JPH0364051A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0364051A
JPH0364051A JP20065489A JP20065489A JPH0364051A JP H0364051 A JPH0364051 A JP H0364051A JP 20065489 A JP20065489 A JP 20065489A JP 20065489 A JP20065489 A JP 20065489A JP H0364051 A JPH0364051 A JP H0364051A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
electrode terminal
groove
insulating material
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20065489A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiro Yoshihara
邦裕 吉原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP20065489A priority Critical patent/JPH0364051A/ja
Publication of JPH0364051A publication Critical patent/JPH0364051A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体装置に関し、電極端子と導体との接
着を行う構造に関するものである。
[従来の技術] 第7図は従来の半導体装置の内、電気伝導性、熱伝導性
の良い導体を接着させた絶縁材を用いたトランジスタモ
ジュールの内部構造を示す断面図、第8図は第7図に示
すA部の拡大断面図、第9図ないし第11図は第7図に
示す状態に対し、不正常な状態例を示す断面図である。
図において(1)は銅等の熱伝導性の良好な材料で形成
された放熱板、(2)はセラミック材で形成された絶縁
材、(3a)は絶縁材(2)に接合された銅等の電気伝
導性、熱伝導性の良好な材料で形成された導体、(4)
は、導体(3a)に接着された半導体チップ、(5)は
、半導体チップ(4)と導体(3a)とを接続させてい
るアルミ等のワイヤ、(6)は、半導体チップ(4)と
外部回路(図示せず)と接続するための電極端子で放熱
板(1)、絶縁材(2)、半導体チップ(4)  およ
び電極端子(6)、はそれぞれ半田等のろう材(11)
によって接着されている。
(7)は絶縁材(2)、半導体チップ(4)、電極端子
(6)の一部、及びワイヤ(5)を覆うように形成され
たケースで、放熱板(1)と接着材(8)により接着さ
れている。そして、このケース(7)内には、半導体チ
ップ(4)やワイヤ(5)  などを外部雰囲気から保
護するためにシリコンゲル、やエポキシ樹脂などの充填
材(9)   (10)を充填、硬化させている。この
ようなトランジスタモジュールの電極端子(6) と導
体(3a)の接着部は一般的に第8図に示すような構造
をしている。(11)は電極端子(6)と導体(3)を
接着させたろう材である。
[発明が解決しようとするXIM] 従来のトランジスタモジュールは以上のように構成され
ているので電8i端子と導体を接着させる際電極端子の
変形および位置精度により第9図ないし第11図に示す
ごとくろう材のぬれ性が悪化するという問題点があった
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電極端子等の精度にとられれず、導体を完全
な接続のできる半導体装置を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る半導体装置は、電極端子と接続される導
体を電極端子が入るように溝状にし、その溝内で電極端
子と導体をろう材によって接続するようにしたものであ
る。
[作用コ この発明における半導体装置は、導体に電極端子が入る
ような溝をつけたことにより、電極端子が溝に入り、ろ
う付けされ、電極端子と導体が接続される。
[実施例] 以下、この発明に係る半導体装置の一実施例を図につい
て説明する。第1図はトランジスタモジュールの電J!
Ti端子接続部の断面図である。図において(2)は絶
縁材、(3b)は電極端子(6)の接続部を溝状にして
導体(12)は導体(3b)の電極端子形状部に設けら
れた溝、(11)は電極端子(6)と導体(3b)とを
接続させるろう材である。
次に動作について説明する。第2図ないし第4図は電極
端子(6)が不正常である場合にも第1図に相当する接
続が可能であることを説明する断面図である。図におい
て(lb) 、 (6) 、 (11) 、 (12)
は第1図に示したものと同等である。導体(3b)の電
極端子接続部に設けられた溝(12)によって電極端子
(6)が不完全な形状の場合でも、溝(12)内にはい
れば第3図に示すように接着は完全にできるし、電極端
子(6)の精度が悪い場合でも第4図に示すように接着
は完全にできる。
これにより電極端子(6)を導体(3b)へ接着させる
場合、作業上何ら支障なく安定した接着が実現可能とな
る。
なお、上記実施例では、溝(12)は、特に第1図の形
状に限定されるものではなく、導体(3b〉の電極接続
部が溝状であればその形状は任意である。
また、上記実施例では導体(3b)に満(12)がある
ものの使用の場合について説明したが第5図のように絶
縁材(2)を溝状にしたものの場合であってもよく、さ
らに第6図のように放熱板(1)を溝状にした場合であ
ってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、導体の電極端子接続部
に溝を設け、電極端子が溝に入いるように構成したので
、電g!@子の変形やバラツキの際の問題点が解消でき
、また電極端子形状にとられれることなく信頼性の高い
半導体装置かえられる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る半導体装置の一実施例によるト
ランジスタモジュールの電8ii端子接続部の断面図、
第2図ないし第4図は電極端子が不正常である場合にも
第1図に相当する接続が可能であることを説明する断面
図、第5図及び第6図はこの発明の他の実施例によるト
ランジスタモジュールの電極端子接続部の断面図、第7
図は従来のトランジスタモジュールの内部構造を示す断
面図、第8図は第7図に示すA部の拡大断面図、第9図
ないし第11図は第7図に示す状態に対し、不正常な状
態例を示す断面図である。 図において、(1)は放熱板、(2)は絶縁材、(3b
)は導体、(6)は電極端子、(11)はろう材、(1
2)は溝である。 なお、 図中、 同一符号は同一 または相当部分を 示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップと電極端子を一方の面に接着させた、電気
    伝導性熱伝導性の良い導体をはり合せている絶縁材と、
    この絶縁材の他方の面に半田等のろう材で接着させた放
    熱板と上記半導体チップ、電極端子の一部及び絶縁材等
    を覆って放熱板上に接着させるケースとを備え上記ケー
    ス内にエポキシ樹脂などの充填材を充填硬化させてなる
    半導体装置において、上記導体、絶縁材および、放熱板
    等に溝をつけて、その溝中でろう材をもちいて電極端子
    を導体と接続させる事を特徴とする半導体装置。
JP20065489A 1989-08-02 1989-08-02 半導体装置 Pending JPH0364051A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20065489A JPH0364051A (ja) 1989-08-02 1989-08-02 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20065489A JPH0364051A (ja) 1989-08-02 1989-08-02 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0364051A true JPH0364051A (ja) 1991-03-19

Family

ID=16428003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20065489A Pending JPH0364051A (ja) 1989-08-02 1989-08-02 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0364051A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6153924A (en) Multilayered lead frame for semiconductor package
US10720373B2 (en) Semiconductor power device with corresponding package and related manufacturing process
JPH07240497A (ja) パワー半導体モジュールおよびそれに使用する絶縁金属基板
US11362008B2 (en) Power semiconductor module embedded in a mold compounded with an opening
JP4967701B2 (ja) 電力半導体装置
JPH03108744A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3169578B2 (ja) 電子部品用基板
EP3863045A1 (en) Power semiconductor module arrangement and method for producing the same
JPH0645504A (ja) 半導体装置
JPH0364051A (ja) 半導体装置
JPH03238852A (ja) モールド型半導体集積回路
JP2904154B2 (ja) 半導体素子を含む電子回路装置
KR102378171B1 (ko) 커플드 반도체 패키지
KR102228938B1 (ko) 커플드 반도체 패키지
JP2795687B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2000031194A (ja) ボンディングワイヤおよび半導体装置
JPH02203555A (ja) 半導体装置
JP3493267B2 (ja) 樽型半導体装置
JPH0442942Y2 (ja)
JPH0334561A (ja) 半導体装置
JPS5812447Y2 (ja) 半導体装置
JPH0451488Y2 (ja)
JP2512289B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH11150208A (ja) 半導体素子の実装方法
JP2513416B2 (ja) 半導体装置