JPH05174626A - 耐還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
耐還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH05174626A JPH05174626A JP3333348A JP33334891A JPH05174626A JP H05174626 A JPH05174626 A JP H05174626A JP 3333348 A JP3333348 A JP 3333348A JP 33334891 A JP33334891 A JP 33334891A JP H05174626 A JPH05174626 A JP H05174626A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は耐還元性誘電体磁器組成物に関し、
非酸化性雰囲気中で焼成しても優れた誘電体特性を有す
るとともに、静電容量変化率の小さいものを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 を１００モル％に対して、Ｍｎ
Ｏを0.01〜1.0 モル％、Ｃｒ2 Ｏ3 を0.01〜1.0 モル
％、Ｙ2 Ｏ3 を0.01〜1.0 モル％の範囲で含有するもの
である。
非酸化性雰囲気中で焼成しても優れた誘電体特性を有す
るとともに、静電容量変化率の小さいものを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ＢａＴｉＯ3 を１００モル％に対して、Ｍｎ
Ｏを0.01〜1.0 モル％、Ｃｒ2 Ｏ3 を0.01〜1.0 モル
％、Ｙ2 Ｏ3 を0.01〜1.0 モル％の範囲で含有するもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐還元性誘電体磁器組成
物に係り、特にニッケル等の卑金属を内部電極として使
用する積層磁器コンデンサ用に優れた特性を持つ、寿命
特性のよい耐還元性誘電体磁器組成物に関する。
物に係り、特にニッケル等の卑金属を内部電極として使
用する積層磁器コンデンサ用に優れた特性を持つ、寿命
特性のよい耐還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】通信機、電子計算機、テレビ受像機等に
用いるＩＣ回路素子等に広く使用される積層磁器コンデ
ンサの製造方法としては、誘電体シートの上に内部電極
となる電極ペーストを印刷し、これを複数枚積み重ねて
熱圧着して積層化し、この積層体を自然雰囲気中で焼成
して焼結体を作り、これに内部電極と導通する外部引出
し電極を焼付ける方法が知られている。
用いるＩＣ回路素子等に広く使用される積層磁器コンデ
ンサの製造方法としては、誘電体シートの上に内部電極
となる電極ペーストを印刷し、これを複数枚積み重ねて
熱圧着して積層化し、この積層体を自然雰囲気中で焼成
して焼結体を作り、これに内部電極と導通する外部引出
し電極を焼付ける方法が知られている。
【０００３】この場合、コンデンサの内部電極となる電
極ペーストと誘電体を同時に焼成するため、内部電極の
材料としては誘電体が焼結する温度内で電極が形成でき
ることと、自然雰囲気中で加熱しても酸化したり、誘電
体と反応しないことが必須条件である。
極ペーストと誘電体を同時に焼成するため、内部電極の
材料としては誘電体が焼結する温度内で電極が形成でき
ることと、自然雰囲気中で加熱しても酸化したり、誘電
体と反応しないことが必須条件である。
【０００４】これらの条件を満すものとして、従来、白
金やパラジウムなどの貴金属が主に使用されていた。し
かし、これらの貴金属は非常に安定であるが、高価であ
り、積層磁器コンデンサのコストアップの最大の原因と
なっていた。
金やパラジウムなどの貴金属が主に使用されていた。し
かし、これらの貴金属は非常に安定であるが、高価であ
り、積層磁器コンデンサのコストアップの最大の原因と
なっていた。
【０００５】そのため安価なニッケル等の卑金属を内部
電極として使用する試みがなされている。しかし、ニッ
ケルは酸化性雰囲気中で加熱すると酸化し、誘電体と反
応して電極形成が不可能となる。
電極として使用する試みがなされている。しかし、ニッ
ケルは酸化性雰囲気中で加熱すると酸化し、誘電体と反
応して電極形成が不可能となる。
【０００６】一方、ニッケルが酸化しないように中性あ
るいは還元性雰囲気中で焼成すると、今度は誘電体材料
が還元され、比抵抗が非常に低いものとなってしまい、
コンデンサ用誘電体材料として使用できないという欠点
がある。
るいは還元性雰囲気中で焼成すると、今度は誘電体材料
が還元され、比抵抗が非常に低いものとなってしまい、
コンデンサ用誘電体材料として使用できないという欠点
がある。
【０００７】このような欠点を改善するため、従来、誘
電体磁器組成物として、ＢａＴｉＯ 3 、ＣａＺｒＯ2 、
ＭｎＯ等を含有する誘電体磁器組成物が提案されている
（例えば特開昭62-2408 号公報参照）。
電体磁器組成物として、ＢａＴｉＯ 3 、ＣａＺｒＯ2 、
ＭｎＯ等を含有する誘電体磁器組成物が提案されている
（例えば特開昭62-2408 号公報参照）。
【０００８】しかし、これらの誘電体磁器組成物は、比
誘電率等の誘電体特性は良好であるが、コンデンサ用材
料として実用化する場合、その寿命に問題がある。即
ち、耐還元性の材料では、非酸化性雰囲気中で焼成され
た場合には誘電体が還元され、寿命が短くなるのが一般
的である。
誘電率等の誘電体特性は良好であるが、コンデンサ用材
料として実用化する場合、その寿命に問題がある。即
ち、耐還元性の材料では、非酸化性雰囲気中で焼成され
た場合には誘電体が還元され、寿命が短くなるのが一般
的である。
【０００９】この点を考慮して、本特許出願人は、先に
寿命特性のよい耐還元性誘電体磁器組成物として、Ｂａ
ＴｉＯ3 、ＭｎＯ、Ｙ2 Ｏ3 、｛Ｂａα、Ｃａ（１−
α）｝ＳｉＯ3 （ただし、0.43≦α≦0.62）等から成る
誘電体磁器組成物を提案した（特願平3-18261 号明細書
参照）。
寿命特性のよい耐還元性誘電体磁器組成物として、Ｂａ
ＴｉＯ3 、ＭｎＯ、Ｙ2 Ｏ3 、｛Ｂａα、Ｃａ（１−
α）｝ＳｉＯ3 （ただし、0.43≦α≦0.62）等から成る
誘電体磁器組成物を提案した（特願平3-18261 号明細書
参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの誘
電体磁器組成物では、これを用いて積層磁器コンデンサ
を形成したときの寿命特性と、一定電圧を印加した状態
での静電容量の経時変化が大きいという問題点があっ
た。
電体磁器組成物では、これを用いて積層磁器コンデンサ
を形成したときの寿命特性と、一定電圧を印加した状態
での静電容量の経時変化が大きいという問題点があっ
た。
【００１１】従って本発明の目的は、中性あるいは還元
性の非酸化性雰囲気中で焼成しても優れた誘電体特性を
有するとともに、静電容量の経時変化が小さく、且つ優
れた寿命特性を有する、Ｎｉ等の卑金属の内部電極を有
する積層磁器コンデンサの形成に適した耐還元性誘電体
磁器組成物を提供するものである。
性の非酸化性雰囲気中で焼成しても優れた誘電体特性を
有するとともに、静電容量の経時変化が小さく、且つ優
れた寿命特性を有する、Ｎｉ等の卑金属の内部電極を有
する積層磁器コンデンサの形成に適した耐還元性誘電体
磁器組成物を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、ＢａＴｉＯ3 １０
０モル％に対して、 ＭｎＯ 0.01〜 1.0モル％ Ｃｒ2 Ｏ3 0.01〜 1.0モル％ Ｙ2 Ｏ3 0.01〜10.0モル％ の範囲の組成にすることにより，これを達成できること
を見出した。
め、本発明者等は鋭意研究の結果、ＢａＴｉＯ3 １０
０モル％に対して、 ＭｎＯ 0.01〜 1.0モル％ Ｃｒ2 Ｏ3 0.01〜 1.0モル％ Ｙ2 Ｏ3 0.01〜10.0モル％ の範囲の組成にすることにより，これを達成できること
を見出した。
【００１３】なお、上記組成物に対して、ＢａＳｉ
Ｏ3 、ＣａＳｉＯ3 、｛Ｂａα、Ｃａ（１−α）｝Ｓｉ
Ｏ3 （ただし、0.43≦α≦0.62）のうち少なくとも一種
を0.5 〜10.0モル％含有することにより、更に寿命特性
を向上させることができる。
Ｏ3 、ＣａＳｉＯ3 、｛Ｂａα、Ｃａ（１−α）｝Ｓｉ
Ｏ3 （ただし、0.43≦α≦0.62）のうち少なくとも一種
を0.5 〜10.0モル％含有することにより、更に寿命特性
を向上させることができる。
【００１４】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物は中性あるい
は還元性雰囲気中で焼成しても十分高い比抵抗を有し、
静電容量の温度に対する変化率が小さく、かつ比誘電率
が高く、誘電体損失が小さい上に、静電容量の経時変化
が非常に小さいものが得られる。
は還元性雰囲気中で焼成しても十分高い比抵抗を有し、
静電容量の温度に対する変化率が小さく、かつ比誘電率
が高く、誘電体損失が小さい上に、静電容量の経時変化
が非常に小さいものが得られる。
【００１５】これにより、ニッケル等の卑金属を内部電
極に有する積層磁器コンデンサを形成するのに有用な耐
還元性誘電体磁器組成物を得ることができる。
極に有する積層磁器コンデンサを形成するのに有用な耐
還元性誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００１６】
【実施例】 (1) 第１実施例 図１及び表１〜表３を用いて本発明の第１実施例を説明
する。
する。
【００１７】図１は本発明の第１実施例の製造工程説明
図であり、同（ａ）は本発明の誘電体磁器組成物の製造
工程説明図、同（ｂ）は本発明の誘電体磁器組成物を用
いた積層磁器コンデンサの形成工程説明図である。
図であり、同（ａ）は本発明の誘電体磁器組成物の製造
工程説明図、同（ｂ）は本発明の誘電体磁器組成物を用
いた積層磁器コンデンサの形成工程説明図である。
【００１８】出発原料のうちＢａＴｉＯ3 はＢａＯとＴ
ｉＯ2 を１対１のモル比で調合したものを９００〜１２
００°Ｃで加熱し、化学反応したものを用いる。まず、
前記微粉砕ずみのＢａＴｉＯ3 とＭｎＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、
Ｙ2 Ｏ3 の粉末を、それぞれ最終的焼成後の組成が後掲
の表１、表２に示す如くなるように秤量し、調合する
（図１（ａ）の１参照）。
ｉＯ2 を１対１のモル比で調合したものを９００〜１２
００°Ｃで加熱し、化学反応したものを用いる。まず、
前記微粉砕ずみのＢａＴｉＯ3 とＭｎＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、
Ｙ2 Ｏ3 の粉末を、それぞれ最終的焼成後の組成が後掲
の表１、表２に示す如くなるように秤量し、調合する
（図１（ａ）の１参照）。
【００１９】次にこれらの微粉末を分散剤とともに湿式
混合粉砕し、脱水・乾燥する（図１（ａ）の２、３参
照）。この脱水・乾燥した組成物を粉末に解砕する（図
１（ａ）の４参照）。
混合粉砕し、脱水・乾燥する（図１（ａ）の２、３参
照）。この脱水・乾燥した組成物を粉末に解砕する（図
１（ａ）の４参照）。
【００２０】次に、このようにして得られた粉末を分散
剤等とともに混合して原料スラリーを調整する。そして
この原料スラリーに可塑剤とともに有機バインダーを加
えて十分に混合し、エナメル化する（図１（ｂ）の１参
照）。
剤等とともに混合して原料スラリーを調整する。そして
この原料スラリーに可塑剤とともに有機バインダーを加
えて十分に混合し、エナメル化する（図１（ｂ）の１参
照）。
【００２１】このようにしてエナメル化した原料をトク
ターブレード法でフィルム状にシート成形し、誘電体シ
ートを得る（図１（ｂ）の２参照）。得られた誘電体シ
ートに内部電極材料であるニッケルペーストを印刷し
（図１（ｂ）の３参照）、これを複数枚、例えば５枚積
み重ねて、ホットプレスで熱圧着する（図１（ｂ）の４
参照）。
ターブレード法でフィルム状にシート成形し、誘電体シ
ートを得る（図１（ｂ）の２参照）。得られた誘電体シ
ートに内部電極材料であるニッケルペーストを印刷し
（図１（ｂ）の３参照）、これを複数枚、例えば５枚積
み重ねて、ホットプレスで熱圧着する（図１（ｂ）の４
参照）。
【００２２】このように形成した積層体を例えば3.2mm
×1.6mm の形状に切断して、設計値の容量が１層あたり
２０μＦの５層品から成るコンデンサ試料を得る（図１
（ｂ）の５参照）。
×1.6mm の形状に切断して、設計値の容量が１層あたり
２０μＦの５層品から成るコンデンサ試料を得る（図１
（ｂ）の５参照）。
【００２３】次にこの試料を２５０°Ｃ〜３００°Ｃで
１０時間安定にして脱バインダーを行う（図１（ｂ）の
６参照）。その後、焼成酸素分圧７×１０-9〜９×１０
-13 ａ．ｔ．ｍに制御し、焼成温度（Ｔ2 ）１２００°
Ｃ〜１３８０°Ｃ、安定時間２時間で焼成する（図１
（ｂ）の７参照）。
１０時間安定にして脱バインダーを行う（図１（ｂ）の
６参照）。その後、焼成酸素分圧７×１０-9〜９×１０
-13 ａ．ｔ．ｍに制御し、焼成温度（Ｔ2 ）１２００°
Ｃ〜１３８０°Ｃ、安定時間２時間で焼成する（図１
（ｂ）の７参照）。
【００２４】このようにして得られた焼成体をさらに中
性雰囲気中で７００°Ｃ〜９００°Ｃ、９時間で再酸化
を行う（図１（ｂ）の８参照）。このようにして最後に
形成した焼結体の上下両面にインジウム−ガリウム合金
からなる端子電極を形成し、積層コンデンサの測定試料
を得る（図１（ｂ）の９参照）。
性雰囲気中で７００°Ｃ〜９００°Ｃ、９時間で再酸化
を行う（図１（ｂ）の８参照）。このようにして最後に
形成した焼結体の上下両面にインジウム−ガリウム合金
からなる端子電極を形成し、積層コンデンサの測定試料
を得る（図１（ｂ）の９参照）。
【００２５】このようにして得られた測定資料を、周波
数１ＫＨｚ、室温２０°Ｃの条件で、表１、表２に示す
各電気特性を測定する（図１（ｂ）の１０参照）。な
お、絶縁抵抗（ＩＲ）は室温20°Ｃで測定電圧５０Ｖを
３０秒印加後の値である。寿命（μ）は印加電圧２００
Ｖ、測定温度２００°Ｃでの評価結果である。
数１ＫＨｚ、室温２０°Ｃの条件で、表１、表２に示す
各電気特性を測定する（図１（ｂ）の１０参照）。な
お、絶縁抵抗（ＩＲ）は室温20°Ｃで測定電圧５０Ｖを
３０秒印加後の値である。寿命（μ）は印加電圧２００
Ｖ、測定温度２００°Ｃでの評価結果である。
【００２６】静電容量温度変化率（ΔＣ／Ｃ２０°Ｃ）
は室温２０°Ｃでの静電容量と各温度における静電容量
の変化率を示し、ΔＣは温度４０°Ｃで５０Ｖ印加して
１００時間経過後の静電容量変化率（以下ΔＣと表示す
る）を示す。
は室温２０°Ｃでの静電容量と各温度における静電容量
の変化率を示し、ΔＣは温度４０°Ｃで５０Ｖ印加して
１００時間経過後の静電容量変化率（以下ΔＣと表示す
る）を示す。
【００２７】このようにして得られた測定結果を表１、
表２に示す。なお、表１、表２のうち＊印を付与された
試料は本発明の範囲外のものであり、本発明の実施例の
ものと比較のために提示したものである。
表２に示す。なお、表１、表２のうち＊印を付与された
試料は本発明の範囲外のものであり、本発明の実施例の
ものと比較のために提示したものである。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】なお、表１、表２の組成を酸化物換算した
値を表３に示す。
値を表３に示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】表１、表２から明らかな如く、本発明の組
成物は、中性あるいは還元性の非酸化雰囲気中で焼成し
ても比誘電率が２０００以上と大きく、−５５°Ｃ〜＋
１２５°Ｃの広い温度範囲における静電容量変化率が比
較的小さい上に、ΔＣも±１５％以内と小さなものが得
られ、寿命（μ）も長い。
成物は、中性あるいは還元性の非酸化雰囲気中で焼成し
ても比誘電率が２０００以上と大きく、−５５°Ｃ〜＋
１２５°Ｃの広い温度範囲における静電容量変化率が比
較的小さい上に、ΔＣも±１５％以内と小さなものが得
られ、寿命（μ）も長い。
【００３３】次に本発明の誘電体磁器組成物の組成範囲
の限定理由について説明する。ＢａＴｉＯ3 １００モル
％に対して、ＭｎＯを0.01〜1.0 モル％添加することに
より、ΔＣが±１５以内となるが、0.01モル％未満では
誘電体磁器組成物が還元されて半導体化し、誘電体とし
て作用しなくなる（表１、表２の試料Ｎｏ. ５参照）。
の限定理由について説明する。ＢａＴｉＯ3 １００モル
％に対して、ＭｎＯを0.01〜1.0 モル％添加することに
より、ΔＣが±１５以内となるが、0.01モル％未満では
誘電体磁器組成物が還元されて半導体化し、誘電体とし
て作用しなくなる（表１、表２の試料Ｎｏ. ５参照）。
【００３４】また、ＭｎＯの添加量が1.0 モル％を越え
ると、絶縁抵抗が１×１０10Ω以下となり実用的誘電体
特性が得られない（表１、表２の試料Ｎｏ．９参照）。
Ｃｒ2 Ｏ3 の添加量が0.01モル％未満では誘電体損失が
大きくなり、静電容量の温度変化率が悪化するととも
に、寿命も短くなる（表１、表２の試料Ｎｏ. １０参
照）。
ると、絶縁抵抗が１×１０10Ω以下となり実用的誘電体
特性が得られない（表１、表２の試料Ｎｏ．９参照）。
Ｃｒ2 Ｏ3 の添加量が0.01モル％未満では誘電体損失が
大きくなり、静電容量の温度変化率が悪化するととも
に、寿命も短くなる（表１、表２の試料Ｎｏ. １０参
照）。
【００３５】また、Ｃｒ2 Ｏ3 の添加量が1.0 モル％を
越えると組成物が焼結困難となり、実用化できない（表
１、表２の試料Ｎｏ．１３参照）。Ｙ2 Ｏ3 の添加量が
0.01モル％未満では寿命特性が悪化する（表１、表２の
試料Ｎｏ．３、４、１４参照）。
越えると組成物が焼結困難となり、実用化できない（表
１、表２の試料Ｎｏ．１３参照）。Ｙ2 Ｏ3 の添加量が
0.01モル％未満では寿命特性が悪化する（表１、表２の
試料Ｎｏ．３、４、１４参照）。
【００３６】また、Ｙ2 Ｏ3 の添加量が10.0モル％を越
えると組成物が還元されて半導体化し、誘電体として作
用しなくなる（表１、表２の試料Ｎｏ．１９参照）。 (2) 第２実施例 本発明の前記誘電体磁器組成物に対して、更にＢａＳｉ
Ｏ3 、ＣａＳｉＯ3 、｛Ｂａα、Ｃａ（１−α）｝Ｓｉ
Ｏ3 （以下これをＢＣＧという）を含有させた場合につ
いて、表４〜表７にもとづき説明する。
えると組成物が還元されて半導体化し、誘電体として作
用しなくなる（表１、表２の試料Ｎｏ．１９参照）。 (2) 第２実施例 本発明の前記誘電体磁器組成物に対して、更にＢａＳｉ
Ｏ3 、ＣａＳｉＯ3 、｛Ｂａα、Ｃａ（１−α）｝Ｓｉ
Ｏ3 （以下これをＢＣＧという）を含有させた場合につ
いて、表４〜表７にもとづき説明する。
【００３７】まず、第１実施例の場合と同様に、ＢａＴ
ｉＯ3 を微粉砕し、また、ＢａＳｉＯ3 、ＣａＳｉ
Ｏ3 、ＢＣＧをそれぞれ微粉砕する。そして、第１実施
例に示した出発原料に、これらの組成物の粉末を、それ
ぞれ最終的焼成後の組成が後掲の表４〜表７に示す如く
なるように、秤量し、調合し、同様の工程により積層コ
ンデンサ型の測定試料を製造する。ただし、焼成条件
は、焼成温度（Ｔ2 ）１２００°Ｃ〜１４００°Ｃ、安
定時間２〜４時間で焼成する。
ｉＯ3 を微粉砕し、また、ＢａＳｉＯ3 、ＣａＳｉ
Ｏ3 、ＢＣＧをそれぞれ微粉砕する。そして、第１実施
例に示した出発原料に、これらの組成物の粉末を、それ
ぞれ最終的焼成後の組成が後掲の表４〜表７に示す如く
なるように、秤量し、調合し、同様の工程により積層コ
ンデンサ型の測定試料を製造する。ただし、焼成条件
は、焼成温度（Ｔ2 ）１２００°Ｃ〜１４００°Ｃ、安
定時間２〜４時間で焼成する。
【００３８】このようにして得られた測定試料を第１実
施例の場合と同様の測定条件、測定方法により、各電気
的特性を測定し、その結果を表４〜表７に示す。なお表
４〜表７のうち＊印を付した試料は本発明の範囲外のも
のであり、本発明のものと比較のために提示したもので
ある。
施例の場合と同様の測定条件、測定方法により、各電気
的特性を測定し、その結果を表４〜表７に示す。なお表
４〜表７のうち＊印を付した試料は本発明の範囲外のも
のであり、本発明のものと比較のために提示したもので
ある。
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】
【表６】
【００４２】
【表７】
【００４３】なお、表４〜７の組成を酸化物換算した値
を表８に示す。
を表８に示す。
【００４４】
【表８】
【００４５】これら表４〜表７から明らかな如く、本実
施例の誘電体磁器組成物は中性あるいは還元性の非酸化
雰囲気中で焼成しても、比誘電率が２０００以上と大き
く、誘電体損失も小さく、静電容量の温度変化率が比較
的小さい上、ΔＣ±９％以下と、第１実施例よりも比較
的小さなものが得られ、寿命も長くなった。
施例の誘電体磁器組成物は中性あるいは還元性の非酸化
雰囲気中で焼成しても、比誘電率が２０００以上と大き
く、誘電体損失も小さく、静電容量の温度変化率が比較
的小さい上、ΔＣ±９％以下と、第１実施例よりも比較
的小さなものが得られ、寿命も長くなった。
【００４６】次に請求項２に記載された誘電体磁器組成
物の組成範囲の限定理由について説明する。ＢａＳｉＯ
3 、ＣａＳｉＯ3 、ＢＣＧのうちの少なくとも１種が1
0.0モル％を越えると比誘電率が低くなり、実用的な誘
電体特性が得られない（表４、表５の試料Ｎｏ．５参
照）。
物の組成範囲の限定理由について説明する。ＢａＳｉＯ
3 、ＣａＳｉＯ3 、ＢＣＧのうちの少なくとも１種が1
0.0モル％を越えると比誘電率が低くなり、実用的な誘
電体特性が得られない（表４、表５の試料Ｎｏ．５参
照）。
【００４７】ＢＣＧ等が0.5 モル％未満のときΔＣが比
較的大きくなり寿命も比較的短い。また、ＢＣＧ等が0.
5 〜10.0モル％含有されていてもＭｎＯが0.01モル％未
満であれば、組成物が半導体化して実用にならない（例
えば表４、表５の試料Ｎｏ．１１参照）。
較的大きくなり寿命も比較的短い。また、ＢＣＧ等が0.
5 〜10.0モル％含有されていてもＭｎＯが0.01モル％未
満であれば、組成物が半導体化して実用にならない（例
えば表４、表５の試料Ｎｏ．１１参照）。
【００４８】同様にＭｎＯが1.0 モル％を越えると、絶
縁抵抗が１×1010以下と低くなり、やはり実用に適さな
い（表４、表５の試料Ｎｏ．１０参照）。同じくＢＣＧ
等が0.5 〜10.0モル％含有されていても、Ｃｒ2 Ｏ3 が
0.01モル％未満であると、組成物が半導体化して実用的
でない（表６、表７の試料Ｎｏ．２９参照）。そしてＣ
ｒ2 Ｏ3 が1.0 モル％を越えると、焼結困難となり組成
物が製造できなくなる（表４、表５の試料Ｎｏ．１６参
照）。
縁抵抗が１×1010以下と低くなり、やはり実用に適さな
い（表４、表５の試料Ｎｏ．１０参照）。同じくＢＣＧ
等が0.5 〜10.0モル％含有されていても、Ｃｒ2 Ｏ3 が
0.01モル％未満であると、組成物が半導体化して実用的
でない（表６、表７の試料Ｎｏ．２９参照）。そしてＣ
ｒ2 Ｏ3 が1.0 モル％を越えると、焼結困難となり組成
物が製造できなくなる（表４、表５の試料Ｎｏ．１６参
照）。
【００４９】ＢＣＧ等が0.5 〜10.0モル％含有されてい
ても、Ｙ2 Ｏ3 が0.01モル％未満であると寿命が非常に
短くなり実用的でない（表６、表７の試料Ｎｏ．２６参
照）。一方Ｙ2 Ｏ3 が10.0モル％を越えると比誘電率が
低くなり、実用的な誘電体特性が得られない（表６、表
７の試料Ｎｏ．２４参照）。
ても、Ｙ2 Ｏ3 が0.01モル％未満であると寿命が非常に
短くなり実用的でない（表６、表７の試料Ｎｏ．２６参
照）。一方Ｙ2 Ｏ3 が10.0モル％を越えると比誘電率が
低くなり、実用的な誘電体特性が得られない（表６、表
７の試料Ｎｏ．２４参照）。
【００５０】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、中性雰囲
気や還元性雰囲気等の非酸化性雰囲気中で焼成しても、
比誘電率が大きく、誘電体損失も小さく、静電容量の温
度変化率が比較的小さく安定しているという優れた誘電
体特性を有する。更に、静電容量変化率も非常に小さ
く、寿命も長いという優れた特性を有する。
気や還元性雰囲気等の非酸化性雰囲気中で焼成しても、
比誘電率が大きく、誘電体損失も小さく、静電容量の温
度変化率が比較的小さく安定しているという優れた誘電
体特性を有する。更に、静電容量変化率も非常に小さ
く、寿命も長いという優れた特性を有する。
【００５１】したがって、本発明により、ニッケル等の
卑金属を内部電極に有する積層磁器コンデンサ用として
使用するとき、信頼性の高い素子を形成することができ
る。
卑金属を内部電極に有する積層磁器コンデンサ用として
使用するとき、信頼性の高い素子を形成することができ
る。
【図１】図１（ａ）は本発明の一実施例の製造工程説明
図であり、同（ｂ）は本発明の誘電体磁器組成物を用い
た積層磁器コンデンサの製造工程説明図である。
図であり、同（ｂ）は本発明の誘電体磁器組成物を用い
た積層磁器コンデンサの製造工程説明図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＢａＴｉＯ3 を１００モル％に対して、 ＭｎＯ 0.01〜 1.0モル％ Ｃｒ2 Ｏ3 0.01〜 1.0モル％ Ｙ2 Ｏ3 0.01〜10.0モル％ の範囲の組成であることを特徴とする耐還元性誘電体磁
器組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の組成物に対し添加物とし
て、 ＢａＳｉＯ3 、ＣａＳｉＯ3 ｛Ｂａα、Ｃａ（１−
α）｝ＳｉＯ3 （ただし、0.43≦α≦0.62）が一種以上で0.5 から10.0
モル％を含有することを特徴とする耐還元性誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333348A JPH05174626A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 耐還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333348A JPH05174626A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 耐還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174626A true JPH05174626A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18265109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3333348A Withdrawn JPH05174626A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 耐還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174626A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514895B1 (en) * | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
| WO2006035699A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Rohm Co., Ltd. | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた電子部品 |
| US7060144B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-06-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic capacitor and method for the manufacture thereof |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3333348A patent/JPH05174626A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514895B1 (en) * | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
| US7060144B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-06-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic capacitor and method for the manufacture thereof |
| WO2006035699A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Rohm Co., Ltd. | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた電子部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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