JPH0361251B2 - - Google Patents
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- JPH0361251B2 JPH0361251B2 JP58002294A JP229483A JPH0361251B2 JP H0361251 B2 JPH0361251 B2 JP H0361251B2 JP 58002294 A JP58002294 A JP 58002294A JP 229483 A JP229483 A JP 229483A JP H0361251 B2 JPH0361251 B2 JP H0361251B2
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- magnetic recording
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
- G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は金属薄膜型磁気記録媒体、特に耐摩耗
性にすぐれた磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。 将来の高密度磁気記録媒体として、メツキ、真
空蒸着法、スパツタ法等により製造される磁性金
属または合金薄膜が有望視されている。 金属薄膜としてはFe、Ni、Coの合金、これら
とCr等の合金など種々の合金組成のものが提案
されている。またスパツタ法により製造したCo
−Cr合金薄膜は、膜面に対して垂直方向に強い
磁気異方性を持つことから、原理的に減磁界によ
る記録密度の制限がない画期的な磁気記録方式で
ある垂直磁気記録に用いる媒体として、早期実用
化のための研究が各方面で精力的に行なわれてい
る。 しかしながら、金属薄膜型磁気記録媒体は、記
録再生に用いる磁気ヘツドを接触させて相対的に
移動させた場合、磁気ヘツドは磁気媒体と連続的
に接触しており、従つて予測されるように、磁気
ヘツド及び金属薄膜の間の摩擦による摩耗によつ
て、その両者に望ましくない破壊が惹起される。
非接触方式の場合通常磁気ヘツドは薄い空気の層
により支持された磁気媒体の数クロン上をすれす
れに通るが、低速通過時には磁気ヘツド、磁気媒
体間で摺動による損傷の恐れがあり、高速通過時
においてもしばしば沈降して磁気媒体と高速で衝
突し、磁性金属部分の摩耗若しくは損傷を引き起
こす。同様に磁気ヘツドを接触させて相対的に移
動させた場合、磁気ヘツドは接触している磁気媒
体からしばしば脱合されそのあと磁性金属と再接
触して極めて大きな摩耗若しくは破損及び破壊を
引き起こす。これらの問題点を解決するために従
来にない堅固性、薄膜性、均一性及び耐摩耗性が
要求される。 本発明は、係る状況に鑑みて為されたものであ
り、金属薄膜型磁気記録媒体に非磁性絶縁物の薄
膜を形成させ、その表面にプラズマ処理を施す
か、またはプラズマ析出膜を形成させて、その上
にパーフロロアルキルポリエーテルの潤滑層を形
成させたことを特徴とするものである。本発明に
よると金属薄膜型磁気記録媒体の耐久性が飛躍的
に向上する。 金属薄膜型磁気記録媒体上にSiO2、Al2O3、
SiCなどの非磁性絶縁物の薄膜を保護膜として形
成させると耐久性をかなり向上させることができ
る。保護膜と潤滑層を組み合わせると一層の耐久
性向上がはかられる。しかしながらここで用いる
パーフロロアルキルポリエーテルは磁性層、保護
膜との親和性に若干欠けるため、これを使用して
なる磁気記録デイスクを近年開発されている磁性
層表面の汚れ防止用ジヤケツトに挿入した状態で
記録再生装置に装填して再生する場合には、ジヤ
ケツト内面の多孔性シートに上記潤滑剤が簡単に
吸収されて保護層から脱離し、耐摩耗性を保持で
きない場合がある。そこで、本発明では保護層表
面をO2、N2、F2などの雰囲気中でプラズマ処理
するか、プラズマ中析出法によつてNF3、BF3、
SiF4などのフツ化膜を表面に付着し、このように
処理された表面にパーフロロアルキルポリエーテ
ル潤滑剤を付着させることによつて、上記潤滑剤
と磁気媒体との親和性が強化され耐久性が飛躍的
に向上した。本発明で用いるパーフロロアルキル
ポリエーテルには例えば
性にすぐれた磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。 将来の高密度磁気記録媒体として、メツキ、真
空蒸着法、スパツタ法等により製造される磁性金
属または合金薄膜が有望視されている。 金属薄膜としてはFe、Ni、Coの合金、これら
とCr等の合金など種々の合金組成のものが提案
されている。またスパツタ法により製造したCo
−Cr合金薄膜は、膜面に対して垂直方向に強い
磁気異方性を持つことから、原理的に減磁界によ
る記録密度の制限がない画期的な磁気記録方式で
ある垂直磁気記録に用いる媒体として、早期実用
化のための研究が各方面で精力的に行なわれてい
る。 しかしながら、金属薄膜型磁気記録媒体は、記
録再生に用いる磁気ヘツドを接触させて相対的に
移動させた場合、磁気ヘツドは磁気媒体と連続的
に接触しており、従つて予測されるように、磁気
ヘツド及び金属薄膜の間の摩擦による摩耗によつ
て、その両者に望ましくない破壊が惹起される。
非接触方式の場合通常磁気ヘツドは薄い空気の層
により支持された磁気媒体の数クロン上をすれす
れに通るが、低速通過時には磁気ヘツド、磁気媒
体間で摺動による損傷の恐れがあり、高速通過時
においてもしばしば沈降して磁気媒体と高速で衝
突し、磁性金属部分の摩耗若しくは損傷を引き起
こす。同様に磁気ヘツドを接触させて相対的に移
動させた場合、磁気ヘツドは接触している磁気媒
体からしばしば脱合されそのあと磁性金属と再接
触して極めて大きな摩耗若しくは破損及び破壊を
引き起こす。これらの問題点を解決するために従
来にない堅固性、薄膜性、均一性及び耐摩耗性が
要求される。 本発明は、係る状況に鑑みて為されたものであ
り、金属薄膜型磁気記録媒体に非磁性絶縁物の薄
膜を形成させ、その表面にプラズマ処理を施す
か、またはプラズマ析出膜を形成させて、その上
にパーフロロアルキルポリエーテルの潤滑層を形
成させたことを特徴とするものである。本発明に
よると金属薄膜型磁気記録媒体の耐久性が飛躍的
に向上する。 金属薄膜型磁気記録媒体上にSiO2、Al2O3、
SiCなどの非磁性絶縁物の薄膜を保護膜として形
成させると耐久性をかなり向上させることができ
る。保護膜と潤滑層を組み合わせると一層の耐久
性向上がはかられる。しかしながらここで用いる
パーフロロアルキルポリエーテルは磁性層、保護
膜との親和性に若干欠けるため、これを使用して
なる磁気記録デイスクを近年開発されている磁性
層表面の汚れ防止用ジヤケツトに挿入した状態で
記録再生装置に装填して再生する場合には、ジヤ
ケツト内面の多孔性シートに上記潤滑剤が簡単に
吸収されて保護層から脱離し、耐摩耗性を保持で
きない場合がある。そこで、本発明では保護層表
面をO2、N2、F2などの雰囲気中でプラズマ処理
するか、プラズマ中析出法によつてNF3、BF3、
SiF4などのフツ化膜を表面に付着し、このように
処理された表面にパーフロロアルキルポリエーテ
ル潤滑剤を付着させることによつて、上記潤滑剤
と磁気媒体との親和性が強化され耐久性が飛躍的
に向上した。本発明で用いるパーフロロアルキル
ポリエーテルには例えば
【式】
【式】などが含まれる。
以下、実施例に関連して本発明を詳しく説明す
る。 比較例 １ 厚さ75μのポリエステル基体フイルムに高周波
マグネトロンスパツタ装置を用いて厚さ1μのCo
−Cr薄膜を作成した。組成は、Cr17wt％とし、
残余の83wt％がCoで構成されるものとした。上
記のCo−Cr薄膜上に、同様に高周波マグネトロ
ンスパツタ装置を用いて厚さ500ÅのSiO2薄膜を
形成し、円板状に打ち抜いて磁気記録デイスクと
した。 比較例 ２ 比較例１のデイスクに
る。 比較例 １ 厚さ75μのポリエステル基体フイルムに高周波
マグネトロンスパツタ装置を用いて厚さ1μのCo
−Cr薄膜を作成した。組成は、Cr17wt％とし、
残余の83wt％がCoで構成されるものとした。上
記のCo−Cr薄膜上に、同様に高周波マグネトロ
ンスパツタ装置を用いて厚さ500ÅのSiO2薄膜を
形成し、円板状に打ち抜いて磁気記録デイスクと
した。 比較例 ２ 比較例１のデイスクに
【式】で表わされる
パーフロロアルキルポリエーテル１部とトリクロ
ロトリフロロエタン1000部とからなる含浸溶液を
スピンコートした。 実施例 １ 比較例１のデイスクをN21部とO21部とからな
る混合ガス雰囲気中で、周波数13.56MHz、投入
電力100W、ガス圧0.1torrの条件下で30分間プラ
ズマ処理を設し、比較例２の含浸溶液をスピンコ
ートした。 実施例 ２ 比較例１のデイスク上に、周波数13.56MHz、
投入電力50W、ガス圧0.1torrの条件下でH2ガス
をキヤリヤーガスとしてSiF4を10分間析出させ膜
厚100Åのプラズマ析出膜を形成し、比較例２の
含浸溶液をスピンコートした。 上記比較例１，２及び実施例１，２の磁気デイ
スクはいずれも磁気記録デイスク汚れ防止用ジヤ
ケツトに挿入し記録再生装置に装填し、磁気ヘツ
ドを接触させて走行させ、出力が初期の出力の８
割に達するまでの回転数と限界記録密度を測定し
た。 得られた結果を下記第１表に示す。
ロトリフロロエタン1000部とからなる含浸溶液を
スピンコートした。 実施例 １ 比較例１のデイスクをN21部とO21部とからな
る混合ガス雰囲気中で、周波数13.56MHz、投入
電力100W、ガス圧0.1torrの条件下で30分間プラ
ズマ処理を設し、比較例２の含浸溶液をスピンコ
ートした。 実施例 ２ 比較例１のデイスク上に、周波数13.56MHz、
投入電力50W、ガス圧0.1torrの条件下でH2ガス
をキヤリヤーガスとしてSiF4を10分間析出させ膜
厚100Åのプラズマ析出膜を形成し、比較例２の
含浸溶液をスピンコートした。 上記比較例１，２及び実施例１，２の磁気デイ
スクはいずれも磁気記録デイスク汚れ防止用ジヤ
ケツトに挿入し記録再生装置に装填し、磁気ヘツ
ドを接触させて走行させ、出力が初期の出力の８
割に達するまでの回転数と限界記録密度を測定し
た。 得られた結果を下記第１表に示す。
【表】
上表中比較例２から明らかなように保護膜と潤
滑剤を組み合せることで一層の耐久性の向上がみ
られる。 しかしながら実施例２のように金属薄膜型磁気
記録媒体上の保護層と潤滑層の間にプラズマ重合
膜を設けるか、あるいは実施例１のように保護層
表面のプラズマ処理を施して後潤滑層を設け、保
護層と潤滑層との親和性を強力にすることで耐摩
耗性を長時間保持することができ耐久性を飛躍的
に改善できることが分る。
滑剤を組み合せることで一層の耐久性の向上がみ
られる。 しかしながら実施例２のように金属薄膜型磁気
記録媒体上の保護層と潤滑層の間にプラズマ重合
膜を設けるか、あるいは実施例１のように保護層
表面のプラズマ処理を施して後潤滑層を設け、保
護層と潤滑層との親和性を強力にすることで耐摩
耗性を長時間保持することができ耐久性を飛躍的
に改善できることが分る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜磁気記録媒体上に非磁性絶縁物の薄膜を
保護膜として設け、該保護膜の表面のプラズマ処
理層上にパーフロロアルキルポリエーテルを潤滑
層として設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 ２ 保護膜はSiO2、Al2O3、SiC等の金属酸化物
又は炭化物より選ばれる前記第１項記載の磁気記
録媒体。 ３ プラズマ処理層はO2、N2、F2等のガス雰囲
気中のプラズマ処理で形成されている前記第１項
または第２項記載の磁気記録媒体。 ４ 薄膜磁気記録媒体上に非磁性絶縁物の薄膜を
保護膜として設け、該保護膜の表面のプラズマ折
出膜を設け、その上にパーフロロアルキルポリエ
ーテルを潤滑層として有することを特徴とする磁
気記録媒体。 ５ 保護膜はSiO2、Al2O3、SiC等の金属酸化物
又は炭化物より選ばれる前記第４項記載の磁気記
録媒体。 ６ プラズマ析出膜はNF3、BF3、SiF4等のフツ
化膜である前記第４項または第５項記載の磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002294A JPS59127230A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002294A JPS59127230A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127230A JPS59127230A (ja) | 1984-07-23 |
| JPH0361251B2 true JPH0361251B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11525344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002294A Granted JPS59127230A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127230A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163248A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Kyocera Corp | 磁気記録素子 |
| JPH0610867B2 (ja) * | 1984-10-22 | 1994-02-09 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
| JPS6196512A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
| US4701374A (en) * | 1984-11-30 | 1987-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium |
| JPH0670850B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1994-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着型記録媒体 |
| JPH0685209B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1994-10-26 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着型記録媒体 |
| JPS63149823A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Akai Electric Co Ltd | 薄膜磁気記録媒体 |
| GB8916739D0 (en) * | 1989-07-21 | 1989-09-06 | Minnesota Mining & Mfg | Protective layer for magnetic recording media |
| JPH05209954A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Nec Corp | 安全高度限界表示機能付精測レーダー表示装置 |
| US5578387A (en) * | 1992-03-31 | 1996-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fluorine-containing alkylsuccinic acid diester, process for preparing the same and use thereof |
| DE69307567T2 (de) * | 1992-03-31 | 1997-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fluor enthaltende Alkylbernsteinsäurediester, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Anwendung |
| JP2843252B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-01-06 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
-
1983
- 1983-01-12 JP JP58002294A patent/JPS59127230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59127230A (ja) | 1984-07-23 |
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