JPH0358356B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、式 〔式中、R₁、R₂、R₃及びR₄は、同じ又は異なる
ものであつて、置換又は非置換のアルキル、アリ
ール、アルカリール又はアルアルキル基を表わ
し、あるいはR₁とR₂及び／又はR₃とR₄とがアル
キレン基を形成し、R₅はＨを表わし、R₆はＨ又
は置換又は非置換のアルキル、アリール、アルカ
リール又はアルアルキル基を表わし、あるいは
R₅とR₆はアルキレン基を形成する。〕 を持つビスホスフインジオキシドの製造法並びに
この製造法により得られたビスホスフインジオキ
シドに関する。 ビスホスフインは、水素化、ヒドロシリル化及
びヒドロカルボニル化の如き、遷移金属特に第
族貴金属（例えば、ロジウム）で接触される反応
において、二座配位子として広く用いられてい
る。これらの配位子の構造に因り、種々の電子的
又は立体的影響が、閉じた環境のキレート化され
た金属の中心に及ぼされ得る。従つて、触媒の選
択性は配位子として用いられるビスホスフインの
構造に大いに左右され、また該構造は例えば非対
称水素化をもたらし得る。このようにして、不飽
和化合物を水素化して光学活性を持つ飽和化合物
を形成することが達成され得る。例として、置換
のアクリル酸及びエステルを水素化してアミノ酸
（例えば、フエニルアラニン、ヒドロキシフエニ
ルアラニン、β−インドリルアラニン及びジヒド
ロキシフエニルアラニン）の立体異性体を形成す
ることが挙げられ得る。 ビスホスフインは、ビスホスフインジオキシド
から、周知の技法例えばクロロシランとトリアル
キルアミンとの混合物での還元あるいは水素化ア
ルミニウムでの還元により、容易に製造され得
る。 ビスホスフインジオキシドの製造法は公知であ
るが、それらの製造法は複雑であり、また満足な
収率をもたらさない。 本発明は、オキシランと第２級ホスフインオキ
シドとの反応により、高収率でビスホスフインジ
オキシドを製造するための魅力的な方法を提供す
る。 従つて、本発明は、式 〔式中、R₁、R₂、R₃及びR₄は、同じ又は異なる
ものであつて、置換又は非置換のアルキル、アリ
ール、アルカリール又はアルアルキル基を表わ
し、あるいはR₁とR₂及び／又はR₃とR₄とがアル
キレン基を形成し、R₅はＨを表わし、R₆はＨ又
は置換又は非置換のアルキル、アリール、アルカ
リール又はアルアルキル基を表わし、あるいは
R₅とR₆はアルキレン基を形成する。〕 を持つビスホスフインジオキシドの製造法であつ
て、非プロトン性溶媒中で塩基性化合物の存在下
にて、式 を持つオキシランを、式

【式】及び／又は

【式】 を持つ１種又はそれ以上のホスフインオキシドと
接触させることによる製造法を提供する。 出発化合物として用いられるべき下記構造を持
つホスフインオキシド

【式】及び

【式】 において、R₁、R₂、R₃及びR₄は１つ又はそれ以
上は、非常に適当には、第３級アルキル基（例え
ば、第３級ブチル）を表わす。 好ましくは、R₁、R₂、R₃及びR₄の１つ又はそ
れ以上特にすべてが置換又は非置換のアリール基
特にフエニル基を表わす。アリール基の置換基
は、反応を妨害しない基のいずれからなつていて
もよく、例えばアルキル基（例えば、メチル基）、
アルコキシ基特にメトキシ基である。置換基は、
アリール基へのリン原子の結合部位に対してオル
ト、パラ又はメタであり得る。置換アリール基と
して、ｏ−メトキシフエニル基が好ましい。 出発化合物として用いられるべき下記構造を持
つオキシラン において、R₆は好ましくはアルキル基例えばエ
チル、プロピル又はブチル基及び特にメチル基を
表わす。 R₅とR₆がアルキレン基を形成するオキシラン
の例として、シクロペンタンエポキシド及びシク
ロヘキサンエポキシドが挙げられ得る。 非常に適当に用いられるべき塩基性化合物は、
非プロトン性溶媒中に少なくとも部分的に可溶で
あるべきである。アルカリ金属アルキル例えばリ
チウムアルキル（例えば、リチウムブチル）が非
常に適する。水素化金属特にアルカリ金属の水素
化物例えば水素化ナトリウム及び水素化リチウム
が好ましい。 塩基性化合物は、好ましくは、反応されるべき
ホスフインオキシドの量に等しい量で用いられ
る。かくして、水素化ナトリウム又はリチウムブ
チルが塩基性化合物として用いられる場合、反応
されるべきホスフインオキシド各１モルに対して
１モル用いることが好ましい。 反応速度は、温度及び用いられる非プロトン性
溶媒のタイプに左右される。周囲温度と反応混合
物の沸点との間の温度が非常に適する。反応は、
極性の劣る溶媒中においてよりも一層極性の非プ
ロトン性溶媒中において一層円滑に進む。一層極
性の非プロトン性溶媒として、特に、置換アミド
基を含有するもの例えば１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン及びジメチルホルムアミドが挙
げられ得、また後者が好ましい。 極性の劣る溶媒例えば炭化水素（例えば、ヘキ
サン）及びエーテル（例えば、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル）中では、ホスフインオキ
シド１モルのみがオキシランの反応して、式 〔対イオンＭは、用いられた塩基性化合物の金属
（例えば、Li又はNa）である。〕 を持つ中間化合物をもたらす、ということがわか
つた。有機成分の１つが、該中間化合物の形成に
必要な量よりも過剰に存在する場合でさえ、一般
的に用いられる条件下即ち大気圧及びせいぜい沸
とうする反応混合物の温度にて、反応はさらに進
まない。充分な塩基性化合物が利用されることを
条件として、極性の劣る溶媒を一層極性な溶媒に
よつて部分的に又は全体的に置き換えることによ
り、一層多くのホスフインオキシドが上記中間化
合物と反応して、本発明によるビスホスフインジ
オキシドが形成する。 上述の現象は、式 〔式中、R₃は、R₁並びにR₂とは異なるものであ
る。〕 を持つビスホスフインジオキシドを製造する可能
性を開拓する。無論、R₄もまたR₁並びにR₂と異
なつていてもよく、R₃もまたR₄と異なつていて
もよい。 これらの化合物は、式

【式】 を持つホスフインオキシド１モルと式 を持つオキシラン１モルとを塩基性化合物（例え
ば、水素化ナトリウム又はリチウムブチル）少な
くとも１当量の存在下で極性の劣る溶媒中にて反
応させ（上記に説明した通り）、次いで、式

〔式中、R₃はR₁並びにR₂と異なるものである。〕

を持つホスフインオキシド１モルを添加しかつ極
性の劣る溶媒を一層極性な溶媒（例えば、ジメチ
ルホルムアミド）で置き換えることにより製造さ
れ得る。必要なら、一層極性な溶媒と反応しない
塩基性化合物の追加量が添加される。 ホスフインオキシド１分子とオキシラン１分子
との反応生成物を次のようにして単離することも
可能であり、即ち、中間化合物を含有する混合物
を酸性化し、そして式 を持つ沈殿した化合物を分離する。この化合物は
次のようにして本発明によるビスホスフインジオ
キシドに変換され得、即ち、それを一層極性な溶
媒（例えば、ジメチルホルムアミド）中でホスフ
インオキシド及び一層極性の溶媒と反応しない塩
基性化合物と接触させ、しかも、塩基性化合物の
量は、該中間化合物及び一緒に反応させるべきホ
スフインオキシドの量に少なくとも等しい量であ
る。その代わりに、極性の劣る溶媒中の式 を持つ該化合物をホスフインオキシド及び塩基性
化合物と接触させ、次いで塩基性化合物と反応し
ない一層極性な溶媒を添加してもよい。 例 １ １−メチル−１，２−ビス（ジフエニルホスフ
イニル）エタンの製造。 120mg（５ミリモル）の水素化ナトリウムを、
1.0ｇ（５ミリモル）のジフエニルホスフインオ
キシドのかくはんされている溶液（乾燥ジメチル
ホルムアミド（25ml）中）に、室温でアルゴン下
にて添加した。水素の発生とともに、淡黄色溶液
が形成した。その混合物を60℃に加熱し、145mg
（2.5ミリモル）のプロパンエポキシドを添加し
た。白色の固体の沈殿が直ちに始まり、そして60
℃で２時間かくはんすることにより反応を完了さ
せた。その反応混合物を希HClで酸性化し、そし
てメチレンクロライドで抽出した。有機層を炭酸
ナトリウムの10％溶液で洗浄し、乾燥し、そして
有機溶媒を蒸発させた。残渣をクロロホルム−ジ
エチルエーテルから再結晶させて、0.93ｇ（収率
84％）のビスホスフインオキシドを得た。 例 ２ １，２−ビス（ジフエニルホスフイニル）シク
ロヘキサンを製造。 水素化ナトリウム（0.17ｇ；7.08ミリモル）
を、ジメチルホルムアミド（15ml）中のジフエニ
ルホスフインオキシド（1.4ｇ；6.93ミリモル）
のかくはんされている溶液に、室温でアルゴン下
にて添加した。次いで、その黄色溶液にシクロヘ
キサンエポキシド（0.34ｇ；3.47ミリモル）を添
加し、そしてその反応混合物を70℃に暖めた。該
黄色はゆつくりと薄らぎ、そして２時間後白色の
沈殿物が形成した。その混合物を冷却し、希HCl
で酸性化し、そして生成物をクロロホルムで抽出
した。すべての溶媒を除去し、クロロホルム−ジ
エチルエーテルから再結晶した後、トランス−
１，２−ビス（ジフエニルホスフイニル）シクロ
ヘキサン（1.55ｇ；93％収率）を得た。 例 ３ ２−ジフエニル−ホスフイニルエタノールの製
造。 6.25mlのブチルリチウム（ヘキサン中1.6モル）
を、乾燥テトラヒドロフラン（100ml）中の2.02
ｇ（10ミリモル）のジフエニルホスフインオキシ
ドのかくはんされている溶液に、室温でアルゴン
下にて添加した。ブタンの発生とともに、淡黄色
の溶液が形成した。その淡黄色溶液にエチレンオ
キシド（２ml；50ミリモル）を添加し、そして反
応混合物を室温で２日間かくはんした。反応混合
物を希HClで酸性化し、そしてメチレンクロライ
ドで抽出した。有機相を乾燥しそして蒸発させ
た。残渣は純粋な２−ジフエニル−ホスフイニル
エタノールであり、得られたまま次の反応に用い
た。 １−ジフエニルホスフイニル−２−ジ（ｏ−メ
トキシ）フエニルホスフイニルエタンの製造。 6.25mlのブチルリチウム（ヘキサン中1.6モル）
を、乾燥テトラヒドロフラン（10ml）中の1.23ｇ
（５ミリモル）の２−ジフエニルホスフイニルエ
タノール及び1.31ｇ（５ミリモル）のビスｏ−メ
トキシフエニルホスフインオキシドのかくはんさ
れている溶液に、室温でアルゴン下にて添加し
た。ブタンの発生とともに、淡黄色の溶液が形成
した。その淡黄色の溶液に乾燥ジメチルホルムア
ミド（100ml）を添加し、そしてその混合物を90
℃〜100℃に一夜暖めた。反応混合物を冷却し、
希HClで酸性化し、そしてメチレンクロライドで
抽出した。有機相を炭酸ナトリウムの10％溶液で
洗浄し、乾燥し、そして有機溶液を蒸発させた。
残渣をメチレンクロライド−ジエチルエーテルか
ら再結晶して、1.6ｇ（65％収率）の１−ジフエ
ニルホスフイニル−２−ジ（ｏ−メトキシ）フエ
ニルホスフイニルエタンを得た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式 〔式中、R₁、R₂、R₃及びR₄は、同じ又は異なる
   ものであつて、置換又は非置換のアルキル、アリ
   ール、アルカリール又はアルアルキル基を表わ
   し、あるいはR₁とR₂及び／又はR₃とR₄とがアル
   キレン基を形成し、R₅はＨを表わし、R₆はＨ又
   は置換又は非置換のアルキル、アリール、アルカ
   リール又はアルアルキル基を表わし、あるいは
   R₅とR₆はアルキレン基を形成する。〕 を持つビスホスフインジオキシドの製造法であつ
   て、非プロトン性溶媒中で塩基性化合物の存在下
   にて、式 を持つオキシランを、式 【式】及び／又は【式】 を持つ１種又はそれ以上のホスフインオキシドと
   接触させることによる製造法。 ２ R₁、R₂、R₃及びR₄の１つ又はそれ以上特に
   すべてが置換又は非置換のアリール基を表わす、
   特許請求の範囲第１項記載の製造法。 ３ R₁及び／又はR₂及び／又はR₃及び／又はR₄
   が置換アルコキシ−アリール基を表わす、特許請
   求の範囲第２項記載の製造法。 ４ 置換アルコキシ−アリール基がｏ−メトキシ
   −フエニル基である、特許請求の範囲第３項記載
   の製造法。 ５ R₆がアルキル基を表わす、特許請求の範囲
   第１〜４項のいずれか記載の製造法。 ６ アルキル基がメチル基である、特許請求の範
   囲第５項記載の製造法。 ７ 塩基性化合物が水素化ナトリウムである、特
   許請求の範囲第１〜６項のいずれか記載の製造
   法。 ８ 塩基性化合物がブチルリチウムである、特許
   請求の範囲第１〜６項のいずれか記載の製造法。 ９ 用いられるべき塩基性化合物の量が、反応さ
   れるべきホスフインオキシドの量に等しい、特許
   請求の範囲第１〜８項のいずれか記載の製造法。 １０ ２段階で実施し、第１段階における溶媒が
   第２段階における溶媒よりも極性が劣る、特許請
   求の範囲第１〜９項のいずれか記載の製造法。 １１ 第１段階における溶媒が炭化水素又はエー
   テルもしくはそれらの混合物からなり、第２段階
   における溶媒がアミド基を含有する溶媒からな
   る、特許請求の範囲第１０項記載の製造法。 １２ 第１段階における溶媒がヘキサン又はテト
   ラヒドロフランもしくはそれらの混合物からな
   り、第２段階における溶媒がジメチルホルムアミ
   ドからなる、特許請求の範囲第１１項記載の製造
   法。 １３ R₃がR₁並びにR₂と異なつており、第１段
   階において式 【式】 を持つホスフインオキシド１モルと式 を持つオキシラン１モルとを極性の劣る溶媒中で
   接触させ、そして得られた反応生成物を第２段階
   において式 【式】 〔式中、R₃はR₁並びにR₂と異なる〕 を持つホスフインオキシド１モルと一層極性な溶
   媒中で接触させる、特許請求の範囲第９〜１２項
   のいずれか記載の製造法。