JPH03112973A - ラクトン類の製造法 - Google Patents

ラクトン類の製造法

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JPH03112973A
JPH03112973A JP1249347A JP24934789A JPH03112973A JP H03112973 A JPH03112973 A JP H03112973A JP 1249347 A JP1249347 A JP 1249347A JP 24934789 A JP24934789 A JP 24934789A JP H03112973 A JPH03112973 A JP H03112973A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はラクトン類の製造法に間するものである。詳し
くは、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジ
カルボン酸エステルを液相で水素化することによりラク
トン類を製造する方法の改良に関するものである。
(従来の技術) ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボ
ン酸エステルを水素化してラクトン類を製造する方法は
古くから検討されており、これまでに多数の提案がなさ
れている0例えば触媒として、ニッケル系触媒(特公昭
43−6947号公報)、コバルト系触媒(特開昭51
−95057号公報)、銅−クロム系触媒(特公昭38
−20119号公報)、銅−亜鉛系触媒(特公昭42・
14463号公報)等を使用して、固定床又は懸濁液相
により水素化反応を行なう方法が知られている。
一方、均−系のルテニウム系触媒を使用して上記の水素
化反応を行なう方法も知られ、例えば米国特許3957
827号には、[RuXn(PR+R2Ra)xLyl
型のルテニウム系触媒を使用し40〜400 psiの
加圧下で水素化してラクトン類を製造する方法が記載さ
れ、また米国特許4485246号には、同様の触媒に
よる水素化反応を有機アミンの存在下で行なうことが記
載されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記のニッケル系触媒、コバルト系触媒
、鋼−クロム系触媒、銅−亜鉛系触媒等の固体触媒を使
用する従来の方法は、反応条件が数十気圧以上の苛酷な
条件の採用は避けられないという問題があった。一方、
上記均一系のルテニウム系触媒を使用する方法は、比較
的温和な条件下で水素化反応が進行するという特徴があ
る半面、触媒活性がやや低水準であるうえ、触媒寿命が
短かく、またハロゲンを使用しているため反応装置の腐
蝕が生ずるという問題がある。
そこで本出願人は、先に触媒としてルテニウム、有機ホ
スフィン及びpKa値が2より小さい酸の共役塩基を含
有するルテニウム触媒を使用し、液相で水素化する方法
を提案した(特開平1−25771号公報)、この方法
によれば高活性なルテニウム触媒を使用するので温和な
条件下で良好に水素化反応を行うことができるが、ラク
トン類の製造を工業的に実施するため、反応を連続方式
により実施し、水素含有ガスの少なくとも一部を反応帯
域に循環する方法を継続すると、ルテニウム触媒の活性
が急激に低下するという問題があった。
本発明は、ルテニウム触媒を使用する方法における上述
の問題点を解決し、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物
及び/又はジカルボン酸エステルから工業的有利にラク
トン類を製造することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明者等は上記の目的を達成するために検討の結果、
上記ルテニウム触媒の失活は、水素化反応により副生ず
る一酸化炭素によってルテニウム触媒が被毒されること
によるものであり、この被毒を回避するためには、水素
化反応帯域の気相中の一酸化炭素濃度を特定値以下に保
持する必要があることを見出し本発明を達成した。即ち
本発明の要旨は、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及
び/又はジカルボン酸エステルをルテニウム触媒の存在
下液相で水素化することによりラクトン類を製造する方
法において、水素化反応に使用した水素含有ガスの少な
くとも一部を反応帯域に循環すると共に、反応帯域の気
相中の一酸化炭素濃度を400 ppm(容量)以下に
保持することを特徴とするラクトン類の製造法に存する
本発明の詳細な説明するに、本発明における原料物質と
しては、炭素数3〜7の飽和又は不飽和のジカルボン酸
、それ等の無水物、もしくはそれ等のジカルボン酸のエ
ステルが挙げられ、エステルとしては低級アルキルエス
テルが好ましい。具体的には例えば、マレイン酸、フマ
ール酸、コハク酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、マ
レイン酸ジメチル、フマール酸ジエチル、コハク酸−ジ
−n−ブチル等が使用される。
本発明に使用されるルテニウム触媒としては、例えば(
イ)ルテニウム、(ロ)有機ホスフィン及び(ハ)pK
aが2より小さい酸の共役塩基を含有するルテニウム系
触媒が挙げられ、場合によりこれに更に(ニ)中性配位
子を含有させた触媒が好適に使用される。
本発明の方法により水素化反応を行うには、反応容器に
、前記の原料物質、触媒成分及び溶媒を導入し、これに
水素ガスを導入する。水素ガスとしては窒素あるいは二
酸化炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであ
ってもよい。
水素化反応は通常50〜250℃、好ましくは100〜
200℃で実施され、反応系内の水素分圧は特に限られ
るものではないが、通常0.1〜100 kg/cm2
、好ましくは1〜100 kg/cs2、更に好ましく
はlO〜50 kg/cm2である0反応は回分方式及
び連続方式の何れも実施することができる。回分方式の
場合の所要反応時間は通常1〜20時間である。反応混
合物を冷却して気液分離し、未反応の水素ガスは随伴す
る液状成分を分離した後、その少なくとも一部を水素化
反応帯域に循環して再使用する9反応生成液から蒸留、
抽出等の通常の分離精製手段により目的とするラクトン
類を採取し、残留する触媒液は水素化反応帯域に循環す
る。
本発明は、上述の方法により水素化反応を実施する際に
、反応帯域における気相中の一酸化炭素濃度を400 
ppm(客員)以下に保持することを骨子とするもので
あり、これにより、水素含有ガスを反応帯域に循環する
方法を継続した場合に生起するルテニウム触媒の活性低
下を阻止し、水素化反応を長期間安定して継続し、ラク
トン類を工業的に有利に製造することができる。
水素化反応帯域における気相中の一酸化炭素濃度を40
0 ppm(容量)以下に保持するためには、例えば循
環する水素含有ガスの一部をパージする方法、あるいは
水素含有ガスの循環経路にメタン化反応器(メタネータ
ー)を設置し、これに水素含有ガスを通過させることに
よりガス中の一酸化炭素をメタンとして無害化する方法
等が挙げられる。
メタネーターには、−酸化炭素のメタン化触媒として周
知のニッケル系触媒、ルテニウム系触媒等を充填し、こ
の中を250〜300℃程度の温度で水素含有ガスを通
過させることにより、−酸化炭素は容易にメタンに変え
られる。なお、−酸化炭素によりルテニウム触媒が被毒
される理由についてはζ必ずしも明らかではないが、−
酸化炭素が電子供与性を有することから、これが配位子
として働いてルテニウムを安定化させることによるもの
と推定される。
本発明を更に具体的に説明するに、本発明に使用される
前示(イ)ルテニウム、(ロ)有機ホスフィン及び(ハ
)pKa値が2より小さい酸の共役塩基を含有し更に場
合により中性配位子を含有していてもよいルテニウム触
媒の具体例としては次のものが挙げられる。
(イ)ルテニウム: ルテニウムとしては、金属ルテニウム及びルテニウム化
合物の何れも使用することができる。ルテニウム化合物
としては、ルテニウムの酸化物、ハロゲン化物、水酸化
物、無機酸塩、有機酸塩又は錯化合物が使用され、具体
的には例えば、二酸化ルテニウム、四酸化ルテニウム、
三水酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ルテニウム
、ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム
、トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘキサクロ
ロルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニルルテニウ
ム酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウム、シクロ
ペンタジエニルジ力ルポニルルテニウム、ジブロモトリ
カルボニルルテニウム、クロロトリス(トリフェニルホ
スフィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリーn−ブチ
ルホスフィン)トリカルボニルルテニウム、ドデカカル
ボニルトリルテニウム、テトラヒドリドデカカルボニル
テトラルテニウム、オクタデカカルボニルへキサルテニ
ウム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒドリドトリル
テニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が挙げられる
。これ等の金属ルテニウム及びルテニウム化合物の使用
量は、反応溶液1リツトル中のルテニウムとして0.0
001〜100ミリモル、好ましくは0.001〜lO
ミリモルである。
(ロ)有機ホスフィン: 有機ホスフィンは、主触媒である(イ)のルテニウムの
電子状態を制御したり、ルテニウムの活性状態を安定化
するのに寄与するものと考えられる。
有機ホスフィンの具体例としては、トリー〇−オクチル
ホスフィン、トリーn−ブチルホスフィン、ジメチル−
〇−オクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類
、トリシクロへキシルホスフィンのようなトリシクロア
ルキルホスフィン類、トリフェニルホスフィンのような
トリアリールホスフィン類、ジメチルフェニルホスフィ
ンのようなアルキルアリールホスフィン類、1.2−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタンのような多官能性ホ
スフィン類が挙げられる。有機ホスフィンの使用量は通
常、ルテニウム1モルに対して、0.1−1000モル
程度、好ましくは1〜100モルである。また、有機ホ
スフィンは、それ自体単独で、あるいはルテニウム触媒
との複合体の形で、反応系に供給することができる。
(ハ) pKa値が2より小さい酸の共役塩基:pKa
値が2より小さい酸の共役塩基は、ルテニウム触媒の付
加的促進剤として作用し、触媒調製中又は反応系中にお
いて、pKa値が2より小さい酸の共役塩基を生成する
ものであればよく、その供給形態としては、pKa値が
2より小さいブレンステッド酸又はその各種の塩等が用
いられる。具体的には例えば、硫酸、亜硫酸、硝酸、亜
硝酸、過塩素酸、燐酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフル
オロ燐酸、タングステン酸、燐モリブデン酸、燐タング
ステン酸、シリコンタングステン酸、ポリケイ酸、フル
オロスルホン酸等の無機酸類、トリクロロ酢酸、ジクロ
ロ酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフ
ルオロメタンスルホン酸、ラウリルスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、p−)ルエンスルホン酸等の有機酸、あ
るいはこれ等の酸のアンモニウム塩、ホスホニウム塩が
挙げられる。
また、これ等の酸の共役塩基が反応系で生成すると考え
られる酸誘導体、例えば酸ハロゲン化物、酸無水物、エ
ステル、酸アミド等の形で添加しても同様の効果が得ら
れる。これ等の酸又はその塩の使用量は、ルテニウム1
モルに対して0.01〜1000モル、好ましくは0.
1−100モル、更に好ましくは0.5〜20モルの範
囲である。
上記(イ)、(ロ)及び(ハ)の成分の外に、場合によ
り含有することができる(二)中性配位子としては、水
素、エチレン、プロピレン、ブテン、シクロペンテン、
シクロヘキセン、ブタジェン、シクロペンタジェン、シ
クロオクタジエン、ツルボナシエン等のオレフィン類、
−酸化炭素、ジエチルエーテル、アニソール、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトフェノン、
ベンゾフェノン、シクロヘキサノン、プロピオン酸、カ
ブロン酸、酪酸、安息香酸、酢酸エチル、酢酸アリル、
安息香酸ベンジル、ステアリン酸ベンジル等の含酸素化
合物、酸化窒素、アセトニトリル、プロピオニトリル、
ベンゾニトリル、シクロヘキシルイソニトリル、ブチル
アミン、アニリン、トルイジン、トリエチルアミン、ビ
ロール、ピリジン、N−メチルホルムアミド、アセトア
ミド、1,1,3.3−テトラメチル尿素、N−メチル
ピロリドン、カプロラクタム、ニトロメタン等の含窒素
化合物、二硫化炭素、ローブチルメルカプタン、チオフ
ェノール、ジメチルスルフィド、ジメチルジスルフィド
、チオフェン、ジメチルスルホキシド、ジフェニルスル
ホキシド等の含硫黄化合物、トリブチルボスフィンオキ
シド、エチルジフェニルホスフィンオキシト、トリフェ
ニルホスフィンオキシト、ジエチルフェニルホスフィネ
ート、ジフェニルメチルホスフィネート、ジフェニルエ
チルホスフィネート、0.0−ジメチルメチルホスホノ
チオレート、トリエチルホスファイト、トリフェニルホ
スファイト、トリエチルホスフェート、トリフェニルホ
スフェート、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の
有機ホスフィン以外の含燐化合物が挙げられる。
本発明の方法は、特ζこ溶媒を使用せず、原料物質自体
を溶媒として実施することができるが、原料物質以外に
他の溶媒を使用することもできる。
このような溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ア
ニソール、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジ
エチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエー
テル、ジオキサン等のエーテル類;アセトン、メチルエ
チルケトン、アセトフェノン等のケトン類:メタノール
、エタノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、
エチレングリコール、ジエチレングリコール等のアルコ
ール類;フェノール類;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ト
ルイル酸等のカルボン酸類;酢酸メチル、酢酸n−ブチ
ル、安息香酸ベンジル等のエステル類:ベンゼン、トル
エン、エチルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素
;n−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘキサン等の脂
肪族炭化水素;ジクロロメタン、トリクロロエタン、ク
ロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素;ニトロメタン、
ニトロベンゼン等のニトロ化炭化水素; N、N−ジメ
チルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、H
−メチルピロリドン等のカルボン酸アミド;ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド、N、N、N’、N’−テトラエチ
ルスルファミド等のその他のアミド類; N、N’−ジ
メチルイミダゾリトン、N、N、N、N−テトラメチル
尿素等の尿素類;ジメチルスルホン、テトラメチレンス
ルホン等のスルホン類;ジメチルスルホキシド、ジフェ
ニルスルホキシド等のスルホキシド類;γ−ブチロラク
トン、ε−カプロラクトン等のラクトン類;トリグライ
ム(トリエチレングリコールジメチルエーテル)、テト
ラグライム(テトラエチレングリコールジメチルエーテ
ル)、18−クラウン−6等のポリエーテル類、アセト
ニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類ニジメチルカ
ーボネート、エチレンカーボネート等の炭酸エステル類
が挙げられる。
(実施例) 以下本発明を実施例及び比較例について更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限りこれ等の実施
例に限定されるものではない。
実施例1〜2及び比較例1〜2 触媒液の調!!: 0.039重量%のルテニウムアセチルアセトナ−) 
、 0.37重量%のトリオクチルホスフィン及び0.
16重量%のp−トルエンスルホン酸をトリエチレング
リコールジメチルエーテル(トリプライム)に溶解し、
200℃で2時間加熱処理して触媒液を調製した。
水素化反応: 第1図に示す流通型反応設備を使用して水素化反応を実
施した。第1図において、1は反応器、2は触媒容器、
3は圧縮機、4は原料容器、5は気液分離器、6は蒸留
塔、7はメタネーターである。
上記の触媒液を触媒容器2から2555 g/hrの流
量で反応器1(101加圧釜)に供給し、水素ガスを圧
縮機3より5.6 Ns3/hrの流量で反応器1に供
給し、反応器1を圧力40 kg/cm2 G、温度2
00℃に保持した。一方、無水コハク酸80重量%及び
γ−ブチロラクトン20重量%からなる原料液を、原料
容器4から365g/hrの流量で連続的に反応器lに
供給して水素化反応を行った。
反応混合物は気液分離器5で常圧下気液分離し、分離し
たガスから表1に示す種々の量を系外にパージして、反
応器1内気相中の一酸化炭素濃度を表1記載の通り調整
し、残部のガスは圧縮機3を経由して反応器1に循環し
て使用した。一方、反応生成液は蒸留塔7にフィードし
て塔頂から生成γ−ブチロラクトン及び水を蒸留分離し
、触媒液は塔底から抜出して触媒容器2を経て反応器1
に循環した。その結果を表1に示した。なお参考のため
、水素ガスをパージしない場合を参考例として表1に併
記した。
実施例3 第1図におけるメタネータ−7に、市販のルテニウム系
触媒(0,5%Ru/ Al0a)を充填し、実施例1
の方法において気液分離器5で分離した水素ガス中To
 Ml/hrを系外にパージし、残部のガスはメタネー
ター7中を空間速度(SV)3200、温度250℃で
通過させた後、圧縮機3を経て反応器1に循環した。そ
の他の操作は実施例1におけると全く同様にして水素化
反応を行なフた。その結果を表1に示した。
表1 (発明の効果) 本発明方法は、ルテニウム触媒を使用してジカルボン酸
、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボン酸エステル
を液相で水素化することによりラクトン類を製造する場
合に、水素化反応に使用した水素含有ガスの少なくとも
一部を反応帯域に循環すると共に、反応帯域の気相中の
一酸化炭素濃度を400 ppg+(容量)以下に保持
するものであり、これによりルテニウム触媒の活性低下
を阻止し、水素化反応を長期間安定して継続し、ラクト
ン類を工業的に有利に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施に使用される流通型反応設備の工
程図を示す。 図中1は反応器、2は触媒容器、3は圧縮機、4は原料
容器、5は気液分離器、6は蒸留塔、7はメタネーター
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジ
    カルボン酸エステルをルテニウム触媒の存在下液相で水
    素化することによりラクトン類を製造する方法において
    、水素化反応に使用した水素含有ガスの少なくとも一部
    を反応帯域に循環すると共に、反応帯域の気相中の一酸
    化炭素濃度を400ppm(容量)以下に保持すること
    を特徴とするラクトン類の製造法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7427684B2 (en) 2003-10-30 2008-09-23 Davy Process Technology Limited Process for the production of lactams
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