JPH0359939A - 荷電粒子線装置におけるガス導入機構 - Google Patents
荷電粒子線装置におけるガス導入機構Info
- Publication number
- JPH0359939A JPH0359939A JP19488689A JP19488689A JPH0359939A JP H0359939 A JPH0359939 A JP H0359939A JP 19488689 A JP19488689 A JP 19488689A JP 19488689 A JP19488689 A JP 19488689A JP H0359939 A JPH0359939 A JP H0359939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- sample chamber
- preliminary chamber
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、集束イオン装置や電子線加工装置などの荷電
粒子線装置における試料室内に任意なガスを導入する機
構の改良に関するものである。
粒子線装置における試料室内に任意なガスを導入する機
構の改良に関するものである。
［従来の技術］
活性ガス雰囲気中でイオンを照射して行うエツチングや
有機金属ガスを用いるデポジションなどの加工において
は、導入するガスの圧力が加工精度に大きく左右するた
め、圧力調整弁により微妙に調節して一定に保つ必要が
ある。一方、加工の途中においては、像観察モード、つ
まり伺料土をイオンビームで走査することによって得ら
れる２次電子走査像により加工具合を確認することがあ
る。この場合、ガスを導入しながら観察すると、観察領
域（イオンの走査領域）まで加工されるため、ガスボン
ベの主弁を閉じてガスの導入を一時的に停止する必要が
ある。
有機金属ガスを用いるデポジションなどの加工において
は、導入するガスの圧力が加工精度に大きく左右するた
め、圧力調整弁により微妙に調節して一定に保つ必要が
ある。一方、加工の途中においては、像観察モード、つ
まり伺料土をイオンビームで走査することによって得ら
れる２次電子走査像により加工具合を確認することがあ
る。この場合、ガスを導入しながら観察すると、観察領
域（イオンの走査領域）まで加工されるため、ガスボン
ベの主弁を閉じてガスの導入を一時的に停止する必要が
ある。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、このように主弁によりガスのオン。
オフを行う方法では、ガスを一旦停止してから再度導入
する場合に、直ぐには設定のガス圧にならないため、圧
力調整弁を再度調節しなければならず、その間加工を行
うことができない。
する場合に、直ぐには設定のガス圧にならないため、圧
力調整弁を再度調節しなければならず、その間加工を行
うことができない。
そこで、本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり
、加工具合確認後、直ちに加工を開始することのできる
ガス導入機構を提供することを目的とするものである。
、加工具合確認後、直ちに加工を開始することのできる
ガス導入機構を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明のガス導入機構は、真
空に保たれた試料室に置かれた材料と、前記試料室に仕
切弁を介して連通ずるように設けられた予備室と、該予
備室内を排気するための排気手段と、前記材料上の荷電
粒子線照射部分にガスを吹き付けるためのノズルと、該
ノズルと大気中に置かれたガスボンベとを接続するため
の導入管と、該導入管の途中に設けられた圧力調整弁と
を備え、前記圧力調整弁のノズル側にこの圧力調整弁を
通過したガスをノズル側と予備室側に夫々切換えて導入
するための手段を設けたことを特徴とするものである。
空に保たれた試料室に置かれた材料と、前記試料室に仕
切弁を介して連通ずるように設けられた予備室と、該予
備室内を排気するための排気手段と、前記材料上の荷電
粒子線照射部分にガスを吹き付けるためのノズルと、該
ノズルと大気中に置かれたガスボンベとを接続するため
の導入管と、該導入管の途中に設けられた圧力調整弁と
を備え、前記圧力調整弁のノズル側にこの圧力調整弁を
通過したガスをノズル側と予備室側に夫々切換えて導入
するための手段を設けたことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳説する。
［実施例］
第１図は本発明に係るガス導入機構の一例を示す概略図
、第２図はその動作を説明するための図である。
、第２図はその動作を説明するための図である。
同図において、１は集束イオンビーム装置などにおける
試料室で、内部に図示外の材料移動機構を介して材料２
が水平移動可能に設置しである。
試料室で、内部に図示外の材料移動機構を介して材料２
が水平移動可能に設置しである。
３はこの材料上にイオンビームＩを照射するための照射
カラムで、イオン銃４と集束レンズ５とから構成されて
いる。また、図示しないがイオンを材料２上で走査する
ための偏向手段とこの走査により材料から発生する２次
電子を検出する検出手段及びこの検出手段からの検出信
号が導入される表示手段が夫々設けである。
カラムで、イオン銃４と集束レンズ５とから構成されて
いる。また、図示しないがイオンを材料２上で走査する
ための偏向手段とこの走査により材料から発生する２次
電子を検出する検出手段及びこの検出手段からの検出信
号が導入される表示手段が夫々設けである。
６は前記試料室１内を主排気管７を介して高真空に排気
するためのスパッターイオンポンプなどの主排気ポンプ
、８は仕切弁、９は前記試料室１内に仕切弁１０（第２
図参照）を介して連通された予備室で、この予備室内は
排気管１１を介してターボ分子ポンプなどの予備排気ポ
ンプ１２が接続されている。
するためのスパッターイオンポンプなどの主排気ポンプ
、８は仕切弁、９は前記試料室１内に仕切弁１０（第２
図参照）を介して連通された予備室で、この予備室内は
排気管１１を介してターボ分子ポンプなどの予備排気ポ
ンプ１２が接続されている。
１３はガスボンベで、このガスボンベは１４ａ。
１４ｂで示すように２分岐された導入管１４を介して前
記試料室１及び予備室９内に連通されている。前記導入
管１４の分岐部分には三方電磁弁１５が設けてあり、ま
た、試料室１内に導入された導入管１４ａの先端にはノ
ズル１６が取付けである。前記ノズル１６の先端は材料
上のイオン照射部分に対向するように配置されている。
記試料室１及び予備室９内に連通されている。前記導入
管１４の分岐部分には三方電磁弁１５が設けてあり、ま
た、試料室１内に導入された導入管１４ａの先端にはノ
ズル１６が取付けである。前記ノズル１６の先端は材料
上のイオン照射部分に対向するように配置されている。
１７は主弁、１８はこの主弁と前記三方電磁弁１５との
間に設置された圧力調整弁である。
間に設置された圧力調整弁である。
かかる構成において、材料２を加工する場合には、先ず
、第１図に示すように仕切弁８を閉じると共に、仕切弁
１０を開放して予備室９を介して予備排気ポンプ１２に
より試料室１内を排気する。
、第１図に示すように仕切弁８を閉じると共に、仕切弁
１０を開放して予備室９を介して予備排気ポンプ１２に
より試料室１内を排気する。
このとき、三方電磁弁１５はオフされ分岐管１４ｂを介
して予備室つとガスボンベ１３が連通されている。この
状態において、主弁１７を開放し圧力調整弁１８により
ガスボンベからのガス圧を所定の圧力に調節する。そし
て、所望の圧力に設定されると、三方電磁弁１５をオン
することにより分岐管１４ａを介してガスボンベ１３を
ノズル１６に接続しガスをノズル１６から噴出させると
同時に、イオンＩを発生させて材料２上に照射すれば、
エツチングやデポジションなどの加工が行われる。
して予備室つとガスボンベ１３が連通されている。この
状態において、主弁１７を開放し圧力調整弁１８により
ガスボンベからのガス圧を所定の圧力に調節する。そし
て、所望の圧力に設定されると、三方電磁弁１５をオン
することにより分岐管１４ａを介してガスボンベ１３を
ノズル１６に接続しガスをノズル１６から噴出させると
同時に、イオンＩを発生させて材料２上に照射すれば、
エツチングやデポジションなどの加工が行われる。
次に、加工状態を観察したいときには、三方電磁弁１５
をオフしてガスボンベ１３からのガスを予備室９内に流
すと同時に、第２図にその状態を示すように仕切弁１０
を閉じ仕切弁８を開放して試料室１内を主排気ポンプ６
により排気する。その後、図示外の偏向手段によりイオ
ンｌを材料２上で水平走査し、発生する２次電子を検出
手段により検出して前記偏向手段と同期した表示手段に
導入すれば、加工状態を２次電子走査像で観察できる。
をオフしてガスボンベ１３からのガスを予備室９内に流
すと同時に、第２図にその状態を示すように仕切弁１０
を閉じ仕切弁８を開放して試料室１内を主排気ポンプ６
により排気する。その後、図示外の偏向手段によりイオ
ンｌを材料２上で水平走査し、発生する２次電子を検出
手段により検出して前記偏向手段と同期した表示手段に
導入すれば、加工状態を２次電子走査像で観察できる。
そして、再度加工を行う場合には、前述したように三方
電磁弁１５をオンしノズル１６よりガスを吹き付けなが
らイオン■を材料２上に照射すれば良い。
電磁弁１５をオンしノズル１６よりガスを吹き付けなが
らイオン■を材料２上に照射すれば良い。
このようにすれば、ガスを予備室９から試料室１側に切
換えても直ちに一定圧力のガスをノズルから噴出させる
ことができるため、加工を効率良く行うことができる。
換えても直ちに一定圧力のガスをノズルから噴出させる
ことができるため、加工を効率良く行うことができる。
尚、前述の説明は本発明の一例であり、実施にあたって
は幾多の変形が考えられる。例えば上記実施例では加工
と観察との切換えを行う際、各仕切弁及び三方電磁弁の
操作を手動で行うようにしたが、自動的に行うように構
成することも可能である。
は幾多の変形が考えられる。例えば上記実施例では加工
と観察との切換えを行う際、各仕切弁及び三方電磁弁の
操作を手動で行うようにしたが、自動的に行うように構
成することも可能である。
［効果コ
以上詳述したように本発明によれば、加工状態を観察す
る際、従来のようにガスボンベからのガスを止めること
なく、予備室内に導入して排気するようにしているため
、加工モードに切換えても一定の圧力に保たれたガスを
試料室に導入することができる。そのため直ちに加工を
開始することができ、効率の良い加工を行うことができ
る。
る際、従来のようにガスボンベからのガスを止めること
なく、予備室内に導入して排気するようにしているため
、加工モードに切換えても一定の圧力に保たれたガスを
試料室に導入することができる。そのため直ちに加工を
開始することができ、効率の良い加工を行うことができ
る。
第１図は本発明に係るガス導入機構の一例を示す概略図
、第２図はその動作を説明するための図である。 １：試料室 ２：材料 ３：カラム ５：集束レンズ ７．１１：排気管 ８．１０：仕切弁 １２；予備排気ポンプ １４：導入管 １６：ノズル ４：イオン銃 ６：主排気ポンプ ９：予備室 １３：ガスボンベ １４：三方電磁弁 １７：圧力調整弁
、第２図はその動作を説明するための図である。 １：試料室 ２：材料 ３：カラム ５：集束レンズ ７．１１：排気管 ８．１０：仕切弁 １２；予備排気ポンプ １４：導入管 １６：ノズル ４：イオン銃 ６：主排気ポンプ ９：予備室 １３：ガスボンベ １４：三方電磁弁 １７：圧力調整弁
Claims (1)
- 真空に保たれた試料室に置かれた材料と、前記試料室に
仕切弁を介して連通するように設けられた予備室と、該
予備室内を排気するための排気手段と、前記材料上の荷
電粒子線照射部分にガスを吹き付けるためのノズルと、
該ノズルと大気中に置かれたガスボンベとを接続するた
めの導入管と、該導入管の途中に設けられた圧力調整弁
とを備え、前記圧力調整弁のノズル側にこの圧力調整弁
を通過したガスをノズル側と予備室側に夫々切換えて導
入するための手段を設けたことを特徴とする荷電粒子線
装置におけるガス導入機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194886A JPH0748367B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 荷電粒子線装置におけるガス導入機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194886A JPH0748367B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 荷電粒子線装置におけるガス導入機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359939A true JPH0359939A (ja) | 1991-03-14 |
| JPH0748367B2 JPH0748367B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16331961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1194886A Expired - Fee Related JPH0748367B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 荷電粒子線装置におけるガス導入機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748367B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294328A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| JP2008153199A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 多目的用途用ガス電界イオン源 |
| JP2013197594A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Fei Co | 複数ガス注入システム |
| CN112113740A (zh) * | 2020-11-18 | 2020-12-22 | 中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所 | 一种测压装置、测压方法及风洞局部气流偏角测量方法 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1194886A patent/JPH0748367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294328A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| JP4723414B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| JP2008153199A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 多目的用途用ガス電界イオン源 |
| JP2013197594A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Fei Co | 複数ガス注入システム |
| US9728375B2 (en) | 2012-03-21 | 2017-08-08 | Fei Company | Multiple gas injection system |
| CN112113740A (zh) * | 2020-11-18 | 2020-12-22 | 中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所 | 一种测压装置、测压方法及风洞局部气流偏角测量方法 |
| CN112113740B (zh) * | 2020-11-18 | 2021-02-09 | 中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所 | 一种测压装置、测压方法及风洞局部气流偏角测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748367B2 (ja) | 1995-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130180843A1 (en) | Directed multi-deflected ion beam milling of a work piece and determining and controlling extent thereof | |
| WO2001041181A9 (en) | Gas cluster ion beam smoother apparatus | |
| JP3457855B2 (ja) | Ｆｉｂ用アシストガス導入装置 | |
| KR20080112406A (ko) | 로드록 제어 | |
| JPH0232351B2 (ja) | ||
| JPH0359939A (ja) | 荷電粒子線装置におけるガス導入機構 | |
| JPS62195662A (ja) | マスクリペア方法及び装置 | |
| JP2607572B2 (ja) | 荷電粒子を用いる分析装置および方法 | |
| JP2000048759A (ja) | 集束イオンビームによる観察・加工方法およびその装置 | |
| WO2018020649A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH11354520A (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JPH0721955A (ja) | イオンビーム装置 | |
| JPH03272554A (ja) | 断面観察用走査型電子顕微鏡およびそれを用いた断面観察方法 | |
| EP3358598B1 (en) | Collision ionization source | |
| JPH04286843A (ja) | 走査形電子顕微鏡及びその類似装置の可動絞り装置 | |
| JPH1092364A (ja) | 集束イオンビーム加工位置合わせ方法 | |
| JP3944384B2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JPH04343040A (ja) | 仕上げ用イオンガン付イオンミリング装置 | |
| JP4354657B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP3055346U (ja) | 電子顕微鏡用試料作製装置 | |
| JPH0982490A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH09120153A (ja) | パターン膜修正装置 | |
| JP2001077058A (ja) | 集束イオンビームを用いた加工方法 | |
| JPH0678897B2 (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| JP4537297B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡、及び走査型電子顕微鏡のフォーカス制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080524 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090524 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |