイオン形は問わず
陽イオン交換樹脂でも陰イオン交換樹脂でもよいが好ま
しくは、酸性陽イオン−)、、、l ’;’; 樹脂が
よく、さらに好ましくは強酸性陽イオン交換欄脂がよく
、最も好ましくはH形強酸性陽イオン交換樹脂が効果が
大きい。
陽イオン交換樹脂でも陰イオン交換樹脂でもよいが好ま
しくは、酸性陽イオン−)、、、l ’;’; 樹脂が
よく、さらに好ましくは強酸性陽イオン交換欄脂がよく
、最も好ましくはH形強酸性陽イオン交換樹脂が効果が
大きい。
[実施例]
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発
明の要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるもの
ではない。
明の要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるもの
ではない。
比較例−1
10e8US製オートクレーブにルテニウムアセチルア
セトナ−) 1.99g(Ru ; 5ミリモル)、ト
リオクチルホスフィン18゜5g(50ミリモル)、パ
ラトルエンスルホン酸8.4g(44ミリモル)、トリ
グライム3.2kgを仕込み、アルゴン雰囲気下、20
0℃で2時間熱処理をした。この触媒液に、反応原料と
して無水コハク酸400g(4モル)を仕込み、室温に
て水素を40気圧圧入し、205℃に加熱して4時間反
応させた。
セトナ−) 1.99g(Ru ; 5ミリモル)、ト
リオクチルホスフィン18゜5g(50ミリモル)、パ
ラトルエンスルホン酸8.4g(44ミリモル)、トリ
グライム3.2kgを仕込み、アルゴン雰囲気下、20
0℃で2時間熱処理をした。この触媒液に、反応原料と
して無水コハク酸400g(4モル)を仕込み、室温に
て水素を40気圧圧入し、205℃に加熱して4時間反
応させた。
所定反応時間後オートクレーブを開け、反応生成物をガ
スクロマトグラフィーにより定量した結果、無水コハク
酸の転化率は91.4%で、γ−ブチロラクトン(以下
GBLと略記する)の選択率は90.2%、収率は82
.4%であった。
スクロマトグラフィーにより定量した結果、無水コハク
酸の転化率は91.4%で、γ−ブチロラクトン(以下
GBLと略記する)の選択率は90.2%、収率は82
.4%であった。
また、反応生成物をキャピラリーガスクロマトグラフィ
ーで分析したところ反応生成物中にトリグライムの加水
分解物であるジエチレングリコールモノメチルエーテル
は61.4ppm、エチレングリコールモノメチルエー
テルは11.lppm検出された。
ーで分析したところ反応生成物中にトリグライムの加水
分解物であるジエチレングリコールモノメチルエーテル
は61.4ppm、エチレングリコールモノメチルエー
テルは11.lppm検出された。
メタノールは検出されなかった。
次いで、30段の蒸留塔で反応生成液1.5kgを回分
蒸留した。塔頂真空度は30′水銀柱〜xomm水銀柱
、蓋部温度は130℃〜150℃、環流比は10であっ
た。
蒸留した。塔頂真空度は30′水銀柱〜xomm水銀柱
、蓋部温度は130℃〜150℃、環流比は10であっ
た。
回分蒸留により初留(主成分は水)、γ、ブチロラクト
ン留分を留出分取し、釜残は溶媒+触媒液+未反応原料
などであった。ガスクロマトグラフィーでの分析の結果
γ、ブチロラクトン留分の収率は98.2%であり、初
留中に0.7%、釜残中に1.1%それぞれロスした。
ン留分を留出分取し、釜残は溶媒+触媒液+未反応原料
などであった。ガスクロマトグラフィーでの分析の結果
γ、ブチロラクトン留分の収率は98.2%であり、初
留中に0.7%、釜残中に1.1%それぞれロスした。
またキャピラリーガスクロでの分析の結果γ−ブチロラ
クトン中留分中のジエチレングリコールモノメチルエー
テル(以下DGMEという)は574.8ppm、 −
I−チレングリコールモノメチルエーテル(以下MGM
Eという)は10.2ppmであった。
クトン中留分中のジエチレングリコールモノメチルエー
テル(以下DGMEという)は574.8ppm、 −
I−チレングリコールモノメチルエーテル(以下MGM
Eという)は10.2ppmであった。
実施例−1
比表面積が700m27gの市販(豊田化工社製)のシ
リカゲル50〜100メツシユ品を使い、比較例−1で
得られたγ−ブチロラクトン留分を処理した。0.2e
のガラス製フラスコに、シリカゲルとγ−ブチロラクト
ン留分とでシリカゲルlγ−ブチロラクトン留分=0.
1重量比で仕込み、攪拌しつつ 温度20℃ 圧カニ常圧(N2下) 時間1.OHr の条件で処理した後シリカゲルを濾過した。
リカゲル50〜100メツシユ品を使い、比較例−1で
得られたγ−ブチロラクトン留分を処理した。0.2e
のガラス製フラスコに、シリカゲルとγ−ブチロラクト
ン留分とでシリカゲルlγ−ブチロラクトン留分=0.
1重量比で仕込み、攪拌しつつ 温度20℃ 圧カニ常圧(N2下) 時間1.OHr の条件で処理した後シリカゲルを濾過した。
γ−ブチロラクトン中のDGMEは114ppm、 M
GMEは1.lppmに減少した。
GMEは1.lppmに減少した。
実施例−2
比表面積450m2/gの市販(豊田化工社製)のシリ
カゲル50〜100メツシユ品を使った他は実施例−1
と全く同一に実験した。その結果DGMgは271.5
ppm、MGMEは2.7ppmに減少した。
カゲル50〜100メツシユ品を使った他は実施例−1
と全く同一に実験した。その結果DGMgは271.5
ppm、MGMEは2.7ppmに減少した。
実施例、3
比表面積が700m2/gの市販品(富士デヴイソン社
品)100〜200メツシユ品を1規定の塩酸で酸洗・
水洗処理後乾燥したものを使用した以外は実施例、1と
全く同一に実験した。その結果、DGMEは1102p
p、MGMEは1.0ppm以下に減少した。
品)100〜200メツシユ品を1規定の塩酸で酸洗・
水洗処理後乾燥したものを使用した以外は実施例、1と
全く同一に実験した。その結果、DGMEは1102p
p、MGMEは1.0ppm以下に減少した。
実施例、4
処理温度を一5℃とし、シリカゲルlγ−ブチロラドン
=o、oi重量比とした以外は実施例3と全く同一に実
験した。その結果DGMEは120.6ppm、 MG
MEは1.3ppmに減少した。
=o、oi重量比とした以外は実施例3と全く同一に実
験した。その結果DGMEは120.6ppm、 MG
MEは1.3ppmに減少した。
実施例−5
H型強酸性陽イオン交換樹脂RCP−170H(三菱化
成社製)を使い、比較例−1で得られたγ−ブチロラク
トン留分を処理した。
成社製)を使い、比較例−1で得られたγ−ブチロラク
トン留分を処理した。
0.2eのガラス製フラスコに樹脂とγ−ブチロラクト
ン留分とを樹脂lγ−ブチロラクトン留分=0.03重
量比で仕込み、攪拌しつつ 温度120℃ 圧カニ常圧(N2下) 時間1.OHr の条件で処理した後イオン交換樹脂を濾過した。γ−ブ
チロラクトン中のDGMEは50ppm、MGMEは1
.0ppmに減少した。
ン留分とを樹脂lγ−ブチロラクトン留分=0.03重
量比で仕込み、攪拌しつつ 温度120℃ 圧カニ常圧(N2下) 時間1.OHr の条件で処理した後イオン交換樹脂を濾過した。γ−ブ
チロラクトン中のDGMEは50ppm、MGMEは1
.0ppmに減少した。
実施例−6
処理温度を60℃とし、反応時間2.OHrとした以外
は実施例、5と全く同一に実験した。その結果DGME
は280ppm、MGMEは4.0ppmに減少した。
は実施例、5と全く同一に実験した。その結果DGME
は280ppm、MGMEは4.0ppmに減少した。
実施例−7
H型強酸性陽イオン交換樹脂RCP −160H(三菱
化成社製)を使用した以外は実施例、5と全く同一に実
験した。その結果DGMEは55ppm、MGMEは1
.2ppmに減少した。
化成社製)を使用した以外は実施例、5と全く同一に実
験した。その結果DGMEは55ppm、MGMEは1
.2ppmに減少した。
実施例、8
樹脂lγ−ブチロラクトン=0.1重量比とした以外は
実施例−5と全く同一に実験した。その結果DGMEは
10ppm、MGMEは1.0ppm以下に減少した。
実施例−5と全く同一に実験した。その結果DGMEは
10ppm、MGMEは1.0ppm以下に減少した。
比較例、2
比較例−1で得られたγ−ブチロラクトン留分を以下の
吸着剤を用い実施例−1と同一条件でテストしたが、D
GME、MGMEは全く吸着除去されなかった。吸着剤
としては活性炭、γ−アルミナ、モレキュラー シー
フ3A、4A、5A、13X、活性白土、シリカアルミ
ナを用いた。
吸着剤を用い実施例−1と同一条件でテストしたが、D
GME、MGMEは全く吸着除去されなかった。吸着剤
としては活性炭、γ−アルミナ、モレキュラー シー
フ3A、4A、5A、13X、活性白土、シリカアルミ
ナを用いた。
(発明の効果)
以上のように本発明によると溶媒として使用されたエー
テル類またはポリエーテル類の分解物が除去され、純度
の高いラクトン類を得ることができる。
テル類またはポリエーテル類の分解物が除去され、純度
の高いラクトン類を得ることができる。
Claims (2)
- (1)溶媒としてエーテル類またはポリエーテル類の存
在下、ルテニウム触媒によるジカルボン酸、ジカルボン
酸無水物及び/又はジカルボン酸エステルの水素化によ
り得られたラクトン類をシリカゲルにより処理すること
を特徴とするラクトン類の精製方法。 - (2)溶媒としてエーテル類またはポリエーテル類の存
在下、ルテニウム触媒によるジカルボン酸、ジカルボン
酸無水物及び/又はジカルボン酸エステルの水素化によ
り得られたラクトン類をイオン交換樹脂により処理する
ことを特徴とするラクトン類の精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1202073A JP2785363B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | ラクトン類の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1202073A JP2785363B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | ラクトン類の精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0366680A true JPH0366680A (ja) | 1991-03-22 |
JP2785363B2 JP2785363B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=16451504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1202073A Expired - Fee Related JP2785363B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | ラクトン類の精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2785363B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003286277A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | ガンマブチロラクトンの精製方法 |
JP2015166339A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-09-24 | 三菱化学株式会社 | ガンマブチロラクトン組成物及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP1202073A patent/JP2785363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003286277A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | ガンマブチロラクトンの精製方法 |
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