JPH036367A - 真空蒸着器における蒸着基板加熱装置ならびにボートの支持構造 - Google Patents
真空蒸着器における蒸着基板加熱装置ならびにボートの支持構造Info
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- JPH036367A JPH036367A JP2099119A JP9911990A JPH036367A JP H036367 A JPH036367 A JP H036367A JP 2099119 A JP2099119 A JP 2099119A JP 9911990 A JP9911990 A JP 9911990A JP H036367 A JPH036367 A JP H036367A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蒸気圧が互いに異なる成分を有している薄膜
を利用する製品（例えば化合物半導体薄膜を応用する製
品）用の組成が均一な薄膜の製造に使用され、高真空と
なるように加熱きれ、半導体薄膜を蒸着させることがで
きる真空蒸着器に係リ、特に、蒸着基板加熱時に複数の
蒸着基板の位置の相違における温度偏差を減少ザること
ができるように基板ホルダの形状にＪ、り複数個のヒー
ラ−イングブロックを一定の距離Ｉを隔ててそれぞれ配
列するどともに、各ヒーディングブ［−）ツクの温度を
個別に制御して蒸着基板加熱時に温度偏差が発生しても
各ブロック別に供給電力を変化さＵて蒸着基板温度を簡
単に補正でさるようにした真空蒸着器におりる蒸着基板
加熱装置ど、ボー１へを、ボート自体の熱膨張を吸取り
−るための可動体に連結し、ボートの寿命を艮くするよ
うにした真空蒸着器にお【ノるボートの支持構造に関す
る。
を利用する製品（例えば化合物半導体薄膜を応用する製
品）用の組成が均一な薄膜の製造に使用され、高真空と
なるように加熱きれ、半導体薄膜を蒸着させることがで
きる真空蒸着器に係リ、特に、蒸着基板加熱時に複数の
蒸着基板の位置の相違における温度偏差を減少ザること
ができるように基板ホルダの形状にＪ、り複数個のヒー
ラ−イングブロックを一定の距離Ｉを隔ててそれぞれ配
列するどともに、各ヒーディングブ［−）ツクの温度を
個別に制御して蒸着基板加熱時に温度偏差が発生しても
各ブロック別に供給電力を変化さＵて蒸着基板温度を簡
単に補正でさるようにした真空蒸着器におりる蒸着基板
加熱装置ど、ボー１へを、ボート自体の熱膨張を吸取り
−るための可動体に連結し、ボートの寿命を艮くするよ
うにした真空蒸着器にお【ノるボートの支持構造に関す
る。
例えば、アンヂモン化インジウム（ｉｎｄｉｕｍａｎｔ
＋ｍｏｎｉｄｅ： Ｉ ｎ Ｓｂ ）のように蒸気圧（
ｖａｐｃｒｐｒｅｓｓｕｒｅ）が互いに異なり半導体と
しての１！１貿を有する金属間化合物を真空蒸着によっ
て薄膜に形成する場合、真空蒸着器のヂトンバの内部温
度と圧力とが大きな変数として作用することになるが、
真空中において圧力が一定に保持される場合、ヂヤンバ
内部の温度偏差にＪ：リアンチモン化インジウムのアン
チモンが直ちに再蒸着されることになり、基板ホルダに
装着された蒸着基板表面に蒸着される薄膜が均一になら
ないことになる。
＋ｍｏｎｉｄｅ： Ｉ ｎ Ｓｂ ）のように蒸気圧（
ｖａｐｃｒｐｒｅｓｓｕｒｅ）が互いに異なり半導体と
しての１！１貿を有する金属間化合物を真空蒸着によっ
て薄膜に形成する場合、真空蒸着器のヂトンバの内部温
度と圧力とが大きな変数として作用することになるが、
真空中において圧力が一定に保持される場合、ヂヤンバ
内部の温度偏差にＪ：リアンチモン化インジウムのアン
チモンが直ちに再蒸着されることになり、基板ホルダに
装着された蒸着基板表面に蒸着される薄膜が均一になら
ないことになる。
す４ｒわら、蒸着基板における温１良偏差が人ぎりれば
大きいほど、薄膜特性にｉｔ＞いて異方性が生じるので
加熱口、）に蒸る基板の温度偏差をできる限り減少さけ
ることが望ましい。
大きいほど、薄膜特性にｉｔ＞いて異方性が生じるので
加熱口、）に蒸る基板の温度偏差をできる限り減少さけ
ることが望ましい。
ところで、従来、蒸着器の蒸着基板を加熱する装置どし
て、第６図（Ａ＞に示ずにうに、ハロゲンランプ３１に
ｊ；り加熱り−る方法が多用されており、また、極めて
限定的ではあるが、第６図（Ｂ）に示すＪ：うに、Ｃ−
Ｇヒータ３２とハロゲンランプ３１により同ａ、’ｒに
加熱り−る方法がある。
て、第６図（Ａ＞に示ずにうに、ハロゲンランプ３１に
ｊ；り加熱り−る方法が多用されており、また、極めて
限定的ではあるが、第６図（Ｂ）に示すＪ：うに、Ｃ−
Ｇヒータ３２とハロゲンランプ３１により同ａ、’ｒに
加熱り−る方法がある。
しかしながら、第６図（Δ）の場合、ハ［Ｉグンランブ
３１より発散される光が基板ホルダ３３に装着された蒸
着基板３４に直接４１ム１銅される角度によって熱量の
差異が甚だしいばかりでなく、実質的に加熱を要する蒸
着基板３／ＩＪ、りもヂャンバ内部にお（プる熱の拡散
による熱の損失が大きくなり、基板ホルダ３３上にお（
プる蒸名′基板３／１の位置により調度偏差が大きく、
したがって、ヂャンバ内部の！８度を検出するザーモカ
ップ３５を一定の位置に置き、蒸着基板の温度を補正す
る際、Ｊ：↓準渇度の設定が非常に難しい。しかし、人
！＃？ｌＪ度が設定されても温度偏差が大きいため、蒸
着基板の温度の制御に問題が残っていＩζ。
３１より発散される光が基板ホルダ３３に装着された蒸
着基板３４に直接４１ム１銅される角度によって熱量の
差異が甚だしいばかりでなく、実質的に加熱を要する蒸
着基板３／ＩＪ、りもヂャンバ内部にお（プる熱の拡散
による熱の損失が大きくなり、基板ホルダ３３上にお（
プる蒸名′基板３／１の位置により調度偏差が大きく、
したがって、ヂャンバ内部の！８度を検出するザーモカ
ップ３５を一定の位置に置き、蒸着基板の温度を補正す
る際、Ｊ：↓準渇度の設定が非常に難しい。しかし、人
！＃？ｌＪ度が設定されても温度偏差が大きいため、蒸
着基板の温度の制御に問題が残っていＩζ。
一方、ハロゲンランプ３１どＣ−Ｇヒータ３２を並行使
用する第６図（Ｂ）のものにおいでは、複数のＣ−Ｇヒ
ータ３２等を基板ホルダ３３の直上方向に設りであるが
、蒸着基板３４を直接加熱する場合、Ｃ−Ｇヒータ３２
において放散される熱の分布を均一に反射させることが
できる熱放散装置がないので、ヒータ３２の直下部位と
ヒータ３２とヒータ３２との間におりる熱偏差が大きく
、実際には蒸着基板３／４を加熱しても熱ｒ：ｆ基板の
位置別の温度偏差が生じることになる。
用する第６図（Ｂ）のものにおいでは、複数のＣ−Ｇヒ
ータ３２等を基板ホルダ３３の直上方向に設りであるが
、蒸着基板３４を直接加熱する場合、Ｃ−Ｇヒータ３２
において放散される熱の分布を均一に反射させることが
できる熱放散装置がないので、ヒータ３２の直下部位と
ヒータ３２とヒータ３２との間におりる熱偏差が大きく
、実際には蒸着基板３／４を加熱しても熱ｒ：ｆ基板の
位置別の温度偏差が生じることになる。
このような状態における半導体薄膜を蒸着する場合蒸着
基板３４の各部位別の温度差が大ぎいので、薄膜特性に
おいて置方性が生じる場合が多かった。なお、第６図（
Ｃ）は第６図（Ｂ）の変形例を示り−ものであり、モリ
ブデン、タングステン、Ｃ−Ｇヒータ３２により加熱さ
れる各蒸着基板３４の背部の蒸着基板ホルダ３３にそれ
ぞれ間口３５を形成したものであるが、このような構成
によっても蒸着基板の位置により温度偏差が生じること
になる。
基板３４の各部位別の温度差が大ぎいので、薄膜特性に
おいて置方性が生じる場合が多かった。なお、第６図（
Ｃ）は第６図（Ｂ）の変形例を示り−ものであり、モリ
ブデン、タングステン、Ｃ−Ｇヒータ３２により加熱さ
れる各蒸着基板３４の背部の蒸着基板ホルダ３３にそれ
ぞれ間口３５を形成したものであるが、このような構成
によっても蒸着基板の位置により温度偏差が生じること
になる。
一方、蒸着する４Ａ斜を収納するボー１へは、従来、電
極側に直接連結した構造になっているので、セラミック
（Ｂｎ、Δ、ｆ１２０３）＋Ｍのボートの場合、ボート
の熱膨張を吸収できなくなり、これによってボートが歪
曲され、ボー１〜にクラック（ＣｒａＣｋ ）が発生し
、ボートの全部位にわたり、均一に加熱することが難し
くなっていた。
極側に直接連結した構造になっているので、セラミック
（Ｂｎ、Δ、ｆ１２０３）＋Ｍのボートの場合、ボート
の熱膨張を吸収できなくなり、これによってボートが歪
曲され、ボー１〜にクラック（ＣｒａＣｋ ）が発生し
、ボートの全部位にわたり、均一に加熱することが難し
くなっていた。
したがって、本発明の目的は、蒸着基板の温度偏差の調
整を簡単に行なうことができ、しかもクリーニング作業
を容易に行なうことができる真空蒸着器の熱着基板加熱
装置を提供ザることにある。
整を簡単に行なうことができ、しかもクリーニング作業
を容易に行なうことができる真空蒸着器の熱着基板加熱
装置を提供ザることにある。
また、本発明の他の目的は、ボー１への熱膨張を吸収す
るようにしたボー１〜の支持構造を提供することにある
。
るようにしたボー１〜の支持構造を提供することにある
。
〔課題を解決するための手段）
前述した目的を達成するため本発明に係る真空蒸着器の
蒸着基板加熱装置は、真空蒸着器内のＬ（板ボルタから
テーブルまでのηｊ間を囲繞し、分割配置され個別の温
１哀調節がＩ１１能となるにうに供給電力を自己制御し
ろる複数個のヒーティングブ１」ツタと、熱発散分布が
均一・どなるようにヒーティングブロックのヒータを被
覆しているセラミックシレーど、前記レラミックジ１７
−の両側に配設されている保護支持板と、基板ホルダ側
の保護支持板に着脱自在に張設した放熱伝導板とを右し
ている。
蒸着基板加熱装置は、真空蒸着器内のＬ（板ボルタから
テーブルまでのηｊ間を囲繞し、分割配置され個別の温
１哀調節がＩ１１能となるにうに供給電力を自己制御し
ろる複数個のヒーティングブ１」ツタと、熱発散分布が
均一・どなるようにヒーティングブロックのヒータを被
覆しているセラミックシレーど、前記レラミックジ１７
−の両側に配設されている保護支持板と、基板ホルダ側
の保護支持板に着脱自在に張設した放熱伝導板とを右し
ている。
また、本発明に係る真空蒸着器のボートの支持構造は、
１対の電極のそれぞれに移動案内部材を相互に対向する
ように支持構−るどともに、各移動案内部材に沿って可
動どされた可動体にボートの両端部を連結し、各可動体
と移動案内部月間に各移動体を相互に離間する方向に付
勢するばね部利た を介装しヤことを特徴としている。
１対の電極のそれぞれに移動案内部材を相互に対向する
ように支持構−るどともに、各移動案内部材に沿って可
動どされた可動体にボートの両端部を連結し、各可動体
と移動案内部月間に各移動体を相互に離間する方向に付
勢するばね部利た を介装しヤことを特徴としている。
前述した構成からなる本発明の蒸着基板加熱装置によれ
ば、複数個のヒーティングブロックは個別に温度調節す
ることができるので、基板ホルダにおける蒸着基板の位
置により温度偏差が発生しても温度偏差の調整を簡単に
行なうことができる。
ば、複数個のヒーティングブロックは個別に温度調節す
ることができるので、基板ホルダにおける蒸着基板の位
置により温度偏差が発生しても温度偏差の調整を簡単に
行なうことができる。
また、本発明の蒸着基板加熱装置は、着脱自在な放熱伝
導板を右しているので、この放熱伝導板を交換り−るこ
とにＪζζリフリーニング業を容易に行なうことができ
る。
導板を右しているので、この放熱伝導板を交換り−るこ
とにＪζζリフリーニング業を容易に行なうことができ
る。
一方、本発明のボー１〜の支持構造によれば、可動体の
移動ににす、ボー１への膨張おにび収縮を確実に吸収し
てボートの歪曲を防止することができる。
移動ににす、ボー１への膨張おにび収縮を確実に吸収し
てボートの歪曲を防止することができる。
以下、本発明を図面に示す実施例により説明する。
第１図は一般的な蒸着基板加熱装置の概略説明図であり
、真空蒸着器１のヂャンバＩａ（第２図）の上部にはモ
ータＭが装着されており、このモーりＭの回転軸には複
数の基板ホルダ２が懸架されている。各基板ホルダ２は
鎖体の斜面を示ずように傾斜配置されている。そして、
各基板ホルダ２の全体が回転した際の基板ホルダ２の接
線方向には、ラックを備えたガイドレール３が配設され
てａ）す、このガイドレール３には基板ホルダ２に設け
たギア２ｂが噛合されている。これににす、基板ホルダ
２が回転すると基板ホルダ２自体も自転することになる
。また、各基板ホルダ２にｔ；Ｉ：、それぞれ複数個の
四角孔２ａが形成されており、各四角孔２ａの外周縁に
はそれぞれ蒸着基板４が治具により取付けられでいる。
、真空蒸着器１のヂャンバＩａ（第２図）の上部にはモ
ータＭが装着されており、このモーりＭの回転軸には複
数の基板ホルダ２が懸架されている。各基板ホルダ２は
鎖体の斜面を示ずように傾斜配置されている。そして、
各基板ホルダ２の全体が回転した際の基板ホルダ２の接
線方向には、ラックを備えたガイドレール３が配設され
てａ）す、このガイドレール３には基板ホルダ２に設け
たギア２ｂが噛合されている。これににす、基板ホルダ
２が回転すると基板ホルダ２自体も自転することになる
。また、各基板ホルダ２にｔ；Ｉ：、それぞれ複数個の
四角孔２ａが形成されており、各四角孔２ａの外周縁に
はそれぞれ蒸着基板４が治具により取付けられでいる。
前記基板ホルダ２の下方には、円板状のテーブル５が配
設されており、このデープル５上には土向きに蒸着月料
を収納Ｊ−るための凹部６ａが形成されたボート６が支
持されている。このボー１へ６の凹部６ａ内に収納され
ている蒸希材斜たるアンヂモン化インジウムを、ボー１
−６に通電することにより加熱して酸化さけることによ
り、回転している基板ボルダ２に装着された各蒸着基板
４の表面に半導体膜を蒸着させることができる。
設されており、このデープル５上には土向きに蒸着月料
を収納Ｊ−るための凹部６ａが形成されたボート６が支
持されている。このボー１へ６の凹部６ａ内に収納され
ている蒸希材斜たるアンヂモン化インジウムを、ボー１
−６に通電することにより加熱して酸化さけることによ
り、回転している基板ボルダ２に装着された各蒸着基板
４の表面に半導体膜を蒸着させることができる。
第２図に示すように、基板ボルダ２からデープル５まで
の空間には、複数個に分割されたヒーティングブロック
７〜７ｅが配設されており、各ヒーティングブロックは
自己温度制御機能を有しており、基板ボルダ２に装着さ
れた蒸着基板４の温度偏差が検出されれば、対応するヒ
ーティングブロックはそれ自体の発熱温度を調節するよ
うになっている。また、各ヒーティングブロックは、そ
れ自体の形状調節が川面となるように配設されている。
の空間には、複数個に分割されたヒーティングブロック
７〜７ｅが配設されており、各ヒーティングブロックは
自己温度制御機能を有しており、基板ボルダ２に装着さ
れた蒸着基板４の温度偏差が検出されれば、対応するヒ
ーティングブロックはそれ自体の発熱温度を調節するよ
うになっている。また、各ヒーティングブロックは、そ
れ自体の形状調節が川面となるように配設されている。
このようなヒーティングブロックを詳細に説明する。
最上位に位置しているヒーティングブロック７は円ｔｆ
１台形の単一体として構成されており、ヒータ８が点線
のように螺旋円１１［形に設けられている。
１台形の単一体として構成されており、ヒータ８が点線
のように螺旋円１１［形に設けられている。
また、最上位のヒーティングブロック７の下方側には、
円錐台形を直径上において三等分されたほぼテーパ型ヒ
ーティングブロック７ａ、７ｂが配設されてａ３す、各
ヒーティングブロック７ａ。
円錐台形を直径上において三等分されたほぼテーパ型ヒ
ーティングブロック７ａ、７ｂが配設されてａ３す、各
ヒーティングブロック７ａ。
０
７ｂの一側はチャンバ１ａの側壁に通常の支持手段によ
り取付りられ、各ヒーティングブロック７ａ、７ｂの反
対側はチャンバのドアに取イ（１りられて基板ホルダ２
とわずかの距離を保持するようになっている。
り取付りられ、各ヒーティングブロック７ａ、７ｂの反
対側はチャンバのドアに取イ（１りられて基板ホルダ２
とわずかの距離を保持するようになっている。
さらに、前記ヒーティングブロック７ａ、７ｂの下方に
は、円筒形を直径上において線対称に二等分された半円
筒形ヒーティングブロック７ｃ。
は、円筒形を直径上において線対称に二等分された半円
筒形ヒーティングブロック７ｃ。
７ｄが配設されており、各ヒーティングブ［］ツク７ｃ
、７ｄの一側は、前述したヒーティングブロック７ａ、
７ｂと同様にチャンバ１ａの側壁に取付けられ、他方、
ヒーティングブロック７ｃ。
、７ｄの一側は、前述したヒーティングブロック７ａ、
７ｂと同様にチャンバ１ａの側壁に取付けられ、他方、
ヒーティングブロック７ｃ。
７ｄの反対側は、前）ボしたヒーティングブロック７ａ
、７ｂと同様にチャンバ１ａのドアに取付【ノられてい
るので、ドアを聞りることににす、日割１台形の半分に
相当するヒーティングブロック７ａど円筒形の半分に相
当するヒーティングブ［ｌツク７Ｃとがドアどともに開
放され、傾斜配置されている基板ホルダ２に対し蒸着基
板４を装着したり、あるいは離脱したりすることができ
るようになっている。
、７ｂと同様にチャンバ１ａのドアに取付【ノられてい
るので、ドアを聞りることににす、日割１台形の半分に
相当するヒーティングブロック７ａど円筒形の半分に相
当するヒーティングブ［ｌツク７Ｃとがドアどともに開
放され、傾斜配置されている基板ホルダ２に対し蒸着基
板４を装着したり、あるいは離脱したりすることができ
るようになっている。
また、各ヒーティングブロック７〜７ｄにより囲繞され
たチャンバ１ａの底部、すなわち前記テーブル５上にも
円板状のヒーティングブロック７Ｃが配設されでおり、
このヒーティングブロック７ｅには、アンチ七ン化イン
ジウムを酸化さけるボー１−６が一定の高さをｄ３いて
支持されている。
たチャンバ１ａの底部、すなわち前記テーブル５上にも
円板状のヒーティングブロック７Ｃが配設されでおり、
このヒーティングブロック７ｅには、アンチ七ン化イン
ジウムを酸化さけるボー１−６が一定の高さをｄ３いて
支持されている。
イＴお、最上位のヒーティングブロック７を除いた残り
のヒーティングブロック７８〜７ｅに内蔵されているヒ
ータ８ａ〜８ｅはそれぞれ千鳥状に配列されている。
のヒーティングブロック７８〜７ｅに内蔵されているヒ
ータ８ａ〜８ｅはそれぞれ千鳥状に配列されている。
また、萌記基板小ルダ２からテーブル５までを囲繞して
いるヒーティングブロック７〜７ｅに内蔵されているヒ
ータ８〜８ｅから発散される熱は外部に拡散されず、基
板ホルダ２に装着された各蒸着基板４に均一・に広がる
ようにして蒸着基板の温度偏差を極小化するにうになっ
ている。
いるヒーティングブロック７〜７ｅに内蔵されているヒ
ータ８〜８ｅから発散される熱は外部に拡散されず、基
板ホルダ２に装着された各蒸着基板４に均一・に広がる
ようにして蒸着基板の温度偏差を極小化するにうになっ
ている。
前記蒸着基板４の湿度偏差を根本的に改善するため本実
施例においては、萌記各ヒーティングブロック７・〜７
ｅに個別の供給電力を調節する制御１ 機能を与えるとともに、各ヒーティングブロック７〜７
ｅにそれぞれに対応り−る熱電対１２を有し、基板ホル
ダ２に装着されている複数の蒸着基板１の位置別の温度
を検出することにより、すべでの位置における蒸着基板
４の温度補正が可能どなる。
施例においては、萌記各ヒーティングブロック７・〜７
ｅに個別の供給電力を調節する制御１ 機能を与えるとともに、各ヒーティングブロック７〜７
ｅにそれぞれに対応り−る熱電対１２を有し、基板ホル
ダ２に装着されている複数の蒸着基板１の位置別の温度
を検出することにより、すべでの位置における蒸着基板
４の温度補正が可能どなる。
仮りにヒーティングブロック７〜７ｅと基板ホルダ２と
の間の間隔りを１００ｍｍ±２ ｍｍとし、蒸着基板４
の設定温度を３８０’Ｃにする場合、蒸着中、ヒートレ
ベル（ｈｅａｔ １ｅｖｅｌ）等の理由により各蒸着基
板４において位置別の温度偏差が発生覆れば、基板ホル
ダ２に装着された熱６−基板４の位置別の温度を対応す
る熱雷対１２にＪ、り検出し−Ｃ１その温度に相当する
ようにヒーティングブロック７〜７ｅの供給ミノＪを変
化さμｍることにより、要求される蒸着基板４の温度偏
差を３８０℃±１℃程度までに減少させることができる
。
の間の間隔りを１００ｍｍ±２ ｍｍとし、蒸着基板４
の設定温度を３８０’Ｃにする場合、蒸着中、ヒートレ
ベル（ｈｅａｔ １ｅｖｅｌ）等の理由により各蒸着基
板４において位置別の温度偏差が発生覆れば、基板ホル
ダ２に装着された熱６−基板４の位置別の温度を対応す
る熱雷対１２にＪ、り検出し−Ｃ１その温度に相当する
ようにヒーティングブロック７〜７ｅの供給ミノＪを変
化さμｍることにより、要求される蒸着基板４の温度偏
差を３８０℃±１℃程度までに減少させることができる
。
第４図に前記のヒーティングブロック７ ヘア ｅの構
造の詳細が示されている。
造の詳細が示されている。
各ヒーティングブロック７〜７ｃは、線状を示Ｊ−モリ
ブデン、タングステン、Ｃ−Ｇヒータ８−・２ ８ｅの外周を円形のセラミックジャー９により被覆し、
各セラミックジャ−９の両側に配設した熱伝導性を右す
る保護支持板１０，１０８によりサンドイッヂ構造どし
てポル１〜およびナツトにより固定してなり、ヒーティ
ングブロック８〜８ｅの発熱にＪ、ってレラミックジレ
−９を徐々に加熱し、このセラミックジャー９の熱を伝
導性保護支持板１０．１０ａに熱伝導さぼるようになっ
ている。
ブデン、タングステン、Ｃ−Ｇヒータ８−・２ ８ｅの外周を円形のセラミックジャー９により被覆し、
各セラミックジャ−９の両側に配設した熱伝導性を右す
る保護支持板１０，１０８によりサンドイッヂ構造どし
てポル１〜およびナツトにより固定してなり、ヒーティ
ングブロック８〜８ｅの発熱にＪ、ってレラミックジレ
−９を徐々に加熱し、このセラミックジャー９の熱を伝
導性保護支持板１０．１０ａに熱伝導さぼるようになっ
ている。
また、基板ホルダ２の近傍の熱伝導性を有する保護支持
板１０．１０ａの外側にはモリブテンシートからなる放
熱伝導板１１が着脱自在に張設されてＪ３す、この放熱
伝導板１１を介して蒸着基板４を加熱させることになる
。
板１０．１０ａの外側にはモリブテンシートからなる放
熱伝導板１１が着脱自在に張設されてＪ３す、この放熱
伝導板１１を介して蒸着基板４を加熱させることになる
。
前述したように、ヒータ配列間隔による温度偏差をなく
すように、ヒータより発熱される熱が金属製の各部材の
熱伝導によりヒーティングブロック仝体が均等に加熱さ
れた状態において蒸着基板４に到達するので、蒸着基板
４の温度を均一に保持することができる。
すように、ヒータより発熱される熱が金属製の各部材の
熱伝導によりヒーティングブロック仝体が均等に加熱さ
れた状態において蒸着基板４に到達するので、蒸着基板
４の温度を均一に保持することができる。
また、ヒーティングブロック７〜７ｅに囲繞さ ３
Ａ
れた内部において蒸着基板４に対づる薄膜の熱性がなさ
れるが、蒸着しようとする蒸着材ＩＩが基板ボルダ２側
の放熱伝導板１１にイ」着しても、ヒティングブロック
７〜７ｅに取付ｔノだ前記放熱伝導板１１を簡単に取外
して交換りることにより、放熱伝導板１１のクリーニン
グ作業を容易に実施することができる。
れるが、蒸着しようとする蒸着材ＩＩが基板ボルダ２側
の放熱伝導板１１にイ」着しても、ヒティングブロック
７〜７ｅに取付ｔノだ前記放熱伝導板１１を簡単に取外
して交換りることにより、放熱伝導板１１のクリーニン
グ作業を容易に実施することができる。
第５図は本発明に係るボート６の支持構造を示すもので
あり、長手方向の中火部に蒸着材料収納用の凹部６ａが
形成されているボー１−〇の両端は導電性材料からなる
支持ポル１−１３．１３’ により同じく導電性材料か
らなる固定ブロック１３ａ。
あり、長手方向の中火部に蒸着材料収納用の凹部６ａが
形成されているボー１−〇の両端は導電性材料からなる
支持ポル１−１３．１３’ により同じく導電性材料か
らなる固定ブロック１３ａ。
１３ａ′に固定されている。一方、円柱状に形成されて
いる各型［１４，１／Ｉ’ には、上下から１対の電極
支持プレート１５，１５． １５’１５′により挟持さ
れるＪ：うにして導電性４，１１３１からなる移動案内
板１６．１６’ が支持されでａ３す、両移動案内板１
６．１６’ は、長手方向が合致し、かつ両者が対向す
るように位置決めされている。
いる各型［１４，１／Ｉ’ には、上下から１対の電極
支持プレート１５，１５． １５’１５′により挟持さ
れるＪ：うにして導電性４，１１３１からなる移動案内
板１６．１６’ が支持されでａ３す、両移動案内板１
６．１６’ は、長手方向が合致し、かつ両者が対向す
るように位置決めされている。
各移動案内板１６．１６’の上面には、その長手方向に
延在する長溝１６ａ、１６ａ’が形成されている。
延在する長溝１６ａ、１６ａ’が形成されている。
前記各固定ブロック１３ ａ 、 １３ ａ ｒ の下
面には前記移動案内板１６ａ、１６ｃｌ）’の側面に沿
って転勤しうる導電性材料からなる複数の車輪２０゜２
０．２０’ ２０’が支持されており、固定ブロック
１３ａ、１３ａ’ は、長溝１６８，１６ａ’に沿って
相互に接離しうる方向に移動可能とされている。また、
ｎＩｔ記固足固定ブロック１３ａ３８′士には支持ピン
１８．１８’ が立設されており、他方、前記電極１／
１．１４’の近傍の前記長）青１６ａ、１６ａ’内には
支持ピン１９．１９’が立設されている。そして、両支
持ピン１８゜１９：１８’ 、１９’間には、固定ブ［
Ｊツク１３ａ、１３ａ’を支持ピン１９．１９’方向に
引張るためのコイルばね１７，１７’が介装されている
。
面には前記移動案内板１６ａ、１６ｃｌ）’の側面に沿
って転勤しうる導電性材料からなる複数の車輪２０゜２
０．２０’ ２０’が支持されており、固定ブロック
１３ａ、１３ａ’ は、長溝１６８，１６ａ’に沿って
相互に接離しうる方向に移動可能とされている。また、
ｎＩｔ記固足固定ブロック１３ａ３８′士には支持ピン
１８．１８’ が立設されており、他方、前記電極１／
１．１４’の近傍の前記長）青１６ａ、１６ａ’内には
支持ピン１９．１９’が立設されている。そして、両支
持ピン１８゜１９：１８’ 、１９’間には、固定ブ［
Ｊツク１３ａ、１３ａ’を支持ピン１９．１９’方向に
引張るためのコイルばね１７，１７’が介装されている
。
どころで、蒸着基板４ヘボー１−６の四部６ａ内の蒸着
材料をＭ着す−るにはボート６に通電してボ１−〇を加
熱しな（〕ればならないが、ボー１−〇は、５ 加熱によりその温度が上がするに従って次第に熱膨張す
ることになる。ところが、本実施例によれば熱膨張によ
りボー１−６の長さが伸びるようになると、ボート６は
可動な固定ブロック１３８゜１３ａ′に支持されている
ので、ボート６の膨張は、固定ブロックｉ３ａおよび固
定ブロック１３ａ′が長溝１６８，１６ａ′に冶−Ｊ
１１１間りる方向に移動することにより吸収される。
材料をＭ着す−るにはボート６に通電してボ１−〇を加
熱しな（〕ればならないが、ボー１−〇は、５ 加熱によりその温度が上がするに従って次第に熱膨張す
ることになる。ところが、本実施例によれば熱膨張によ
りボー１−６の長さが伸びるようになると、ボート６は
可動な固定ブロック１３８゜１３ａ′に支持されている
ので、ボート６の膨張は、固定ブロックｉ３ａおよび固
定ブロック１３ａ′が長溝１６８，１６ａ′に冶−Ｊ
１１１間りる方向に移動することにより吸収される。
また、膨張されたボート６が収縮する場合、その収縮は
、固定ブロック１３ａおよび１３８′が相互に近接する
方向に移動することにより吸収される。
、固定ブロック１３ａおよび１３８′が相互に近接する
方向に移動することにより吸収される。
なお、ボート６が加熱される場合、両コイルばね１７，
１７’ のばねノｊが均衡しているので、ボー１−〇が
膨張しても凹部６ａはほぼ同一の位置に留まることがで
き、この結果、蒸着基板に蒸着を均一に行なうことがで
きる。
１７’ のばねノｊが均衡しているので、ボー１−〇が
膨張しても凹部６ａはほぼ同一の位置に留まることがで
き、この結果、蒸着基板に蒸着を均一に行なうことがで
きる。
以上説明したように本発明の真空蒸着器の蒸着基板加熱
装置は、真空蒸着器の基板ホルダからデ Ｇ −プルまでの空間に一定の距離を隔ててヒーティングブ
ロックを分割配置し、各ヒーティングブロックが段定渦
度以下もしくはそれ以上になるど、この温度を検出して
各ヒーティングブロック自体の温度を個別に自己制御す
ることにより、蒸着基板の温度偏差を簡単に調整するこ
とができるし、また基板ホルダ側の保護支持板に放熱伝
導板を着脱自在に張設したので、放熱伝導板を交換づる
ことにＪこりクリーニング作業が簡略化されるという効
果を奏づる。
装置は、真空蒸着器の基板ホルダからデ Ｇ −プルまでの空間に一定の距離を隔ててヒーティングブ
ロックを分割配置し、各ヒーティングブロックが段定渦
度以下もしくはそれ以上になるど、この温度を検出して
各ヒーティングブロック自体の温度を個別に自己制御す
ることにより、蒸着基板の温度偏差を簡単に調整するこ
とができるし、また基板ホルダ側の保護支持板に放熱伝
導板を着脱自在に張設したので、放熱伝導板を交換づる
ことにＪこりクリーニング作業が簡略化されるという効
果を奏づる。
まｌＣ１本発明のボートの支持構造にＪ：れば、ボート
の両ｑ１：部がそれぞれ可動体に固定され、各可動体は
それぞればね部材により相互に離間する方向に（＝Ｊ勢
されているので、ボートの熱膨張は可動体の移動により
吸収されることになり、ボー１−にクラック等が発生り
−ることがなく、ボートの寿命を艮くすることができる
。
の両ｑ１：部がそれぞれ可動体に固定され、各可動体は
それぞればね部材により相互に離間する方向に（＝Ｊ勢
されているので、ボートの熱膨張は可動体の移動により
吸収されることになり、ボー１−にクラック等が発生り
−ることがなく、ボートの寿命を艮くすることができる
。
第１図は一般的な蒸着基板４ヘボーの概略説明 ７
８
図、第２図は本発明によるヒーティングブ［１ツクの例
示図、第３図は本発明の加熱装ｄを設りた状態の側断面
図、第４図は本発明のヒーティングブロックの構造を示
す断面図、第５図は本発明のボー１〜の支持構造を示す
斜視図、第６図Δ、Ｂ、Ｃはそれぞれ従来の蒸着基板加
熱装置の概略ｄ１明図であり、第６図Ａはハ］コゲンラ
ンブを利用した加熱装置、第６図Ｂはハ］」グンシンブ
並びにＣ−Ｇヒータを兼用した加熱装置、第６図Ｃは七
リブフン、タングステン、Ｃ−Ｇヒータを利用した他の
従来例を示Ｊ゛。 １・・・真空蒸着器、２・・・基板ホルダ、３・・・カ
イトレール、４・・・蒸着基板、５・・・テーブル、６
・・・ボ１〜．７・−７０・・・ヒーティングブロック
、８・・・ヒタ、９・・・セラミツクジＶ！−１０，１
０８・・・保護支持板、１１・・・放熱伝導板、１２・
・・熱電対、１３ａ、１３ａ’−・・固定ブ［１ツク、
１／１．１４’−・・電極、１６．１６’・・・移動案
内板、１７．１７’・・・コイルばね。 ９ ７−′
示図、第３図は本発明の加熱装ｄを設りた状態の側断面
図、第４図は本発明のヒーティングブロックの構造を示
す断面図、第５図は本発明のボー１〜の支持構造を示す
斜視図、第６図Δ、Ｂ、Ｃはそれぞれ従来の蒸着基板加
熱装置の概略ｄ１明図であり、第６図Ａはハ］コゲンラ
ンブを利用した加熱装置、第６図Ｂはハ］」グンシンブ
並びにＣ−Ｇヒータを兼用した加熱装置、第６図Ｃは七
リブフン、タングステン、Ｃ−Ｇヒータを利用した他の
従来例を示Ｊ゛。 １・・・真空蒸着器、２・・・基板ホルダ、３・・・カ
イトレール、４・・・蒸着基板、５・・・テーブル、６
・・・ボ１〜．７・−７０・・・ヒーティングブロック
、８・・・ヒタ、９・・・セラミツクジＶ！−１０，１
０８・・・保護支持板、１１・・・放熱伝導板、１２・
・・熱電対、１３ａ、１３ａ’−・・固定ブ［１ツク、
１／１．１４’−・・電極、１６．１６’・・・移動案
内板、１７．１７’・・・コイルばね。 ９ ７−′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空蒸着器内の基板ホルダからテーブルまでの空間
を囲繞し、分割配置され個別の温度調節が可能となるよ
うに供給電力を自己制御しうる複数個のヒーティングブ
ロックと、 熱発散分布が均一となるようにヒーティングブロックの
ヒータを被覆しているセラミツクジヤーと、 前記セラミックジャーの両側に配設されている保護支持
板と、 基板ホルダ側の保護支持板に着脱自在に張設した放熱伝
導板と、 を有する真空蒸着器における蒸着基板加熱装置。 ２）前記ヒーティングブロックは、最上位に位置する単
一体の円錐形のものと、この下方に位置しそれぞれと二
等分された円錐台形および円筒形のものと、テーブル上
に位置する円板状のものとにより構成されている請求項
第１項記載の真空蒸着器における蒸着基板加熱装置。 ３）１対の電極のそれぞれに移動案内部材を相互に対向
するように支持するとともに、各移動案内部材に沿って
可動とされた可動体にボートの両端部を連結し、各可動
体と移動案内部材間に各移動体を相互に離間する方向に
付勢するばね部材を介装したことを特徴とする真空蒸着
器におけるボートへの支持構造。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890004940A KR920010061B1 (ko) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 진공증착기의 증착기판 가열장치 |
| KR4940 | 1989-11-25 | ||
| KR890017567 | 1989-11-25 | ||
| KR17567 | 1989-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036367A true JPH036367A (ja) | 1991-01-11 |
| JPH0814020B2 JPH0814020B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=26628006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2099119A Expired - Lifetime JPH0814020B2 (ja) | 1989-04-14 | 1990-04-14 | 真空蒸着器における蒸着基板加熱装置ならびにボートの支持構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5133286A (ja) |
| JP (1) | JPH0814020B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850089A (en) * | 1992-03-13 | 1998-12-15 | American Research Corporation Of Virginia | Modulated-structure of PZT/PT ferroelectric thin films for non-volatile random access memories |
| US5279671A (en) * | 1992-06-16 | 1994-01-18 | Iwao Hosokawa | Thermal vapor deposition apparatus |
| US5253324A (en) * | 1992-09-29 | 1993-10-12 | North Carolina State University | Conical rapid thermal processing apparatus |
| JPH0885868A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-04-02 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5595241A (en) * | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| FR2733253B1 (fr) * | 1995-04-24 | 1997-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface |
| US5518548A (en) * | 1995-08-03 | 1996-05-21 | Honeywell Inc. | Deposition barrier |
| US6014082A (en) * | 1997-10-03 | 2000-01-11 | Sony Corporation | Temperature monitoring and calibration system for control of a heated CVD chuck |
| CA2425838A1 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Ronald J. Mosso | Coating formation by reactive deposition |
| JP4509433B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2010-07-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US7166168B1 (en) | 2002-10-18 | 2007-01-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Substrate-coating system and an associated substrate-heating method |
| JP4430506B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2010-03-10 | 三菱電機株式会社 | 蒸着装置 |
| US20130287947A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Areesys Corporation | Inverted Evaporation Apparatus |
| JP6019310B1 (ja) * | 2015-04-16 | 2016-11-02 | ナルックス株式会社 | 蒸着装置及び蒸着装置による成膜工程を含む製造方法 |
| CN106947945A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-07-14 | 成都西沃克真空科技有限公司 | 一种阻蒸器用防震式多位阻蒸台 |
| CN108239752A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-07-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL287577A (ja) * | 1962-01-16 | |||
| US3281517A (en) * | 1963-11-19 | 1966-10-25 | Melpar Inc | Vacuum furnace |
| CH626407A5 (ja) * | 1977-07-08 | 1981-11-13 | Balzers Hochvakuum |
-
1990
- 1990-04-13 US US07/511,436 patent/US5133286A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-14 JP JP2099119A patent/JPH0814020B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5133286A (en) | 1992-07-28 |
| JPH0814020B2 (ja) | 1996-02-14 |
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