JPH0366488A - レーザ穴明け方法 - Google Patents
レーザ穴明け方法Info
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- JPH0366488A JPH0366488A JP1200690A JP20069089A JPH0366488A JP H0366488 A JPH0366488 A JP H0366488A JP 1200690 A JP1200690 A JP 1200690A JP 20069089 A JP20069089 A JP 20069089A JP H0366488 A JPH0366488 A JP H0366488A
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- drilling
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
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- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザ光を用いて、例えば射出成形されＴ
コ複雑な立体形状樹脂系材料の部品などにおいても高精
度０小さなレーザ穴明けが行なえる方法に関するものＴ
ある、 〔従来の技術〕 第２図は従来Ｏ）レーザ穴明は方法を説明する説明図で
ある。図において、（１）は被加工物、（２）はレーザ
光、（３）はレーザ光（２）を集束する集光レンズであ
る。
コ複雑な立体形状樹脂系材料の部品などにおいても高精
度０小さなレーザ穴明けが行なえる方法に関するものＴ
ある、 〔従来の技術〕 第２図は従来Ｏ）レーザ穴明は方法を説明する説明図で
ある。図において、（１）は被加工物、（２）はレーザ
光、（３）はレーザ光（２）を集束する集光レンズであ
る。
次に動作をとついて説明する。従来のレーザ穴明は方法
の一例と（・で、第２図（ａ）は集光レンズ（３）によ
り小さなスポット径に集束したレーザ光（２）の焦点位
置を、被加工物（１）の表面に対し上方に移動させてレ
ーザ光（２）が被加工物（１）に照射される。第８図は
上記焦点位置移動量と丸穴直径の関係を示す特性図Ｔあ
り、所定の寸法の穴明は加工がＴきるように予め焦点位
置移動量を設定する、また、第２図（ｂ）は被加工物（
１）まπはレーザ光（２）を丸穴形状になるように相対
移動させて穴明けに供せられる、第２図（ｂ）の場合、
一般的にレーザ光（２〉の焦点位置は被加工物（１）の
表面に設定して照射される、以上のように従来のレーザ
穴明は方法Ｔは、レーザ光（２）の焦点位置を被加工物
（１）の表面に対し上方に移動させて照射されるだめ、
レーザ発振器よす発生し・たレーザ光（２）照射のタイ
ミングにより穴明は精度Ｏ不安定性を招くという課題が
あった。
の一例と（・で、第２図（ａ）は集光レンズ（３）によ
り小さなスポット径に集束したレーザ光（２）の焦点位
置を、被加工物（１）の表面に対し上方に移動させてレ
ーザ光（２）が被加工物（１）に照射される。第８図は
上記焦点位置移動量と丸穴直径の関係を示す特性図Ｔあ
り、所定の寸法の穴明は加工がＴきるように予め焦点位
置移動量を設定する、また、第２図（ｂ）は被加工物（
１）まπはレーザ光（２）を丸穴形状になるように相対
移動させて穴明けに供せられる、第２図（ｂ）の場合、
一般的にレーザ光（２〉の焦点位置は被加工物（１）の
表面に設定して照射される、以上のように従来のレーザ
穴明は方法Ｔは、レーザ光（２）の焦点位置を被加工物
（１）の表面に対し上方に移動させて照射されるだめ、
レーザ発振器よす発生し・たレーザ光（２）照射のタイ
ミングにより穴明は精度Ｏ不安定性を招くという課題が
あった。
例えば、第５図はレーザ光（２〉の焦点位置を被加工物
（１）の表面に対し上方に移動させて照射した場合のレ
ーぜ穴明は品質例を示す図Ｔあり、丸穴形状がいびつに
なったり、穴寸法のは＾つきが大きい、また、被加工物
（１）またはレーぜ光（２）を丸穴形状になるようξζ
相対移動させて照射されるため、穴明は精度の要求に応
じた加工精度まＴしか土げ八れず穴明は加工所要時間が
長くかかるといろ課題があった。
（１）の表面に対し上方に移動させて照射した場合のレ
ーぜ穴明は品質例を示す図Ｔあり、丸穴形状がいびつに
なったり、穴寸法のは＾つきが大きい、また、被加工物
（１）またはレーぜ光（２）を丸穴形状になるようξζ
相対移動させて照射されるため、穴明は精度の要求に応
じた加工精度まＴしか土げ八れず穴明は加工所要時間が
長くかかるといろ課題があった。
このよらに小さな丸穴を高精度で加工する能力には限界
があＯ１穴明は精度が不安定ｒあったり加工所要時間が
長くかかるという課題があった。
があＯ１穴明は精度が不安定ｒあったり加工所要時間が
長くかかるという課題があった。
この発明は、上記のよらなＳａ＋を解消するためになさ
れたものＴ、平板に限らず、例えば射出成形された複雑
な立体形状樹脂系材料部品などにおいても、高精度の小
さなレーザ穴明けがｒ″き、加工所要時間短縮可能なレ
ーザ穴明は方法を提供することを目的とし、でいる。
れたものＴ、平板に限らず、例えば射出成形された複雑
な立体形状樹脂系材料部品などにおいても、高精度の小
さなレーザ穴明けがｒ″き、加工所要時間短縮可能なレ
ーザ穴明は方法を提供することを目的とし、でいる。
この発明に係るレーザ穴明は方法は、第１段階としてレ
ーザ光の焦点位置を被加工物０表面に設定して照射した
あと、第２段階として焦点位置を移動させ、所定の寸法
の穴明けが高精度Ｔ高速加工がＴきるようにしたちのＴ
ある、 〔作用〕 こい発明におＣ＋るレーぜ穴明は方法は、レーザ光（２
）の焦点位置を被加工物（１）の表面に設定し・で照射
しπあと、焦点位置を移動させること１７：より、照射
時０タイミングＩζよる丸穴形状のいζにつ六や穴寸法
のは八つきをなく（・７：ロシて高精度の小さなレーザ
穴明けが行なえ、加工所要時間の短縮を目的として加工
が可能となる。
ーザ光の焦点位置を被加工物０表面に設定して照射した
あと、第２段階として焦点位置を移動させ、所定の寸法
の穴明けが高精度Ｔ高速加工がＴきるようにしたちのＴ
ある、 〔作用〕 こい発明におＣ＋るレーぜ穴明は方法は、レーザ光（２
）の焦点位置を被加工物（１）の表面に設定し・で照射
しπあと、焦点位置を移動させること１７：より、照射
時０タイミングＩζよる丸穴形状のいζにつ六や穴寸法
のは八つきをなく（・７：ロシて高精度の小さなレーザ
穴明けが行なえ、加工所要時間の短縮を目的として加工
が可能となる。
〔発明０実施例〕
以下、こ０発明−−実施例を図をもとに説明する。ＷＡ
４図はこの発明０−実施例子、そ０レーぜ穴明は品質例
を示す図Ｔある。ｔＴこ、第１図はこの発明のレーザ穴
明は方法を説明する説明図Ｔある。、（ａ）図は被加工
物（１）が平面部の場合の実施例であり、（′ｂ）ＦＩ
！Ｊは被加工物（１）が曲率を有する立体形状部品の場
合の実施例Ｔある。
４図はこの発明０−実施例子、そ０レーぜ穴明は品質例
を示す図Ｔある。ｔＴこ、第１図はこの発明のレーザ穴
明は方法を説明する説明図Ｔある。、（ａ）図は被加工
物（１）が平面部の場合の実施例であり、（′ｂ）ＦＩ
！Ｊは被加工物（１）が曲率を有する立体形状部品の場
合の実施例Ｔある。
次に動作について説明する。第１段階とし、て、図にお
いて破線Ｔ示すようにレーザ光（２〉の焦点位置を被加
工物（１）の表面に設定して照射Ｅ７πあと、第２段階
として焦点位置を被加工物（１）の表面に対し上方ｔζ
、所定０寸法の穴明は加工が７’きるように予め設定し
、た移動量だけ移動させる。移動速度な は高速で行ふえる。
いて破線Ｔ示すようにレーザ光（２〉の焦点位置を被加
工物（１）の表面に設定して照射Ｅ７πあと、第２段階
として焦点位置を被加工物（１）の表面に対し上方ｔζ
、所定０寸法の穴明は加工が７’きるように予め設定し
、た移動量だけ移動させる。移動速度な は高速で行ふえる。
なお、上記実施例アはレーぜ発振器の出力形態について
全く説明していないが、出力形態が連続出力すもパルス
出力子あってもよい。まπ、ｉ加工物（１）に噴射され
るアシストガスの１ｍ類についても、乾燥圧縮空気Ｔも
窒素ガスであってもよい。
全く説明していないが、出力形態が連続出力すもパルス
出力子あってもよい。まπ、ｉ加工物（１）に噴射され
るアシストガスの１ｍ類についても、乾燥圧縮空気Ｔも
窒素ガスであってもよい。
’ｃ ＊明の効果〕
以上のように、この発明によればレーザ光の焦点位ｆｆ
ｌを被加工物（１）の表面に設定して照射したあと、焦
点位置を被加工物（１）の表１４ζ対し、上方に、所定
０寸法の穴明は加工がＴきるように予豹設定した移動量
だけ高速に移動させてレーザ穴明けする方法を採用Ｌ−
ｍのＴ、平板に限らず、例えば射出成形された複雑な立
体形状樹脂系材料Ｏ部品などにおいても、１ｔｉｉｉ精
度Ｏ小さなレーザ穴明は加工を可能とし、加工所要時間
の短縮を目的と１，７：加工が行なえる効果がある。
ｌを被加工物（１）の表面に設定して照射したあと、焦
点位置を被加工物（１）の表１４ζ対し、上方に、所定
０寸法の穴明は加工がＴきるように予豹設定した移動量
だけ高速に移動させてレーザ穴明けする方法を採用Ｌ−
ｍのＴ、平板に限らず、例えば射出成形された複雑な立
体形状樹脂系材料Ｏ部品などにおいても、１ｔｉｉｉ精
度Ｏ小さなレーザ穴明は加工を可能とし、加工所要時間
の短縮を目的と１，７：加工が行なえる効果がある。
第１図はこの発明のレーザ穴明は方法を説明する説明図
、第２図は従来のレーぜ穴明は方法を説明する説明図、
第８図はこの発明に係わる焦点位置移動量と丸穴直径の
関係を示す特性図、第４図はこい発明の一実施例による
レーぜ穴明は品質例を示す説明図、第５図は従来０レー
ぜ穴明は方法！でよるレーぜ穴明は品質例を示す説明図
Ｔある。 図において、（１）は被加工物、（２）はし−ぜ光Ｔあ
る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す、
、第２図は従来のレーぜ穴明は方法を説明する説明図、
第８図はこの発明に係わる焦点位置移動量と丸穴直径の
関係を示す特性図、第４図はこい発明の一実施例による
レーぜ穴明は品質例を示す説明図、第５図は従来０レー
ぜ穴明は方法！でよるレーぜ穴明は品質例を示す説明図
Ｔある。 図において、（１）は被加工物、（２）はし−ぜ光Ｔあ
る。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す、
Claims (1)
- レーザ発振器より発生したレーザ光を被加工物に照射し
て穴明けを行なうレーザ穴明け方法において、上記レー
ザ光の焦点位置を上記被加工物の表面に設定して照射し
たあと、焦点位置を移動させて穴明け加工するようにし
たことを特徴とするレーザ穴明け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200690A JPH0366488A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | レーザ穴明け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200690A JPH0366488A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | レーザ穴明け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366488A true JPH0366488A (ja) | 1991-03-22 |
Family
ID=16428628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200690A Pending JPH0366488A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | レーザ穴明け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366488A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19603271A1 (de) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Laserstrahl-Bearbeitungssystem und Laserstrahl-Bearbeitungsverfahren |
| US5841099A (en) * | 1994-07-18 | 1998-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets |
| US5916462A (en) * | 1993-09-13 | 1999-06-29 | James; William A. | Laser drilling processes for forming an apertured film |
| US6124140A (en) * | 1998-05-22 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method for measuring features of a semiconductor device |
| WO2004011187A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System and method of laser drilling using a continuously optimized depth of focus |
| CN1313239C (zh) * | 2002-07-25 | 2007-05-02 | 松下电器产业株式会社 | 利用连续优化聚焦深度的激光钻孔系统和方法 |
| US20100006550A1 (en) * | 1998-12-11 | 2010-01-14 | Richard Alan Haight | Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam wherein the slope of fluence breakdown is a function of the pulse width |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1200690A patent/JPH0366488A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916462A (en) * | 1993-09-13 | 1999-06-29 | James; William A. | Laser drilling processes for forming an apertured film |
| US5841099A (en) * | 1994-07-18 | 1998-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets |
| DE19603271A1 (de) * | 1995-01-31 | 1996-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Laserstrahl-Bearbeitungssystem und Laserstrahl-Bearbeitungsverfahren |
| DE19603271C2 (de) * | 1995-01-31 | 1998-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | Laserstrahl-Bearbeitungssystem und Laserstrahl-Bearbeitungsverfahren |
| US6124140A (en) * | 1998-05-22 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method for measuring features of a semiconductor device |
| US6960767B1 (en) | 1998-05-22 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for measuring features of a semiconductor device |
| US20100006550A1 (en) * | 1998-12-11 | 2010-01-14 | Richard Alan Haight | Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam wherein the slope of fluence breakdown is a function of the pulse width |
| US7649153B2 (en) * | 1998-12-11 | 2010-01-19 | International Business Machines Corporation | Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam |
| US8389890B2 (en) * | 1998-12-11 | 2013-03-05 | International Business Machines Corporation | Method for minimizing sample damage during the ablation of a first biological material disposed on a second biological material using a focused ultrashort pulsed laser beam wherein the slope of fluence breakdown is a function of the pulse width |
| WO2004011187A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System and method of laser drilling using a continuously optimized depth of focus |
| US6787734B2 (en) * | 2002-07-25 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System and method of laser drilling using a continuously optimized depth of focus |
| CN1313239C (zh) * | 2002-07-25 | 2007-05-02 | 松下电器产业株式会社 | 利用连续优化聚焦深度的激光钻孔系统和方法 |
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