KR0122252Y1 - 반도체 소자 제조시 사용되는 축소 노광 장치 - Google Patents
반도체 소자 제조시 사용되는 축소 노광 장치Info
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Abstract
본 고안은 반도체 소자 제조공정시 사용되는 축소 노광 장치에 관한 것으로, 촛점변위에 대한 데이타를 예정된 전압으로 변환시켜 이전압을 상기 압전소자에 인가하여 상기 촛점변위 만큼 웨이퍼의 Z축으로 높이가 변화될 수 있도록 구성된 압전소자를 축소 노광장치의 웨이퍼 스테이지와 장착되는 웨이퍼 사이에 구비되는 기술이다. 그로 인하여 촛점을 압전소자에 의해 자동으로 변경시킬 수 있도록 하여 촛점 공정마진의 향상을 기대할 수 있고, 공정시간을 단축 시킬수 있다.
Description
제1도는 종래의 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치의 개략적인 단면도.
제2도는 본 고안에 의해 제조된 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치의 개략적인 단면도.
제3도는 압전소자에 일정 전압을 인가할 경우 압전소자판의 결정이 변위를 일으킨 상태를 도시한 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:광 2:레티클
3:집속렌즈 4:웨이퍼
5:웨이퍼 스테이지 6:지지대
8:전원 10:압전소자
11:진공튜브
본 고안은 반도체 소자 제조시 리소그라피 제조공정시 사용되는 축소 노광 장치에 관한 것으로, 특히 촛점 공정마진 향상을 위해 촛점을 자동으로 변경시킬 수 있도록 압전소자를 구비시킨 축소 노광장치(Stepper)에 관한 것이다.
반도체 소자 제조공정에서 초미세 가공을 하기 위하여 축소 노광장치를 사용해왔다.
제1도는 종래의 축소 노광장치의 일부분을 도시한 개략적인 도로서, 광(1)이 레티클(2)을 통하여 집속렌즈(projection lens)(3)에 전달되면 상기 집속렌즈(3)에서 광(1)을 웨이퍼(4)상에 촛점이 형성되어 상기 레티클(2)에 형성된 패턴을 웨이퍼 스테이지(5)에 장착된 웨이퍼(4)상의 감광막에 미세하게 전사되어 진다.
상기 웨이퍼 스테이지(5)는 지지대(6)에 연결되어 X, Y, Z 축으로 이동이 가능하다. 따라서 웨이퍼(4)의 예정된 칩에서 촛점이 정확하게 맞는지 맞지 않는지 여부는 여러개의 샘플 웨이퍼를 조금씩 다른 위치에서 노광시켜서 최적의 웨이퍼 위치를 찾아낸다. 그리고 특정의 위치를 갖는 웨이퍼 스테이지(5)를 촛점변위(ΔF) 만큼 이동시킨후 전체 웨이퍼에 대한 노광공정을 진행해야 한다.
그러나, 웨이퍼 스테이지를 Z축 방향으로 촛점변위 만큼 이동할때 구동모터의 가동에 따른 시간 지연으로 인하여 노광 공정의 작업 시간이 많이 걸리게 되어 생산수율이 저하되고, 제품의 신뢰성을 저하시키게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안은 상기한 문제점을 해결 하기 위해 웨이퍼와 웨이퍼 스테이지 사이에 압전소자(PZT: PbxZryTiz)를 부착하여 샘플 웨이퍼에 대한 촛점변위를 측정한후, 상기 압전소자에 예정된 전압을 인가하여 Z축 방향으로 촛점 변위 만큼 이동 또는 진동되게 하는 방법으로 촛점위치가 웨이퍼 상에 정확하게 맞도록하는 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치를 제공 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치에 있어서, 촛점변위에 대한 데이타를 예정된 전압으로 변환시켜 이전압을 상기 압전소자에 인가하여 상기 촛점변위 만큼 웨이퍼의 Z축으로 높이가 변화될 수 있도록 구성된 압전소자를 축소 노광장치의 웨이퍼 스테이지와 장착되는 웨이퍼 사이에 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 상세한 설명을 하기로 한다.
제2도는 본 고안에 따라 압전소자를 장착시킨 축소 노광장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
상기 도면을 참조하면, 본 고안에 따른 축소 노광장치는 종래의 축소 노광장치와 유사하나, 웨이퍼(4)와 웨이퍼 스테이지(5) 사이에 압전소자(10)를 삽입시키고, 상기 압전소자(10)에 예정된 전압을 인가할 수 있도록 구성되어 있다. 즉 압전소자(10)의 상부면이 웨이퍼(4)에 놓이게 하고, 압전소자(10)에 진공튜브(11)를 삽입시켜서 진공으로 웨이퍼(4)를 부착할 수 있도록 구성한 것이다.
본 고안에 의해 제조된 축소 노광장치는 종래의 축소 노광장치와 같이 웨이퍼(4)를 상기 압전소자(10)에 올려놓고 레티클(2)과 집속렌즈(3)를 통한 광(1)을 샘플 웨이퍼(4)상에 투사하여 최적의 촛점의 위치를 찾아내고, 사용하려는 축소 노광장치에서 웨이퍼(4)의 위치를 최적으로 맞추기 위해서는 Z축으로 웨이퍼(4)의 ΔF만큼 위치를 변화시켜 주어야하는데, 본 고안에 의한 축소 노광장치는 ΔF만큼 Z축으로 변위를 가져올 수 있는 예정된 전압을 상기 압전소자(10)에 인가한다. 그러면 압전소자의 결정구조가 변화하여 예정된 높이 만큼(ΔF) 위치를 변화시킬 수 있다.
제3도는 압전소자(7)에 예정된 교류전압을 인가할때 압전소자(7)가 변형된 상태(A)와, 교류전압을 인가하지 않을때 압전소자(7)가 변형되지 않은 상태(B)를 도시한 도면이다.
상기한 바와 같이, 본 고안의 장치에 의하면 촛점심도(Depth of Focus) 마진을 향상시키기 위하여 압전소자를 웨이퍼 하부에 구비하고, 압전소자의 결정구조의 변위를 이용함으로써, 종래와 같이 웨이퍼 스테이지를 기계적으로 이동시키는데 필요한 공정시간을 단축시키고, 전기적인 신호에 의해 압전소자의 결정구조를 빠른 속도로 변화시켜 촛점을 변화시킬 수 있다. 그로 인하여 노광공정을 안정화 시킬 수 있고, 노광작업의 시간을 단축 시킬 수 있다.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조시 사용되는 축소 노광장치에 있어서, 샘플 웨이퍼에 대한 촛점변위를 측정한 후, 측정된 데이타를 예정된 교류전압으로 변환시키고, 상기 교류전압을 상기 인가하여 상기 측정된 촛점변위 만큼 웨이퍼의 수직방향으로 높이가 변화될 수 있도록 구성된 압전소자를 축소 노광장치의 웨이퍼 스테이지와 장착되는 웨이퍼 사이에 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 촛점 변위에 대한 데이타는 샘플 웨이퍼에서 최적의 촛점위를 찾는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 예정된 전압은 압전소자의 결정구조가 변화하여 촛점변위 만큼 변화될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조시 사용되는 축소 노광장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940004659U KR0122252Y1 (ko) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 반도체 소자 제조시 사용되는 축소 노광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940004659U KR0122252Y1 (ko) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 반도체 소자 제조시 사용되는 축소 노광 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950028657U KR950028657U (ko) | 1995-10-20 |
| KR0122252Y1 true KR0122252Y1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19378623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019940004659U KR0122252Y1 (ko) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 반도체 소자 제조시 사용되는 축소 노광 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0122252Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101025288B1 (ko) * | 2009-02-12 | 2011-03-29 | 국민대학교산학협력단 | 전자빔 리소그래피 장치의 나노 스테이지 |
-
1994
- 1994-03-09 KR KR2019940004659U patent/KR0122252Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101025288B1 (ko) * | 2009-02-12 | 2011-03-29 | 국민대학교산학협력단 | 전자빔 리소그래피 장치의 나노 스테이지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950028657U (ko) | 1995-10-20 |
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