JPH0363218B2 - - Google Patents
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- JPH0363218B2 JPH0363218B2 JP58050595A JP5059583A JPH0363218B2 JP H0363218 B2 JPH0363218 B2 JP H0363218B2 JP 58050595 A JP58050595 A JP 58050595A JP 5059583 A JP5059583 A JP 5059583A JP H0363218 B2 JPH0363218 B2 JP H0363218B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、加工片保持装置に関し、詳言すれ
ば、加工片の下方に直接配置された開口を有する
支持プレートを備え、前記開口が真空発生用手段
と接続している加工片、とくに半導体ウエーハの
保持装置に関するものである。
ば、加工片の下方に直接配置された開口を有する
支持プレートを備え、前記開口が真空発生用手段
と接続している加工片、とくに半導体ウエーハの
保持装置に関するものである。
かかる装置はマスクのプロジエクシヨンコピー
に際してウエーハと共に利用され、かつ厳密に言
えばウエーハ上に塗布されたフオトラツクに対す
る本来の露光に際してのみならず、場合によつて
設けられるプレポジシヨン装置（プレアラインメ
ントステーシヨン）においても利用される。
に際してウエーハと共に利用され、かつ厳密に言
えばウエーハ上に塗布されたフオトラツクに対す
る本来の露光に際してのみならず、場合によつて
設けられるプレポジシヨン装置（プレアラインメ
ントステーシヨン）においても利用される。
良く知られているようにフオトリソグラフイツ
ク製造に際してシリコン基盤は感光ラツクで覆わ
れかつ感光層はマスクから写し出される転写パタ
ーンがその表面に一定時間露光される。この過程
は一般に繰り返して連続的に同一位置において行
なわれる。この繰り返しおよび連続的な露光操作
はウエーハの膨脹または収縮を伴いマスク像の拡
大または縮小の変化を生じるので、ウエーハの温
度を正確に制御することが不可欠な要素となる。
ク製造に際してシリコン基盤は感光ラツクで覆わ
れかつ感光層はマスクから写し出される転写パタ
ーンがその表面に一定時間露光される。この過程
は一般に繰り返して連続的に同一位置において行
なわれる。この繰り返しおよび連続的な露光操作
はウエーハの膨脹または収縮を伴いマスク像の拡
大または縮小の変化を生じるので、ウエーハの温
度を正確に制御することが不可欠な要素となる。
ウエーハの温度の正確な制御がリソグラフ製造
に際して必須条件であることは公知であるけれど
も、これまではこれに対して適用される手段は不
十分であつた。そのような意図から、温度差をウ
エーハ用位置決め装置全体に亘つて出来るだけ小
さく保持しかつこの均一な温度を例えば冷却また
は加熱空気の吹込みによつて制御する方法が提案
されてきた。かかるシステムは発生する温度変化
に対して迅速に対応することがむずかしく、か
つ、とくにウエーハ温度のみに対応した制御は行
なえないものである。
に際して必須条件であることは公知であるけれど
も、これまではこれに対して適用される手段は不
十分であつた。そのような意図から、温度差をウ
エーハ用位置決め装置全体に亘つて出来るだけ小
さく保持しかつこの均一な温度を例えば冷却また
は加熱空気の吹込みによつて制御する方法が提案
されてきた。かかるシステムは発生する温度変化
に対して迅速に対応することがむずかしく、か
つ、とくにウエーハ温度のみに対応した制御は行
なえないものである。
本発明の目的は、それに対して、ウエーハそれ
自体の迅速な加熱または冷却を可能にし、それに
より位置決めユニツトの他の部分の加熱または冷
却が僅かな範囲において生ずるようになる装置を
提供することにある。
自体の迅速な加熱または冷却を可能にし、それに
より位置決めユニツトの他の部分の加熱または冷
却が僅かな範囲において生ずるようになる装置を
提供することにある。
本発明の他の目的は、ウエーハの加熱または冷
却によつて生ずる装置の熱不平衡を付加的に熱を
循環することによつて除去することにある。
却によつて生ずる装置の熱不平衡を付加的に熱を
循環することによつて除去することにある。
本発明の特別な目的は、マスクの、レンズ系の
またはウエーハのおよびマスクを支持するフレー
ムの加熱または冷却によつて生ずる投影率の拡大
或いは縮小変化を補償すべく、ウエーハの温度の
迅速な変化に対応するユニツト全体に亘る熱平衡
を得ることにある。
またはウエーハのおよびマスクを支持するフレー
ムの加熱または冷却によつて生ずる投影率の拡大
或いは縮小変化を補償すべく、ウエーハの温度の
迅速な変化に対応するユニツト全体に亘る熱平衡
を得ることにある。
これらのおよび他の目的は、本発明によれば、
支持プレートの下側に加熱および冷却用手段が直
列接続のペルチエ素子の形で設けられることによ
つて達成される。
支持プレートの下側に加熱および冷却用手段が直
列接続のペルチエ素子の形で設けられることによ
つて達成される。
ペルチエ素子は流される電流の方向を変えるこ
とによつて局部的な加熱および冷却状態が発生す
ることは良く知られかつそれゆえ詳述はしない。
そのようなペルチエ素子を支持プレートの加熱或
いは冷却に利用するために、直列に接続された複
数個の該素子を前記支持プレートの下側に配設さ
れた上側および下側がその都度均一に加熱または
冷却されるブロツク内に配置されねばならない。
この複数個の直列接続されたペルチエ素子のブロ
ツク内への配置のため好ましくはフレームが使用
され、このフレーム内で複数のペルチエ素子から
形成され前記ブロツクは、かかるフレームが支持
プレートおよび該支持プレートを支持する基盤と
の間に中間プレートとして介装され且つ固着され
ている。とくに加熱および冷却ユニツトによつて
上側と同じ程度で発生する下側の温度、即わち余
剰熱の排出のために、または恒常的或いは一時的
な熱供給の目的のために、基板は内部に熱媒体、
例えば水が送通されることができる通路システム
を備えている。
とによつて局部的な加熱および冷却状態が発生す
ることは良く知られかつそれゆえ詳述はしない。
そのようなペルチエ素子を支持プレートの加熱或
いは冷却に利用するために、直列に接続された複
数個の該素子を前記支持プレートの下側に配設さ
れた上側および下側がその都度均一に加熱または
冷却されるブロツク内に配置されねばならない。
この複数個の直列接続されたペルチエ素子のブロ
ツク内への配置のため好ましくはフレームが使用
され、このフレーム内で複数のペルチエ素子から
形成され前記ブロツクは、かかるフレームが支持
プレートおよび該支持プレートを支持する基盤と
の間に中間プレートとして介装され且つ固着され
ている。とくに加熱および冷却ユニツトによつて
上側と同じ程度で発生する下側の温度、即わち余
剰熱の排出のために、または恒常的或いは一時的
な熱供給の目的のために、基板は内部に熱媒体、
例えば水が送通されることができる通路システム
を備えている。
本発明の装置によれば、支持プレート内に配置
された測定感知器によつて管理されるウエーハの
温度は、ペルチエ素子を流れる電流の方向および
強さが調整されるので、該素子の温度を迅速に上
昇および降下させることができる。それゆえウエ
ーハの温度は、投射システムの温度変化に基づく
投影倍率の変化を補償するように、適宜変化させ
ることが可能である。
された測定感知器によつて管理されるウエーハの
温度は、ペルチエ素子を流れる電流の方向および
強さが調整されるので、該素子の温度を迅速に上
昇および降下させることができる。それゆえウエ
ーハの温度は、投射システムの温度変化に基づく
投影倍率の変化を補償するように、適宜変化させ
ることが可能である。
以下本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は支持プレート２上のウエーハ１を示
し、支持プレート２はハウジングに対して中心軸
線Ｘ−Ｘを中心に回転可能な軸５に取り付けてあ
る。キヤリツジ６および７はウエーハの水平方向
への運動を夫々許容する。
し、支持プレート２はハウジングに対して中心軸
線Ｘ−Ｘを中心に回転可能な軸５に取り付けてあ
る。キヤリツジ６および７はウエーハの水平方向
への運動を夫々許容する。
このような配置は、例えばウエーハがフオトリ
ソグラフ装置の本来の露光位置に持ち来たされる
前に、ウエーハを予め位置決めするのに利用され
る。またこのウエーハに対する露光工程において
該ウエーハの温度が上昇するので何らかの方法に
より該温度上昇を出来る限り少なく抑える必要が
生じるので、ウエーハ１の正確な温度制御が既に
考えられている。さらにまた、温度の変化に伴う
移動を補償するべくウエーハ１上に設けられた位
置決めマークを用いた光学的方法で予め位置決め
することが既に行なわれている。
ソグラフ装置の本来の露光位置に持ち来たされる
前に、ウエーハを予め位置決めするのに利用され
る。またこのウエーハに対する露光工程において
該ウエーハの温度が上昇するので何らかの方法に
より該温度上昇を出来る限り少なく抑える必要が
生じるので、ウエーハ１の正確な温度制御が既に
考えられている。さらにまた、温度の変化に伴う
移動を補償するべくウエーハ１上に設けられた位
置決めマークを用いた光学的方法で予め位置決め
することが既に行なわれている。
ウエーハ１の温度を制御するために、支持プレ
ート２の下方には該支持プレート２の加熱および
冷却用手段を含む中間プレート３が存する。該中
間プレート３の下方に配置された基板４は中間プ
レート３および支持プレート２を支持しかつ余剰
熱排出用手段を含んでいる。
ート２の下方には該支持プレート２の加熱および
冷却用手段を含む中間プレート３が存する。該中
間プレート３の下方に配置された基板４は中間プ
レート３および支持プレート２を支持しかつ余剰
熱排出用手段を含んでいる。
ウエーハ１用の支持装置の構造は第２図ないし
第７図に詳しく示してある。とくに第３図および
第４図に示すごとく、支持プレート２の上側には
排気開口８があり、該排気開口８は支持プレート
２の内部に設けられた通路９と接続されている。
これらの通路内には中間プレート３を貫通し基板
４に穿設された通路１１に至る孔１０および前記
通路１１を通つて更に前記軸５を軸方向に貫通す
る空気導管１２によつて排気されるとすぐに負圧
（真空）が作用する。前記通路９に連通し且つ前
記軸５を前記空気導管１２と平行に貫通する真空
測定導管１３を介して制御可能であるこの負圧は
公知の方法においてウエーハ１を吸着させるため
支持プレート２の上側に通じている前記排気開口
８を介して該ウエーハ１の裏面に作用する。その
時々の温度を測定感知するために支持プレート２
はその中に止めネジ１５によつて密閉される温度
感知器１４が存する。該温度感知器１４から信号
線１６が軸５内のケーブル通路１７，２３，２４
を通つて外方に通じている。温度感知器の場合に
例えばミニチユアPt−100測定抵抗が用いられ
る。これは高い絶対精度、良好な分析（レゾリユ
ーシヨン）および良好な再生性を特徴としてい
る。
第７図に詳しく示してある。とくに第３図および
第４図に示すごとく、支持プレート２の上側には
排気開口８があり、該排気開口８は支持プレート
２の内部に設けられた通路９と接続されている。
これらの通路内には中間プレート３を貫通し基板
４に穿設された通路１１に至る孔１０および前記
通路１１を通つて更に前記軸５を軸方向に貫通す
る空気導管１２によつて排気されるとすぐに負圧
（真空）が作用する。前記通路９に連通し且つ前
記軸５を前記空気導管１２と平行に貫通する真空
測定導管１３を介して制御可能であるこの負圧は
公知の方法においてウエーハ１を吸着させるため
支持プレート２の上側に通じている前記排気開口
８を介して該ウエーハ１の裏面に作用する。その
時々の温度を測定感知するために支持プレート２
はその中に止めネジ１５によつて密閉される温度
感知器１４が存する。該温度感知器１４から信号
線１６が軸５内のケーブル通路１７，２３，２４
を通つて外方に通じている。温度感知器の場合に
例えばミニチユアPt−100測定抵抗が用いられ
る。これは高い絶対精度、良好な分析（レゾリユ
ーシヨン）および良好な再生性を特徴としてい
る。
図示装置における本発明の本質は第５図にとく
に下方に描かれた加熱および冷却装置にある。こ
れはブロツク１９内にマトリツクス状に配置され
たペルチエ素子（Peltier Element）２０によつ
て形成され、該ペルチエ素子２０は直列に電気的
に接続されかつ導電体２１および２２を介して電
流および電圧が供給および印加される。この電圧
の極性に応じてブロツク１９の上側が冷却されそ
して下側が加熱され或いは逆転される。代表的な
電気的駆動値は3Aおよび4Vである。ブロツク１
９はフレーム１８内に把持され、該フレーム１８
はブロツク１９とともに中間プレート３を形成す
る。このフレーム１８は、とくに、ブロツク１９
を損傷することなく、支持プレート２および基板
４の正確な機械的固着を可能にすることを目的と
している。他方においてフレーム１８は支持プレ
ート２と基板４との間に出来るだけ小さな接触面
積において熱的ブリツジを構成するだけでよい。
それゆえ支持プレート２と基板４との間において
狭いフランジ２６の形で突き合せになつている。
クリヤランス２５はフレーム１８を貫通して信号
線１６の挿通を可能にしている。
に下方に描かれた加熱および冷却装置にある。こ
れはブロツク１９内にマトリツクス状に配置され
たペルチエ素子（Peltier Element）２０によつ
て形成され、該ペルチエ素子２０は直列に電気的
に接続されかつ導電体２１および２２を介して電
流および電圧が供給および印加される。この電圧
の極性に応じてブロツク１９の上側が冷却されそ
して下側が加熱され或いは逆転される。代表的な
電気的駆動値は3Aおよび4Vである。ブロツク１
９はフレーム１８内に把持され、該フレーム１８
はブロツク１９とともに中間プレート３を形成す
る。このフレーム１８は、とくに、ブロツク１９
を損傷することなく、支持プレート２および基板
４の正確な機械的固着を可能にすることを目的と
している。他方においてフレーム１８は支持プレ
ート２と基板４との間に出来るだけ小さな接触面
積において熱的ブリツジを構成するだけでよい。
それゆえ支持プレート２と基板４との間において
狭いフランジ２６の形で突き合せになつている。
クリヤランス２５はフレーム１８を貫通して信号
線１６の挿通を可能にしている。
第６図に半径方向断面で示した基板４は前記中
間プレート３の温度制御だけでなく、該中間プレ
ートの余剰熱を排出するような課題をも有してい
る。この目的のために、基板４は内部に循環通路
から成る液体導管２７が刻設され、該導管は熱媒
体、例えば水が供給管２８および排出管２９を介
して送通される。基板４のクリヤランス３０は軸
５内に延びるケーブル通路２３および２４への導
電体２１および２２の導入を許容する。
間プレート３の温度制御だけでなく、該中間プレ
ートの余剰熱を排出するような課題をも有してい
る。この目的のために、基板４は内部に循環通路
から成る液体導管２７が刻設され、該導管は熱媒
体、例えば水が供給管２８および排出管２９を介
して送通される。基板４のクリヤランス３０は軸
５内に延びるケーブル通路２３および２４への導
電体２１および２２の導入を許容する。
支持プレート２、中間プレート３および基板４
を正確に合体することができるように、フレーム
１８を支持プレート２と接続するネジ３１が設け
られる。この接続がなされると、ウエーハの把持
面は平らに形成されかつさらに他の４本のネジ３
２が基板４を貫通して該フレーム１８と接続さ
れ、更に平らな前記把持面のねじれが回避され
る。互いに接続した部分の正確な相互の調整のた
めにさらに前記フレーム１８を貫通し支持プレー
ト２と基板４に係止されたピン３３を複数本備え
ている。
を正確に合体することができるように、フレーム
１８を支持プレート２と接続するネジ３１が設け
られる。この接続がなされると、ウエーハの把持
面は平らに形成されかつさらに他の４本のネジ３
２が基板４を貫通して該フレーム１８と接続さ
れ、更に平らな前記把持面のねじれが回避され
る。互いに接続した部分の正確な相互の調整のた
めにさらに前記フレーム１８を貫通し支持プレー
ト２と基板４に係止されたピン３３を複数本備え
ている。
本発明による装置は、ウエーハ１の温度を第８
図に略示した方法においてリソグラフ装置投影倍
率安定のために利用することを許容する。
図に略示した方法においてリソグラフ装置投影倍
率安定のために利用することを許容する。
この装置は、実質的にマスク３５をレンズ系３
９を介してウエーハ１上にマスクパターンを縮小
して投影する露光装置３４から構成される。レン
ズ系３９の温度またはマスク３５とウエーハ１を
離置している支持体３７の長さを変更すると、ま
ずウエーハ１に形成される像は焦点面から外れる
が、この焦点面は進歩的なシステムにおいて自動
的に調整される。しかしながら、そのさい連続す
る像の正確な投影が妨げられる大きさの変化を生
じる。それゆえ1Kの温度上昇が10mmのエツジ長
さを有するケイ素プレートを約0.08μ変化するの
で、ウエーハ１の温度は綿密に制御されねばなら
ないことが容易に理解される。他方において、ウ
エーハの加熱または冷却によつて安定した大きさ
の投影像がウエーハ上に得られる。
９を介してウエーハ１上にマスクパターンを縮小
して投影する露光装置３４から構成される。レン
ズ系３９の温度またはマスク３５とウエーハ１を
離置している支持体３７の長さを変更すると、ま
ずウエーハ１に形成される像は焦点面から外れる
が、この焦点面は進歩的なシステムにおいて自動
的に調整される。しかしながら、そのさい連続す
る像の正確な投影が妨げられる大きさの変化を生
じる。それゆえ1Kの温度上昇が10mmのエツジ長
さを有するケイ素プレートを約0.08μ変化するの
で、ウエーハ１の温度は綿密に制御されねばなら
ないことが容易に理解される。他方において、ウ
エーハの加熱または冷却によつて安定した大きさ
の投影像がウエーハ上に得られる。
ウエーハ上の像の大きさはマスクの温度TMに
対してほぼ比例しかつ支持体の温度TCに対して
逆比例する。またマスクと支持体の熱膨脹係数
αM、αCが等しいならば、レンズが像側に関して
テレセントリツク（tele−centric）であるので、
像の大きさの変化は平衡温度Ｔ＝TM＝TCおいて
生じない。αM＝αCが技術に可能な実際的な条件
であるので、レンズの焦点距離ｆが温度の複雑な
関数ｆ（TL）でないならば、完全な温度平衡を生
じる。
対してほぼ比例しかつ支持体の温度TCに対して
逆比例する。またマスクと支持体の熱膨脹係数
αM、αCが等しいならば、レンズが像側に関して
テレセントリツク（tele−centric）であるので、
像の大きさの変化は平衡温度Ｔ＝TM＝TCおいて
生じない。αM＝αCが技術に可能な実際的な条件
であるので、レンズの焦点距離ｆが温度の複雑な
関数ｆ（TL）でないならば、完全な温度平衡を生
じる。
したがつて、倍率に関してはコンピユータ制御
の温度平衡システムが利用されねばならない。マ
スク、支持体、レンズ系およびウエーハの温度を
符号３６，３８，４０および４２において調べか
つウエーハの加熱および冷却によつて適切な投影
倍率に調整する。なお、係数αMは唯一の制御装
置に関して必要な入力パラメータである。
の温度平衡システムが利用されねばならない。マ
スク、支持体、レンズ系およびウエーハの温度を
符号３６，３８，４０および４２において調べか
つウエーハの加熱および冷却によつて適切な投影
倍率に調整する。なお、係数αMは唯一の制御装
置に関して必要な入力パラメータである。
第１図は本発明による装置を備えたプレポジシ
ヨニングステーシヨンを示す横断面図、第２図な
いし第７図は本発明によるウエーハ用把持装置の
実施例を示し、厳密に言えば、第２図はその下面
図、第３図は第２図のＡ−Ａ線に対応する断面
図、第４図は第２図のＢ−Ｂ線に対応する断面
図、第５図は冷却および加熱素子の下面図、第６
図は第３図および第４図のＣ−Ｃ線による断面
図、第７図は第４図のＤ−Ｄ線による拡大断面図
であり、第８図は電気的接続装置のフオトリソグ
ラフ製造における投影率の安定のための本発明の
使用を示す略図である。 図中、符号１はウエーハ、２は支持プレート、
４は基板、５は軸、８は開口、９は通路、１２は
空気導管、１４は温度感知器、１６は信号線、１
８はフレーム、１９はブロツク、２０はペルチエ
素子、２１，２２は導電体、２５，３０はクリヤ
ランス、２６は狭いフランジ、２７は液体導管、
２８は供給管、２９は排出管、３５はマスク、３
７は支持体、３９はレンズ系、４１は制御ユニツ
トである。
ヨニングステーシヨンを示す横断面図、第２図な
いし第７図は本発明によるウエーハ用把持装置の
実施例を示し、厳密に言えば、第２図はその下面
図、第３図は第２図のＡ−Ａ線に対応する断面
図、第４図は第２図のＢ−Ｂ線に対応する断面
図、第５図は冷却および加熱素子の下面図、第６
図は第３図および第４図のＣ−Ｃ線による断面
図、第７図は第４図のＤ−Ｄ線による拡大断面図
であり、第８図は電気的接続装置のフオトリソグ
ラフ製造における投影率の安定のための本発明の
使用を示す略図である。 図中、符号１はウエーハ、２は支持プレート、
４は基板、５は軸、８は開口、９は通路、１２は
空気導管、１４は温度感知器、１６は信号線、１
８はフレーム、１９はブロツク、２０はペルチエ
素子、２１，２２は導電体、２５，３０はクリヤ
ランス、２６は狭いフランジ、２７は液体導管、
２８は供給管、２９は排出管、３５はマスク、３
７は支持体、３９はレンズ系、４１は制御ユニツ
トである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加工片、とくに半導体ウエーハの保持装置で
あつて、該ウエーハの下面に対し直接開口し真空
発生手段と接続する開口を備えた支持プレート
と、該支持プレートの下側に取付けられたフレー
ムと、該フレーム内に固着され、加熱および冷却
手段として直列に接続された複数個のペルチエ素
子から成るブロツクと、更に前記フレームおよび
ブロツクの下側に配設され、内部に熱媒体を送通
するための導管が刻設されると共に回転可能な軸
により支持された基板とから構成され、前記軸内
に前記ブロツクへの給電用ケーブル通路と、前記
開口と真空発生手段とを接続する通路と、前記熱
媒体を送通するための２本の導管とが配設されて
いることを特徴とする加工片保持装置。 ２ 前記フレームは前記支持プレートおよび前記
基板を小さなフランジに沿つてのみ接触すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の加工片
保持装置。 ３ 前記支持プレート内には温度感知器が配置さ
れ、これから信号線が前記フレームおよび前記基
板のクリヤランスを通つて前記軸内に案内される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項に記載の加工片保持装置。 ４ 電流の供給は加熱および冷却装置に対して適
切な極性を制御ユニツトによつて制御され、該制
御ユニツトは前記ウエーハ上に投影像を形成せね
ばならないマスクの温度によつて影響を及ぼされ
ならびにレンズ系の温度およびマスクをウエーハ
から距離をおいて保持している支持体の温度によ
つて影響を及ぼされることを特徴とする特許請求
の範囲第１項乃至第３項のうちいずれか１項に記
載の加工片保持装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/363,860 US4432635A (en) | 1979-12-20 | 1982-03-31 | Temperature-controlled support for semiconductor wafer |
| US6/363860 | 1982-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178536A JPS58178536A (ja) | 1983-10-19 |
| JPH0363218B2 true JPH0363218B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=23432040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059583A Granted JPS58178536A (ja) | 1982-03-31 | 1983-03-28 | 加工片保持装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178536A (ja) |
| DE (1) | DE3306999A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3608783A1 (de) * | 1986-03-15 | 1987-09-17 | Telefunken Electronic Gmbh | Gasphasen-epitaxieverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
| JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
| JP2625310B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1997-07-02 | シマテク，インコーポレイテッド | シリコンウェハーの製造方法および装置 |
| JP2507478Y2 (ja) * | 1991-06-26 | 1996-08-14 | 株式会社エンヤシステム | ウエ―ハ反転貼付装置 |
| US5172949A (en) * | 1991-08-02 | 1992-12-22 | Smc Kabushiki Kaisha | Suction pad with temperature control mechanism |
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| US6005226A (en) * | 1997-11-24 | 1999-12-21 | Steag-Rtp Systems | Rapid thermal processing (RTP) system with gas driven rotating substrate |
| JP2004505443A (ja) | 2000-07-10 | 2004-02-19 | テンプトロニック コーポレイション | 交互配置された加熱および冷却要素と交換可能な上面アセンブリと硬膜層表面とをもつ熱プレートを有するウェーハチャック |
| KR101866622B1 (ko) | 2010-12-20 | 2018-06-11 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
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| JPS5626437A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Wafer supporting base |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD127137B1 (de) * | 1976-08-17 | 1979-11-28 | Elektromat Veb | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
| US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
| US4202623A (en) * | 1979-01-08 | 1980-05-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Temperature compensated alignment system |
-
1983
- 1983-02-28 DE DE19833306999 patent/DE3306999A1/de active Granted
- 1983-03-28 JP JP5059583A patent/JPS58178536A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3306999C2 (ja) | 1988-11-17 |
| DE3306999A1 (de) | 1983-10-06 |
| JPS58178536A (ja) | 1983-10-19 |
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