JPS58178536A - 加工片保持装置 - Google Patents
加工片保持装置Info
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- JPS58178536A JPS58178536A JP5059583A JP5059583A JPS58178536A JP S58178536 A JPS58178536 A JP S58178536A JP 5059583 A JP5059583 A JP 5059583A JP 5059583 A JP5059583 A JP 5059583A JP S58178536 A JPS58178536 A JP S58178536A
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、加工片保持装置に関し、評言すｎば、ウェー
ハの下方に直接配置さｎた開口【Ｍする支持プレー）ｋ
備え、前記開口が真空発生用手段と接続している加工片
、とくに半導体ウエーノ１の保持装置に関するものであ
る。
ハの下方に直接配置さｎた開口【Ｍする支持プレー）ｋ
備え、前記開口が真空発生用手段と接続している加工片
、とくに半導体ウエーノ１の保持装置に関するものであ
る。
かかる装置はマスクのグロジエクションコビーに際して
ウェーハ上で利用さｎ、かつ厳密に百えばウェーハ上に
待ち米′ｆｃｇｎたフォトラックの本来の露光に際して
のみならず、場合ｔｌｃ工って設けらｎるプレポジショ
ン装ａ（プレアラインメントステーション）においても
利用ざｎる。
ウェーハ上で利用さｎ、かつ厳密に百えばウェーハ上に
待ち米′ｆｃｇｎたフォトラックの本来の露光に際して
のみならず、場合ｔｌｃ工って設けらｎるプレポジショ
ン装ａ（プレアラインメントステーション）においても
利用ざｎる。
醍く知らｎている工うに＠気門接続のフォトリソグラフ
ィック製造Ｖｃｌ！してシリコン円板は感光ラックで覆
わｎかつ感光層は対応して形成さｎ７ｃマスクから引き
出さｎるパターンの形において続いて露光する。この過
程は一般に繰り返して連続的に同一位置において行なわ
ｎ、そのさいそｎは応答範囲がカバーに対して正確に達
することが必須である。こｎを得るためｔｌｃは、ウェ
ーハの膨張ま几は収縮がマスク像の有効な拡大または縮
小の変化′ｔ−導くので、ウェーハの温度會正確に制御
することが必須である。
ィック製造Ｖｃｌ！してシリコン円板は感光ラックで覆
わｎかつ感光層は対応して形成さｎ７ｃマスクから引き
出さｎるパターンの形において続いて露光する。この過
程は一般に繰り返して連続的に同一位置において行なわ
ｎ、そのさいそｎは応答範囲がカバーに対して正確に達
することが必須である。こｎを得るためｔｌｃは、ウェ
ーハの膨張ま几は収縮がマスク像の有効な拡大または縮
小の変化′ｔ−導くので、ウェーハの温度會正確に制御
することが必須である。
ウェーハの温度の正確な制御が電気的接続のリングラフ
製造ＫＩＬして必須であることは公知であるけｎどｔ、
こｎまではこ７’ＬＫ対して通用ざｎる＋段は不十でめ
った。そのような意図から、温度差ｔウェーハ用位置決
め装置全体の範囲において出来るだけ小ざく憬待しかっ
この均一な温度をＶすえば冷却または加熱空気の吹込み
に工って制御することｔ、その時その時に目Ｉｌ！にし
ている。かがるシステムは発生する変１ｖＩＶｃ迅速な
応答を許容せず、かつとくに独立変数としてのウェーハ
温度の取扱いを許容しない。
製造ＫＩＬして必須であることは公知であるけｎどｔ、
こｎまではこ７’ＬＫ対して通用ざｎる＋段は不十でめ
った。そのような意図から、温度差ｔウェーハ用位置決
め装置全体の範囲において出来るだけ小ざく憬待しかっ
この均一な温度をＶすえば冷却または加熱空気の吹込み
に工って制御することｔ、その時その時に目Ｉｌ！にし
ている。かがるシステムは発生する変１ｖＩＶｃ迅速な
応答を許容せず、かつとくに独立変数としてのウェーハ
温度の取扱いを許容しない。
本発明の目的は、そｆ’ＬＶｃ対して、ウェーハの迅速
な加熱ま友は冷却ｔそｎ自体町＃４しにし、そｎにより
位置決めユニットの他の部分の加熱または冷却が僅かな
範囲において生するようになる装ｆｌｔｋ作ることＶＣ
ある。
な加熱ま友は冷却ｔそｎ自体町＃４しにし、そｎにより
位置決めユニットの他の部分の加熱または冷却が僅かな
範囲において生するようになる装ｆｌｔｋ作ることＶＣ
ある。
本発明の他の目的は、ウェーハの加熱または冷却によっ
て生ずる装置の熱平衡Ｋｂける不均衡全追加の熱循環に
よって除去することｔｌｃある。
て生ずる装置の熱平衡Ｋｂける不均衡全追加の熱循環に
よって除去することｔｌｃある。
本発明の特別な目的は、マスクの、投射線のま７’（は
ウェーハのおよびマスク會支持する骨組の加熱または冷
却によって生ずる拡大尺度における変化を補償すべく、
ウェーハの温度の迅速な変化に対する可能性を作ること
に６る。
ウェーハのおよびマスク會支持する骨組の加熱または冷
却によって生ずる拡大尺度における変化を補償すべく、
ウェーハの温度の迅速な変化に対する可能性を作ること
に６る。
こｎらのおよび他の目的は、本発明にょｎば、支持プレ
ートの下側に加熱および冷却用手段が直列接続のベルチ
ェ素子の形で設けらｎることによって達成ざｎる。
ートの下側に加熱および冷却用手段が直列接続のベルチ
ェ素子の形で設けらｎることによって達成ざｎる。
ベルチェ素子によってそｎ ｋ Ｒｆ’Ｌる流ｎの方向
に応じて局部的な加熱および冷却が達成さｎることがで
きることが良く知らｎかつそｎゆえ詳述はしない。その
ようなベルチェ素子を支持プレートの加熱に利用するこ
とができる友めに、該ベルチェ素子は、 １ｋｆｉが直
列接続の素子を通って流ｎるならば、上側および下側が
その都度均一に加熱ま友は冷却さｎるブロック内に配置
さｎねばならない、このブロックの配置のため好しくけ
フレームが使用さｎ、このフレーム内でペルチェＸ子か
ら形成さｎた構造ユニットは、かかるフレームが支持プ
レートシよび該支持プレート？叉持する基板との間の機
械的結合を容易に引き受けることができるので、締め付
けらｎる。とくに加熱および冷却ユニットによって達成
さｎた余剰熱の排出のために、原則的にしかしまた一時
的な熱供給の目的の友めに、１板は、それ全通って熱支
持体、例えば水が案内さｎることができる通路システム
ｋｍえている。
に応じて局部的な加熱および冷却が達成さｎることがで
きることが良く知らｎかつそｎゆえ詳述はしない。その
ようなベルチェ素子を支持プレートの加熱に利用するこ
とができる友めに、該ベルチェ素子は、 １ｋｆｉが直
列接続の素子を通って流ｎるならば、上側および下側が
その都度均一に加熱ま友は冷却さｎるブロック内に配置
さｎねばならない、このブロックの配置のため好しくけ
フレームが使用さｎ、このフレーム内でペルチェＸ子か
ら形成さｎた構造ユニットは、かかるフレームが支持プ
レートシよび該支持プレート？叉持する基板との間の機
械的結合を容易に引き受けることができるので、締め付
けらｎる。とくに加熱および冷却ユニットによって達成
さｎた余剰熱の排出のために、原則的にしかしまた一時
的な熱供給の目的の友めに、１板は、それ全通って熱支
持体、例えば水が案内さｎることができる通路システム
ｋｍえている。
本発明の装置によｎば、叉狩プレート内に配置さｆ′Ｌ
７を測定感知器によって管理さｎるウェーハの温度は、
ベルチェ素子”ｔＲｆＬる流ｎの方向および強さがＩＩ
！ｌ整さｎるので、迅速に上昇および降下することがで
きる。そｎゆえウェーハの温には、その実現は本発明に
よって可能である本出願人によって既になさｎ７ｔ−提
案によって、投射システムの温Ｒ変化にさかのぼる拡大
の変吏會補償するように、故意に変化さｎることができ
る。
７を測定感知器によって管理さｎるウェーハの温度は、
ベルチェ素子”ｔＲｆＬる流ｎの方向および強さがＩＩ
！ｌ整さｎるので、迅速に上昇および降下することがで
きる。そｎゆえウェーハの温には、その実現は本発明に
よって可能である本出願人によって既になさｎ７ｔ−提
案によって、投射システムの温Ｒ変化にさかのぼる拡大
の変吏會補償するように、故意に変化さｎることができ
る。
以下本発明を図面に基づいて詳細Ｌｌｃ説明する。
第１図は支持プレート２上のウエーノ曳１會示し、支持
プレート２は軸５のまわりに回転可能に取り付けである
。キャリッジ６および７はウエーノ１のＸ−Ｘ方向への
運動を許容する。
プレート２は軸５のまわりに回転可能に取り付けである
。キャリッジ６および７はウエーノ１のＸ−Ｘ方向への
運動を許容する。
このような配置は、例えば、ウェー７１がフォトリソグ
ラフ装置の本来の露光位置ｒｃ付ち米７′Ｃｇｆ’Ｌる
＠に、ウェーハを予め位置決めするのに利用さｎる。ま
たこの方法の段階においては、ウエーノ１の収容による
露光位置における温度均衡の妨げ髪できる限り少なくし
なけｎばならないので、ウェーハ１の正確な温度制−が
既に考えらｎていゐ。
ラフ装置の本来の露光位置ｒｃ付ち米７′Ｃｇｆ’Ｌる
＠に、ウェーハを予め位置決めするのに利用さｎる。ま
たこの方法の段階においては、ウエーノ１の収容による
露光位置における温度均衡の妨げ髪できる限り少なくし
なけｎばならないので、ウェーハ１の正確な温度制−が
既に考えらｎていゐ。
さらにまた、温度に制限さｆｉ、６）ＩＩＰ動によって
つ工−ハ１上での調整マークが阻害さｎる光学的方法で
予め位置決めすることが既に生じている。
つ工−ハ１上での調整マークが阻害さｎる光学的方法で
予め位置決めすることが既に生じている。
ウェーハ１の温度を制御する友めに、支持プレート２の
下方には該支持プレート２の加熱および冷却用手段上官
む中間プレート３が存する。該中間プレート６の下方に
配１１さｔ″Ｌｆｃ基板４は中間プレート３訃よび支持
グレート２全支持し力・つ余剰熱排出用手段を含んでい
る。
下方には該支持プレート２の加熱および冷却用手段上官
む中間プレート３が存する。該中間プレート６の下方に
配１１さｔ″Ｌｆｃ基板４は中間プレート３訃よび支持
グレート２全支持し力・つ余剰熱排出用手段を含んでい
る。
ウェーハ１用の支持装置の溝造は第２図ないしｉ＠７図
に詳しく示しである。と（Ｖｃｉ３図および第４図に示
すごとく、支持プレート２の上側には排気開口８があり
、該排気開口８は支持プレート２の通路９と接続さｎて
いる。ｒｎらの通路円Ｖ（は孔１０お工びＪ路１１を通
って空気導管１２ｒこよって排気さｎるとすぐに低圧（
真空）が存する。
に詳しく示しである。と（Ｖｃｉ３図および第４図に示
すごとく、支持プレート２の上側には排気開口８があり
、該排気開口８は支持プレート２の通路９と接続さｎて
いる。ｒｎらの通路円Ｖ（は孔１０お工びＪ路１１を通
って空気導管１２ｒこよって排気さｎるとすぐに低圧（
真空）が存する。
真空＃ｊ定導管１３４介して制御可能であるこの低圧は
公知の方法においてウェーハ１の締付けのため支持プレ
ート２の上側に通じている。その時々のｍ度を保持する
丸めに支持プレート２はその中に止めネジ１５によって
密閉さｎる縣度感知器１４が存する。該温度感知為１４
．から信号Ｍ１１６が軸５円のケーブル通路１７ｔ−通
って外方ｒｃ通じている。１度感知器の場合に例えばミ
ニチュアｐｔ −１００＄ｌｌｊ定抵抗に関係する。こ
ｎは誦い絶対梢度、良好な分析（レゾリュージョン）お
よび良好な再生性を特徴としている。
公知の方法においてウェーハ１の締付けのため支持プレ
ート２の上側に通じている。その時々のｍ度を保持する
丸めに支持プレート２はその中に止めネジ１５によって
密閉さｎる縣度感知器１４が存する。該温度感知為１４
．から信号Ｍ１１６が軸５円のケーブル通路１７ｔ−通
って外方ｒｃ通じている。１度感知器の場合に例えばミ
ニチュアｐｔ −１００＄ｌｌｊ定抵抗に関係する。こ
ｎは誦い絶対梢度、良好な分析（レゾリュージョン）お
よび良好な再生性を特徴としている。
図示装＠における発明の本質は第５図にとくに下方に描
かｎ２加熱および冷却装置である。これはブロック１９
内にマトリックス状に配ｒＩｔさｎたペルチェ素子（Ｐ
ｅｔｔｉｅｒ Ｅｌｅｍｅｎｔ） ２０ Ｋ工って形成
され、該ペルチェ素子２０は直列に接続ざｎかつ電導体
２１および２２に介して電圧全供給さ才する。この電圧
の極性に応じてブロック１９の上側が冷却ざｎそして下
側が加熱さｎかつ逆転ｇｎる。
かｎ２加熱および冷却装置である。これはブロック１９
内にマトリックス状に配ｒＩｔさｎたペルチェ素子（Ｐ
ｅｔｔｉｅｒ Ｅｌｅｍｅｎｔ） ２０ Ｋ工って形成
され、該ペルチェ素子２０は直列に接続ざｎかつ電導体
２１および２２に介して電圧全供給さ才する。この電圧
の極性に応じてブロック１９の上側が冷却ざｎそして下
側が加熱さｎかつ逆転ｇｎる。
代表的な電気的駆動値は５Ａお工び４Ｖ′Ｔ：ある。
ブロック１９はフレーム１８内に把持さｎ、該フレーム
１８はブロック１９とともに中間プレート３會形成する
。このフレーム１８は、トくに、ブロック１９奮損傷す
ることなく、支持プレート２および基板４の正確な機械
的接続を可能にすることを目的としている。他方に訃い
てフレーム１８は支持プレート２と基板４との間に出来
るだけ小さな寸法において熱的ブリッジ上水すだけで工
い。
１８はブロック１９とともに中間プレート３會形成する
。このフレーム１８は、トくに、ブロック１９奮損傷す
ることなく、支持プレート２および基板４の正確な機械
的接続を可能にすることを目的としている。他方に訃い
てフレーム１８は支持プレート２と基板４との間に出来
るだけ小さな寸法において熱的ブリッジ上水すだけで工
い。
そｎゆえそｎは支持プレート２と基板４において狭い７
２ンジの形で突き合せになっている。クリヤランス２５
はフレーム１８ｔ−通して信号−１６の導入ｔ−可能に
する。
２ンジの形で突き合せになっている。クリヤランス２５
はフレーム１８ｔ−通して信号−１６の導入ｔ−可能に
する。
第６図に断面で示し次基板４はそｎｖｃ対抗する部分だ
けでなく、余剰熱を排出するような課題ｔ％有している
。この目的のために、基板４は回路を形成する孔４會晴
え、該孔は熱支持体、例えば水の供給管２８シよび排出
管２９全介して通過さｆる。基板４のクリヤランス３０
ｒｔ軸５内Ｖｃ延びるケーブル通路２５および２４への
電導体２１および２２の導入を許容する。
けでなく、余剰熱を排出するような課題ｔ％有している
。この目的のために、基板４は回路を形成する孔４會晴
え、該孔は熱支持体、例えば水の供給管２８シよび排出
管２９全介して通過さｆる。基板４のクリヤランス３０
ｒｔ軸５内Ｖｃ延びるケーブル通路２５および２４への
電導体２１および２２の導入を許容する。
部分２．５および４′ｊｋ正確ｖｃＪｆ１せることかで
きるように、フレーム１８を支持プレート２と接続する
ネジ３１が設けらｎる。この接続がなさｎると、ウェー
ハの把持面は平らに形成さｎかつさらに他の４本のネジ
５２かフレーム１８と接続すｎる一方平らな把ｒｆｒｋ
Ｊのねじｎが回避２！ｎる。互いＫｍ絖した部分の正確
な相互の調整の丸めにさらにピン５５’ｆ７（（ＩＩＩ
えている。
きるように、フレーム１８を支持プレート２と接続する
ネジ３１が設けらｎる。この接続がなさｎると、ウェー
ハの把持面は平らに形成さｎかつさらに他の４本のネジ
５２かフレーム１８と接続すｎる一方平らな把ｒｆｒｋ
Ｊのねじｎが回避２！ｎる。互いＫｍ絖した部分の正確
な相互の調整の丸めにさらにピン５５’ｆ７（（ＩＩＩ
えている。
本発明による装置は、ウェーハ１の温度上第８図に略示
した方法においてリングラフ装置の拡大の安定の友めに
利用することを許容する。
した方法においてリングラフ装置の拡大の安定の友めに
利用することを許容する。
この装置は、マスク３５會レンズ系３９’に介してウェ
ーハ１上に縮小して形成する露光装ＵＩｔ５４から実貿
的になる。レンズ３５の温度まだはマスク３５とウェー
ハ１會引き離す支持体５７の長さ會変史すると、まずウ
ェーハ１は焦点面から外ｎるが、この焦点向は進歩的な
システムにおいて自動的に調整さｎる。しかしながら、
そのさい連続する像の正確な被模が妨げらｎる拡大の変
化音生じる。七ｎゆえ１にの温度上昇が１［］ＩＩＫの
エツジ長さ七七するケイ素プレート會約０．０８μ変化
するので、ウェーハ１の温度は綿密に制御されねばなら
ないことが容易に理解さｎる。他方において、ウェーハ
の加熱または冷却によって有効な拡大が変化さｎること
ができる。
ーハ１上に縮小して形成する露光装ＵＩｔ５４から実貿
的になる。レンズ３５の温度まだはマスク３５とウェー
ハ１會引き離す支持体５７の長さ會変史すると、まずウ
ェーハ１は焦点面から外ｎるが、この焦点向は進歩的な
システムにおいて自動的に調整さｎる。しかしながら、
そのさい連続する像の正確な被模が妨げらｎる拡大の変
化音生じる。七ｎゆえ１にの温度上昇が１［］ＩＩＫの
エツジ長さ七七するケイ素プレート會約０．０８μ変化
するので、ウェーハ１の温度は綿密に制御されねばなら
ないことが容易に理解さｎる。他方において、ウェーハ
の加熱または冷却によって有効な拡大が変化さｎること
ができる。
像の大きさはマスクの温度ＴＭに対してほぼ比例しかつ
支持体の温度Ｔ。ｖｃ対して逆比例する。
支持体の温度Ｔ。ｖｃ対して逆比例する。
Ｉ！たマスクと支持体の熱膨張係数ａＭ、α０ が等し
いならば、レンズが像側に関してテレセンドリンク（ｔ
ｅｌｅ−ｃｅｎｔｒｉｃ）であるので、像の大きざの変
化は温度平衡Ｔ ＝ ＴＭ＝ Ｔｏおいて生じない。α
つ＝α。
いならば、レンズが像側に関してテレセンドリンク（ｔ
ｅｌｅ−ｃｅｎｔｒｉｃ）であるので、像の大きざの変
化は温度平衡Ｔ ＝ ＴＭ＝ Ｔｏおいて生じない。α
つ＝α。
が技術に実際的な条件であるので、レンズの焦点距離ｆ
が温度の複雑な関数ｆ（ＴＬ）でないならば、完全な温
度平衡を生じる。
が温度の複雑な関数ｆ（ＴＬ）でないならば、完全な温
度平衡を生じる。
したがって、倍率に関してはコンピュータ制御の温度平
衡システムが利用さｎねばならない。マスク、支神体、
レンズおよびウェーハの温度全符号３６，３８．４０お
よび４２において調べかつウェーハの加熱および冷却に
よって有効な拡大全調整する。係数 α、は唯一の制御
装置１ｔ＃／ｃ関して８賛な入力パラメータである。
衡システムが利用さｎねばならない。マスク、支神体、
レンズおよびウェーハの温度全符号３６，３８．４０お
よび４２において調べかつウェーハの加熱および冷却に
よって有効な拡大全調整する。係数 α、は唯一の制御
装置１ｔ＃／ｃ関して８賛な入力パラメータである。
礪１図は本発明による装置ｔｌｓえたグレホジショニン
グステーション奮示す横断面図、第２図ないし第７図は
本発明によるウェーハ用把持装置の実施例を示し、厳密
に阿えば、第２区Ｉはその下面図、第５図は第２図のＡ
−Ａ線に対応する断面図、第４図は第２図のＢ−Ｂ線゛
に対応する断面図、第５図は冷却シよび加熱素子の下面
図、第６図は第５図および第４図のＣ−Ｃ線による断面
図、第７図は第４＠ＪのＤ−Ｄ線による拡大断面図であ
り、 第８図は電気的接続装置のフオ） ＩＪングラフ製造に
おける拡大の安定のための本発明の罠用を示す略図であ
る。 自生、符号１はウェーノー、２は支持プレート、４は基
板、５は軸、８は開口、９は通路、１２は空気導管、１
４は温度感知器、１６は信号線、１８はフレーム、１９
はブロック、２０はペルチェ素子、２１．２２は電導体
、２５．５０はクリヤランス、２６は狭いフランジ、２
７は液体専管、２８は供給管、２９は排出管、３５はマ
スク、３７は支持体、４１は制御ユニットである。
グステーション奮示す横断面図、第２図ないし第７図は
本発明によるウェーハ用把持装置の実施例を示し、厳密
に阿えば、第２区Ｉはその下面図、第５図は第２図のＡ
−Ａ線に対応する断面図、第４図は第２図のＢ−Ｂ線゛
に対応する断面図、第５図は冷却シよび加熱素子の下面
図、第６図は第５図および第４図のＣ−Ｃ線による断面
図、第７図は第４＠ＪのＤ−Ｄ線による拡大断面図であ
り、 第８図は電気的接続装置のフオ） ＩＪングラフ製造に
おける拡大の安定のための本発明の罠用を示す略図であ
る。 自生、符号１はウェーノー、２は支持プレート、４は基
板、５は軸、８は開口、９は通路、１２は空気導管、１
４は温度感知器、１６は信号線、１８はフレーム、１９
はブロック、２０はペルチェ素子、２１．２２は電導体
、２５．５０はクリヤランス、２６は狭いフランジ、２
７は液体専管、２８は供給管、２９は排出管、３５はマ
スク、３７は支持体、４１は制御ユニットである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）加工片、とくに半導体ウェーハの保持装置であっ
て、該ウェーハの下方に直接配ｍさｎた開口をゼする支
持プレート全一え、前記開口が真空発生用手段と接続し
ているものにおいて、Ｈσ紀支す守プレートの下１ｊｌ
ｌ］Ｖｃは直列に接続さｎたペルチェ系子の形の加熱お
よび冷却用手段が設けらｎることｔ％徴とする加工片保
持装置。 （２）前記ペルチェ素子はブロックの形で配直さｎ。 該ブロックはフレームＶ′３に固層、とくに細め付けら
ｎることを特徴とする特許１ｒｉ１１求の範囲第１項ｄ
ピ載の加工片保持装置 （８） Ａｔｌ記ブロブロックびｉ！ｔＩ記フレ一フレ
ームにａ基板が配置さｎ、該基板内には液体通路が刻設
されることを特徴とする特許請求の４囲第２１３４ ｉ
ピ載の加工片保持装置。 （４）前記基板は回転可能な軸によって支持さｎ。 該軸Ｐ３には加熱および冷却ブロックの給電用導体なら
びに空気導管シよび２本の水導管が案内さｎることｔ４
！徴とする特許請求の範囲第６項記載の加工片保持装置
。 （６）前記フレームは前記支持プレートおよび前Ｈｔ基
板を小さなフランジに沿ってのみ接触することｔ特徴と
する特許請求の範囲第３項記載の加工片保持装置。 （６）前記支持プレート内には温度感知器か配ｌｔさｎ
、こｎから信号線が前記フレームおよび前ｄピ基板のク
リャランヌ會通って前記軸内に案内さｎることｆｔ￥１
ｆ１１とする特許請求の範囲＠項いずｎかに記載の加工
片保持装置。 （テ）電流の供給は加熱および冷却装［Ｋ対して有用な
極性上制御ユニットｒｃ工って制御さｎ、該制御ユニッ
トは前記ウェーハ上に収射物体會介して形成さｎねばな
らないマスクの温度によ゛つて影響を及はさｎならびに
前記投射物体の温度およびマスクｔウエーノ・から距離
ｔおいて保持している支持体の温度によって影響會及は
さｎることを特徴とする特許請求の範囲前項いずｎかに
記載の加工片保持装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/363,860 US4432635A (en) | 1979-12-20 | 1982-03-31 | Temperature-controlled support for semiconductor wafer |
| US6/363860 | 1982-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178536A true JPS58178536A (ja) | 1983-10-19 |
| JPH0363218B2 JPH0363218B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=23432040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059583A Granted JPS58178536A (ja) | 1982-03-31 | 1983-03-28 | 加工片保持装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178536A (ja) |
| DE (1) | DE3306999A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
| DE3608783A1 (de) * | 1986-03-15 | 1987-09-17 | Telefunken Electronic Gmbh | Gasphasen-epitaxieverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
| US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
| JP2737010B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP2625310B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1997-07-02 | シマテク，インコーポレイテッド | シリコンウェハーの製造方法および装置 |
| JP2507478Y2 (ja) * | 1991-06-26 | 1996-08-14 | 株式会社エンヤシステム | ウエ―ハ反転貼付装置 |
| US5172949A (en) * | 1991-08-02 | 1992-12-22 | Smc Kabushiki Kaisha | Suction pad with temperature control mechanism |
| DE19700839C2 (de) * | 1997-01-13 | 2000-06-08 | Siemens Ag | Chuckanordnung |
| US6005226A (en) * | 1997-11-24 | 1999-12-21 | Steag-Rtp Systems | Rapid thermal processing (RTP) system with gas driven rotating substrate |
| EP1356499A2 (en) | 2000-07-10 | 2003-10-29 | Temptronic Corporation | Wafer chuck with interleaved heating and cooling elements |
| CN106887399B (zh) | 2010-12-20 | 2020-02-21 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于保持晶片的容纳装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS5626437A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Wafer supporting base |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD127137B1 (de) * | 1976-08-17 | 1979-11-28 | Elektromat Veb | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
| US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
| US4202623A (en) * | 1979-01-08 | 1980-05-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Temperature compensated alignment system |
-
1983
- 1983-02-28 DE DE19833306999 patent/DE3306999A1/de active Granted
- 1983-03-28 JP JP5059583A patent/JPS58178536A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS5626437A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Wafer supporting base |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3306999C2 (ja) | 1988-11-17 |
| DE3306999A1 (de) | 1983-10-06 |
| JPH0363218B2 (ja) | 1991-09-30 |
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