JP2001035764A - 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法

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JP2001035764A
JP2001035764A JP11202020A JP20202099A JP2001035764A JP 2001035764 A JP2001035764 A JP 2001035764A JP 11202020 A JP11202020 A JP 11202020A JP 20202099 A JP20202099 A JP 20202099A JP 2001035764 A JP2001035764 A JP 2001035764A
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光光に起因して発生する熱により生じるア
ライメント精度の低下、結像性能の劣化等の悪影響を、
簡便な構成により防止する。 【解決手段】 露光装置において、露光光に起因して発
生する熱を排除、拡散もしくは均一化しまたは所定の分
布とするための高い熱伝導率または熱拡散率のいずれか
または双方を有する物体12を設ける。この物体は、レ
チクル4、レチクル保持部7等の表面に敷設しまたは接
触させて設けられ、レチクル、レチクル保持部等よりも
高い熱伝導率または熱拡散率のいずれかまたは双方を有
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置ならびにこ
れを用いたデバイス製造方法に関し、特に半導体製造装
置である露光装置を用いて、マスクやレチクル等の原板
を半導体ウエハ等の基板に精度よく露光するものに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年ICやLSI等の半導体集積回路の
微細化、高集積化が図られている。特に位置合せにおい
ては、原板と基板とを数十ナノメータのオーダで重ね合
わせる技術が要求されている。
【0003】このような半導体製造に用いられる露光装
置として、ステッパやスキャナと呼ばれる装置が知られ
ている。これらの装置は、基板(例えば半導体ウエハ)
をステップ移動させながら、原板(例えばレチクル)上
に形成されているパターンを基板の複数箇所に順次転写
していくものである。この転写を一括で行なう装置がス
テッパまたはステップアンドリピート装置であり、ステ
ージをスキャンさせながら転写する装置がスキャナまた
はステップアンドスキャン装置と呼ばれる。両者の相違
は露光時の形態であり、ステップを繰り返して転写を行
なうという基本的な動作(ステップアンドリピート)に
ついては、両者とも同じ振る舞いをする。
【0004】昨今、半導体集積回路等のパターンはます
ます高密度化および微細化されており、一層のアライメ
ント精度の向上が求められている。露光光の透過率が低
い原板(レチクル)を用いた際、繰り返し行なわれる露
光作業により、露光用の光の一部がレチクルに吸収さ
れ、レチクルが熱変形し、これによって結像特性の変化
が生じるという問題がある。すなわち、クロム等でレチ
クルに形成されたパターン部分に照射される露光光の一
部が当該パターン部分に吸収され、レチクル自体が熱膨
張してしまう。さらに、レチクルの熱蓄積によりレチク
ルの温度が上昇し、レチクルの輻射熱を起因としたレチ
クル周辺部の熱変形によってもアライメント精度が低下
する。このアライメント精度の低下は、従来の露光装置
では許容範囲内の量であったが、昨今の露光装置では無
視できない量になってきている。
【0005】前記問題を解決する方法の1つを、特開平
4−192317号公報が開示している。この発明を簡
単に説明すると、まず、照明光の吸収によるレチクルの
熱変形量を求める。レチクルの熱変形量の求める方法と
しては、レチクルに使用しているクロム等の遮光部材の
種類や熱吸収率およびパターンの分布等に基づいて数値
計算によってレチクル内の代表的な数点の熱変形量を求
める方法がある。またレチクルの計測用マーク位置を直
接計測することによりレチクルの熱変形量を求める方法
もある。次に、前記の結果より光学計算あるいは実例に
基づく定式化によって投影光学系による結像状態の変化
を予測する。この結果により、レンズ駆動等の結像状態
の補正手段を用いて結像状態を一定にするか、または結
像状態の変動による影響を最小に抑えるための補正を行
なう。この公報の発明により、レチクルの熱変形による
結像特性の変動分を、結像特性を補正する手段で補正す
ることによって、結像特性の変動をキャンセルすること
ができ、常に良好な結像状態を維持することが可能にな
っている。
【0006】前記問題を解決する別の方法として、特開
平9−102450号公報に開示されている方法があ
る。この発明によると、レチクル温度調節機構はレチク
ルに一定の温度の気体(空気)を吹き付けてレチクルの
温度を一定に維持する機構となっている。前記レチクル
を載置するステージの周囲には箱状のハウジングが設け
られ、前記空気は前記ハウジング内を流れるように構成
されている。
【0007】前記問題を解決するさらに別の方法とし
て、特開平10−163103号公報に開示されている
方法がある。この発明によると、空洞部が形成されたマ
スクをマスクホルダで保持し、空洞部に温度調整された
流体を供給する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
4−192317号公報のようにレチクルの熱吸収率と
露光光量から熱膨張量を計算によって求め、補正するこ
ともできるが、これによれば、あくまでも計算による補
正であるため、実際の膨張量との間に多くの誤差が発生
する。例えば、レチクルに吸収された熱は、放射と対流
によって空気中に拡散していくが、この現象をきちんと
数式で記述することは大変難しい問題である。そして、
レチクルに吸収される熱と放出される熱を正確に見積も
らなければレチクルの膨張量を計算することができな
い。また、レチクルの非透過パターンは左右対称でな
く、レチクル毎にパターン配置が異なるため、一部のエ
リアの温度が上昇するなど、レチクル面内で不均一な温
度分布となる。さらに周辺の構造体への伝熱等により温
度分布が時間とともに変化するため、一個の温度センサ
ならびに一組の加熱手段および冷却手段では正確な温度
制御ができないという問題がある。
【0009】また、特開平9−102450号公報や、
特開平10−163103号公報の方法のように流体を
使用した温調方法では、レチクル面の雰囲気に悪影響を
及ぼす懸念がある。さらに構造も大きくなるため、構成
が難しい。また、流体の流動による振動による影響も懸
念される。
【0010】将来、ますます露光エネルギーが大きくな
ることが予想される。そのようにレチクルの熱変形がさ
らに大きくなった場合、熱変形により発生した応力がレ
チクルを吸着している吸着力を超えてしまい、レチクル
が吸着面より滑る可能性がある。
【0011】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光装置およびこれを用いたデバイス製造
方法において、露光光に起因して発生する熱により生じ
る、アライメント精度の低下、結像性能の劣化等の悪影
響を、簡便な構成により防止することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の第1の露光装置は、露光光に起因して発生
する熱を排除、拡散もしくは均一化しまたは所定の分布
とするための高い熱伝導率または熱拡散率のいずれかま
たは双方を有する物体を具備することを特徴とする。
【0013】第2の露光装置は、第1の露光装置におい
て、被露光パターンを有するレチクルを保持するレチク
ル保持部と、このレチクル保持部を移動させるレチクル
ステージと、前記レチクルの被露光パターンを感光基板
上に露光する露光手段とを備え、前記レチクルまたはレ
チクル保持部のいずれかまたは双方の表面に、前記レチ
クルおよびレチクル保持部よりも高い熱伝導率または熱
拡散率のいずれかまたは双方を有する前記物体を敷設し
または接触させたことを特徴とする。
【0014】第3の露光装置は、第2の露光装置におい
て、前記露光手段は走査露光により露光を行なうもので
あり、前記レチクルステージは、前記走査露光に際して
前記レチクルを走査移動させるものであり、前記レチク
ルステージの少なくとも一部に前記レチクルステージよ
りも高い熱伝導率または熱拡散率のいずれかまたは双方
を有する物体を敷設しまたは接触させたことを特徴とす
る。
【0015】第4の露光装置は、第2または第3の露光
装置において、前記レチクルはペリクルおよびぺリクル
枠を有し、前記ペリクルまたはペリクル枠のいずれかま
たは双方に前記レチクル、前記レチクル保持部、ぺリク
ル、およびペリクル枠よりも高い熱伝導率または熱拡散
率のいずれかまたは双方を有する前記物体を敷設しまた
は接触させたことを特徴とする。
【0016】第5の露光装置は、第2の露光装置におい
て、前記物体は、前記レチクルの吸着部を構成しており
またはこの吸着部に接触していることを特徴とする。
【0017】第6の露光装置は、第1〜第5のいずれか
の露光装置において、被露光パターンを有するレチクル
を位置合せするための基準となるレチクル基準マークが
形成されている基板、この基板が固定されている基板保
持部、およびこの基板保持部が固定されているベースを
備え、前記物体を前記基板もしくは基板保持部、または
前記ベースの前記基板保持部が固定されている面の少な
くとも1つの表面に敷設しまたは接触させたことを特徴
とする。
【0018】第7の露光装置は、第6の露光装置におい
て、前記物体は、前記基板、基板保持部、または前記ベ
ースのうち少なくとも1つの材料より高い熱伝導率また
は熱拡散率のいずれかまたは双方を有することを特徴と
する。
【0019】第8の露光装置は、第1〜第7のいずれか
の露光装置において、前記物体と、前記物体からの熱の
伝導を阻止すべき部分との間に断熱材を設けたことを特
徴とする。
【0020】第9の露光装置は、第1〜第8のいずれか
の露光装置において、前記物体を介して伝導される熱を
排熱する排熱手段を備えることを特徴とする。
【0021】第10の露光装置は、第1〜第9のいずれ
かの露光装置において、前記露光光に起因した熱が発生
する部分または前記物体の温度を、前記物体を介して調
整する温度調整手段を備えることを特徴とする。
【0022】そして、本発明のデバイス製造方法は、第
1〜第10のいずれかの露光装置を用いて露光を行なう
工程を具備することを特徴とする。
【0023】これら本発明の構成において、露光光に起
因してレチクルやレチクル周辺部に発生する熱は、高い
熱伝導率または熱拡散率のいずれかまたは双方を有する
物体により、排除または拡散される。したがって、レチ
クルやレチクル周辺部の熱変形が防止あるいは軽減さ
れ、露光光の吸熱率の高いレチクルを用いた場合などに
おいても高精度な位置合せが行なわれる。また、レチク
ルの熱変形によって発生する重ね合せ精度等の低下が減
少し、近年あるいは将来に亘ってますます微細化するパ
ターンが、高い重ね合せ精度で露光されることになる。
また、前記物体により、レチクル基準マーク周辺部等に
ついて露光光に起因して発生する熱の分布を均一化し、
または所定の分布とすることにより、補正しやすい熱変
形が促され、露光光の吸熱率の高いレチクルを用いた場
合などにおいても、熱変形による補正量が考慮された、
高精度な位置合せが行なわれる。さらに、前記物体の物
性により放熱、排熱、温度調整、熱拡散等を行なうた
め、流体を使用した場合に比べ、構成が容易であり、振
動問題等も発生することが無い。したがって、さらに重
ね合せ精度のよい露光が行なわれることになる。
【0024】より具体的には、第2の露光装置において
は、前記物体を介してレチクルやレチクル保持部の熱蓄
積を拡散させ、レチクルやレチクル保持部の熱変形を防
止している。さらにレチクルやレチクル保持部において
局所的な温度勾配をなくし、レチクル周辺部の熱分布を
全体的に均一化することによって、レチクル周辺部の熱
変形に起因する光学特性の変化を倍率補正手段のみで良
好に補正することを可能としている。すなわちレチクル
周辺部の熱変形を自由にさせるのではなく、レチクル周
辺部に意図的にレチクルパターンの結像状態の変化が補
正しやすい熱変形を与えることにより、レチクル周辺部
の熱変形に起因するレチクルパターンの結像状態の変化
を容易に補正できるようにしている。
【0025】第3の露光装置では、高い熱伝導率の物体
を介してレチクルステージの熱蓄積を拡散し、レチクル
ステージの蓄積熱によりレチクルやレチクル保持部の熱
変形が起こるのを防止している。また、レチクルステー
ジにおいて局所的な温度勾配をなくし、またレチクルス
テージ内部に伝熱するのを軽減している。そして、レチ
クルステージ周辺部の熱分布を全体的に均一化すること
によって、レチクルステージ周辺部の環境変化に起因す
る光学特性の変化を軽減することを可能としている。
【0026】第4の露光装置では、ペリクル(ペリクル
枠を含む)が設置されたレチクルにおいても、ペリクル
に熱が蓄積されることを防止し、熱を拡散するようにし
ている。
【0027】第5の露光装置では、従来の露光装置では
連続露光動作等によりレチクルが熱を蓄積してしまうよ
うな場合においても、高熱伝導率を有する物体を介して
熱をレチクルより逃がすことを可能とし、レチクルの蓄
積熱を軽減している。
【0028】第6や第7の露光装置では、前記物体は、
特に面方向の熱伝導率が高くかつ低い膨張率を有し、さ
らに薄板あるいは0.1mm程度のシートであれば、構
成することが容易であるため、発明の効果がより顕著と
なる。そして、前記物体を敷設した範囲に前記基板、基
板保持部、またはベースの少なくとも1つ以上が固定さ
れているため、レチクル基準マーク周辺部に熱変形要因
が発生しても熱が拡散し、不均一な温度分布をとること
が無い。よってレチクルのパターンあるいは前記ベース
等の形状にとらわれることなく、レチクル基準マーク周
辺部の温度を均一な温度分布にしている。このようにし
てレチクル基準マーク周辺部の熱分布を全体的に均一化
することによって、レチクル基準マーク周辺部の熱変形
に起因する光学特性の変化を倍率補正手段のみで良好に
補正することを可能としている。すなわち、レチクル基
準マーク周辺部の熱変形を自由にさせるのではなく、レ
チクル基準マーク周辺部に意図的にレチクルパターンの
結像状態の変化が補正しやすい熱変形を与えることによ
り、レチクル基準マーク周辺部の熱変形に起因するレチ
クルパターンの結像状態の変化を容易に補正できるよう
にしている。
【0029】第8および第9の露光装置では、レチクル
やレチクル保持部の蓄積熱が他のレチクルステージ等の
構造体に伝熱するのを防止し、さらに蓄積熱を排熱手段
により効率よく排熱することを可能としている。したが
って、レチクル周辺部の熱分布を全体的に均一化しつつ
温度上昇を抑制している。特に前記物体とベース等の構
造体との間に断熱材を構成すれば、レチクルが蓄積した
熱がレチクル基準マーク周辺に輻射した際においても、
レチクル基準マーク周辺部の温度変動が前記ベース等の
構造体に伝熱するのが防止される。
【0030】第10の露光装置では、レチクルあるいは
その保持部の蓄積熱が他の構造体に伝熱するのを防止
し、さらに前記物体と温度調整手段が接続しているた
め、効率よくレチクル周辺部の熱交換をすることを可能
としている。したがって、レチクル周辺部の熱分布を全
体的に均一化しつつ温度上昇を抑制あるいは冷却できる
ようにしている。さらにレチクル周辺部を均一に加熱す
ることも可能としている。また、排熱手段の排熱特性を
制御する排熱制御部を設け、レチクル基準マーク周辺か
ら熱を排熱するための排熱経路部を高い熱伝導率かつ低
い膨張率を有する材料で構成すれば、レチクル基準マー
ク周辺の温度変動を均一に抑制することができる。この
材料としては、特に面方向の熱伝導率が高い材料が好ま
しい。さらに排熱経路部の表面を断熱材で覆えば、排熱
経路周辺の構造体に伝熱あるいは輻射することが抑制さ
れる。
【0031】
【実施例】[第1の実施例]以下、図面に基づき本発明
の実施例について説明する。図1は本発明の第1の実施
例に係るステップアンドリピート露光装置の概略図であ
る。同図において、1は露光ビーム光軸あるいは露光光
光軸と垂直なXY平面内をXおよびY方向に移動可能な
ウエハステージ、2はウエハステージ1上に保持された
被露光基板であるウエハ、4は原版であるレチクル、3
はレチクル4のパターンをウエハ2上に投影する投影光
学系、7はレチクル4を保持する基板保持部、8はレチ
クル基準マーク、9はレチクル4上に設けられたレチク
ルマーク、10はレチクル4の位置合せに用いる計測用
光学系、11は基板保持部7を2次元移動させるレチク
ルステージである。レチクル4には回路パターンを異物
の付着などから保護する目的で、図3に示すように、ペ
リクル枠5を介して光透過性の薄いペリクル膜6が張ら
れている場合もある。12はレチクル4等に接触した高
熱伝導率を有する物体、14は物体12を経て伝導して
くる熱を排熱する排熱部、13は物体12を伝導する熱
が他の構造体に伝導するのを防止する断熱材である。こ
の露光装置は、これらの物体12、排熱部14および断
熱材13を備える点において、図2の従来例と異なる。
【0032】この構成において、露光は次のような手順
で行なう。まず、レチクル4を、不図示のレチクル送込
みハンドにより基板保持部7に送り込み、基板保持部7
によりレチクル固定用真空パットを介して吸着保持す
る。次に、計測用光学系10およびレチクルステージ1
1を用い、レチクル基準マーク8とレチクル4上のレチ
クルマーク9間のずれが所定範囲内になるようにレチク
ル4を位置決めする。次にウエハ搬送系によりウエハ2
をウエハステージ1上に搬送して吸着させる。次にウエ
ハステージ1によりウエハ2上の複数箇所が順次露光さ
れるようにステップアンドリピート露光動作を繰り返し
ながら露光を行なう。そして、ウエハ全体の露光処理が
終了すると、ウエハ2を不図示のウエハ搬送系により搬
出する。
【0033】図3はレチクル4部分の上面概略図であ
る。図1および3に示すように、高熱伝導率を有する物
体12は、レチクル4、ペリクル6(以下の記述におい
て、ぺリクルの記述にはペリクル膜とぺリクル枠の記載
を含むものとする。)および基板保持部7よりも高熱伝
導率の薄板あるいはシート等によって構成されており、
レチクル4、ペリクル6または基板保持部10の少なく
とも1部の表面に敷設されあるいは接触するように設け
られている。特に、高熱伝導率を有する物体12でレチ
クル4の吸着部を構成すると、本発明の効果が顕著に現
れる。なお、レチクル4の吸着部とは、真空吸着パッ
ト、レチクルクランプ等のことである。また高熱伝導率
を有する物体12をレチクル4の吸着部に接触させるこ
とによっても大きな効果が期待できる。
【0034】高熱伝導率を有する物体12の材料として
は、熱伝導率200〜1000Kcal/m・hr℃の
グラファイトシートが好適であり、例えば特開平09−
156913号公報に開示されたグラファイトシートを
用いることができる。この材料は、炭素の結晶体から成
り、結晶性を示すモザイクスプレッドは0.5〜20で
あり、柔軟で他との密着性がよい。また、厚み方向と面
方向とで熱伝導率が異なり、面方向の方が2ケタだけ厚
み方向より熱伝導率が高い。具体的には面方向の熱伝導
率が600〜800W/m・k、厚み方向の熱伝導率が
5W/m・kである。その結果、面方向に熱を効率よく
逃がすことができる。面方向への熱伝導率が特に高いの
で、楔形部や円管部、その他様々な形状の表面に敷設し
ても十分熱伝導させることができる。また熱拡散率(拡
散速度)が高く、具体的には765mm2/s程度であ
る。他の材料と比較すると、熱伝導率で銅の2倍、アル
ミニウムの3倍であり、熱拡散率は銅やアルミニウムの
7倍以上である。また比重は0.3〜2.6である。な
お、高熱伝導率を有する材料12としては、熱伝導性シ
リコーンシートという選択も考慮できる。断熱材13
は、高熱伝導率の物体12とレチクルステージ11等の
構造体との間に構成し、高熱伝導率有する物体12は排
熱部14まで延長させている。
【0035】以上のような構成により、レチクル4等の
熱を、高熱伝導率を有する物体12と断熱材13を介す
ることにより排熱部14まで、レチクルステージ11等
の他の構造体に伝熱させずに伝熱させることができる。
したがって、レチクル4等の熱変形を防止することがで
きる。
【0036】また、物体12は、基板保持部7の局所的
な熱勾配を高効率で吸収し、かつ熱伝導性によって速や
かに自身の全域に効率よくかつ均一に熱を伝達するた
め、基板保持部7の温度分布を瞬時に均一にすることが
可能である。また、基板保持部7が均一な温度分布とな
るため、基板保持部7の熱変形により発生するレチクル
4の位置ずれを容易に補正することができる。すなわ
ち、基板保持部7の熱変形を自由にさせるのではなく、
基板保持部7に対して意図的にレチクルパターンの結像
状態の変化が補正しやすくなるような熱変形を与えるこ
とにより、基板保持部7の熱変形に起因するレチクルパ
ターンの結像状態の変化を容易に補正することができ
る。
【0037】また、排熱部14を温度調整部15に変更
してもよい。これによれば、レチクル部全体を容易に冷
却することができる。この結果、レチクル4等の熱変形
を防止あるいは軽減することができる。さらに基板保持
部7の局所的な熱勾配をリアルタイムでなくし、基板保
持部7の温度を一定にすることができる。温度調整部1
5は高熱伝導率を有する物体12に比べて十分大きな体
積を有している。これにより、温度調整部15は高熱伝
導率を有する物体12に比べて大きな熱容量をもつこと
になり、温度調整部15の温度をほとんど上昇させるこ
となくレチクル4等に発生する熱を均一に温度調整部1
5に伝播させることができる。温度調整部15の構造は
空冷方式でもよいしあるいは水冷方式でもよい。さら
に、温度調整部15にその特性を制御する制御部を併設
すれば、レチクル4等の温度制御を行なうことが可能で
ある。
【0038】なお、高熱伝導率を有する物体12の延長
経路周辺で特に熱伝播が懸念される物体には、断熱材を
設置することが効果的である。
【0039】以上の構造により、露光によるレチクル4
の熱蓄積に起因するレチクル4からの輻射熱の影響を軽
減することができ、レチクル4等の熱変形を防止するこ
とができる。
【0040】[第2の実施例]図4は、第2の実施例に
係るステップアンドスキャン露光装置のレチクル近傍部
分の概略を示す上面図である。同図において、17は図
示しないベース上に固定された平板状のガイド、25は
ガイド17に沿って走査方向(Y軸方向)に往復移動自
在な移動ステージであるレチクルステージ、18および
19はレチクルステージ25の走行路に沿ってその両側
に前記ベースと一体的に配設された一対のリニアモータ
固定子、20および21はレチクルステージ25の両側
面にそれぞれ一体的に設けられた一対のリニアモータ可
動子である。リニアモータ固定子18および19とリニ
アモータ可動子20および21はそれぞれレチクルステ
ージ25を走査方向に加速および減速する駆動手段であ
る一対のリニアモータを構成する。レチクルステージ2
5は、図示しないエアスライド(静圧軸受装置)を介し
てガイド17により非接触で案内される。
【0041】リニアモータ固定子18および19は、ガ
イド17に沿って直列に配設された複数のコイル、これ
を支持するヨーク、およびコイル台からなり、リニアモ
ータ可動子20および21は、コイルとコイル台の間の
間隙を移動する。リニアモータ可動子20および21
は、図4に示すように、レチクルステージ25の各側縁
と一体である磁石ホルダと、これらに保持された磁石か
らなる。図示しない電源から駆動電流が供給されてコイ
ルが励磁されると、リニアモータ可動子20および21
との間に推力が発生し、これによってレチクルステージ
25が加速あるいは減速される。
【0042】レチクルステージ25上には板状体である
レチクル4が吸着保持され、その下方では、図1の場合
と同様にウエハステージ1によってウエハ2が保持され
ており、ウエハステージ1もレチクルステージ25と同
様の駆動部を有し、同様に制御される。そして、露光手
段である図示しない光源からレチクル4の一部分に照射
された帯状の露光光は、図1の場合と同様に、投影光学
系3によってウエハ2に結像し、その帯状領域を露光し
て、レチクルパターンの一部分を転写する。このとき、
レチクルステージ25とウエハステージ1を同期的に走
行させることによってレチクルパターン全体をウエハ2
に転写する。この間、レチクルステージ25とウエハス
テージ1の位置をレーザ干渉計によってそれぞれ検出し
て駆動部にフィードバックする。
【0043】レチクル4は、その下面(裏面)を吸着す
る吸着手段である3個のZクランプ22と、レチクル4
のX軸方向の端縁を吸着する第2の吸着手段であるXク
ランプ23と、レチクル4のY軸方向(走査方向)の端
縁部を吸着する第2の吸着手段である一対のYクランプ
24によって、レチクルステージ25上に安定して吸着
保持される。なおクランプの方式は、上記の構成にとら
われず種々の構成をとることができる。
【0044】本実施例においても、第1の実施例と同様
にレチクル4、そのペリクルまたは基板保持部(レチク
ルステージ25)の少なくとも一部の表面にレチクル
4、ペリクル、およびレチクルステージ25よりも高熱
伝導率の薄板あるいはシート等の高熱伝導率を有する物
体12を敷設あるいは接触させる。
【0045】以上の構成により、エアースライダで浮上
しているレチクル4等の温度分布を均一な温度分布にす
ることができる。特にレチクル4の露光光による蓄積熱
をレチクル4等の全体に拡散できるので、局所的な熱勾
配を発生させることがない。さらにリニアモータの固定
子18および19からの輻射熱も拡散させることができ
る。なお、高熱伝導率を有する物体12をリニアモータ
からの熱がレチクル4等へ伝わらないように敷設するこ
とも可能である。
【0046】特に、高熱伝導率を有する物体12を、面
方向の熱伝導率が高い特殊材で構成することにより、レ
チクルステージ25内部への伝熱を軽減し、レチクルス
テージ25表面全体に熱を拡散することができる。よっ
て、レチクル4等の走査駆動あるいはレチクル4等の空
調により、レチクル4等の効率の良い放熱が可能であ
る。さらに、高熱伝導率を有する物体12とレチクルス
テージ25の間に断熱材13を設けることにより本発明
の効果をより顕著に得ることができる。
【0047】さらに本実施例では、高熱伝導率を有する
物体12をベース、ガイド17ならびにリニアモータ固
定子18および19の少なくとも1部の表面に敷設ある
いは接触させる。さらに、高熱伝導率の物体12とその
他の構造体の間に断熱材13を設け、高熱伝導率有する
物体12を第1の実施例と同様に排熱部14まで延長さ
せる。これにより、リニアモータ部の熱を、その他の構
造体等に伝熱させずに排熱部まで伝熱させることができ
る。
【0048】したがって、レチクルステージ25あるい
はレチクル4の熱変形を防ぐことができる。またレチク
ルステージ25、レチクル4の熱蓄積が軽減されるた
め、レチクル周りの雰囲気の温度変動も抑制することが
できる。
【0049】なお、第1の実施例のように排熱部14を
温度調整部15に変更すれば、第1の実施例と同等の効
果を得ることができる。
【0050】また露光動作によるレチクルステージある
いはレチクルの蓄積熱がリニアモータ部に伝熱すること
も防止することができる。
【0051】[第3の実施例]図5は本発明の第3の実
施例に係る露光装置(ステッパまたはスキャナ)の概略
図である。同図において、61は露光ビーム光軸あるい
は露光光光軸と垂直なXY平面内をXおよびY方向に移
動可能なXYステージ上に固定されたウエハチャックで
あるウエハ吸着台、62は被露光基板であるウエハ、6
3は投影光学系、64Rおよび64Lは投影レンズ63
の上部に固定された2個のレチクル基準マーク、66は
原版であるレチクル、65Lおよび65Rはレチクル基
準マーク64Rおよび64Lに対応させてレチクル66
上に描画されたレチクルマーク、67Rおよび67Lは
計測用光学系支持台により支持され、レチクル基準マー
ク64Rおよび64Lとレチクルマーク65Lおよび6
5Rとの相対位置を観察するための計測用アライメント
光学系である。
【0052】レチクル基準マーク64Rおよび64Lは
レチクル66の近傍の、熱的に安定している部分の2カ
所以上に設置されている。レチクル66上にもレチクル
マーク65Lおよび65Rが配置されている。レチクル
基準マーク64Rおよび64Lとレチクルマーク65L
および65R間のずれ量を、光学的手段67Rおよび6
7Lで計測し、2カ所以上のずれ量の差分からレチクル
66のずれ量を計算する。レチクル基準マーク64Rお
よび64L、レチクルマーク65Lおよび65Rならび
に光学的手段67Rおよび67Lのそれぞれは、レチク
ル66の露光領域の外側に配置しておくことが可能であ
り、またそのような配置とすることにより、露光動作と
は時間的に独立して計測することが可能である。
【0053】露光は次のような手順で行なう。まず、不
図示のレチクル送込みハンドによりレチクル66を露光
装置に送り込む。次に、計測用光学系67Rおよび67
Lならびにレチクルステージ駆動部78により、レチク
ル基準マーク64Rおよび64Lとレチクル66上のレ
チクルマーク65Lおよび65R間のずれが所定範囲内
になるようにレチクル66を位置決めする。そしてレチ
クル固定用真空パットによりレチクル66を露光装置に
固定する。
【0054】具体的な位置決め方法は以下の通りであ
る。本実施例ではレチクル基準マーク64Rおよび64
Lとレチクルマーク65Lおよび65R間の相対位置ず
れ量をTTR(スルー・ザ・レチクル)顕微鏡67Rお
よび67Lにより検出し、その後、レチクル66を位置
合せする。このとき、数個のTTR顕微鏡67Rおよび
67Lを用いればレチクル66のローテーションが検出
でき、アライメント精度が向上する。TTR顕微鏡67
Rおよび67Lはミラー69Rおよび69Lと対物レン
ズ70Rおよび70Lを、セットでレチクル66と平行
な平面上を駆動できる機構(不図示)を備えている。そ
のため、対物レンズ70Rおよび70Lとリレーレンズ
75Rおよび75Lの間はアフォーカルとなっている。
レチクル基準マーク64Rおよび64Lとレチクルマー
ク65Lおよび65Rの検出に先立ち、上記ミラー69
Rおよび69Lと対物レンズ70Rおよび70Lを、レ
チクル66を位置合せするためのポジションに駆動して
おく。
【0055】そして、露光光源68からの光束を、ライ
トガイド74Rおよび74Lを通して、TTR顕微鏡6
7Rおよび67Lへ向けて導光し、波長選択フィルタ7
3Rおよび73Lにより、特定の波長、すなわちこの場
合は露光光と同じ波長を選択し、TTR顕微鏡67Rお
よび67L内に導光する。すなわち、波長選択フィルタ
73Rおよび73Lで所定の波長幅の光束を通過させ、
コンデンサレンズ72Rおよび72Lで集光し、ビーム
スプリッタ71Rおよび71Lで反射させる。そして、
対物レンズ70Rおよび70Lとミラー69Rおよび6
9Lを介した光束によって、レチクルマーク65Lおよ
び65Rとレチクル基準マーク64Rおよび64Lとを
照明する。レチクル66上のレチクルマーク65Lおよ
び65Rとレチクル基準マーク64Rおよび64Lは、
対物レンズ70Rおよび70Lの焦点深度以下の間隔に
なるように設定されている。レチクルマーク65Lおよ
び65Rとレチクル基準マーク64Rおよび64Lから
の反射光は順にミラー69Rおよび69L、対物レンズ
70Rおよび70Lと元の光路を戻り、ビームスプリッ
タ71Rおよび71Lを通過してCCD76Rおよび7
6L面上に入射し、その面上に双方のマーク像を形成す
る。これにより、レチクルマーク65Lおよび65Rと
レチクル基準マーク64Rおよび64Lの両者を対物レ
ンズ70Rおよび70Lの観察領域に置いたとき、同時
に両者を観察することができるようにしている。
【0056】CCDカメラ76Rおよび76Lにより光
電変換された画像信号は、不図示の画像処理装置に送ら
れ、レチクルマーク65Lおよび65Rとレチクル基準
マーク64Rおよび64Lとの相対ずれ量が算出され
る。その情報に基づき、レチクルステージ78を駆動
し、レチクル66と露光装置本体の位置合せを行なう。
【0057】また、この計測により、レチクル倍率だけ
でなく、レチクル基準マーク64Rおよび64Lを基準
としたレチクル位置や、レチクル回転も同時に測定する
ことができる。レチクル基準マーク64Rおよび64L
の位置をウエハステージ座標系に対して較正しておけ
ば、ウエハ座標系に対するレチクル66の位置を任意の
時刻にモニタすることができることになる。レチクル6
6はレチクルステージ駆動部78に真空吸着されてはい
るが、ウエハステージ61の駆動による振動や温度変化
の影響で、レチクル66の倍率の変化だけでなく、平行
シフトや回転などの動きをしてしまう場合もある。した
がって、位置および回転の値をアライメント補正量に反
映すればさらに正確な位置合せが可能となる。
【0058】次に、ウエハ搬送系によりウエハ62を吸
着台61に吸着させる。そして、XYステージのステッ
プアンドリピート動作を繰り返しながら、ウエハ上の複
数箇所を順次露光する。ウエハ全体の露光処理が終了す
ると、ウエハを不図示のウエハ搬送系により搬出する。
【0059】本実施例の露光装置では、レチクル基準マ
ーク64Rおよび64Lが形成されている基板は、基板
保持部83に固定されており、基板保持部83はベース
77とほぼ同一平面上に固定されている。図6はレチク
ル基準マーク64Rおよび64L近傍の詳細図である。
同図に示すように、レチクル基準マーク64Rおよび6
4Lが形成されている基板84、基板保持部83、ベー
ス77の基板保持部83が固定される面の少なくとも1
部の表面に高熱伝導率の薄板あるいはシート79を敷設
あるいは接触させ、複数のレチクル基準マーク64Rお
よび64L部をほぼ均一な温度分布になるようにしてい
る。
【0060】高熱伝導率を有する薄板あるいはシート7
9の材料としては、熱伝導率200〜1000Kcal
/m・hr℃のグラファイトシートが好適であり、例え
ば特願平07−312019号によるグラファイトシー
トを用いることができる。この材料は、炭素の結晶体か
ら成り、結晶性を示すモザイクスプレッドは0.5〜2
0であり、柔軟で他との密着性がよい。また、厚み方向
と面方向とで熱伝導率が異なり、面方向が2ケタだけ厚
み方向より熱伝導率が高い。具体的には面方向の熱伝導
率が600〜800W/m・k、厚み方向の熱伝導率が
5W/m・kである。その結果、面方向に効率よく熱を
逃がすことができる。したがって熱拡散率(拡散速度)
が高い。具体的には765mm2/s程度である。他の
材料と比較すると、熱伝導率で銅の2倍、アルミニウム
の3倍であり、熱拡散率は銅およびアルミニウムの7倍
以上である。また比重は0.3〜2.6である。なお、
高熱伝導率を有する材料による薄板あるいはシート79
として熱伝導性シリコーンシートという選択も考慮する
ことができる。
【0061】このような材料による薄板あるいはシート
79を敷設することによりレチクル基準マーク64Rお
よび64L部分の局所的な熱勾配を高効率に吸収し、か
つ薄板あるいはシート79はその熱伝導性によって速や
かに自身の全域に効率よくかつ均一に熱を伝達するの
で、複数のレチクル基準マーク64Rおよび64L部分
の温度分布を瞬時に均一にすることが可能である。さら
に面方向への熱伝導率が特に高いので、楔形部や円管
部、その他様々な形状の表面に敷設しても十分熱伝導さ
せることができる。したがって、レチクル基準マーク6
4Rおよび64L部分が均一温度分布となり、レチクル
基準マーク64Rおよび64L周辺部の熱変形により発
生するレチクル基準マーク64Rおよび64L部分の位
置ずれを容易に補正することができる。
【0062】この方法によりレチクル基準マーク64R
および64L周辺部の熱分布を瞬時に全体的に均一化す
ることによって、レチクル基準マーク64Rおよび64
L周辺部の熱変形に起因する光学特性の変化を倍率補正
手段のみで良好に補正することが可能である。すなわ
ち、レチクル基準マーク64Rおよび64L周辺部の熱
変形を自由にさせるのではなく、レチクル基準マーク6
4Rおよび64L周辺部に意図的にレチクルパターンの
結像状態の変化が補正しやすい熱変形を与えることによ
り、レチクル基準マーク64Rおよび64L周辺部の熱
変形に起因するレチクルパターンの結像状態の変化を容
易に補正することができる。
【0063】[第4の実施例]図7は本発明の第4の実
施例に係る露光装置におけるレチクル基準マーク部分の
概略を示す上面図である。この装置においては、基板8
4および基板保持部83の少なくとも1つの表面に第3
の実施例の薄板あるいはシート79と同様の高熱伝導率
を有する物体89を敷設あるいは接触させ、高熱伝導率
を有する物体89と、ベース77等その他の構造体の間
に断熱材80を設けている。なお81はレチクルを吸着
する吸着真空パットである。
【0064】この構成によれば、左右不均一な形状をも
つベース77等の構造体にレチクル66からの輻射熱が
伝わらないので、ベース77等の構造体の熱変形により
レチクル基準マーク64Rおよび64Lの位置が変動す
ることがない。また、レチクル66の蓄積熱がベース7
7等の構造体に伝熱するのを防止することができる。さ
らに、レチクル基準マーク64Rおよび64L周辺部に
おいて局所的な熱勾配をなくし、瞬時にレチクル基準マ
ーク64Rおよび64L周辺部の熱勾配を均一にするこ
とができる。
【0065】[第5の実施例]図8は本発明の第5の実
施例を示す。この例では、温度調整部82まで高熱伝導
率を有する物体89を延長し、レチクル基準マーク64
Rおよび64L周辺部の温度調整を行なえる構造にして
いる。なお、高熱伝導率を有する物体89が他の構造体
77に接触して熱が伝熱するのを防止するために、高熱
伝導率を有する物体89の延長部表面を断熱材80で覆
っている。また、延長経路周辺で特に熱伝播が懸念され
る物体には、断熱材を設置することが効果的である。
【0066】この構成によれば、レチクル基準マーク6
4Rおよび64L周辺部に発生した熱を効率良く温度調
整部82に伝熱させることができるとともに、物体89
の延長部によりレチクル基準マーク64Rおよび64L
周辺部全体を容易に冷却することができる。この結果、
局所的な熱勾配をリアルタイムでなくし、レチクル基準
マーク64Rおよび64L設置面の温度を一定にするこ
とができる。
【0067】なお、温度調整部82は高熱伝導率を有す
る物体89に比べて十分大きな体積を有している。これ
により、温度調整部82は高熱伝導率を有する物体89
に比べて大きな熱容量をもつことになり、温度調整部8
2の温度をほとんど上昇させることなくレチクル基準マ
ーク64Rおよび64L周辺部に発生する熱を均一に温
度調整部82に伝播させることができる。温度調整部8
2の構造は空冷方式でもよいしあるいは水冷方式でもよ
い。さらに、温度調整部82にその特性を制御する制御
部を併設すれば、レチクル基準マーク64Rおよび64
L設置面の温度制御を行なうことが可能である。
【0068】以上の構造により、露光によるレチクル6
6の熱蓄積に起因するレチクル66からの輻射熱の影響
を軽減して、レチクル基準マーク64Rおよび64Lの
位置変動を防止することができる。
【0069】[デバイス製造方法の実施例]次に上記説
明した投影露光装置を利用したデバイスの製造方法の実
施例を説明する。図9はこの半導体デバイス(ICやL
SI等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやCCD
等)製造方法のフローを示す。ステップ1(回路設計)
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2
(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)では
シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ
4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。
【0070】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4において作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0071】図10は上記ウエハプロセス(ステップ
4)の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極
形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光
剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した
露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付
露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを
現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレ
ジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0072】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造する
ことができる。
【0073】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、露
光光に起因して発生する熱を排除、拡散もしくは均一化
しまたは所定の分布とするための高い熱伝導率または熱
拡散率のいずれかまたは双方を有する物体を設けたた
め、レチクル、レチクル保持部、レチクルステージ、レ
チクル基準マークが形成されている基板、この基板が固
定されている基板保持部、基板保持部が固定されている
ベース等において露光光に起因して発生する熱を、簡便
な構成により、瞬時に排除、拡散もしくは均一化しまた
は所定の分布として、アライメント精度の低下、結像性
能の劣化等の露光光の熱に起因する悪影響を防止するこ
とができる。
【0074】また、レチクルやレチクル基準マーク周辺
が、連続露光動作の影響によるレチクルの蓄積熱で変位
を生じた場合でも、局所的な熱蓄積を生じさせないた
め、複雑な変位の発生を防止することができる。
【0075】また、前記物体と、前記物体からの熱の伝
導を阻止すべき部分との間に断熱材を設けるようにした
ため、レチクルの蓄積熱の影響がレチクル保持部等の構
造体の内部に伝わるのを防止することができる。したが
って、前記物体を介してレチクル保持部等の構造体表面
の放熱を行なうことによって、レチクル等の温度変動を
容易に抑制することができる。
【0076】また、レチクル保持部、レチクル基準マー
ク周辺部等の熱変形を自由にさせるのではなく、前記物
体によりレチクル保持部、レチクル基準マーク周辺部等
に意図的にレチクルパターンの結像状態の変化が補正し
やすい熱変形を与えることにより、レチクル保持部、レ
チクル基準マーク周辺部等の熱変形に起因するレチクル
パターンの結像状態の変化を容易に補正することができ
る。
【0077】また、前記物体を温度調節部まで延長すれ
ば、熱を効率良く温度調整部に伝えることができるとと
もに、この延長部によりレチクル、レチクル保持部、レ
チクルステージ、レチクル基準マーク周辺部全体等を容
易に冷却することができる。この結果、局所的な熱勾配
をリアルタイムでなくし、前記物体やレチクル基準マー
ク設置面の温度を一定にすることができ、さらに前記物
体が接触している部分の温度を一定にすることができ
る。
【0078】また、前記物体を介して、レチクル、レチ
クル基準マーク周辺部等の蓄積熱をこれらから離れたと
ころに伝熱させ、排熱させることができる。
【0079】また、振動の要因である流体の温調を行な
わずに温度調整を行なうため、流体を使用した場合の振
動による影響の問題も発生せず、構成も容易である。
【0080】さらに、前記物体を構成する材料の特性の
みで温度調節するため、露光装置のスループットを損な
うことなくレチクル基準マーク周辺部等の熱変形の非線
形成分を除去することができる。したがって、露光装置
の焼付け性能、アライメント性能等の向上を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例に係るステップアンド
リピート露光装置の概略図である。
【図2】 従来例に係る露光装置の概略図である。
【図3】 図1の装置におけるレチクル部の概略を示す
上面図である。
【図4】 本発明の第2の実施例に係るステップアンド
スキャン露光装置のレチクル近傍部分の概略を示す上面
図である。
【図5】 本発明の第3の実施例に係る露光装置の概略
図である。
【図6】 図5の装置におけるレチクル基準マーク近傍
の詳細図である。
【図7】 本発明の第4の実施例に係る露光装置におけ
るレチクル基準マーク部分の概略を示す上面図である。
【図8】 本発明の第5の実施例を示す概略図である。
【図9】 本発明の露光装置を使用することができる半
導体デバイスの製造方法のフローチャートである。
【図10】 図9中のウエハプロセスの詳細なフローを
示すフローチャートである。
【符号の説明】
1:ウエハステージ、2,62:ウエハ、3,63:投
影光学系、4,66:レチクル(原板)、5:ペリクル
枠、6:ペリクル膜、7:基板保持部、8:レチクル基
準マーク、9:レチクル、10:計測用光学系、11:
レチクルステージ、12:高熱伝導率を有する材料、1
3:断熱材、14:排熱部、15:温度調整部、20,
21:リニアモータ可動子、22:Zクランプ、23:
Xクランプ、24:Yクランプ、25、レチクルステー
ジ、61:ウエハ吸着台(ウエハステージ)、64R,
64L:レチクル基準マーク、65L,65R:レチク
ルマーク、67R,67L:計測用アライメント光学
系、68:露光光源、69R,69L:ミラー、70
R,70L:対物レンズ、71R,71L:ビームスプ
リッタ、72R,72L:コンデンサレンズ、73R,
73L:波長選択フィルタ、74R,74L:ライトガ
イド、75R,75L:リレーレンズ、76R,76
L:CCD、77:ベース、78:レチクルステージ
(レチクルステージ駆動部)、79:薄板あるいはシー
ト、80:断熱材、81:吸着真空パット、82:温度
調整部、83:基板保持部、84:基板、89:物体。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光に起因して発生する熱を排除、拡
    散もしくは均一化しまたは所定の分布とするための高い
    熱伝導率または熱拡散率のいずれかまたは双方を有する
    物体を具備することを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 被露光パターンを有するレチクルを保持
    するレチクル保持部と、このレチクル保持部を移動させ
    るレチクルステージと、前記レチクルの被露光パターン
    を感光基板上に露光する露光手段とを備え、前記レチク
    ルまたはレチクル保持部のいずれかまたは双方の表面
    に、前記レチクルおよびレチクル保持部よりも高い熱伝
    導率または熱拡散率のいずれかまたは双方を有する前記
    物体を敷設しまたは接触させたことを特徴とする請求項
    1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記露光手段は走査露光により露光を行
    なうものであり、前記レチクルステージは、前記走査露
    光に際して前記レチクルを走査移動させるものであり、
    前記レチクルステージの少なくとも一部に前記レチクル
    ステージよりも高い熱伝導率または熱拡散率のいずれか
    または双方を有する物体を敷設しまたは接触させたこと
    を特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記レチクルはペリクルおよびぺリクル
    枠を有し、前記ペリクルまたはペリクル枠のいずれかま
    たは双方に前記レチクル、前記レチクル保持部、ぺリク
    ル、およびペリクル枠よりも高い熱伝導率または熱拡散
    率のいずれかまたは双方を有する前記物体を敷設しある
    いは接触させたことを特徴とする請求項2または3に記
    載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記物体は、前記レチクルの吸着部を構
    成しておりまたはこの吸着部に接触していることを特徴
    とする請求項2に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 被露光パターンを有するレチクルを位置
    合せするための基準となるレチクル基準マークが形成さ
    れている基板、この基板が固定されている基板保持部、
    およびこの基板保持部が固定されているベースを備え、
    前記物体を前記基板もしくは基板保持部、または前記ベ
    ースの前記基板保持部が固定されている面の少なくとも
    1つの表面に敷設しまたは接触させたことを特徴とする
    請求項1〜5のいずれか1項に記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記物体は、前記基板、基板保持部、ま
    たは前記ベースのうちの少なくとも1つの材料より高い
    熱伝導率または熱拡散率のいずれかまたは双方を有する
    ことを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記物体と、前記物体からの熱の伝導を
    阻止すべき部分との間に断熱材を設けたことを特徴とす
    る請求項1〜7のいずれか1項に記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記物体を介して伝導される熱を排熱す
    る排熱手段を備えることを特徴とする請求項1〜8のい
    ずれか1項に記載の露光装置。
  10. 【請求項10】 前記露光光に起因した熱が発生する部
    分または前記物体の温度を、前記物体を介して調整する
    温度調整手段を備えることを特徴とする請求項1〜9の
    いずれか1項に記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 請求項1〜10のいずれかの露光装置
    を用いて露光を行なう工程を具備することを特徴とする
    デバイス製造方法。
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