JPH036375A - フィラメント上に炭化ケイ素コーティング蒸着方法 - Google Patents
フィラメント上に炭化ケイ素コーティング蒸着方法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
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-
- D—TEXTILES; PAPER
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- D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
- D01F11/00—Chemical after-treatment of artificial filaments or the like during manufacture
- D01F11/10—Chemical after-treatment of artificial filaments or the like during manufacture of carbon
- D01F11/12—Chemical after-treatment of artificial filaments or the like during manufacture of carbon with inorganic substances ; Intercalation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、フィラメント上に炭化ケイ素コーティングを
蒸着する方法に関するものである。
蒸着する方法に関するものである。
(従来の技術)
化学的蒸気蒸着技術を使用してフィラメント上に炭化ケ
イ素コーティングを蒸着することは周知である。典型的
な方法において、フィラメントが、蒸着室を介して連続
的に通される。
イ素コーティングを蒸着することは周知である。典型的
な方法において、フィラメントが、蒸着室を介して連続
的に通される。
フィラメントは、電流の流路により加熱され。
かつ炭化ケイ素コーティングが、蒸着室において炭素と
ケイ素を含むガスから蒸着される。この様な方法は1例
えば、米国特許第4.127.659号公報及び米国特
許第3.622.369号公報に記載されている。
ケイ素を含むガスから蒸着される。この様な方法は1例
えば、米国特許第4.127.659号公報及び米国特
許第3.622.369号公報に記載されている。
(発明が解決しようとする課題)
本発明者等は、蒸着室中の雰囲気に少量の二酸化炭素を
含ませることにより、改善された製品を得ることが出来
ることを突き止めるに至った。
含ませることにより、改善された製品を得ることが出来
ることを突き止めるに至った。
(課題を解決するための手段)
従って1本発明は、熱フィラメントと接触することによ
り、炭化ケイ素のコーティングを蒸着するガス状雰囲気
を含む蒸着室においてフィラメントを加熱することから
成るフィラメント上に炭化ケイ素コーティングを蒸着す
る方法において、蒸着室中の雰囲気が少量の二酸化炭素
を含むことを特徴とする方法を提供するものである。
り、炭化ケイ素のコーティングを蒸着するガス状雰囲気
を含む蒸着室においてフィラメントを加熱することから
成るフィラメント上に炭化ケイ素コーティングを蒸着す
る方法において、蒸着室中の雰囲気が少量の二酸化炭素
を含むことを特徴とする方法を提供するものである。
蒸着室中の雰囲気は、二酸化炭素を容量で2%未満、好
適には1%未満好適に含む。好適には雰囲気は、二酸化
炭素を少なくとも0.05容量%。
適には1%未満好適に含む。好適には雰囲気は、二酸化
炭素を少なくとも0.05容量%。
好適には少なくとも0.1容量%含む。
蒸着室の雰囲気は、炭化ケイ素のコーティングを生成す
ることが知られるどのガスも含んで良い。典型的なガス
は、水素と共に、メチルトリクロロシラン、メチルジク
ロロシラン又はジメチルジクロロシランの様なハロゲン
アルキルシラン類を含む。異なるハロゲンアルキルシラ
ン類とハロゲンの混合物を使用して良い。炭化水素1例
えばメタン、及び水素と共に、シリコンテトラクロライ
ド又はモノシランを使用して良い。雰囲気の注意深い制
御が、高品質の製品を確保するのに重要であり、蒸着室
中の雰囲気中への空気漏れは避けられるべきである。存
在する二酸化炭素は、空気の形態で導入されるべきでな
いことは理解されるべきである。
ることが知られるどのガスも含んで良い。典型的なガス
は、水素と共に、メチルトリクロロシラン、メチルジク
ロロシラン又はジメチルジクロロシランの様なハロゲン
アルキルシラン類を含む。異なるハロゲンアルキルシラ
ン類とハロゲンの混合物を使用して良い。炭化水素1例
えばメタン、及び水素と共に、シリコンテトラクロライ
ド又はモノシランを使用して良い。雰囲気の注意深い制
御が、高品質の製品を確保するのに重要であり、蒸着室
中の雰囲気中への空気漏れは避けられるべきである。存
在する二酸化炭素は、空気の形態で導入されるべきでな
いことは理解されるべきである。
炭化ケイ素は1例えばタングステンフィラメント、又は
炭素フィラメントの様などの適切なフィラメント上にも
蒸着されて良い。セラミック、例えばホウ素で既にコー
ティングされたフィラメント上に追加コーティングとし
て蒸着されて良い。意図される使用に基づいて 一つ又
はそれ以上の追加コーティング、例えばホウ素又はホウ
化合物が、炭化ケイ素の上部に蒸着されて良い。
炭素フィラメントの様などの適切なフィラメント上にも
蒸着されて良い。セラミック、例えばホウ素で既にコー
ティングされたフィラメント上に追加コーティングとし
て蒸着されて良い。意図される使用に基づいて 一つ又
はそれ以上の追加コーティング、例えばホウ素又はホウ
化合物が、炭化ケイ素の上部に蒸着されて良い。
蒸着室で使用される雰囲気の厳密な組成に基づいて、蒸
着される炭化ケイ素は、化学量論的に、シリコンに富む
又は炭素に富むものになる。組成は、コーティングの厚
みに亙って変化するであろう。コーティングの微細構造
も変化するであろう。各種のこの様なコーティングの蒸
着方法は1例えば、米国特許筒4.068.037号。
着される炭化ケイ素は、化学量論的に、シリコンに富む
又は炭素に富むものになる。組成は、コーティングの厚
みに亙って変化するであろう。コーティングの微細構造
も変化するであろう。各種のこの様なコーティングの蒸
着方法は1例えば、米国特許筒4.068.037号。
第4.315.968号、第4.340.636号、第
4.415.609号、第4.628.002号、及び
第4.702.960号に記載されている。
4.415.609号、第4.628.002号、及び
第4.702.960号に記載されている。
効率的蒸着を促進する為に、フィラメントは、700〜
1600°C1゛好適には900〜1100°Cの範囲
の温度まで好適に加熱される。どの適切な加熱形態も使
用されて良いが、好適にはフィラメントは、電流の流路
により電気抵抗的に加熱される。電流は、フィラメント
が通過する水銀又は水銀アマルガムのプールを含む電極
により最も好都合に伝達される。炭化ケイ素の蒸着され
た後フィラメントが通過するどの電極も、好適には純粋
な水銀よりはむしろ水銀/インジウムアマルガムを含む
。このアマルガムは、インジウムを重量で好適には0.
5〜8%、特に1〜6%含む。
1600°C1゛好適には900〜1100°Cの範囲
の温度まで好適に加熱される。どの適切な加熱形態も使
用されて良いが、好適にはフィラメントは、電流の流路
により電気抵抗的に加熱される。電流は、フィラメント
が通過する水銀又は水銀アマルガムのプールを含む電極
により最も好都合に伝達される。炭化ケイ素の蒸着され
た後フィラメントが通過するどの電極も、好適には純粋
な水銀よりはむしろ水銀/インジウムアマルガムを含む
。このアマルガムは、インジウムを重量で好適には0.
5〜8%、特に1〜6%含む。
若し望むならば1本発明の方法は、一つ又はそれ以上の
洗浄工程を組み込まれて良い。フィラメントは、コーテ
ィングの前に、不活性又は還元性雰囲気を含む一つ又は
それ以上の洗浄傾城を通過され1次いで表面不純物を除
去する為に加熱されるのが良い。
洗浄工程を組み込まれて良い。フィラメントは、コーテ
ィングの前に、不活性又は還元性雰囲気を含む一つ又は
それ以上の洗浄傾城を通過され1次いで表面不純物を除
去する為に加熱されるのが良い。
本発明により製造された製品は、高品質を備える。特に
、ガス状雰囲気中に二酸化炭素の存在は、向上された引
張強さを備えた製品を与える。
、ガス状雰囲気中に二酸化炭素の存在は、向上された引
張強さを備えた製品を与える。
(実施例)
本発明の方法と装置を、添付した図面により説明する。
第1図は1本発明の方法を実施する為に使用され得る装
置を示している。フィラメント1は。
置を示している。フィラメント1は。
例えば、タングステンであって、チューブ3を介して供
給2から貯蔵4へ供給される。フィラメント1は、チュ
ーブ3の端部における電極5及び6を通過し、電極5は
水銀を含み、かつ電極6は。
給2から貯蔵4へ供給される。フィラメント1は、チュ
ーブ3の端部における電極5及び6を通過し、電極5は
水銀を含み、かつ電極6は。
水銀/インジウムアマルガムを含む。電極5及び6は、
電流回路(示してない)の一部を形成し。
電流回路(示してない)の一部を形成し。
この回路は、フィラメント1へ電気的の加熱電流を供給
する。熱フィラメントと接触するガスは、炭化ケイ素の
コーティングを蒸着し、かつ入ロアを介してチューブ3
中に供給され、かつ出口8を介して排出される。入ロア
を介して供給されるガスは、少量の二酸化炭素を含む。
する。熱フィラメントと接触するガスは、炭化ケイ素の
コーティングを蒸着し、かつ入ロアを介してチューブ3
中に供給され、かつ出口8を介して排出される。入ロア
を介して供給されるガスは、少量の二酸化炭素を含む。
第1図は本発明の方法を実施する為に使用される装置の
説明図である。
説明図である。
Claims (5)
- (1)熱フィラメントと接触することにより,炭化ケイ
素のコーティングを蒸着するガス状雰囲気を含む蒸着室
において,フィラメントを加熱することから成るフィラ
メント上に炭化ケイ素コーティングを蒸着する方法にお
いて,蒸着室中の雰囲気が少量の二酸化炭素を含むこと
を特徴とする方法。 - (2)蒸着室中の雰囲気が,2容量%未満の二酸化炭素
を含む請求項1記載の方法。 - (3)蒸着室中の雰囲気が,少なくとも0.05容量%
の二酸化炭素を含む請求項2記載の方法。 - (4)炭化ケイ素が,タングステンフィラメント又は炭
素フィラメントの上に蒸着される請求項1〜3のいずれ
か1項に記載の方法。 - (5)蒸着室中のガス状雰囲気が,水素と共にハロゲン
アルキルシラン又はハロゲンアルキルシランの混合物か
ら成る請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB898910182A GB8910182D0 (en) | 1989-05-04 | 1989-05-04 | Process for depositing a silicon carbide coating on a filament |
GB8910182.8 | 1989-05-04 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036375A true JPH036375A (ja) | 1991-01-11 |
JP2966035B2 JP2966035B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=10656165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2110687A Expired - Fee Related JP2966035B2 (ja) | 1989-05-04 | 1990-04-27 | フィラメント上に炭化ケイ素コーティング蒸着方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
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EP (1) | EP0396333B1 (ja) |
JP (1) | JP2966035B2 (ja) |
DE (1) | DE69003731T2 (ja) |
GB (1) | GB8910182D0 (ja) |
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GB2462843B (en) | 2008-08-22 | 2013-03-20 | Tisics Ltd | Coated filaments and their manufacture |
CN102127753A (zh) * | 2011-02-17 | 2011-07-20 | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 | 一种直流电加热cvd法制备碳化硅纤维的装置和制备方法 |
CN111072396A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-04-28 | 山东理工大学 | 一种碳化硅膜连续碳纤维筒的制备方法 |
CN111099900A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-05-05 | 山东理工大学 | 一种碳化硅膜连续碳纤维束的制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3622369A (en) * | 1967-02-24 | 1971-11-23 | United Aircraft Corp | Process for forming stoichiometric silicon carbide coatings and filaments |
US3667100A (en) * | 1969-03-25 | 1972-06-06 | Thomson Houston Comp Francaise | Method of manufacturing composite wire products having a tungsten core and a magnetic covering |
US4315968A (en) * | 1980-02-06 | 1982-02-16 | Avco Corporation | Silicon coated silicon carbide filaments and method |
JPS58141377A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-22 | Seiko Epson Corp | プラズマコ−テイング法 |
JPS59106572A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 炭素繊維の表面処理方法 |
JPS62297467A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Fujitsu Ltd | 炭化ケイ素被膜形成方法 |
-
1989
- 1989-05-04 GB GB898910182A patent/GB8910182D0/en active Pending
-
1990
- 1990-04-25 US US07/514,781 patent/US5041305A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-26 EP EP90304543A patent/EP0396333B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-26 DE DE90304543T patent/DE69003731T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-27 JP JP2110687A patent/JP2966035B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2966035B2 (ja) | 1999-10-25 |
EP0396333A1 (en) | 1990-11-07 |
US5041305A (en) | 1991-08-20 |
DE69003731D1 (de) | 1993-11-11 |
EP0396333B1 (en) | 1993-10-06 |
GB8910182D0 (en) | 1989-06-21 |
DE69003731T2 (de) | 1994-02-17 |
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