JP4953955B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ミスアライメント=yrot−xrot=平均値(Rzy)−平均値(Rzx)=平均値(Rzy−Rzx)
Rzy=d{Y(X)}/dX
Rzx=−d{X(Y)}/dY
Y(X)=ScanY(X)+Y(0)+aX
X(Y)=ScanX(Y)+X(0)+bY
{aS+bS}=ScanXY(S)−{ScanY(S)+ScanX(S)}
X(Y)=ScanX(Y)+X(0)+bY
Y(X)=ScanY(X)+Y(0)+aX
{aS+bS}=ScanXY(S)−{ScanY(S)+ScanX(S)}
X(Y)=ScanX(Y)+X(0)−rY+fY
Y(X)=ScanY(X)+Y(0)+rX+fX
ScanXY(S)−{ScanY(S)+ScanX(S)}={(r+f)S+(−r+f)S}
=2fS
fS=0.5*{ScanXY(S)−{ScanY(S)+ScanX(S)}}
f=d[0.5*{ScanXY(S)−{ScanY(S)+ScanX(S)}}/dS
=0.5*{d[ScanXY(S)]/ds−d[ScanY(S)]/ds−d[ScanX(S)]/ds}
ScanXYのリニアフィットによりスキャンScanXおよびScanYからリニアフィットを基本的に引き算したものであり、以下のように代入される。
X(Y)=ScanX(Y)+X(0)−rY+0.5*{d[ScanXY(S)]/ds−d[ScanY(S)]/ds−d[ScanX(S)]/ds}*Y
Y(X)=ScanY(X)+Y(0)+rX+0.5*{d[ScanXY(S)]/ds−d[ScanY(S)]/ds−d[ScanX(S)]/ds}*X
これにより、知られていない位置X(0)およびY(0)、および知られていない回転「r」だけが残る。これらのパラメータは、基板が基板テーブルに対してアライメントされた場合に、定期的に測定される。
(50x10−9)x0.1x(10x10−3)=0.05x10−9nm
Claims (5)
- 基板上にパターニングデバイスからパターンを投影するように配置された投影システムと、
前記基板を支持するように構成され、その側方側に形成された少なくとも1つの反射エレメントを有する基板テーブルと、
前記投影システムに対して前記基板テーブルを移動させるように構成された基板テーブル変位デバイス(50)と、
前記基板テーブルの少なくとも一部の温度を測定するように構成された基板テーブル温度モニタ(58)と、
前記基板テーブル温度モニタ(58)によって測定された温度を使用して、前記少なくとも1つの反射エレメントの位置、方向または形状の少なくとも1つの熱誘導シフトを予測するように構成された外乱ディテクタ(57)と、
前記少なくとも1つの反射エレメントからの放射を反射させ、前記外乱ディテクタ(57)によって予測された前記少なくとも1つの反射エレメントの前記熱誘導シフトを考慮することによって、前記基板テーブルの位置を測定するように配置された基板テーブル位置ディテクタ(53)と、
所定の経路に沿って前記基板テーブルを移動させるために前記基板テーブル変位デバイス(50)に制御信号を供給するように配置された制御システムであって、前記制御信号は前記基板テーブル位置ディテクタ(53)によって測定された前記基板テーブルの位置に対する基準によって測定される制御システム(54)と、を備え、
前記基板テーブルは、その側方側に形成された2つの略平面の第1および第2の反射エレメント(66、68)を備え、前記外乱ディテクタ(57)は前記2つの第1および第2の反射エレメント(66、68)の間に画定された角度の熱誘導シフトを測定するように配置されており、
前記基板テーブル変位デバイス(50)は、前記基板テーブルを第1の位置と第2の位置の間で移動させるように配置されており、
前記第1の位置と第2の位置の間の前記基板テーブルの移動中に、前記基板テーブル上の知られている位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、前記基板と前記基板テーブルの間の空間的関係のマップを導出するように構成された前記基板から前記基板テーブルまでのアライメントデバイス(46)と、
前記移動中に、前記投影システムの軸であるZ軸と垂直な方向に沿って空間的に分離された複数のレーザービームをそれぞれ同時に放射するように構成された干渉計(51、52)を用いて、Z軸周りの前記第1および第2の反射エレメント(66、68)表面の局所回転を測定するミラーアライメント測定デバイス(65)と、を備えた、
リソグラフィ装置。 - 前記基板テーブルの少なくとも一部の測定温度と前記基板テーブルの側部に形成された反射エレメントの位置、方向または形状の少なくとも1つの対応するシフトの間のマッピングを提供するキャリブレーションデータを含む記憶デバイスをさらに備え、
前記外乱ディテクタ(57)は前記キャリブレーションテーブルからデータを抽出することによって前記熱誘導シフトを予測するように構成されている、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記外乱ディテクタ(57)は、前記基板テーブルが前記基板テーブルの少なくとも一部の温度の関数として歪められることがどのように予測されるかを説明する数学モデルを使用して、前記熱誘導シフトを予測するように構成されている、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間を液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液体供給システムと、
前記投影システムの前記最終エレメントと前記基板の間の前記空間内に前記液体を実質的に含むように配置されたシール部材と、をさらに備えている、
請求項1から3の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。 - 基板を支持し、その側方側に形成された少なくとも1つの反射エレメントを有する基板テーブルを提供するステップと、
投影システムに対して前記基板テーブルを移動させるように基板テーブル変位デバイス(50)を提供するステップと、
前記基板テーブルの少なくとも一部の温度を測定するステップと、
前記測定した温度を使用して前記少なくとも1つの反射エレメントの位置、方向および形状の少なくとも1つの熱誘導シフトを予測するステップと、
前記少なくとも1つの反射エレメントからの放射を反射させ、前記少なくとも1つの反射エレメントの前記測定した熱誘導シフトを考慮することによって前記基板テーブルの位置を測定するステップと、
前記基板テーブル変位デバイス(50)を使用して所定の経路に沿って前記基板テーブルを移動させるように制御システム(54)を使用するステップであって、前記制御システム(54)用の制御信号は前記少なくとも1つの反射エレメントの予測したシフトを考慮して前記基板テーブルの前記測定位置に基づき測定されるステップと、を含み、
前記基板テーブルは、2つの略平面の1および第2の反射エレメント(66、68)を備え、
前記熱誘導シフトを予測するステップは、前記2つの第1および第2の反射エレメント(66、68)の間に画定された角度の熱誘導シフトを測定するように配置されている外乱ディテクタ(57)によって行われるものであり、
前記基板テーブルを第1の位置と第2の位置の間で移動させるステップと、
前記第1の位置と前記第2の位置の間の前記基板テーブルの移動中に、前記基板テーブル上の知られている位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定することによって、前記基板と前記基板テーブルの間の空間的関係のマップを導出するステップと、
前記移動中に、前記投影システムの軸であるZ軸と垂直な方向に沿って空間的に分離された複数のレーザービームをそれぞれ同時に放射するように構成された干渉計(51、52)を用いて、Z軸周りの前記第1および第2の反射エレメント(66、68)表面の局所回転を測定するステップと、
パターニングデバイスによってパターニングされ、投影システムによって投影された放射ビームでの前記基板の後の露光中に、リソグラフィ装置内の投影システムに対する前記基板テーブルの移動を制御するように前記第1および第2の反射エレメント(66、68)の前記測定した局所回転を使用するステップであって、前記リソグラフィ装置は前記露光中に、前記基板テーブルの位置を監視および制御するように前記第1および第2の反射エレメント(66、68)から反射された放射を使用するように構成されている、ステップと、を含む、
デバイス製造方法。
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