JP2010267684A - 露光方法及び装置、並びに基板温度調整装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光工程のスループットを殆ど低下させることなく、露光中の基板の温度変化を少なくする。
【解決手段】照明光ILでウエハW上にレチクルRのパターンの像を露光する露光装置において、位置A1にあるウエハの温度分布を計測する温度計測ユニット28と、温度計測ユニット28で計測されるウエハの温度分布に基づいて、ウエハステージWST上のウエハホルダ20の温度分布と露光前のウエハの温度分布とが等しくなるように、位置A2にある露光前のウエハの温度分布を調整する温度調整テーブル40とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】照明光ILでウエハW上にレチクルRのパターンの像を露光する露光装置において、位置A1にあるウエハの温度分布を計測する温度計測ユニット28と、温度計測ユニット28で計測されるウエハの温度分布に基づいて、ウエハステージWST上のウエハホルダ20の温度分布と露光前のウエハの温度分布とが等しくなるように、位置A2にある露光前のウエハの温度分布を調整する温度調整テーブル40とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光光で基板上にパターンを露光する露光技術、露光対象の基板の温度を調整する基板温度調整技術、及びその露光技術を用いるデバイス製造方法に関する。
半導体素子等を製造する際に、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンをフォトレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に転写するために使用される露光装置においては、防塵性能を高めて結像特性を常に所望の状態に維持するために、露光光でレチクルのパターンを介してウエハステージに保持されているウエハを露光する露光本体部はチャンバ内に収納され、このチャンバ内には所定温度に制御された清浄な気体(例えばドライエアー)が例えばダウンフロー方式で供給されている。
また、コータ・デベロッパから露光装置に搬送されて来るウエハの温度は、通常は露光装置が収納されているチャンバ内の気体の温度よりも高くなっている。そこで、露光装置においてコータ・デベロッパからウエハを受け取る部分には、ウエハの温度をチャンバ内の気体の温度まで冷却するクールプレートが備えられている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、クールプレートからウエハステージに搬送されるウエハには僅かな温度のばらつきが残存していることがある。このような温度のばらつきがあるウエハを、ウエハホルダを介してウエハステージ上にロードすると、ウエハの温度分布とウエハホルダの温度分布との相違から、露光中にウエハの熱変形によってウエハ上の複数のショット領域の配列が次第に変化して、重ね合わせ精度が低下する恐れがある。
また、ウエハの温度をより均一にするために、ウエハをクールプレート上に載置しておく時間を長くすると、露光工程のスループットが低下する。
本発明はこのような事情に鑑み、露光工程のスループットを殆ど低下させることなく、露光中のウエハ等の基板の温度変化を少なくできる露光技術、この露光技術を用いるデバイス製造技術、及びその露光技術を用いる際に使用可能な基板温度調整技術を提供することを目的とする。
本発明はこのような事情に鑑み、露光工程のスループットを殆ど低下させることなく、露光中のウエハ等の基板の温度変化を少なくできる露光技術、この露光技術を用いるデバイス製造技術、及びその露光技術を用いる際に使用可能な基板温度調整技術を提供することを目的とする。
本発明による露光方法は、露光光で基板上にパターンを露光する露光方法において、第1基板の温度分布情報を計測し、その第1基板の温度分布情報に基づいて、露光前の第2基板の温度分布を調整するものである。
また、本発明による露光装置は、露光光で基板上にパターンを露光する露光装置において、第1基板の温度分布情報を計測する温度計測装置と、その温度計測装置で計測される温度分布情報に基づいて、露光前の第2基板の温度分布を調整する温度分布調整装置と、を備えるものである。
また、本発明による露光装置は、露光光で基板上にパターンを露光する露光装置において、第1基板の温度分布情報を計測する温度計測装置と、その温度計測装置で計測される温度分布情報に基づいて、露光前の第2基板の温度分布を調整する温度分布調整装置と、を備えるものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、その感光層のパターンが形成された基板を処理することと、を含むものである。
また、本発明による基板温度調整装置は、露光対象の基板の温度分布を調整する装置であって、第1基板の温度分布情報を計測する温度計測装置と、その温度計測装置で計測される温度分布情報に基づいて、第2基板の温度分布を調整する温度分布調整装置と、を備えるものである。
また、本発明による基板温度調整装置は、露光対象の基板の温度分布を調整する装置であって、第1基板の温度分布情報を計測する温度計測装置と、その温度計測装置で計測される温度分布情報に基づいて、第2基板の温度分布を調整する温度分布調整装置と、を備えるものである。
本発明の露光方法又は露光装置によれば、露光前又は露光後の第1基板の温度分布情報に基づいて、例えば露光装置側の基板保持部の温度分布と第2基板の温度分布とが等しくなるように、露光前の第2基板の温度分布を調整することによって、露光中の第2基板の温度変化(熱変形量の変動)を少なくできる。従って、露光工程のスループットを殆ど低下させることなく、重ね合わせ精度を向上できる。
以下、本発明の実施形態の一例につき図1〜図5を参照して説明する。
図1は、本実施形態のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の露光装置(投影露光装置)100の概略構成を示す。図1において、露光装置100は、露光光源(不図示)と、この露光光源からの露光用の照明光(露光光)ILによりレチクルR(マスク)のパターン面(ここでは下面)の照明領域18Rを照明する照明光学系ILSとを備えている。さらに、露光装置100は、レチクルRを移動するレチクルステージRSTと、照明光ILのもとでレチクルRの照明領域18R内のパターンの像をウエハW(基板)の表面の露光領域18Wに形成する投影光学系PLと、ウエハWの位置決め及び移動を行うウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系2と、ウエハローダ系9と、ウエハ・アンローダ系10と、その他の駆動系等とを備えている。
図1は、本実施形態のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の露光装置(投影露光装置)100の概略構成を示す。図1において、露光装置100は、露光光源(不図示)と、この露光光源からの露光用の照明光(露光光)ILによりレチクルR(マスク)のパターン面(ここでは下面)の照明領域18Rを照明する照明光学系ILSとを備えている。さらに、露光装置100は、レチクルRを移動するレチクルステージRSTと、照明光ILのもとでレチクルRの照明領域18R内のパターンの像をウエハW(基板)の表面の露光領域18Wに形成する投影光学系PLと、ウエハWの位置決め及び移動を行うウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系2と、ウエハローダ系9と、ウエハ・アンローダ系10と、その他の駆動系等とを備えている。
また、レチクルステージRST、投影光学系PL、及びウエハステージWSTを含む露光本体部は、気密化されたチャンバ(不図示)内に収納され、このチャンバ内には所定温度(例えば20℃〜25℃内の所定の温度)に制御されて、かつ高度に防塵が行われた気体(例えばドライエアー)がダウンフロー方式で供給されている。
以下、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本実施形態ではほぼ水平面に平行)内の直交する2方向にX軸及びY軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。本実施形態では、Y軸に平行な方向(Y方向)が、走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向である。
以下、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本実施形態ではほぼ水平面に平行)内の直交する2方向にX軸及びY軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。本実施形態では、Y軸に平行な方向(Y方向)が、走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向である。
上記の露光光源としては、ArFエキシマレーザ(波長193nm)が使用されている。露光光源としては、その外にKrFエキシマレーザ(波長248nm)などの紫外パルスレーザ光源、YAGレーザの高調波発生装置、固体レーザ(半導体レーザなど)の高調波発生装置、又は水銀ランプ等の放電ランプなども使用することができる。
照明光学系ILSは、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、オプティカルインテグレータ(フライアイレンズ、ロッドインテグレータ、回折光学素子など)等を含む照度均一化光学系、固定及び可変のレチクルブラインド(固定及び可変の視野絞り)、並びにコンデンサ光学系等を含んでいる。照明光学系ILSは、レチクルブラインドで規定及び開閉されるレチクルRのパターン領域上の照明領域18Rを照明光ILによりほぼ均一な照度分布で照明する。照明領域18Rは一例としてX方向(非走査方向)に細長い長方形である。また、通常照明、2極若しくは4極照明、又は輪帯照明等の照明条件に応じて、照明光学系ILS内の瞳面(射出瞳と共役な面)における照明光ILの強度分布が、不図示の設定機構によって光軸を中心とする円形領域、光軸から偏心した2つ若しくは4つの部分領域、又は光軸を中心とする輪帯状領域等に切り換えられる。
照明光学系ILSは、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、オプティカルインテグレータ(フライアイレンズ、ロッドインテグレータ、回折光学素子など)等を含む照度均一化光学系、固定及び可変のレチクルブラインド(固定及び可変の視野絞り)、並びにコンデンサ光学系等を含んでいる。照明光学系ILSは、レチクルブラインドで規定及び開閉されるレチクルRのパターン領域上の照明領域18Rを照明光ILによりほぼ均一な照度分布で照明する。照明領域18Rは一例としてX方向(非走査方向)に細長い長方形である。また、通常照明、2極若しくは4極照明、又は輪帯照明等の照明条件に応じて、照明光学系ILS内の瞳面(射出瞳と共役な面)における照明光ILの強度分布が、不図示の設定機構によって光軸を中心とする円形領域、光軸から偏心した2つ若しくは4つの部分領域、又は光軸を中心とする輪帯状領域等に切り換えられる。
照明光ILのもとで、レチクルRの照明領域18R内のパターン(回路パターン)は、両側(又はウエハW側に片側)テレセントリックの投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(例えば1/4,1/5等の縮小倍率)で、ウエハWの一つのショット領域SA上の露光領域18W(照明領域18Rと共役な領域)に投影される。通常の露光時には、レチクルRのパターン面は投影光学系PLの物体面上に配置され、ウエハWの表面(露光面)は投影光学系PLの像面上に配置される。投影光学系PLは屈折系であるが、その他に反射屈折系等も使用可能である。また、ウエハW(基板)は、例えばシリコン又はSOI(silicon on insulator)よりなる直径が200mm、300mm、又は450mm等の円板状の基材上にフォトレジスト(感光材料)を塗布したものである。
図1において、レチクルRはレチクルホルダ(不図示)を介してレチクルステージRST上に吸着保持され、レチクルステージRSTはレチクルベース12のXY平面に平行な上面にエアベアリングを介して載置されている。レチクルステージRSTは、レチクルベース12上でY方向に一定速度で移動可能であり、かつX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角の微調整を行うことができる。レチクルステージRSTの少なくともX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含む2次元的な位置情報は、例えばX軸のレーザ干渉計14Xと、Y軸の2軸のレーザ干渉計14YA,14YBとを含むレチクル側干渉計システムによって計測され、その計測結果がステージ駆動系4及び主制御系2に供給される。ステージ駆動系4は、その位置情報及び主制御系2からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介してレチクルステージRSTの位置、速度、及び回転角を制御する。
一方、ウエハWは、ウエハステージWST上に保持され、ウエハステージWSTは、ウエハベース26のXY平面に平行な上面をエアベアリングを介してX方向、Y方向に移動するXYステージ24と、ウエハホルダ20を介してウエハWを真空吸着して保持するZチルトステージ22とを備えている。Zチルトステージ22は、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ(不図示)の計測値に基づいて、ウエハWの表面が投影光学系PLの像面に合焦されるように、Zチルトステージ22の上部(ウエハW)の光軸AX方向の位置(フォーカス位置)、及びθx、θy方向の回転角を制御する。
また、例えばX軸の2軸のレーザ干渉計36XP,36XF及びY軸の2軸のレーザ干渉計36YA,36YBを含むウエハ側干渉計システムによって、Zチルトステージ22(ウエハW)の少なくともX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含むウエハステージWSTの2次元的な位置情報が計測され、計測結果がステージ駆動系4及び主制御系2に供給される。ステージ駆動系4は、その位置情報及び主制御系2からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介して、ウエハステージWST(XYステージ24)の2次元的な位置を制御する。
また、投影光学系PLの+Y方向の側面に配置されたオフアクシス方式で例えば画像処理方式のウエハアライメント系38の計測結果、及びレチクルアライメント系(不図示)によって計測されるレチクルRのアライメントマーク(不図示)の位置の計測結果はアライメント制御系(不図示)に供給される。アライメント制御系はその計測結果に基づいてレチクルR及びウエハWのアライメントを行う。Zチルトステージ22上のウエハWの近傍には、レチクルRのパターンの像とウエハアライメント系38の検出中心との位置関係(ベースライン)を求めるための基準マークが形成された基準部材(不図示)も固定されている。
露光時には、照明光学系ILSからの照明光ILで照明領域18Rを照明し、レチクルRの照明領域18R内のパターンの投影光学系PLによる像をウエハW上の一つのショット領域SA上に露光しつつ、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを駆動して、レチクルRとウエハWとをY方向に投影倍率βを速度比として同期して移動することで、当該ショット領域SAにレチクルRのパターンの像が走査露光される。その後、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをX方向、Y方向にステップ移動する動作と、その走査露光動作とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の各ショット領域にレチクルRのパターン像が露光される。
さて、この露光動作の開始時に、ウエハWの温度分布とウエハホルダ20の温度分布とが異なっていると、露光中にウエハWが次第に熱変形し、ウエハW上の複数のショット領域の配列(ショット配列)が僅かに変化する。そのため、重ね合わせ露光時には、重ね合わせ精度が低下する。なお、仮に露光開始時にウエハWの熱変形によって、ショット配列が熱変形がない場合に対して変化していても、ウエハWのアライメントによって正確にショット配列を計測できる。従って、露光中にウエハWの熱変形量が殆ど変化しない場合には、重ね合わせ精度は低下しない。
そこで、本実施形態の露光装置100は、露光対象のウエハWの温度分布をウエハホルダ20の温度分布に合わせるためのウエハの温度制御装置を備えている。この温度制御装置は、ウエハローダ系9上の位置A1に保持されている露光前のウエハWの温度分布を非接触に高精度に計測する温度計測ユニット28と、温度計測ユニット28で計測された温度分布に基づいて、その上の位置A2にある露光前のウエハWの温度分布を調整する温度調整テーブル40と、温度計測ユニット28の計測結果を処理して温度調整テーブル40の温度分布を制御する温度制御系6とを備えている。温度制御系6は主制御系2によって制御されている。
図2(A)は図1中の温度計測ユニット28の概略構成を示し、図2(B)は温度計測ユニット28を示す正面図である。図2(A)において、温度計測ユニット28は、温度計測対象のウエハWの表面からギャップgだけ離れたXY平面に平行な平面内に、X方向及びY方向に間隔SPで配置された多数の温度センサ30と、多数の温度センサ30を覆うように上方に配置された円板状の固定板29と、多数の温度センサ30をそれぞれ固定板29に連結する支持部材31とを備えている。多数の温度センサ30は、計測対象のウエハWの表面よりも広い円形の領域に配置され、固定板29は不図示のフレームに支持されている。また、温度センサ30の間隔SP(位置の計測分解能)は、例えばウエハWの直径の1/10以下程度である。
温度センサ30としては、一例として高精度で応答速度の速いブリッジ型のサーミスタ温度センサが使用できる。なお、本実施形態では、後述のように、温度センサ30の応答速度を補償しているため、温度センサ30としては、熱電対又は白金抵抗測温体等も使用可能である。さらに、図2(B)に示すように、固定板29及び多数の温度センサ30の間の空間には、断熱材32が充填されている。これによって、各温度センサ30の温度が他の温度センサ30に影響を与えることがない。
ここで、温度センサ30とウエハWの表面とのギャップgを設定するために、図2(C)に、温度が設定できる所定の壁面の温度を階段状に変化させた場合の、その壁面から空気中でギャップgだけ離れた位置の計測点における温度のステップ応答の実測結果の一例を示す。図2(C)において、横軸は経過時間t[s」、縦軸はギャップg[mm」である。また、図2(C)の曲線C2、曲線C1、及び曲線C3は、それぞれ例えば壁面の温度を1deg変化させた場合に、その計測点における温度変化が壁面の温度変化の80%、90%、及び95%となる場合のギャップg及び経過時間tを表している。例えば曲線C1(90%応答)より、壁面から0.6mm離れた位置では、壁面の温度変化後に0.5秒程度経過すると、その温度変化の90%の変化を検出できることになる。これはウエハWと温度センサ30との間のギャップgに関しても当てはまる。
本実施形態では、例えば温度計測精度を0.01degとして、90%の精度で1秒以内にウエハWの温度を非接触に計測するためには、ウエハWと温度センサ30とのギャップgを0.8mm程度以下に設定すればよい。また、温度センサ30の応答速度を補償するために、一次応答を考慮するものとする。この場合、各温度センサ30の応答速度の既知の時定数をτc、その温度センサ30の温度の計測値をcm(t)、その温度センサ30に対向する部分のウエハWの真の温度をc(t)とすると、以下の関係が成立する。なお、時定数τcは、ギャップgの位置にある物体の温度が目標とする精度で温度センサ30の位置での温度になるまでの時間をも考慮した時定数であってもよい。
dcm(t)/dt={c(t)−cm(t)}/τc …(1)
式(1)を差分形式にして真の温度c(t)について解くと次のようになる。なお、Δtは温度センサ30の温度のサンプリング間隔である。
c(t)=cm(t)+τc{cm(t)−cm(t−Δt)}/Δt …(2)
図1の温度制御系6内の温度計測部は、式(2)に基づいて各温度センサ30の温度の計測値cm(t)からそれに対向する部分のウエハWの真の温度c(t)を求める。これによって、ウエハWの全面の温度分布を非接触に高精度に、かつ高速に計測できる。
式(1)を差分形式にして真の温度c(t)について解くと次のようになる。なお、Δtは温度センサ30の温度のサンプリング間隔である。
c(t)=cm(t)+τc{cm(t)−cm(t−Δt)}/Δt …(2)
図1の温度制御系6内の温度計測部は、式(2)に基づいて各温度センサ30の温度の計測値cm(t)からそれに対向する部分のウエハWの真の温度c(t)を求める。これによって、ウエハWの全面の温度分布を非接触に高精度に、かつ高速に計測できる。
また、式(2)のような時定数補償を行う場合、計測時のノイズ成分を拡大するため、温度センサ30としては少なくとも計測精度0.01degの10倍程度の計測精度、即ち0.001deg(1mdeg)程度の計測精度が必要である。
なお、ウエハWの温度分布を非接触で計測するために、例えば赤外線を用いたサーモグラフィを適用した場合、サーモグラフィの常温付近での計測精度は分解能で0.5〜0.1deg程度である。そのため、ウエハWの温度分布を高精度に制御するためには、サーモグラフィでは計測精度が十分でない恐れがある。
なお、ウエハWの温度分布を非接触で計測するために、例えば赤外線を用いたサーモグラフィを適用した場合、サーモグラフィの常温付近での計測精度は分解能で0.5〜0.1deg程度である。そのため、ウエハWの温度分布を高精度に制御するためには、サーモグラフィでは計測精度が十分でない恐れがある。
次に、図3(A)は図1中の温度調整テーブル40を示す平面図、図3(B)は図3(A)のBB線に沿う断面図である。図3(A)及び図3(B)において、温度調整テーブル40は、全体として円板状のテーブル41を備え、テーブル41の表面は、溝41aによって開き角がほぼ90°の中央の4箇所の扇形のブロック部A11,A21,A31,A41と、それを囲む開き角がほぼ90°の4箇所の扇形のブロック部A12,A22,A32,A42と、さらにそれを囲む開き角がほぼ90°の4箇所の扇形のブロック部A13,A23,A33,A43とに分かれている。そして、テーブル41上にウエハWを載置すると、外側のブロック部A13〜A43の途中にウエハWの輪郭が収まる。なお、テーブル41の表面の複数のブロック部Aij(i=1〜4,j=1〜3)への分割方法及び分割数は任意であり、テーブル41の表面を例えばX方向、Y方向に同じ幅の多数の正方形のブロック部に分割してもよい。
また、テーブル41の各ブロック部Aijにはそれぞれ温度センサ42が埋め込まれ、各温度センサ42の計測値が図1の温度制御系6内の温度分布制御部6bに供給されている。さらに、テーブル41の各ブロック部Aijの裏面はそれぞれ凹部に加工され、その凹部にペルチェ素子のような吸熱素子43が固定されている。温度分布制御部6bが、温度センサ42の計測値が目標温度になるように、対応する吸熱素子43による吸熱量を制御する。テーブル41、各温度センサ42、及び各吸熱素子43を含んで温度調整テーブル40が構成されている。温度分布制御部6bによって、温度調整テーブル40のウエハWが載置される多数のブロック部Aijの温度分布、ひいてはその上のウエハWの温度分布をブロック部Aijを単位として任意の分布に設定可能である。温度制御系6の記憶部には、温度計測ユニット28の多数の温度センサ30の配列と、温度調整テーブル40の複数のブロック部Aijとの対応関係を示す情報が記憶されている。なお、各ブロック部Aijの間の溝41aには断熱材を充填してもよい。
また、各吸熱素子43の裏面には排熱用の冷却用配管45の一部が接合されている。冷却用配管45には、露光本体部を収納するチャンバ(不図示)の外部にある冷却装置44から所定温度に冷却された冷媒Coが循環するように供給されている。冷却装置44の動作も温度分布制御部6bによって制御される。これによって、多数の吸熱素子43を動作させた場合でも、チャンバ内の温度が局所的に上昇することが防止される。なお、吸熱素子43を用いる代わりに、各ブロック部Aijの裏面に連結される個々の配管内の冷媒の温度を制御するようにしてもよい。
次に、本実施形態の露光装置100において、例えば1ロットのウエハの露光中に各ウエハの温度を制御する動作の一例につき図4のフローチャートを参照して説明する。このときの動作は主に主制御系2及び温度制御系6によって制御される。この場合、図1のウエハホルダ20の温度は例えばチャンバ内の気体の温度とほぼ同じ一定の温度(以下、これを目標温度TAとする)であるとする。即ち、ウエハホルダ20の温度分布は一様であり、露光対象のウエハの目標とする温度分布も一様である。
先ず、図4のステップ101において、コータ・デベロッパ(不図示)から図1の露光装置100のウエハローダ系9に、フォトレジストが塗布された未露光のウエハ(ウエハWとする)を受取る。次のステップ102において、ウエハローダ系9を駆動して、ウエハWを温度計測ユニット28の下方の位置A1に移動する。そして、温度計測ユニット28でウエハWの温度分布を計測し、計測結果を温度制御系6内の記憶部に記憶する。この直後のステップ103において、温度制御系6の温度分布制御部6bは、図3(A)の温度調整テーブル40(テーブル41)の複数のブロック部Aij(i=1〜4,j=1〜3)の温度分布を、ステップ102で計測されたウエハWの温度分布と逆の分布に設定する。実際には、吸熱素子43の応答速度等によってブロック部Aijの温度分布が設定された温度分布になるには、或る程度の時間を要する。
ステップ102で温度計測ユニット28によって計測されたウエハWの補間された温度分布が、例えば図5(A)の等温線46A〜46Cで示すように、目標温度TAよりも所定温度δTだけ高くかつほぼ均一な温度の領域46Dから等温線46Aの中心に向かってほぼ或る温度T1ずつ次第に高くなっているものとする。この場合にウエハWが載置される温度調整テーブル40の複数のブロック部Aijの温度分布は、所定の係数kを用いて、図5(B)に示すように、ほぼ等温線46A,46Bの内部に対応するブロック部A32の温度T32が最も低くなり(例えばT32=TA−k・δT−k・3・T1)、ほぼ等温線46Cの内部に対応するブロック部A31,A33,A41の温度T31が次に低くなり(例えばT31=TA−k・δT−k・2・T1)、一部が等温線46Cの内部にあるブロック部A42で温度T42が次に低くなり(例えばT42=TA−k・δT−k・T1)、それ以外のブロック部A12等では、目標温度TAよりも所定温度k・δTだけ低くなる。
次のステップ104において、ウエハローダ系9を介してウエハWを温度調整テーブル40上の位置A2に載置し、所定の時間t1だけウエハWの温度を調整する。その時間t1は、例えばウエハWの温度がほぼそれまでの温度と温度調整テーブル40のブロック部Aijの温度との中間の温度になるまでの平均的な時間として実験的に求められている時間である。次のステップ105において、温度調整テーブル40の複数のブロック部Aijの温度を共通に目標温度TAに設定し、その状態で所定の時間t2だけウエハWの温度を調整する。この時間t2は、ウエハWの温度分布を最終的に一様な目標温度TAにするための時間である。時間t2は時間t1よりも短い時間であり、ステップ104のみでウエハWの温度が高精度に一様な目標温度TAになる場合には、ステップ105は省略可能である。
このように本実施形態では、温度調整テーブル40のブロック部Aijの温度分布を実質的にウエハWの温度分布と逆の分布に設定しているため、ウエハWの温度分布を目標とする一様な分布に急速に調整することができる。
次のステップ106において、ウエハローダ系9を介して温度調整テーブル40からウエハステージWSTのウエハホルダ20上にウエハWをロードする。次のステップ107において、上述のように露光装置100のレチクルRのパターンの像をウエハWの各ショット領域に走査露光する。次のステップ108おいて、露光済みのウエハWをウエハステージWSTからウエハ・アンローダ系10に受け渡す。露光済みのウエハWはコータ・デベロッパ(不図示)に搬送されて現像される。
次のステップ106において、ウエハローダ系9を介して温度調整テーブル40からウエハステージWSTのウエハホルダ20上にウエハWをロードする。次のステップ107において、上述のように露光装置100のレチクルRのパターンの像をウエハWの各ショット領域に走査露光する。次のステップ108おいて、露光済みのウエハWをウエハステージWSTからウエハ・アンローダ系10に受け渡す。露光済みのウエハWはコータ・デベロッパ(不図示)に搬送されて現像される。
次のステップ109において、次の露光対象のウエハがある場合には、動作はステップ101に戻り、ステップ101から108までの、ウエハの温度分布の計測、温度分布の調整、及び露光の動作が繰り返される。ステップ109で露光対象のウエハが尽きたときに露光工程が終了する。
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
(1)本実施形態の露光装置100は、照明光ILでウエハW上にパターンを露光する露光装置において、露光前のウエハWの温度分布を計測する温度計測ユニット28と、温度計測ユニット28で計測される温度分布に基づいて、露光前のウエハWの温度分布を調整する温度調整テーブル40と、を備えている。
また、露光装置100による露光方法は、露光前のウエハWの温度分布を計測し(ステップ102)、その温度分布の計測結果に基づいて、露光前のウエハWの温度分布を調整している(ステップ103〜105)。
また、露光装置100による露光方法は、露光前のウエハWの温度分布を計測し(ステップ102)、その温度分布の計測結果に基づいて、露光前のウエハWの温度分布を調整している(ステップ103〜105)。
この実施形態によれば、露光前のウエハWの温度分布に基づいて、露光装置100のウエハホルダ20の温度分布とウエハWの温度分布とが等しくなるように、露光前のウエハWの温度分布を調整することによって、露光中のウエハWの温度変化を少なくできる。従って、露光中のウエハWの熱変形量の変動が少なくなるため、重ね合わせ精度を向上できる。また、ウエハWの温度分布を急速に目標とする温度分布に設定できるため、露光工程のスループットは殆ど低下しない。
(2)また、温度調整テーブル40は、ウエハWが載置されるように近接して配置されるとともに、互いに独立に温度調整される複数のブロック部Aijを有する。従って、ブロック部Aijを単位としてウエハWの温度分布を調整できる。
(3)また、本実施形態では、ウエハホルダ20の温度分布が一様であるため、温度調整テーブル40では、露光前のウエハWの温度分布を均一(一様)にしている。これによって、ウエハWをウエハホルダ20上に載置した場合のウエハWの熱変形が少なくなる。
(3)また、本実施形態では、ウエハホルダ20の温度分布が一様であるため、温度調整テーブル40では、露光前のウエハWの温度分布を均一(一様)にしている。これによって、ウエハWをウエハホルダ20上に載置した場合のウエハWの熱変形が少なくなる。
なお、例えばウエハホルダ20に所定の温度分布があることが分かっている場合には、温度調整テーブル40ではウエハWの温度分布をそのウエハホルダ20の温度分布に合わせて設定してもよい。これによって、露光中のウエハWの熱変形が少ない。
(4)また、温度計測ユニット28は、ウエハWに対して所定のギャップgを隔てて配置された複数の温度センサ30を介して、ウエハWの温度分布を非接触に計測している。従って、温度計測時に、ウエハWに対する異物の付着等を防止できる。
(4)また、温度計測ユニット28は、ウエハWに対して所定のギャップgを隔てて配置された複数の温度センサ30を介して、ウエハWの温度分布を非接触に計測している。従って、温度計測時に、ウエハWに対する異物の付着等を防止できる。
(5)また、本実施形態の露光対象のウエハの温度分布を調整する温度制御装置は、露光前のウエハWの温度分布を計測する温度計測ユニット28と、温度計測ユニット28で計測される温度分布に基づいて、露光前のウエハWの温度分布を調整する温度調整テーブル40とを備えている。
この温度制御装置によれば、露光前のウエハWの温度分布に基づいて、露光装置100のウエハホルダ20の温度分布とウエハWの温度分布とが等しくなるように、露光前のウエハWの温度分布を調整することによって、露光中のウエハWの温度変化を少なくできる。従って、露光中のウエハWの熱変形量の変動が少なくなるため、重ね合わせ精度を向上できる。また、ウエハWの温度分布を急速に目標とする温度分布に設定できるため、露光工程のスループットは殆ど低下しない。
この温度制御装置によれば、露光前のウエハWの温度分布に基づいて、露光装置100のウエハホルダ20の温度分布とウエハWの温度分布とが等しくなるように、露光前のウエハWの温度分布を調整することによって、露光中のウエハWの温度変化を少なくできる。従って、露光中のウエハWの熱変形量の変動が少なくなるため、重ね合わせ精度を向上できる。また、ウエハWの温度分布を急速に目標とする温度分布に設定できるため、露光工程のスループットは殆ど低下しない。
なお、上記の実施形態では、露光前のウエハWの温度分布の計測結果に基づいて、温度調整テーブル40を用いて露光前の同じウエハWの温度分布を調整している。この他の動作として、図1において、露光済みのウエハ(ウエハW1とする)がウエハ・アンローダ系10上の位置A3に保持されているときに、温度計測ユニット28によってウエハW1の温度分布を計測してもよい。このときに計測される温度分布はほぼウエハホルダ20の温度分布を表している。そこで、第1の温度調整方法として、次の露光前の別のウエハ(ウエハW2とする)が温度調整テーブル40上の位置A2にあるときに、ウエハW2の温度分布をウエハW1の温度分布(即ちウエハホルダ20の温度分布)とほぼ同じ分布に設定してもよい。
これによって、ウエハW2の温度分布はほぼウエハホルダ20の温度分布と同じになり、露光中にウエハW2の熱変形が殆ど生じないため、重ね合わせ精度が向上する。
また、第2の温度調整方法として、ウエハW2が温度調整テーブル40上の位置A2にあるときに、ウエハW2の温度分布とウエハW1の温度分布(即ちウエハホルダ20の温度分布)との和がほぼ均一に目標温度TAとなるように、ウエハW2の温度分布を設定してもよい。
また、第2の温度調整方法として、ウエハW2が温度調整テーブル40上の位置A2にあるときに、ウエハW2の温度分布とウエハW1の温度分布(即ちウエハホルダ20の温度分布)との和がほぼ均一に目標温度TAとなるように、ウエハW2の温度分布を設定してもよい。
この場合、ウエハW1の計測される温度分布が図6(B)に示すように、領域48C内でほぼ均一で等温線48B,48Aの中心に向かって次第に高くなるものとすると、対応するウエハホルダ20の温度分布は、図6(A)に示すように、側壁20a及びピン20pを含む領域48Cに対応する領域47C内でほぼ均一で、等温線48B,48Aに対応するピン20pを含む領域47B,47Aに向かって次第に高くなる。そこで、温度調整テーブル40の複数のブロック部Aijの温度分布は、図6(C)に示すように、ほぼ等温線48A内に対応するブロック部A11,A12で最も低くなり、ほぼ等温線48B内に対応するブロック部A13,A22,A32,A42で次に低くなり、それ以外の領域ではほぼ目標温度よりも所定温度低くなる。この結果、次の露光対象のウエハW2の温度分布は、ウエハホルダ20の温度分布を相殺する分布となり、露光中にウエハW2の温度はほぼ均一に目標温度になるため、ウエハW2のショット配列が設計上のショット配列に近くなる。
また、上記の実施形態の露光装置(露光方法)を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図7に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたレチクル(マスク)を製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した実施形態の露光装置(露光方法)によりレチクルのパターンを基板(感光基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置(露光方法)を用いてレチクルのパターンの像を基板(ウエハ)に転写することと、転写された基板をそのパターンの像に応じて処理すること(ステップ224)とを含んでいる。この際に、上記の実施形態によれば、露光中のウエハの熱変形が少なく、重ね合わせ精度が向上しているため、電子デバイスを高精度に製造できる。
なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、ステッパー等の一括露光型の露光装置で露光を行う場合にも同様に適用することができる。また、本発明は、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書、又は欧州特許出願公開第1420298号明細書等に開示されているような、投影光学系と露光対象の物体(ウエハ等)との間に露光光を透過する液体を供給する液浸型の露光装置で露光する場合にも適用できる。また、本発明は投影光学系を用いないプロキシミティ方式等の露光装置で露光を行う場合にも適用できる。
また、本発明の露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、MEMS(Microelectromechanical Systems)、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
ILS…照明光学系、R…レチクル、PL…投影光学系、W…ウエハ、WST…ウエハステージ、6…温度制御系、9…ウエハローダ系、10…ウエハ・アンローダ系、20…ウエハホルダ、28…温度計測ユニット、40…温度調整テーブル、100…露光装置
Claims (16)
- 露光光で基板上にパターンを露光する露光方法において、
第1基板の温度分布情報を計測し、
前記第1基板の温度分布情報に基づいて、露光前の第2基板の温度分布を調整することを特徴とする露光方法。 - 前記第2基板の温度分布を調整するときに、前記第2基板の温度分布を均一にすることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記第2基板の温度分布を調整するときに、露光中に前記第2基板を保持する基板ホルダの温度分布と前記第2基板の温度分布との和を均一にすることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記第1基板の温度分布情報の計測は、前記第1基板の露光後に行われることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記第1基板の温度分布情報の計測は、前記第1基板に対して所定間隔を隔てて配置された複数の温度センサを介して非接触に行われることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の露光方法。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。 - 露光光で基板上にパターンを露光する露光装置において、
第1基板の温度分布情報を計測する温度計測装置と、
前記温度計測装置で計測される温度分布情報に基づいて、露光前の第2基板の温度分布を調整する温度分布調整装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記温度分布調整装置は、前記第2基板が載置されるように近接して配置されるとともに、互いに独立に温度調整される複数の温度調整部を有することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記温度分布調整装置は、前記第2基板の温度分布を均一にすることを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。
- 前記温度分布調整装置は、露光中に前記第2基板を保持する基板ホルダの温度分布と前記第2基板の温度分布との和を均一にすることを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。
- 前記温度計測装置は、前記第1基板の露光後に前記第1基板の温度分布情報を計測することを特徴とする請求項7から10のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記温度計測装置は、前記第1基板に対して所定間隔を隔てて非接触に配置された複数の温度センサと、前記所定間隔に応じて定まる時定数を用いて前記複数の温度センサの計測結果を補正する温度補正部とを有することを特徴とする請求項7から11のいずれか一項に記載の露光装置。
- 請求項7から12のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。 - 露光対象の基板の温度分布を調整する装置であって、
第1基板の温度分布情報を計測する温度計測装置と、
前記温度計測装置で計測される温度分布情報に基づいて、第2基板の温度分布を調整する温度分布調整装置と、
を備えることを特徴とする基板温度調整装置。 - 前記温度分布調整装置は、前記第2基板が載置されるように近接して配置されるとともに、互いに独立に温度調整される複数の温度調整部を有することを特徴とする請求項14に記載の基板温度調整装置。
- 前記温度計測装置は、前記第1基板に対して所定間隔を隔てて非接触に配置された複数の温度センサと、前記所定間隔に応じて定まる時定数を用いて前記複数の温度センサの計測結果を補正する温度補正部とを有することを特徴とする請求項14又は15に記載の基板温度調整装置。
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