JPH0359031B2 - - Google Patents
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- JPH0359031B2 JPH0359031B2 JP57167820A JP16782082A JPH0359031B2 JP H0359031 B2 JPH0359031 B2 JP H0359031B2 JP 57167820 A JP57167820 A JP 57167820A JP 16782082 A JP16782082 A JP 16782082A JP H0359031 B2 JPH0359031 B2 JP H0359031B2
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- dielectric constant
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、磁器組成物、特に950℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
しかも絶縁抵抗の高い磁器組成物に関するもので
ある。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかし
ながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分
とするものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高
温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐
え得る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価
な貴金属を使用しなければならず、製造コストが
高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためには、銀、ニツケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温で焼結できる磁器が必要である。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が
高く、誘電損失が小さく、しかも絶縁抵抗が高い
ことが基本的に要求される。 本発明の目的は900〜950℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、しかも絶
縁抵抗の高い磁器組成物を提供することにある。 本発明の磁器組成物は、ニツケル・タングステ
ン酸鉛〔Pb（Ni1/2W1/2）O3〕とチタン酸鉛
〔PbTiO3〕からなる２成分組成物を〔Pb（Ni1/2
W1/2）O3〕x〔PbTiO3〕1-xと表わしたときに配合
比ｘが0.30≦ｘ≦0.60の範囲にあることを特徴と
する。 以下、本発明をその実施例により詳細に説明す
る。 出発原料として鈍度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化ニツケル（NiO）、酸化タングステ
ン（WO3）および酸化チタン（TiO2）を使用し、
所定の配合比に秤量する。次にボールミル中で湿
式混合した後750〜800℃で予焼した。その後ボー
ルミルで粉砕し、別、乾燥後、有機バインダー
を入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約２mmの
円板を４枚作成した。次に空気中900〜950℃で１
時間焼結した。焼結した円板の上下面に銀電極を
焼付け、デジタルLCRメーターで周波数1KHz、
電圧1Vr.m.s.で容量と誘電損失（tanδ）を測定
し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50V
の電圧を１分間印加して絶縁抵抗を測定し、比抵
抗を算出した。４個の試料の平均値をとり、その
値をもつて配合比ｘの代表値とした。このように
して得られた磁器組成物〔Pb（Ni1/2W1/2）O3〕x
〔PbTiO3〕1-xの配合比ｘと誘電率、誘電損失およ
び抵抗の関係を次表に示す。
で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
しかも絶縁抵抗の高い磁器組成物に関するもので
ある。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかし
ながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分
とするものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高
温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐
え得る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価
な貴金属を使用しなければならず、製造コストが
高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためには、銀、ニツケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温で焼結できる磁器が必要である。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が
高く、誘電損失が小さく、しかも絶縁抵抗が高い
ことが基本的に要求される。 本発明の目的は900〜950℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、しかも絶
縁抵抗の高い磁器組成物を提供することにある。 本発明の磁器組成物は、ニツケル・タングステ
ン酸鉛〔Pb（Ni1/2W1/2）O3〕とチタン酸鉛
〔PbTiO3〕からなる２成分組成物を〔Pb（Ni1/2
W1/2）O3〕x〔PbTiO3〕1-xと表わしたときに配合
比ｘが0.30≦ｘ≦0.60の範囲にあることを特徴と
する。 以下、本発明をその実施例により詳細に説明す
る。 出発原料として鈍度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化ニツケル（NiO）、酸化タングステ
ン（WO3）および酸化チタン（TiO2）を使用し、
所定の配合比に秤量する。次にボールミル中で湿
式混合した後750〜800℃で予焼した。その後ボー
ルミルで粉砕し、別、乾燥後、有機バインダー
を入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約２mmの
円板を４枚作成した。次に空気中900〜950℃で１
時間焼結した。焼結した円板の上下面に銀電極を
焼付け、デジタルLCRメーターで周波数1KHz、
電圧1Vr.m.s.で容量と誘電損失（tanδ）を測定
し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50V
の電圧を１分間印加して絶縁抵抗を測定し、比抵
抗を算出した。４個の試料の平均値をとり、その
値をもつて配合比ｘの代表値とした。このように
して得られた磁器組成物〔Pb（Ni1/2W1/2）O3〕x
〔PbTiO3〕1-xの配合比ｘと誘電率、誘電損失およ
び抵抗の関係を次表に示す。
【表】
表に示した結果から明らかなように、本発明に
よれば、誘電率が1200〜6900と高く、誘電損失が
0.3〜4.8％と小さく、さらに比抵抗が１×1011〜
２×1013Ω・ｍという高い値を示す、実用上優れ
た磁器組成物が得られる。こうした優れた特性を
示す本発明の磁器組成物は焼結温度が950℃以下
の低温であるため、積層コンデンサの内部電極の
低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じ
る。なお、ｘ＜0.30では、キユリー温度が実用範
囲より高くなりすぎ室温での誘電率が小さくな
り、また誘電損失も大きくなるため実用的でな
い。ｘ＞0.60では、磁器として焼結せず実用的で
ない。
よれば、誘電率が1200〜6900と高く、誘電損失が
0.3〜4.8％と小さく、さらに比抵抗が１×1011〜
２×1013Ω・ｍという高い値を示す、実用上優れ
た磁器組成物が得られる。こうした優れた特性を
示す本発明の磁器組成物は焼結温度が950℃以下
の低温であるため、積層コンデンサの内部電極の
低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じ
る。なお、ｘ＜0.30では、キユリー温度が実用範
囲より高くなりすぎ室温での誘電率が小さくな
り、また誘電損失も大きくなるため実用的でな
い。ｘ＞0.60では、磁器として焼結せず実用的で
ない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ニツケル・タングステン酸鉛〔Pb（Ni1/2
W1/2）O3〕とチタン酸鉛〔PbTiO3〕からなる２
成分組成物を〔Pb（Ni1/2W1/2）O3〕x〔PbTiO3〕1-
ｘと表わしたときに配合比ｘが0.30≦ｘ≦0.60の範
囲にあることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167820A JPS5957953A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167820A JPS5957953A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957953A JPS5957953A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0359031B2 true JPH0359031B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=15856697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167820A Granted JPS5957953A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957953A (ja) |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57167820A patent/JPS5957953A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957953A (ja) | 1984-04-03 |
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