JPH0352472B2 - - Google Patents
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
- C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
- C07D403/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
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- C07D205/085—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams with a nitrogen atom directly attached in position 3
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Description
本発明は新規な1−オキサ−1−デチアーセフ
アロスポリン誘導体およびその薬学的に許容され
る塩又はエステルに関する。さらに詳しくは、セ
フエム核の2位に低級アルキル基が置換されてい
ることを特色とする1−オキサー1−デチア−3
−セフエム誘導体、およびその薬学的に許容され
る塩又はエステルに関するものである。 近年、1−オキサ−1−デチア−3−セフエム
化合物の誘導体の合成について研究が進められて
いる(例えば特開昭53−25551号公報参照)。本発
明者らは、1−オキサ−1−デチア−3−セフエ
ム化合物の2−アルキル置換誘導体を初めて合成
することに成功し、この新規な誘導体は2−アル
キル基がない場合に比べて抗菌力が増強され且つ
β−ラクタメースに対する耐性が増強しているこ
とを見出して、本発明を完成した。 すなわち、本発明は、一般式 〔式中、Rは式
アロスポリン誘導体およびその薬学的に許容され
る塩又はエステルに関する。さらに詳しくは、セ
フエム核の2位に低級アルキル基が置換されてい
ることを特色とする1−オキサー1−デチア−3
−セフエム誘導体、およびその薬学的に許容され
る塩又はエステルに関するものである。 近年、1−オキサ−1−デチア−3−セフエム
化合物の誘導体の合成について研究が進められて
いる(例えば特開昭53−25551号公報参照)。本発
明者らは、1−オキサ−1−デチア−3−セフエ
ム化合物の2−アルキル置換誘導体を初めて合成
することに成功し、この新規な誘導体は2−アル
キル基がない場合に比べて抗菌力が増強され且つ
β−ラクタメースに対する耐性が増強しているこ
とを見出して、本発明を完成した。 すなわち、本発明は、一般式 〔式中、Rは式
【式】
(但しR1は2−チエニル基又は3−チエニル
基を示し、R2は水素原子又はカルボキシル基を
示す)の基であるか又はRは式 (但しR3は低級アルキル基を示す)の基であ
り;R4は水素原子又はメトキシ基であり;R5は
低級アルキル基特にメチル基であり;R6は式−
CH2−S−Het(但しHetは1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル基、トリアゾリル基又はチ
アジアゾリル基を示す)で表わされる複素環置換
チオメチル基である〕で示される2−アルキル−
1−オキサ−1−デチアーセフアロスポリン誘導
体、およびその薬学的に許容される塩又はエステ
ルを提供する。 一般式〔〕で低級アルキル基は、炭素数1〜
4の基を意味する。R5で示される低級アルキル
基はα、βの両方の立体配位が存在し、α、β−
位ともにメチル基が好適である。 一般式()の化合物の薬学的に許容し得る塩
類には、該化合物中に存在するカルボキシル基と
の反応により生成される慣用的な非毒性の塩(カ
ルボキシレート)、特に無機塩基との塩類、例え
ばナトリウム塩、カリウム塩のようなアルカリ金
属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩の
ようなアルカリ土類金属塩があり、また、リジ
ン、アルギニン、オルニチン、ヒスチジンのよう
な塩基性アミノ酸との付加塩があり、さらに有機
アミン塩、その他の、セフアロスポリンと通常塩
を形成するような塩基性塩との付加塩がある。 また、本発明化合物()の他の無毒性塩とし
ては、該化合物のアミノ基又は他の塩基性基にお
ける塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸など
の無機酸との付加塩があり、またトリフルオル酢
酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、マ
レイン酸、酒石酸、p−トルエンスルホン酸のよ
うな有機カルホン酸又は有機スルホン酸との付加
塩、並びにアスパラギン酸、グルタミン酸のよう
な酸性アミノ酸との付加塩類があり、さらに分子
間又は分子内塩等をあげることができる。 また本発明化合物()の無毒性エステルとし
ては、そのカルボキシル基における薬学的に許容
できるエステル形成基とのエステルがあるが、そ
の中でも、代謝上不安定なエステルが好ましい。
後者は生体内で加水分解して除去し得るエステル
形成基を有する化合物である。かゝるエステル形
成基の例としてはアセトキシメチル基、ピバロイ
ルオキシメチル基、α−エトキシカルボニルオキ
シエチル基、フタリジル基、フエニル基等の芳香
族基でありうる。 本発明化合物()の具体例としては、次のも
のがある。
基を示し、R2は水素原子又はカルボキシル基を
示す)の基であるか又はRは式 (但しR3は低級アルキル基を示す)の基であ
り;R4は水素原子又はメトキシ基であり;R5は
低級アルキル基特にメチル基であり;R6は式−
CH2−S−Het(但しHetは1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル基、トリアゾリル基又はチ
アジアゾリル基を示す)で表わされる複素環置換
チオメチル基である〕で示される2−アルキル−
1−オキサ−1−デチアーセフアロスポリン誘導
体、およびその薬学的に許容される塩又はエステ
ルを提供する。 一般式〔〕で低級アルキル基は、炭素数1〜
4の基を意味する。R5で示される低級アルキル
基はα、βの両方の立体配位が存在し、α、β−
位ともにメチル基が好適である。 一般式()の化合物の薬学的に許容し得る塩
類には、該化合物中に存在するカルボキシル基と
の反応により生成される慣用的な非毒性の塩(カ
ルボキシレート)、特に無機塩基との塩類、例え
ばナトリウム塩、カリウム塩のようなアルカリ金
属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩の
ようなアルカリ土類金属塩があり、また、リジ
ン、アルギニン、オルニチン、ヒスチジンのよう
な塩基性アミノ酸との付加塩があり、さらに有機
アミン塩、その他の、セフアロスポリンと通常塩
を形成するような塩基性塩との付加塩がある。 また、本発明化合物()の他の無毒性塩とし
ては、該化合物のアミノ基又は他の塩基性基にお
ける塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸など
の無機酸との付加塩があり、またトリフルオル酢
酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、マ
レイン酸、酒石酸、p−トルエンスルホン酸のよ
うな有機カルホン酸又は有機スルホン酸との付加
塩、並びにアスパラギン酸、グルタミン酸のよう
な酸性アミノ酸との付加塩類があり、さらに分子
間又は分子内塩等をあげることができる。 また本発明化合物()の無毒性エステルとし
ては、そのカルボキシル基における薬学的に許容
できるエステル形成基とのエステルがあるが、そ
の中でも、代謝上不安定なエステルが好ましい。
後者は生体内で加水分解して除去し得るエステル
形成基を有する化合物である。かゝるエステル形
成基の例としてはアセトキシメチル基、ピバロイ
ルオキシメチル基、α−エトキシカルボニルオキ
シエチル基、フタリジル基、フエニル基等の芳香
族基でありうる。 本発明化合物()の具体例としては、次のも
のがある。
【表】
【表】
【表】
なお、上記の化合物No.は後記の表1で参照され
る。 本発明化合物()はセフエム核の2位に低級
アルキル基を有する点で特開昭53−25551号公報
に記載された種々のセフエム誘導体と明らかに相
違し、また抗菌性も大巾に向上している。 一般式()の本発明化合物の各種細菌に対す
る生育最低阻止濃度(MIC.)(mcg/ml)を次の
表1に示す。表1に示すように、グラム陰性およ
び陽性の各種病原細菌に対して本発明化合物は強
い抗菌活性を示し抗生物質として有用である。
る。 本発明化合物()はセフエム核の2位に低級
アルキル基を有する点で特開昭53−25551号公報
に記載された種々のセフエム誘導体と明らかに相
違し、また抗菌性も大巾に向上している。 一般式()の本発明化合物の各種細菌に対す
る生育最低阻止濃度(MIC.)(mcg/ml)を次の
表1に示す。表1に示すように、グラム陰性およ
び陽性の各種病原細菌に対して本発明化合物は強
い抗菌活性を示し抗生物質として有用である。
【表】
上記に例証されるごとく、本発明による式
()の化合物は抗菌剤として優れた性質を有す
るために、ヒトを含む哺乳動物の細菌感染症の治
療又は予防に経口又は非経口的に投与しうる有用
な抗生物質である。 本発明の一般式()の1−オキサ−1−デチ
ア−3−セフエム誘導体またはその薬学的に許容
される塩は次の方法で製造できる。 すなわち、次の一般式 (式中、R4、R5およびR6は前述の意味をもち、
Aはカルボキシル基の保護基例えばフエニルメチ
ル基又はジフエニルメチル基を表わす)で示され
る2−アルキル−7−アミノ−1−オキサ−1−
デチアーセフエム化合物の7位アミノ基を次の一
般式 R−COOH () (式中Rは前述の意味をもつ)で示されるカル
ボン酸、もしくはそのカルボキシル基における反
応性誘導体例えば酸クロライド又は活性エステル
を縮合させ、その後に保護基(例えばA)の脱離
を行うことにより製造できる。 7位アミノ基の縮合反応(アシル化)は通常の
β−ラクタム化合物の合成に用いられる公知のア
ミド形成法で行うことができ、例えばカルボン酸
()を直接に縮合反応させる方法としては、カ
ルボジイミド法が好適に用いられる。またカルボ
ン酸()の反応性誘導体を利用する場合には、
アシル化は酸ハライド法、活性エステル法又は混
合酸無水物法で好適に行い得る。 このアシル化反応は通常、塩化メチレン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル等のこ
の反応に悪影響をおよぼさない有機溶媒中で行わ
れる。反応温度は特に限定されないが通常は冷却
下ないし加温程度の緩和な条件下で行われる。 この反応に用いられる一般式()の原料化合
物の4位カルボキシル基の保護基(A)としては、こ
の分野で慣用される保護基、例えばジフエニルメ
チル基、p−ニトロベンジル基、t−ブチル基の
ようなアラルキル基又はアルキル基がある。アシ
ル化反応終了後の脱保護は、保護基の種類に応じ
て、公知の方法、例えば酸による解裂、還元的脱
離などで好適に実施できる。 上記の製造法で出発原料として用いる一般式
()のカルボン酸化合物は公知物質である。し
かし一般式()の2−アルキル−7−アミノ−
1−オキサ−1−デチア−セフエム化合物は文献
未載の新規化合物であるから、本発明者らにより
開発されたその調製法の概略を次に説明し、また
1例として2−メチル−7−アミノ−1−オキサ
−1−デチア−3−セフエム−4−カルボン酸の
製造例を後記の参考例で具体的に説明する。 すなわち、式()の2−アルキル−7−アミ
ノ1−オキサ−1−デチア−セフエム化合物は、
例えば、次式 (但しMeはメチル基、Aはカルボキシ保護基
例えばジフエニルメチル基、phはフエニル基を
表わす)の化合物〔この一例としてのベンツヒド
リル 3−メチル−2−〔(1R,5S)−3−フエニ
ル−7−オキソ−4−オキサ−2,6−ジアザビ
シクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−エン−6−イ
ル〕ブト−2−エノエイトはJournal of
Chemical Society,Perkin I,1932頁(1975)
に所載される〕から出発して多段階で合成でき
る。 化合物()に対して次式 (但しR5は一般式()のR5と同じ意味のア
ルキル基であり、Bはエチル基の如きアルキル基
である)のDL−α−ヒドロキシアルカン酸アル
キルエステルをトリフルオロメタンスルホン酸の
存在下に室温で反応させる(工程A)と、次式 (ph,R5,Bは前記と同じ意味をもつ、以下
同様)の(3R,4R)−4−{(1S)−1−アルコキ
シカルボニルアルコキシ}−3−ベンズアミド−
1−(1−保護カルボニル−2−メチルプロプ−
1−エニル)−アゼチジン−2−オンと、次式 の(3R,4R)−4−{(1R)−1−アルコキシカル
ボニルアルコキシ}−3−ベンズアミド−1−(1
−保護カルボニル−2−メチルプロ−1−エニ
ル)−アゼチジン−2−オンとがジアステレオマ
ー混合物として得られる。これはベンゼン−酢酸
エチル(7:1)で展開されるシリカゲルクロマ
トグラフイーにかけると式()の化合物と式
()の化合物とを互に分離できる。式()の
化合物をとり、これを塩化メチレン中で0℃以下
の温度でオゾン・ガスと反応して酸化させる(工
程B)と、次式 の酸化生成物(不安定である)が生成する(同様
な反応は本出願人の出願に係る特願昭56−198466
号の参考例に示される)。これを酢酸中で低温で
亜鉛末で還元する(工程C)と、次式 のアルコール体が生成する。式()のアルコー
ルを塩化メチレン中でピリジンの存在下に塩化チ
オニルで塩素化する(工程D)と、次式 のクロル誘導体を生成する。この式()のクロ
ル化合物をクロロホルム中でトリアルキルアミン
の如き第3級アミンの存在下に室温でトリフエニ
ルホスフインで処理すると、クロル基がトリフエ
ニルホスホラニリデン基と入れ代わる反応が起る
(工程E)。これによつて次式 の化合物を生成する。式(XI)の化合物を含水ア
セトン中で水酸化ナトリウム等の存在下にアルカ
リ性加水分解してアルキル基(B)を脱離する(工程
F)と、対応のカルボン酸化合物(式(XI)中の
−OBが−OHになつたものに相当する)を得る。
このカルボン酸化合物は、次の反応に付す前に基
−COOBを活性化する。この活性化には例えば活
性エステル化がある。この目的のため、該カルボ
ン酸化合物に対して次式 Cl−COOEt (XII) のクロルギ酸エチルエステルを作用させると、エ
トキシカルボニル化が起る(工程G)。これによ
り次式 の化合物を得る。式()の化合物にエチルエ
ーテル中で低温でジアゾメタンを作用させてジア
ゾメチル化反応を行う(工程H)と、次式 のジアゾ化合物を得る。このジアゾ化合物(
)にジオキサン中で塩化水素を作用させると、
ジアゾ基がクロル基と置換される(工程I)。こ
れにより次式 のクロル化合物を得る。このクロル化合物(
)に対して次式 HS−Het () (但しHetは複素環基を示す)の複素環チオー
ル化合物を塩化メチレン中でピリジンの存在下に
作用させる(工程J)と、次式 の化合物を得る。式()の化合物をトルエン
中でハイドロキノンの存在下で加熱下に処理する
と環化反応が起る(工程K)。これにより、次式 の化合物の7α−ベンゾアミノ−2α−アルキル−
3−(複素環)チオアルキル−1−オキサ−1−
デチア−3−セフエム−4−カルボン酸エステル
が得られる。 なお、式()の化合物における2位アルキ
ル基はα−配置をとるが、前記の調製法において
式()の化合物を用いると式()の化合物
の2位アルキル基はβ−配置をとるようになる。 式()の化合物の7α−ベンズアミノ基か
らベンゾイル基(phCO−)を脱離させるには、
公知の手法、例えば特公昭41−13862号公報に記
載されるように塩化メチレン中で5塩化りんを作
用させその後にメタノールで処理する方法を用い
得る。 こうして得られた次式 の化合物の7α−アミノ基の立体配位を反転して
7β−アミノ基にするのには、例えば特開昭50−
50394号公報に記載されるように、3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシベンズアルデヒドを
作用させてシツフ塩基の形の化合物を作り、更に
酸化剤で処理し、その後、得られた酸化体を還元
して7β−アミノ体にする方法、等を応用できる。
また、7位に7α−メトキシ基を導入するには、
例えば特開昭50−50394号公報に記載される方法、
等を応用できる。 一般式()の化合物の代表例としては、次の
ような化合物が挙げられる。
()の化合物は抗菌剤として優れた性質を有す
るために、ヒトを含む哺乳動物の細菌感染症の治
療又は予防に経口又は非経口的に投与しうる有用
な抗生物質である。 本発明の一般式()の1−オキサ−1−デチ
ア−3−セフエム誘導体またはその薬学的に許容
される塩は次の方法で製造できる。 すなわち、次の一般式 (式中、R4、R5およびR6は前述の意味をもち、
Aはカルボキシル基の保護基例えばフエニルメチ
ル基又はジフエニルメチル基を表わす)で示され
る2−アルキル−7−アミノ−1−オキサ−1−
デチアーセフエム化合物の7位アミノ基を次の一
般式 R−COOH () (式中Rは前述の意味をもつ)で示されるカル
ボン酸、もしくはそのカルボキシル基における反
応性誘導体例えば酸クロライド又は活性エステル
を縮合させ、その後に保護基(例えばA)の脱離
を行うことにより製造できる。 7位アミノ基の縮合反応(アシル化)は通常の
β−ラクタム化合物の合成に用いられる公知のア
ミド形成法で行うことができ、例えばカルボン酸
()を直接に縮合反応させる方法としては、カ
ルボジイミド法が好適に用いられる。またカルボ
ン酸()の反応性誘導体を利用する場合には、
アシル化は酸ハライド法、活性エステル法又は混
合酸無水物法で好適に行い得る。 このアシル化反応は通常、塩化メチレン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル等のこ
の反応に悪影響をおよぼさない有機溶媒中で行わ
れる。反応温度は特に限定されないが通常は冷却
下ないし加温程度の緩和な条件下で行われる。 この反応に用いられる一般式()の原料化合
物の4位カルボキシル基の保護基(A)としては、こ
の分野で慣用される保護基、例えばジフエニルメ
チル基、p−ニトロベンジル基、t−ブチル基の
ようなアラルキル基又はアルキル基がある。アシ
ル化反応終了後の脱保護は、保護基の種類に応じ
て、公知の方法、例えば酸による解裂、還元的脱
離などで好適に実施できる。 上記の製造法で出発原料として用いる一般式
()のカルボン酸化合物は公知物質である。し
かし一般式()の2−アルキル−7−アミノ−
1−オキサ−1−デチア−セフエム化合物は文献
未載の新規化合物であるから、本発明者らにより
開発されたその調製法の概略を次に説明し、また
1例として2−メチル−7−アミノ−1−オキサ
−1−デチア−3−セフエム−4−カルボン酸の
製造例を後記の参考例で具体的に説明する。 すなわち、式()の2−アルキル−7−アミ
ノ1−オキサ−1−デチア−セフエム化合物は、
例えば、次式 (但しMeはメチル基、Aはカルボキシ保護基
例えばジフエニルメチル基、phはフエニル基を
表わす)の化合物〔この一例としてのベンツヒド
リル 3−メチル−2−〔(1R,5S)−3−フエニ
ル−7−オキソ−4−オキサ−2,6−ジアザビ
シクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−エン−6−イ
ル〕ブト−2−エノエイトはJournal of
Chemical Society,Perkin I,1932頁(1975)
に所載される〕から出発して多段階で合成でき
る。 化合物()に対して次式 (但しR5は一般式()のR5と同じ意味のア
ルキル基であり、Bはエチル基の如きアルキル基
である)のDL−α−ヒドロキシアルカン酸アル
キルエステルをトリフルオロメタンスルホン酸の
存在下に室温で反応させる(工程A)と、次式 (ph,R5,Bは前記と同じ意味をもつ、以下
同様)の(3R,4R)−4−{(1S)−1−アルコキ
シカルボニルアルコキシ}−3−ベンズアミド−
1−(1−保護カルボニル−2−メチルプロプ−
1−エニル)−アゼチジン−2−オンと、次式 の(3R,4R)−4−{(1R)−1−アルコキシカル
ボニルアルコキシ}−3−ベンズアミド−1−(1
−保護カルボニル−2−メチルプロ−1−エニ
ル)−アゼチジン−2−オンとがジアステレオマ
ー混合物として得られる。これはベンゼン−酢酸
エチル(7:1)で展開されるシリカゲルクロマ
トグラフイーにかけると式()の化合物と式
()の化合物とを互に分離できる。式()の
化合物をとり、これを塩化メチレン中で0℃以下
の温度でオゾン・ガスと反応して酸化させる(工
程B)と、次式 の酸化生成物(不安定である)が生成する(同様
な反応は本出願人の出願に係る特願昭56−198466
号の参考例に示される)。これを酢酸中で低温で
亜鉛末で還元する(工程C)と、次式 のアルコール体が生成する。式()のアルコー
ルを塩化メチレン中でピリジンの存在下に塩化チ
オニルで塩素化する(工程D)と、次式 のクロル誘導体を生成する。この式()のクロ
ル化合物をクロロホルム中でトリアルキルアミン
の如き第3級アミンの存在下に室温でトリフエニ
ルホスフインで処理すると、クロル基がトリフエ
ニルホスホラニリデン基と入れ代わる反応が起る
(工程E)。これによつて次式 の化合物を生成する。式(XI)の化合物を含水ア
セトン中で水酸化ナトリウム等の存在下にアルカ
リ性加水分解してアルキル基(B)を脱離する(工程
F)と、対応のカルボン酸化合物(式(XI)中の
−OBが−OHになつたものに相当する)を得る。
このカルボン酸化合物は、次の反応に付す前に基
−COOBを活性化する。この活性化には例えば活
性エステル化がある。この目的のため、該カルボ
ン酸化合物に対して次式 Cl−COOEt (XII) のクロルギ酸エチルエステルを作用させると、エ
トキシカルボニル化が起る(工程G)。これによ
り次式 の化合物を得る。式()の化合物にエチルエ
ーテル中で低温でジアゾメタンを作用させてジア
ゾメチル化反応を行う(工程H)と、次式 のジアゾ化合物を得る。このジアゾ化合物(
)にジオキサン中で塩化水素を作用させると、
ジアゾ基がクロル基と置換される(工程I)。こ
れにより次式 のクロル化合物を得る。このクロル化合物(
)に対して次式 HS−Het () (但しHetは複素環基を示す)の複素環チオー
ル化合物を塩化メチレン中でピリジンの存在下に
作用させる(工程J)と、次式 の化合物を得る。式()の化合物をトルエン
中でハイドロキノンの存在下で加熱下に処理する
と環化反応が起る(工程K)。これにより、次式 の化合物の7α−ベンゾアミノ−2α−アルキル−
3−(複素環)チオアルキル−1−オキサ−1−
デチア−3−セフエム−4−カルボン酸エステル
が得られる。 なお、式()の化合物における2位アルキ
ル基はα−配置をとるが、前記の調製法において
式()の化合物を用いると式()の化合物
の2位アルキル基はβ−配置をとるようになる。 式()の化合物の7α−ベンズアミノ基か
らベンゾイル基(phCO−)を脱離させるには、
公知の手法、例えば特公昭41−13862号公報に記
載されるように塩化メチレン中で5塩化りんを作
用させその後にメタノールで処理する方法を用い
得る。 こうして得られた次式 の化合物の7α−アミノ基の立体配位を反転して
7β−アミノ基にするのには、例えば特開昭50−
50394号公報に記載されるように、3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシベンズアルデヒドを
作用させてシツフ塩基の形の化合物を作り、更に
酸化剤で処理し、その後、得られた酸化体を還元
して7β−アミノ体にする方法、等を応用できる。
また、7位に7α−メトキシ基を導入するには、
例えば特開昭50−50394号公報に記載される方法、
等を応用できる。 一般式()の化合物の代表例としては、次の
ような化合物が挙げられる。
【表】
但し、−CH2−STzは(1−メチル−1H−テト
ラゾール−5−イル)チオメチル基を、Meはメ
チル基を示す。 以下に、実施例により本発明の化合物()の
製造例を、また参考例により原料化合物()の
調製例を説明するが、本発明は何らこれに限定さ
れるものではない。 実施例 1 (1) ジフエニルメチル 7−(2−チエニルアセ
トアミド)−2α−メチル−3−(1−メチル−
1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4−
カルボキシレイトの生成 (但しMeはメチル基、Tz−Meは1−メチ
ル−1H−テトラゾール−5−イル、phはフエ
ニル基を表わす。以下同様) ジフエニルメチル 7−アミノ−2α−メチ
ル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア
−3−セフエム−4−カルボキシレイト128mg
を含む塩化メチレン4mlに、氷冷下でピリジン
27mg、次に2−チエニル酢酸酸クロライド50mg
を含む塩化メチレン0.5mlを加え、同温度で30
分間撹拌下に反応させ、反応液を氷水5mlにあ
ける。 有機層を分液しそれを飽和重曹水、次に水で
洗浄し、MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去す
る。残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラ
フイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(5:
1))で精製すると、表題化合物すなわちジフ
エニルメチル・7−(2−チエニルアセトアミ
ド)−2α−メチル−3−(1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−1−オキ
サ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボキ
シレイト125mg(78%)を得る。 (2) 7−(2−チエニルアセトアミド)−2α−メ
チル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチ
ア−3−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の100mgを、氷冷したアニソ
ール0.1mlとトリフルオロ酢酸1mlの混合物に
加え、同温度で30分間撹拌下に反応させると、
ジフエニルメチル基が脱離する(脱保護)。反
応液を濃縮し、残留物をイソプロピルエーテル
(IPE)で粉末化すると、表題化合物の68mg
(93%)を得る。 IR(ヌジヨール)νnax(cm-1):1785,1720NMR
(アセトン−d6),δppn:1.58(3H,d,J=6.8
Hz,2−CH3),3.88(2H,s,−CH 2CO−),
3.99(3H,s,テトラゾール 1−CH3),4.17
および4.55(それぞれ1H,ABq,J=13.6Hz,
−CH 2S−),4.97(1H,q,J=6.8Hz,2−
H),5.38(1H,d,J=4Hz,6−H),5.68
(1H,dd,J=10,4Hz,7−H),6.80〜
7.35(3H,m,チオフエン) 実施例 2 (1) ジフエニルメチル 7−(2−チエニルアセ
トアミド)−2β−メチル−3−(1−メチル−
1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4−
カルボキシレイトの生成 ジフエニルメチル 7−アミノ−2β−メチ
ル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア
−3−セフエム−4−カルボキシレイト81mgを
含む塩化メチレン3mlに氷冷下ピリジン17mg、
次に2−チエニル酢酸酸クロライド31mgを含む
塩化メチレン0.5mlを加え、同温度で30分間撹
拌下に反応させ、氷水5mlにあける。有機層を
分液し、それを飽和重曹水、次に水で洗浄し
MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去する。残留
物をシリカゲルのカラムクロマトグラフイー
(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(5:1))で
精製すると、表題化合物の82mg(81%)を得
る。 (2) 7−(2−チエニルアセトアミド)−2β−メ
チル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチ
ア−3−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の97mgを実施例1(2)と同様に脱
保護反応(ジフエニルメチル基の脱離)にかけ後
処理すると、表題化合物の64mg(91%)を得た。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1782,1720,
NMR(アセトン−d5),δppn:1.48(3H,d,J=
6.8Hz,2−CH3),3.85(2H,s,−CH2 CO−),
3.98(3H,s,テトラゾール1−CH3),4.10およ
び4.87(それぞれ1H,ABq,J=13.0Hz,−CH2S
−),4.84(1H,q,J=6.8Hz,2−H)5.15
(1H,d,J=4.0,6−H),5.63(1H,dd,J
=9.3,3.9Hz,7−H),6.85〜7.35(3H,m,チ
オフエン) 実施例 3 (1) ジフエニルメチル 7β−(2−チエニルアセ
トアミド)−7α−メトキシ−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 ジフエニルメチル 7β−アミノ−7α−メト
キシ−2α−メチル−3−(1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−1−オキ
サ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボキ
シレイト100mgを含む塩化メチレン6mlに氷冷
下ピリジン18μ、次に2−チエニル酢酸酸ク
ロライド36mgを含む塩化メチレン0.5mlを加え、
同温度で30分間撹拌下に反応させ、氷水5mlに
あける。有機層を分液し、それを飽和重曹水、
次に水で洗浄しMgSO4で乾燥後、溶媒を減圧
留去する。残留物をシリカゲルのカラムクロマ
トグラフイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル
(5:1))で精製すると、表題化合物の101mg
(82%)を得る。 (2) 7β−(2−チエニルアセトアミド)−7α−メ
トキシ−2α−メチル−3−(1−メチル−1H−
テトラゾール−5−イル)チオメチル−1−オ
キサ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボ
ン酸の生成 前項(1)の生成物の120mgを氷冷したアニソー
ル0.2mlとトリフルオロ酢酸2mlの混合物に加
え、同温度で30分間撹拌下に反応する。反応液
を濃縮し、残留物をIPEで粉末化すると、表題
化合物の76mg(85%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1780,
1710NMR(アセトン−d5),δppn:1.57(3H,
d,J=6.7Hz,2−H),3.44(3H,s,−
OCH3),3.85(2H,s,−CH2 CO−),3.97
(3H,s,テトラゾール 1−CH3),4.16お
よび4.50(それぞれ1H,ABq,J=14Hz,−CH
2S−),4.81(1H,q,J=6.7Hz,2−H),
5.20(1H,s,6−H),6.80〜7.35(3H,m,
チオフエン) 実施例 4 (1) ジフエニルメチル 7β−(2−チエニルアセ
トアミド)−7α−メトキシ−2β−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 ジフエニルメチル 7β−アミノ−7α−メト
キシ−2β−メチル−3−(1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−1−オキ
サ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボキ
シレイト65mgを含む塩化メチレン3mlに氷冷下
ピリジン12μ、次に2−チエニル酢酸酸クロ
ライド22mgを含む塩化メチレン0.5mlを加え、
同温度で30分間撹拌下に反応させ、反応液を氷
水5mlにあける。 有機層を分液し、それを飽和重曹水、次に水
で洗浄し、MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去
する。残留物をシリカゲルのカラムクロマトグ
ラフイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=
3:1)で精製すると表題化合物の70mg(87
%)を得る。 (2) 7β−(2−チエニルアセトアミド)−7α−メ
トキシ−2β−メチル−3−(1−メチル−1H−
テトラゾール−5−イル)チオメチル−1−オ
キサ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボ
ン酸の生成 前項(1)の生成物の115mgを実施例3(2)と同様
に脱保護反応し、後処理すると表題化合物の75
mg(87%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1782,1712,
NMR(アセトン−d6)δppn:1.38(3H,d,J
=6.9Hz,2−CH3),3.46(3H,s,−OCH3),
3.87(2H,s,−CH 2CO−),3.98(3H,s,
テトラゾール1−CH3),4.07および4.84(それ
ぞれ1H,ABq,J=14Hz,−CH2S−),4.84
(1H,q,J=6.9Hz,2−H),5.00(1H,s,
6−H),6.85〜7.40(3H,m,チオフエン)。 実施例 5 (1) ジフエニルメチル 7β−〔2−(2−チエニ
ル)−2−ジフエニルメトキシカルボニルアセ
トアミド〕−7α−メトキシ−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 2−チエニルマロン酸モノジフエニルメチルエ
ステル67mg、ジフエニルメチル 7β−アミノ
−7α−メトキシ−2α−メチル−3−(1−メチ
ル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−
4−カルボキシレイト100mgを塩化メチレン4
mlに溶解し−30℃に冷却後ピリジン61μ、オ
キシ塩化リン19μを加え、−30〜−10℃で30
分間、−10〜0℃で30分間撹拌下に反応し、反
応液を氷水5mlにあける。有機層を分液し、そ
れを飽和重曹水、次に水で洗浄し、MgSO4で
乾燥後、溶燥後、溶媒を減圧留去する。残留物
をシリカゲルのカラムクロマトグラフイー(展
開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=5:1)で精
製すると、表題化合物の117mg(71%)を得る。 (2) 7β−〔2−(2−チエニル)−2−カルボキシ
アセトアミド〕−7α−メトキシ−2α−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の117mgを実施例3(2)と同様
に脱保護反応にかけ、後処理すると、表題化合
物の59mg(83%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1782,
1722NMR(アセトン−d6)δppn:1.53(3H,d,
2−CH3),3.42,3.50(3H,s,−OCH3),
3.96,3.98(3H,s,テトラゾール1−CH3),
4.17および4.51(それぞれ1H,ABq,−CH2S
−),4.80(1H,q,2−H),5.16(1H,s,
6−H),5.23(1H,s,−CH−CO−),6.80
〜7.40(3H,m,チオフエン)。 実施例 6 (1) ジフエニルメチル 7β−〔2−(2−チエニ
ル)−2−ジフエニルメトキシカルボニルアセ
トアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 2−チエニルマロン酸モノジフエニルメチル
エステル40mg、ジフエニルメチル 7β−アミ
ノ−7α−メトキシ−2β−メチル−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメ
チル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム
−4−カルボキシレイト60mgを塩化メチレン3
mlに溶解し、−30℃に冷却後ピリジン37μ、
オキシ塩化リン19μを加え、−30〜−10℃で
30分間、−10〜0℃で30分間撹拌下に反応し、
反応液を氷水5mlにあける。有機層を分液し、
それを飽和重曹水、次に水で洗浄しMgSO4で
乾燥後、溶媒を減圧留去する。残留物をシリカ
ゲルのカラムクロマトグラフイー(展開溶媒ベ
ンゼン−酢酸エチル(=4:1)で精製すると
表題化合物の80mg(82%)を得る。 (2) 7β−〔2−(2−チエニル)−2−カルボキシ
アセトアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の160mgを実施例3(2)と同様
に脱保護反応にかけ後処理すると、表題化合物
の79mg(81%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1780,
1715NMR(アセトン−d6),δppn:1.28,1.39
(3H,d,2−CH3),3.41,3.49(3H,s,−
OCH3),3.98,3.99(3H,s,テトラゾール−
CH3),4.07,4.82(2H,ABq,−CH 2S−),
4.83(1H,q,2−H),5.02(1H,s,6−
H),5.14,5.16(1H,s,−CH−CO−),
6.80〜7.40(3H,m,チオフエン)。 実施例 7 (1) ジフエニルメチル 7β−〔2−(3−チエニ
ル)−2−ジフエニルメトキシカルボニルアセ
トアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 3−チエニルマロン酸モノジフエニルメチル
エステル72mg、ジフエニルメチル 7β−アミ
ノ−7α−メトキシ−2β−メチル−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾ−ル−5−イル)チオメ
チル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム
−4−カルボキシレイト90mgを塩化メチレン5
mlに溶解し、−30℃に冷却後ピリジン55μ、
オキシ塩化リン22μを加え、−30〜−10℃で
30分間、−10〜0℃で30分間撹拌下に反応し、
反応液を氷水5mlにあける 有機層を分液し、それに飽和重曹水、次に水
で洗浄し、MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去
する。残留物をシリカゲルのカラムクロマトグ
ラフイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=
5:1)で精製すると表題化合物の120mg(82
%)を得る。 (2) 7β−〔2−(3−チエニル)−2−カルボキシ
アセトアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の147mgを実施例3(2)同様に
脱保護反応にかけ後処理すると、表題化合物の
74mg(83%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1780,
1722NMR(アセトン−d6),δppn:1.32,1.38
(3H,d,2−CH3),3.39,3.46(3H,s,−
OCH3),3.98(3H,s,テトラゾール1−
CH3),4.06,4.80(2H,ABq,−CH 2S−),
4.83(1H,q,2−H),4.92,4.95(1H,s,
6−H),5.00,5.02(1H,s,
ラゾール−5−イル)チオメチル基を、Meはメ
チル基を示す。 以下に、実施例により本発明の化合物()の
製造例を、また参考例により原料化合物()の
調製例を説明するが、本発明は何らこれに限定さ
れるものではない。 実施例 1 (1) ジフエニルメチル 7−(2−チエニルアセ
トアミド)−2α−メチル−3−(1−メチル−
1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4−
カルボキシレイトの生成 (但しMeはメチル基、Tz−Meは1−メチ
ル−1H−テトラゾール−5−イル、phはフエ
ニル基を表わす。以下同様) ジフエニルメチル 7−アミノ−2α−メチ
ル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア
−3−セフエム−4−カルボキシレイト128mg
を含む塩化メチレン4mlに、氷冷下でピリジン
27mg、次に2−チエニル酢酸酸クロライド50mg
を含む塩化メチレン0.5mlを加え、同温度で30
分間撹拌下に反応させ、反応液を氷水5mlにあ
ける。 有機層を分液しそれを飽和重曹水、次に水で
洗浄し、MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去す
る。残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラ
フイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(5:
1))で精製すると、表題化合物すなわちジフ
エニルメチル・7−(2−チエニルアセトアミ
ド)−2α−メチル−3−(1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−1−オキ
サ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボキ
シレイト125mg(78%)を得る。 (2) 7−(2−チエニルアセトアミド)−2α−メ
チル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチ
ア−3−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の100mgを、氷冷したアニソ
ール0.1mlとトリフルオロ酢酸1mlの混合物に
加え、同温度で30分間撹拌下に反応させると、
ジフエニルメチル基が脱離する(脱保護)。反
応液を濃縮し、残留物をイソプロピルエーテル
(IPE)で粉末化すると、表題化合物の68mg
(93%)を得る。 IR(ヌジヨール)νnax(cm-1):1785,1720NMR
(アセトン−d6),δppn:1.58(3H,d,J=6.8
Hz,2−CH3),3.88(2H,s,−CH 2CO−),
3.99(3H,s,テトラゾール 1−CH3),4.17
および4.55(それぞれ1H,ABq,J=13.6Hz,
−CH 2S−),4.97(1H,q,J=6.8Hz,2−
H),5.38(1H,d,J=4Hz,6−H),5.68
(1H,dd,J=10,4Hz,7−H),6.80〜
7.35(3H,m,チオフエン) 実施例 2 (1) ジフエニルメチル 7−(2−チエニルアセ
トアミド)−2β−メチル−3−(1−メチル−
1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4−
カルボキシレイトの生成 ジフエニルメチル 7−アミノ−2β−メチ
ル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア
−3−セフエム−4−カルボキシレイト81mgを
含む塩化メチレン3mlに氷冷下ピリジン17mg、
次に2−チエニル酢酸酸クロライド31mgを含む
塩化メチレン0.5mlを加え、同温度で30分間撹
拌下に反応させ、氷水5mlにあける。有機層を
分液し、それを飽和重曹水、次に水で洗浄し
MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去する。残留
物をシリカゲルのカラムクロマトグラフイー
(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(5:1))で
精製すると、表題化合物の82mg(81%)を得
る。 (2) 7−(2−チエニルアセトアミド)−2β−メ
チル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチ
ア−3−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の97mgを実施例1(2)と同様に脱
保護反応(ジフエニルメチル基の脱離)にかけ後
処理すると、表題化合物の64mg(91%)を得た。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1782,1720,
NMR(アセトン−d5),δppn:1.48(3H,d,J=
6.8Hz,2−CH3),3.85(2H,s,−CH2 CO−),
3.98(3H,s,テトラゾール1−CH3),4.10およ
び4.87(それぞれ1H,ABq,J=13.0Hz,−CH2S
−),4.84(1H,q,J=6.8Hz,2−H)5.15
(1H,d,J=4.0,6−H),5.63(1H,dd,J
=9.3,3.9Hz,7−H),6.85〜7.35(3H,m,チ
オフエン) 実施例 3 (1) ジフエニルメチル 7β−(2−チエニルアセ
トアミド)−7α−メトキシ−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 ジフエニルメチル 7β−アミノ−7α−メト
キシ−2α−メチル−3−(1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−1−オキ
サ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボキ
シレイト100mgを含む塩化メチレン6mlに氷冷
下ピリジン18μ、次に2−チエニル酢酸酸ク
ロライド36mgを含む塩化メチレン0.5mlを加え、
同温度で30分間撹拌下に反応させ、氷水5mlに
あける。有機層を分液し、それを飽和重曹水、
次に水で洗浄しMgSO4で乾燥後、溶媒を減圧
留去する。残留物をシリカゲルのカラムクロマ
トグラフイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル
(5:1))で精製すると、表題化合物の101mg
(82%)を得る。 (2) 7β−(2−チエニルアセトアミド)−7α−メ
トキシ−2α−メチル−3−(1−メチル−1H−
テトラゾール−5−イル)チオメチル−1−オ
キサ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボ
ン酸の生成 前項(1)の生成物の120mgを氷冷したアニソー
ル0.2mlとトリフルオロ酢酸2mlの混合物に加
え、同温度で30分間撹拌下に反応する。反応液
を濃縮し、残留物をIPEで粉末化すると、表題
化合物の76mg(85%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1780,
1710NMR(アセトン−d5),δppn:1.57(3H,
d,J=6.7Hz,2−H),3.44(3H,s,−
OCH3),3.85(2H,s,−CH2 CO−),3.97
(3H,s,テトラゾール 1−CH3),4.16お
よび4.50(それぞれ1H,ABq,J=14Hz,−CH
2S−),4.81(1H,q,J=6.7Hz,2−H),
5.20(1H,s,6−H),6.80〜7.35(3H,m,
チオフエン) 実施例 4 (1) ジフエニルメチル 7β−(2−チエニルアセ
トアミド)−7α−メトキシ−2β−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 ジフエニルメチル 7β−アミノ−7α−メト
キシ−2β−メチル−3−(1−メチル−1H−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−1−オキ
サ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボキ
シレイト65mgを含む塩化メチレン3mlに氷冷下
ピリジン12μ、次に2−チエニル酢酸酸クロ
ライド22mgを含む塩化メチレン0.5mlを加え、
同温度で30分間撹拌下に反応させ、反応液を氷
水5mlにあける。 有機層を分液し、それを飽和重曹水、次に水
で洗浄し、MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去
する。残留物をシリカゲルのカラムクロマトグ
ラフイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=
3:1)で精製すると表題化合物の70mg(87
%)を得る。 (2) 7β−(2−チエニルアセトアミド)−7α−メ
トキシ−2β−メチル−3−(1−メチル−1H−
テトラゾール−5−イル)チオメチル−1−オ
キサ−1−デチア−3−セフエム−4−カルボ
ン酸の生成 前項(1)の生成物の115mgを実施例3(2)と同様
に脱保護反応し、後処理すると表題化合物の75
mg(87%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1782,1712,
NMR(アセトン−d6)δppn:1.38(3H,d,J
=6.9Hz,2−CH3),3.46(3H,s,−OCH3),
3.87(2H,s,−CH 2CO−),3.98(3H,s,
テトラゾール1−CH3),4.07および4.84(それ
ぞれ1H,ABq,J=14Hz,−CH2S−),4.84
(1H,q,J=6.9Hz,2−H),5.00(1H,s,
6−H),6.85〜7.40(3H,m,チオフエン)。 実施例 5 (1) ジフエニルメチル 7β−〔2−(2−チエニ
ル)−2−ジフエニルメトキシカルボニルアセ
トアミド〕−7α−メトキシ−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 2−チエニルマロン酸モノジフエニルメチルエ
ステル67mg、ジフエニルメチル 7β−アミノ
−7α−メトキシ−2α−メチル−3−(1−メチ
ル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−
4−カルボキシレイト100mgを塩化メチレン4
mlに溶解し−30℃に冷却後ピリジン61μ、オ
キシ塩化リン19μを加え、−30〜−10℃で30
分間、−10〜0℃で30分間撹拌下に反応し、反
応液を氷水5mlにあける。有機層を分液し、そ
れを飽和重曹水、次に水で洗浄し、MgSO4で
乾燥後、溶燥後、溶媒を減圧留去する。残留物
をシリカゲルのカラムクロマトグラフイー(展
開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=5:1)で精
製すると、表題化合物の117mg(71%)を得る。 (2) 7β−〔2−(2−チエニル)−2−カルボキシ
アセトアミド〕−7α−メトキシ−2α−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の117mgを実施例3(2)と同様
に脱保護反応にかけ、後処理すると、表題化合
物の59mg(83%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1782,
1722NMR(アセトン−d6)δppn:1.53(3H,d,
2−CH3),3.42,3.50(3H,s,−OCH3),
3.96,3.98(3H,s,テトラゾール1−CH3),
4.17および4.51(それぞれ1H,ABq,−CH2S
−),4.80(1H,q,2−H),5.16(1H,s,
6−H),5.23(1H,s,−CH−CO−),6.80
〜7.40(3H,m,チオフエン)。 実施例 6 (1) ジフエニルメチル 7β−〔2−(2−チエニ
ル)−2−ジフエニルメトキシカルボニルアセ
トアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 2−チエニルマロン酸モノジフエニルメチル
エステル40mg、ジフエニルメチル 7β−アミ
ノ−7α−メトキシ−2β−メチル−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメ
チル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム
−4−カルボキシレイト60mgを塩化メチレン3
mlに溶解し、−30℃に冷却後ピリジン37μ、
オキシ塩化リン19μを加え、−30〜−10℃で
30分間、−10〜0℃で30分間撹拌下に反応し、
反応液を氷水5mlにあける。有機層を分液し、
それを飽和重曹水、次に水で洗浄しMgSO4で
乾燥後、溶媒を減圧留去する。残留物をシリカ
ゲルのカラムクロマトグラフイー(展開溶媒ベ
ンゼン−酢酸エチル(=4:1)で精製すると
表題化合物の80mg(82%)を得る。 (2) 7β−〔2−(2−チエニル)−2−カルボキシ
アセトアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の160mgを実施例3(2)と同様
に脱保護反応にかけ後処理すると、表題化合物
の79mg(81%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1780,
1715NMR(アセトン−d6),δppn:1.28,1.39
(3H,d,2−CH3),3.41,3.49(3H,s,−
OCH3),3.98,3.99(3H,s,テトラゾール−
CH3),4.07,4.82(2H,ABq,−CH 2S−),
4.83(1H,q,2−H),5.02(1H,s,6−
H),5.14,5.16(1H,s,−CH−CO−),
6.80〜7.40(3H,m,チオフエン)。 実施例 7 (1) ジフエニルメチル 7β−〔2−(3−チエニ
ル)−2−ジフエニルメトキシカルボニルアセ
トアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボキシレイトの生成 3−チエニルマロン酸モノジフエニルメチル
エステル72mg、ジフエニルメチル 7β−アミ
ノ−7α−メトキシ−2β−メチル−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾ−ル−5−イル)チオメ
チル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム
−4−カルボキシレイト90mgを塩化メチレン5
mlに溶解し、−30℃に冷却後ピリジン55μ、
オキシ塩化リン22μを加え、−30〜−10℃で
30分間、−10〜0℃で30分間撹拌下に反応し、
反応液を氷水5mlにあける 有機層を分液し、それに飽和重曹水、次に水
で洗浄し、MgSO4で乾燥後、溶媒を減圧留去
する。残留物をシリカゲルのカラムクロマトグ
ラフイー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=
5:1)で精製すると表題化合物の120mg(82
%)を得る。 (2) 7β−〔2−(3−チエニル)−2−カルボキシ
アセトアミド〕−7α−メトキシ−2β−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸の生成 前項(1)の生成物の147mgを実施例3(2)同様に
脱保護反応にかけ後処理すると、表題化合物の
74mg(83%)を得る。 IR(ヌジヨール),νnax(cm-1):1780,
1722NMR(アセトン−d6),δppn:1.32,1.38
(3H,d,2−CH3),3.39,3.46(3H,s,−
OCH3),3.98(3H,s,テトラゾール1−
CH3),4.06,4.80(2H,ABq,−CH 2S−),
4.83(1H,q,2−H),4.92,4.95(1H,s,
6−H),5.00,5.02(1H,s,
【式】),7.15〜7.50(3H,m,チオフ
エン)。
実施例 8
(1) ジフエニルメチル 7−〔2−(2−トリチル
アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミド〕−2α−メチル−3−(1
−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チ
オメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セフ
エム−4−カルボキシレイト(シン異性体)の
生成 (但しTrはトリチル基を示す) ジフエニルメチル 7−アミノ−2α−メチ
ル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア
−3−セフエム−4−カルボキシレイト100mg、
2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)
99mgを塩化メチレン3mlに溶解し、−30℃に冷
却後、ピリジン65μ、オキシ塩化リン26μ
を加え、−3〜0℃で30分間撹拌下に反応し、
反応液を氷水5mlにあける。 有機層を分液し、飽和重曹水、次に水で洗浄
し、乾燥後溶媒を留去する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イーで精製すると、表題化合物の(シン異性
体)の156mg(84%)を得る。 (2) 7−〔2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノアセトアミド〕−2α
−メチル−3−(1−メチル−1H−テトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−
デチアー3−セフエム−4−カルボン酸トリフ
ルオロ酢酸塩(シン異性体)の生成 前項(1)の生成物の156mgを、氷冷下にトリフ
ルオロ酢酸2ml、アニリール0.2mlの混合物に
加え、30分間撹拌する。反応液にイソプロピル
エーテル7mlを加え、生成する沈殿を取する
と、表題化合物の(シン異性体)の61mg(72
%)を得る。 NMR(DMSO−d6),δppn:1.58(3H,d,J
=6.0Hz,2−CH3),3.99(3H,s,テトラゾ
ール1−CH3),3.85(3H,s,−OCH3),4.16
および4.54(それぞれ1H,ABq,J=13.4Hz,
−CH2S−),4.96(1H,q,J=6.8Hz,2−
H),5.36(1H,d,J=4Hz,6−H),5.66
(1H,dd,V=9,4Hz,7−H),6.75(1H,
s,チアゾール,5−H)。 参考例 1 (1) (3R,4R)−4−{(1S)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−2−メチル
プロプ−1−エニル)アゼチジン−2−オン
(化合物a)及び(3R,4R)−4−{(1R)−1
−エトキシカルボニルエトキシ}−3−ベンヅ
アミド−1−(1−ジフエニルメトキシカルボ
ニル−2−メチルプロプ−1−エニル)アゼチ
ジン−2−オン(化合物b)の生成(工程A) 次式 (但しphはフエニル基を表わす)で示され
る(1R,5S)−3−フエニル−6−(1−ジフ
エニルメトキシカルボニル−2−メチルプロプ
−1−エニル)−7−オキソ−4−オキサ−2,
6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2
−エン(Journal of Chemical Soiety,
Perkin I,1932頁(1975)参照)の10gを次
式 (但しMeはメチル基、Etはエチル基を表わ
す)で示されるDL−α−乳酸エチルエステル
の35mlに、溶解し、トリフルオロメタンスルホ
ン酸0.5mlを加え、室温で1.5時間撹拌すると、
原料化合物の開環、縮合反応が起る。反応液を
重曹水200mlにあけ、氷冷下30分間静置する。 水層を除き、生成した油状物を酢酸エチル70
mlに溶解し、飽和食塩水、次に水で洗浄し、
MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物中に生成物として得られる二種のジア
ステレオマーが含まれ、これらをシリカゲルの
カラムクロマトグラフイー(展開溶媒ベンゼン
−酢酸エチル(7:1)で分離し、エチルエー
テルから結晶化すると、次式 で示される(3R,4R)−4−{(1S)−1−エト
キシカルボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド
−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−
2−メチルプロプ−1−エニル)アゼチジン−
2−オン(化合物a)2.1gと次式 で示される(3R,4R)−4{(1R)−1−エトキ
シカルボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−
1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−2
−メチルプロプ−1−エニル)アゼチジン−2
−オン(化合物b)2.05gを得る。 (化合物a)の物性: m.p.104〜6℃ 〔α〕D−75゜(C1.0,CHCl3) IR(CHCl3),νnax(cm-1):1763,1738,1661,
1602 (化合物b)の物性: m.p.133〜5℃ 〔α〕D−2.1゜(C1.0,CHCl3) IR(CHCl3),νnax(cm-1):1768,1735,1668,
1600 (2) (3R,4R)−4−{(1R)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−1−ヒドロ
キシメチル)アゼチジン−2−オンの生成(工
程B+工程C) 前項(1)で得た化合物(b)の5.0gを塩化メチレン
150mlに溶解し、−60℃で溶液が青色になるまで
オゾンを導通する。これによつて化合物(b)は次
式 の化合物(c)に転化する。(本出願人に係る特願
昭56−198466号明細書、参考例1(イ)(iv)参照)。
この化合物(c)を含む反応液に対して、−60℃で
亜鉛末1g、酢酸1mlを加え0℃まで昇温し、
同温度で再び亜鉛末10g、酢酸10mlを加え30分
間撹拌下に還元反応する。 この反応混合物を過し、液を飽和重曹
水、次に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後、濃縮
すると、次式 で示される表題化合物の4.3g(90%)を得る。 (3) (3R,4R)−4−{(1R)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−1−クロル
メチル)アゼチジン−2−オンの生成(工程
D) 前項(2)の生成物の4.58gを塩化メチレン50ml
に溶解し、氷冷後ピリジン1.38g、塩化チオニ
ル2.08gを加え、同温度で30分間撹拌して塩素
化する。 反応液を氷水にあけ、有機層を分液し、飽和
重曹水、次に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後濃
縮すると、次式 で示される表題化合物の4.50g(95%)を得る。 (4) (3R,4R)−4−{(1R)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−1−トリフ
エニルホスホラニリデンメチル)アゼチジン−
2−オンの生成(工程E) 前項(3)の生成物の4.5gをクロロホルム50mlに
溶解し、トリエチルアミン1.46ml、トリフエニ
ルホスフイン(Pph3)4.5gを加え、室温で15時
間撹拌下にホスホラニリデン化する。反応液を
氷水50mlにあけ、PHを3に調整後、分液する。 有機層を飽和重曹水、次に水で洗浄し、
MgSO4で乾燥後濃縮する。残留物をシリカゲ
ルのカラムクロマトグラフイー(展開溶媒ベン
ゼン−酢酸エチル(3:1)で精製すると、次
式 の表題化合物の4.5g(71%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1764,1732,1652,
1612 (5) (3R,4R)−4−{(1R)−1−カルボキシエ
トキシ}−3−ベンゾアミド−1−(1−ジフエ
ニルメトキシカルボニル−1−トリフエニルホ
スホラニリデンメチル)アゼチジン−2−オン
の生成(工程F) 前項(4)の生成物の4.50gをアセトン70mlに溶
解し、水23ml、1N−NaOH水溶液5.7mlを加え
室温で2時間撹拌し、更に1N−NaOH水溶液
2.8ml加え室温で30分間撹拌下に加水分解する。 反応液をPH7.0に調整後、濃縮し、残留物を
イソプロピルエーテルで粉末化して取する。
この粉末を酢酸エチル50ml、水50mlの混合液に
懸濁させ、氷冷下PH2.0に調整後、有機層を分
液し、MgSO4で乾燥し濃縮すると、次式 で示される表題化合物の4.16g(96%)を得る。 (6) (3R,4R)−4−{(1R)−3−(1−メチル
−1H−テトラゾール−5−イル)チオ−2−
オキソ−1−メチルプロポキシ}−3−ベンヅ
アミド−1−(1−ジフエニルメトキシカルボ
ニル−1−トリフエニルホスホラニリデンメチ
ル)アゼチジン−2−オンの生成(工程G+H
+I+J) (i) 前項(5)の生成物の3.29gを塩化メチレン40
mlに溶解し、−10℃でN−メチルモルホリン
0.57ml、クロルギ酸エチル(Cl−COOEt)
0.45mlを加え、同温度で30分間撹拌下に反応
させると、次式 の化合物を生成する。この化合物を含む反応液
に、ジアゾメタン8ミリモルを含むエチルエー
テル10mlを氷冷下に滴下し、滴下後30分間同温
度で撹拌すると、ジアゾメチル化反応が起り、
次式 で示される(3R,4R)−4−{(1R)−3−ジア
ゾ−2−オキソ−1−メチルプロポキシ}−3
−ベンヅアミド−1−(1−ジフエニルメトキ
シカルボニル−1−トリフエニルホスホラニリ
デンメチル)アゼチジン−2−オンの溶液を得
る。 (ii) この溶液に6H−HClジオキサン溶液1.43
mlを氷冷下滴下し、同温度で30分間撹拌下に
クロル化反応を行う。反応液を氷水50mlにあ
ける。有機層を分液し、飽和重曹水、次に水
で洗浄し、MgSO4で乾燥後、濃縮すると、
次式 で示される(3R,4R)−4−{(1R)−3−クロ
ル−2−オキソ−1−メチルプロポキシ}−3
−ベンヅアミド−1−(1−ジフエニルメトキ
シカルボニル−1−トリフエニルホスホラニリ
デンメチル)アゼチジン−2−オン3.10gを油
状物として得る。 (iii) この油状物を塩化メチレン50mlに溶解し、
1−メチル−5−メルカプト−1H−テトラ
ゾール0.60g、ピリジン0.47mlを加え室温で
15時間撹拌下に反応させて、クロル基を(1
−メチル−テトラゾール−5−イル)チオ基
と置換させる反応を行う。反応液を氷水50ml
にあける。有機層を分液し、飽和重曹水、次
に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(2:
1)で精製すると、次式 (但し−Tz−Meは1−メチル−テトラゾー
ル−5−イル基を表わす)で示される表題化合
物、すなわち(3R,4R)−4−{(1R)−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオ−2−オキソ−1−メチルプロポキシ}−
3−ベンヅアミド−1−(1−ジフエニルメト
キシカルボニル−1−トリフエニルホスホラニ
リデンメチル)アゼチジン−2−オン2.05g(56
%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1766,1730,1653,
1615 (7) 7α−ベンヅアミド−2α−メチル−3−(1−
メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオ
メチル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエ
ム−4−カルボン酸ジフエニルメチルエステル
の生成(工程K) 前記(6)(iii)の最終生成物の2.00gをトルエン75
mlに溶解しヒドロキノン50mgを加え、9時間加
熱還流すると環化反応が起る。反応液を濃縮
後、シリカゲルのカラムクロマトグラフイー
(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(3:1)で
精製すると、次式 の表題化合物の11.7g(86%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1787,1718,1672,
1600NMR(CDCl3),δppn:1.51(3H,d,J=
6.9Hz,2−CH3),3.81(3H,s,テトラゾー
ル1−CH3),4.17,4.40(2H,ABq,J=13
Hz,−CH2S−),4.80(1H,q,J=6.9Hz,2
−H),4.81(1H,dd,J=7.5,1.0Hz,7−
H),5.28(1H,d,J=1.0Hz,6−H),6.94
(1H,s,−CHph2),7.10〜8.70(15H,m,
C6H5,3), (8) 7α−アミノ−2α−メチル−3−(1−メチル
−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル
−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4
−カルボン酸 ジフエニルメチルエステルの生
成 PCl5840mgを塩化メチレン24mlに溶解し、0
℃でピリジン0.48ml加え、同温度で30分間撹拌
する。 この反応液に前項(7)の生成物の1200mgを含む
塩化メチレン12mlを0℃で滴下し、同温度で30
分間、0〜25℃で1時間撹拌する。 再び0℃に冷却し、メタノール30mlを加え、
同温度で10分間、0〜25℃で40分間撹拌する
と、ベンゾイル基(phCO−)の脱離反応が起
る。反応液を氷水60mlにあけ、30分間撹拌後濃
縮する。 残留物を酢酸エチル30mlに溶解し、飽和重曹
水次に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒ベンゼン…酢酸エチル(=1:
1))で精製すると、 次式 の表題化合物の630mg(65%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1779,1713,1620 (9) 7α−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジリデンアミノ)−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボン酸 ジフエニルメチルエ
ステルの生成 前項(8)の生成物の600mg、3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシベンヅアルデヒド312
mgをベンゼン60mlに溶解し、Dean−Starkの装
置で45分間加熱還流し、濃縮すると、 次式 (但しMeはメチル基、Buはt−ブチル基、
phはフエニル基、−Tz−Meは1−メチル−1H
−テトラゾール−5−イル基を表わす)で示さ
れる表題化合物の910mgを得る。 (10) 7β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジリデンアミノ)−7α−メトキシ−2α
−メチル−3−(1−メチル−1H−テトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−
デチア−3−セフエム−4−カルボン酸 ジフ
エニルメチルエステルの生成 前項(9)の生成物の910mgを塩化メチレン15ml
に溶解し、氷冷下MgSO4660mg、過酸化ニツケ
ル600mgを加え、同温度で10分間撹拌し立体化
学を持たないベンゾキノン型の中間体に酸化さ
れる。反応液を過し、過物を塩化メチレン
15mlで洗浄し液を合せる。 この液に氷冷下メタノール30mlを加え、同
温度で30分間撹拌すると、7α−メトキシ基の
導入と同時に反転反応が起る。反応液を濃縮す
ると、次式 で示される表題化合物の900mgを得る。 (11) 7β−アミノ−7α−メトキシ−2α−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸 ジフエニルメチ
ルエステルの生成 前項(10)の生成物の900mgを酢酸エチル15mlに
溶解し、ジラードT試薬400mgを含むメタノー
ル15mlを加え室温で2時間撹拌すると、7β−
アミノ基からの置換ベンジリデン基の脱離反応
が起る。 反応液を濃縮し、残留物を酢酸エチル20mlに
溶解し、水洗、MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=2:
1))で精製すると、次式 で示される表題化合物の405mg(64%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1782,1720,
1603NMR(CDCl3),δppn:1.55(3H,d,J=
6.8Hz,2−CH3),2.10(2H,br,s,アミ
ノ),3.52(3H,s,−OCH 3),3.79(3H,s,
テトラゾール1−CH3)4.15,4.48(2H,ABq,
J=14Hz,−CH 2S−),4.85(1H,q,J=6.8
Hz,2−H),4.97(1H,s,6−H),6.90
(1H,s,−CHph2),7.15〜7.70(10H,m,
C6H5X2) 参考例 2 (1) 7β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジリデンアミノ)−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボン酸 ジフエニルメチルエ
ステルの生成 参考例1の項(8)の生成物の650mgを塩化メチ
レン10mlに溶解し、氷冷下MgSO4の470mg、過
酸化ニツケル460mgを加え、同温度で10分間撹
拌すると、立体化学を持たないベンゾキノン型
の中間体に酸化される。反応液を過し、過
物を塩化メチレン10mlで洗浄し、液を合せ
る。この液を氷冷後還元剤としてのテトラエ
チルアンモニウム、ボロハイドライド38mgを含
む塩化メチレン0.5mlを加え、同温度で10分間
撹拌すると反転反応が起り7β−のシツフ体が
得られる。反応液を氷水20mlにあける。 反応混合物をPH5.0に調整し、有機層を分液
し、水洗後MgSO4で乾燥し濃縮すると、 次式 で示される表題化合物の630mgを得る。 (2) 7β−アミノ−2α−メチル−3−(1−メチル
−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル
−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4
−カルボン酸 ジフエニルメチルエステルの生
成 前項(1)の生成物の630mgを酢酸エチル10mlに
溶解し、ジラードT試薬290mgを含むメタノー
ル10mlを加え、室温で1時間撹拌し、濃縮する
と、7β−アミノ基からの置換ベンジリデン基
の脱離反応が起る。 反応液を濃縮し残留物を酢酸エチル20mlに溶
解し、水洗、MgSO4で乾燥後濃縮する。残留
物をシリカゲルのカラムクロマトグラフイー
(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(1:1))で
精製すると、次式 で示される表題化合物の151mg(35%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1785,1720,
1602NMR(CDCl3),δppn:1.57(3H,d,J=
6.8Hz,2−CH3),2.06(2H,br,s,アミ
ノ),3.82(3H,s,テトラゾール1−CH3),
4.21,4.46(2H,BAq,J=14Hz),4.55(1H,
d,J=4.5Hz,7−H),4.86(1H,q,J=
6.8Hz,2−H),5.15(1H,d,J=4.5Hz,6
−H),6.92(1H,s,−CHph2),7.15〜7.70
(10H,m,C6H5X2)
アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミド〕−2α−メチル−3−(1
−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チ
オメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セフ
エム−4−カルボキシレイト(シン異性体)の
生成 (但しTrはトリチル基を示す) ジフエニルメチル 7−アミノ−2α−メチ
ル−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア
−3−セフエム−4−カルボキシレイト100mg、
2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)
99mgを塩化メチレン3mlに溶解し、−30℃に冷
却後、ピリジン65μ、オキシ塩化リン26μ
を加え、−3〜0℃で30分間撹拌下に反応し、
反応液を氷水5mlにあける。 有機層を分液し、飽和重曹水、次に水で洗浄
し、乾燥後溶媒を留去する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イーで精製すると、表題化合物の(シン異性
体)の156mg(84%)を得る。 (2) 7−〔2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノアセトアミド〕−2α
−メチル−3−(1−メチル−1H−テトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−
デチアー3−セフエム−4−カルボン酸トリフ
ルオロ酢酸塩(シン異性体)の生成 前項(1)の生成物の156mgを、氷冷下にトリフ
ルオロ酢酸2ml、アニリール0.2mlの混合物に
加え、30分間撹拌する。反応液にイソプロピル
エーテル7mlを加え、生成する沈殿を取する
と、表題化合物の(シン異性体)の61mg(72
%)を得る。 NMR(DMSO−d6),δppn:1.58(3H,d,J
=6.0Hz,2−CH3),3.99(3H,s,テトラゾ
ール1−CH3),3.85(3H,s,−OCH3),4.16
および4.54(それぞれ1H,ABq,J=13.4Hz,
−CH2S−),4.96(1H,q,J=6.8Hz,2−
H),5.36(1H,d,J=4Hz,6−H),5.66
(1H,dd,V=9,4Hz,7−H),6.75(1H,
s,チアゾール,5−H)。 参考例 1 (1) (3R,4R)−4−{(1S)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−2−メチル
プロプ−1−エニル)アゼチジン−2−オン
(化合物a)及び(3R,4R)−4−{(1R)−1
−エトキシカルボニルエトキシ}−3−ベンヅ
アミド−1−(1−ジフエニルメトキシカルボ
ニル−2−メチルプロプ−1−エニル)アゼチ
ジン−2−オン(化合物b)の生成(工程A) 次式 (但しphはフエニル基を表わす)で示され
る(1R,5S)−3−フエニル−6−(1−ジフ
エニルメトキシカルボニル−2−メチルプロプ
−1−エニル)−7−オキソ−4−オキサ−2,
6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2
−エン(Journal of Chemical Soiety,
Perkin I,1932頁(1975)参照)の10gを次
式 (但しMeはメチル基、Etはエチル基を表わ
す)で示されるDL−α−乳酸エチルエステル
の35mlに、溶解し、トリフルオロメタンスルホ
ン酸0.5mlを加え、室温で1.5時間撹拌すると、
原料化合物の開環、縮合反応が起る。反応液を
重曹水200mlにあけ、氷冷下30分間静置する。 水層を除き、生成した油状物を酢酸エチル70
mlに溶解し、飽和食塩水、次に水で洗浄し、
MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物中に生成物として得られる二種のジア
ステレオマーが含まれ、これらをシリカゲルの
カラムクロマトグラフイー(展開溶媒ベンゼン
−酢酸エチル(7:1)で分離し、エチルエー
テルから結晶化すると、次式 で示される(3R,4R)−4−{(1S)−1−エト
キシカルボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド
−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−
2−メチルプロプ−1−エニル)アゼチジン−
2−オン(化合物a)2.1gと次式 で示される(3R,4R)−4{(1R)−1−エトキ
シカルボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−
1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−2
−メチルプロプ−1−エニル)アゼチジン−2
−オン(化合物b)2.05gを得る。 (化合物a)の物性: m.p.104〜6℃ 〔α〕D−75゜(C1.0,CHCl3) IR(CHCl3),νnax(cm-1):1763,1738,1661,
1602 (化合物b)の物性: m.p.133〜5℃ 〔α〕D−2.1゜(C1.0,CHCl3) IR(CHCl3),νnax(cm-1):1768,1735,1668,
1600 (2) (3R,4R)−4−{(1R)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−1−ヒドロ
キシメチル)アゼチジン−2−オンの生成(工
程B+工程C) 前項(1)で得た化合物(b)の5.0gを塩化メチレン
150mlに溶解し、−60℃で溶液が青色になるまで
オゾンを導通する。これによつて化合物(b)は次
式 の化合物(c)に転化する。(本出願人に係る特願
昭56−198466号明細書、参考例1(イ)(iv)参照)。
この化合物(c)を含む反応液に対して、−60℃で
亜鉛末1g、酢酸1mlを加え0℃まで昇温し、
同温度で再び亜鉛末10g、酢酸10mlを加え30分
間撹拌下に還元反応する。 この反応混合物を過し、液を飽和重曹
水、次に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後、濃縮
すると、次式 で示される表題化合物の4.3g(90%)を得る。 (3) (3R,4R)−4−{(1R)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−1−クロル
メチル)アゼチジン−2−オンの生成(工程
D) 前項(2)の生成物の4.58gを塩化メチレン50ml
に溶解し、氷冷後ピリジン1.38g、塩化チオニ
ル2.08gを加え、同温度で30分間撹拌して塩素
化する。 反応液を氷水にあけ、有機層を分液し、飽和
重曹水、次に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後濃
縮すると、次式 で示される表題化合物の4.50g(95%)を得る。 (4) (3R,4R)−4−{(1R)−1−エトキシカル
ボニルエトキシ}−3−ベンヅアミド−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−1−トリフ
エニルホスホラニリデンメチル)アゼチジン−
2−オンの生成(工程E) 前項(3)の生成物の4.5gをクロロホルム50mlに
溶解し、トリエチルアミン1.46ml、トリフエニ
ルホスフイン(Pph3)4.5gを加え、室温で15時
間撹拌下にホスホラニリデン化する。反応液を
氷水50mlにあけ、PHを3に調整後、分液する。 有機層を飽和重曹水、次に水で洗浄し、
MgSO4で乾燥後濃縮する。残留物をシリカゲ
ルのカラムクロマトグラフイー(展開溶媒ベン
ゼン−酢酸エチル(3:1)で精製すると、次
式 の表題化合物の4.5g(71%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1764,1732,1652,
1612 (5) (3R,4R)−4−{(1R)−1−カルボキシエ
トキシ}−3−ベンゾアミド−1−(1−ジフエ
ニルメトキシカルボニル−1−トリフエニルホ
スホラニリデンメチル)アゼチジン−2−オン
の生成(工程F) 前項(4)の生成物の4.50gをアセトン70mlに溶
解し、水23ml、1N−NaOH水溶液5.7mlを加え
室温で2時間撹拌し、更に1N−NaOH水溶液
2.8ml加え室温で30分間撹拌下に加水分解する。 反応液をPH7.0に調整後、濃縮し、残留物を
イソプロピルエーテルで粉末化して取する。
この粉末を酢酸エチル50ml、水50mlの混合液に
懸濁させ、氷冷下PH2.0に調整後、有機層を分
液し、MgSO4で乾燥し濃縮すると、次式 で示される表題化合物の4.16g(96%)を得る。 (6) (3R,4R)−4−{(1R)−3−(1−メチル
−1H−テトラゾール−5−イル)チオ−2−
オキソ−1−メチルプロポキシ}−3−ベンヅ
アミド−1−(1−ジフエニルメトキシカルボ
ニル−1−トリフエニルホスホラニリデンメチ
ル)アゼチジン−2−オンの生成(工程G+H
+I+J) (i) 前項(5)の生成物の3.29gを塩化メチレン40
mlに溶解し、−10℃でN−メチルモルホリン
0.57ml、クロルギ酸エチル(Cl−COOEt)
0.45mlを加え、同温度で30分間撹拌下に反応
させると、次式 の化合物を生成する。この化合物を含む反応液
に、ジアゾメタン8ミリモルを含むエチルエー
テル10mlを氷冷下に滴下し、滴下後30分間同温
度で撹拌すると、ジアゾメチル化反応が起り、
次式 で示される(3R,4R)−4−{(1R)−3−ジア
ゾ−2−オキソ−1−メチルプロポキシ}−3
−ベンヅアミド−1−(1−ジフエニルメトキ
シカルボニル−1−トリフエニルホスホラニリ
デンメチル)アゼチジン−2−オンの溶液を得
る。 (ii) この溶液に6H−HClジオキサン溶液1.43
mlを氷冷下滴下し、同温度で30分間撹拌下に
クロル化反応を行う。反応液を氷水50mlにあ
ける。有機層を分液し、飽和重曹水、次に水
で洗浄し、MgSO4で乾燥後、濃縮すると、
次式 で示される(3R,4R)−4−{(1R)−3−クロ
ル−2−オキソ−1−メチルプロポキシ}−3
−ベンヅアミド−1−(1−ジフエニルメトキ
シカルボニル−1−トリフエニルホスホラニリ
デンメチル)アゼチジン−2−オン3.10gを油
状物として得る。 (iii) この油状物を塩化メチレン50mlに溶解し、
1−メチル−5−メルカプト−1H−テトラ
ゾール0.60g、ピリジン0.47mlを加え室温で
15時間撹拌下に反応させて、クロル基を(1
−メチル−テトラゾール−5−イル)チオ基
と置換させる反応を行う。反応液を氷水50ml
にあける。有機層を分液し、飽和重曹水、次
に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(2:
1)で精製すると、次式 (但し−Tz−Meは1−メチル−テトラゾー
ル−5−イル基を表わす)で示される表題化合
物、すなわち(3R,4R)−4−{(1R)−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオ−2−オキソ−1−メチルプロポキシ}−
3−ベンヅアミド−1−(1−ジフエニルメト
キシカルボニル−1−トリフエニルホスホラニ
リデンメチル)アゼチジン−2−オン2.05g(56
%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1766,1730,1653,
1615 (7) 7α−ベンヅアミド−2α−メチル−3−(1−
メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオ
メチル−1−オキサ−1−デチア−3−セフエ
ム−4−カルボン酸ジフエニルメチルエステル
の生成(工程K) 前記(6)(iii)の最終生成物の2.00gをトルエン75
mlに溶解しヒドロキノン50mgを加え、9時間加
熱還流すると環化反応が起る。反応液を濃縮
後、シリカゲルのカラムクロマトグラフイー
(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(3:1)で
精製すると、次式 の表題化合物の11.7g(86%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1787,1718,1672,
1600NMR(CDCl3),δppn:1.51(3H,d,J=
6.9Hz,2−CH3),3.81(3H,s,テトラゾー
ル1−CH3),4.17,4.40(2H,ABq,J=13
Hz,−CH2S−),4.80(1H,q,J=6.9Hz,2
−H),4.81(1H,dd,J=7.5,1.0Hz,7−
H),5.28(1H,d,J=1.0Hz,6−H),6.94
(1H,s,−CHph2),7.10〜8.70(15H,m,
C6H5,3), (8) 7α−アミノ−2α−メチル−3−(1−メチル
−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル
−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4
−カルボン酸 ジフエニルメチルエステルの生
成 PCl5840mgを塩化メチレン24mlに溶解し、0
℃でピリジン0.48ml加え、同温度で30分間撹拌
する。 この反応液に前項(7)の生成物の1200mgを含む
塩化メチレン12mlを0℃で滴下し、同温度で30
分間、0〜25℃で1時間撹拌する。 再び0℃に冷却し、メタノール30mlを加え、
同温度で10分間、0〜25℃で40分間撹拌する
と、ベンゾイル基(phCO−)の脱離反応が起
る。反応液を氷水60mlにあけ、30分間撹拌後濃
縮する。 残留物を酢酸エチル30mlに溶解し、飽和重曹
水次に水で洗浄し、MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒ベンゼン…酢酸エチル(=1:
1))で精製すると、 次式 の表題化合物の630mg(65%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1779,1713,1620 (9) 7α−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジリデンアミノ)−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボン酸 ジフエニルメチルエ
ステルの生成 前項(8)の生成物の600mg、3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシベンヅアルデヒド312
mgをベンゼン60mlに溶解し、Dean−Starkの装
置で45分間加熱還流し、濃縮すると、 次式 (但しMeはメチル基、Buはt−ブチル基、
phはフエニル基、−Tz−Meは1−メチル−1H
−テトラゾール−5−イル基を表わす)で示さ
れる表題化合物の910mgを得る。 (10) 7β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジリデンアミノ)−7α−メトキシ−2α
−メチル−3−(1−メチル−1H−テトラゾー
ル−5−イル)チオメチル−1−オキサ−1−
デチア−3−セフエム−4−カルボン酸 ジフ
エニルメチルエステルの生成 前項(9)の生成物の910mgを塩化メチレン15ml
に溶解し、氷冷下MgSO4660mg、過酸化ニツケ
ル600mgを加え、同温度で10分間撹拌し立体化
学を持たないベンゾキノン型の中間体に酸化さ
れる。反応液を過し、過物を塩化メチレン
15mlで洗浄し液を合せる。 この液に氷冷下メタノール30mlを加え、同
温度で30分間撹拌すると、7α−メトキシ基の
導入と同時に反転反応が起る。反応液を濃縮す
ると、次式 で示される表題化合物の900mgを得る。 (11) 7β−アミノ−7α−メトキシ−2α−メチル−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3
−セフエム−4−カルボン酸 ジフエニルメチ
ルエステルの生成 前項(10)の生成物の900mgを酢酸エチル15mlに
溶解し、ジラードT試薬400mgを含むメタノー
ル15mlを加え室温で2時間撹拌すると、7β−
アミノ基からの置換ベンジリデン基の脱離反応
が起る。 反応液を濃縮し、残留物を酢酸エチル20mlに
溶解し、水洗、MgSO4で乾燥後濃縮する。 残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(=2:
1))で精製すると、次式 で示される表題化合物の405mg(64%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1782,1720,
1603NMR(CDCl3),δppn:1.55(3H,d,J=
6.8Hz,2−CH3),2.10(2H,br,s,アミ
ノ),3.52(3H,s,−OCH 3),3.79(3H,s,
テトラゾール1−CH3)4.15,4.48(2H,ABq,
J=14Hz,−CH 2S−),4.85(1H,q,J=6.8
Hz,2−H),4.97(1H,s,6−H),6.90
(1H,s,−CHph2),7.15〜7.70(10H,m,
C6H5X2) 参考例 2 (1) 7β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンジリデンアミノ)−2α−メチル−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−1−オキサ−1−デチア−3−セ
フエム−4−カルボン酸 ジフエニルメチルエ
ステルの生成 参考例1の項(8)の生成物の650mgを塩化メチ
レン10mlに溶解し、氷冷下MgSO4の470mg、過
酸化ニツケル460mgを加え、同温度で10分間撹
拌すると、立体化学を持たないベンゾキノン型
の中間体に酸化される。反応液を過し、過
物を塩化メチレン10mlで洗浄し、液を合せ
る。この液を氷冷後還元剤としてのテトラエ
チルアンモニウム、ボロハイドライド38mgを含
む塩化メチレン0.5mlを加え、同温度で10分間
撹拌すると反転反応が起り7β−のシツフ体が
得られる。反応液を氷水20mlにあける。 反応混合物をPH5.0に調整し、有機層を分液
し、水洗後MgSO4で乾燥し濃縮すると、 次式 で示される表題化合物の630mgを得る。 (2) 7β−アミノ−2α−メチル−3−(1−メチル
−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル
−1−オキサ−1−デチア−3−セフエム−4
−カルボン酸 ジフエニルメチルエステルの生
成 前項(1)の生成物の630mgを酢酸エチル10mlに
溶解し、ジラードT試薬290mgを含むメタノー
ル10mlを加え、室温で1時間撹拌し、濃縮する
と、7β−アミノ基からの置換ベンジリデン基
の脱離反応が起る。 反応液を濃縮し残留物を酢酸エチル20mlに溶
解し、水洗、MgSO4で乾燥後濃縮する。残留
物をシリカゲルのカラムクロマトグラフイー
(展開溶媒ベンゼン−酢酸エチル(1:1))で
精製すると、次式 で示される表題化合物の151mg(35%)を得る。 IR(CHCl3),νnax(cm-1):1785,1720,
1602NMR(CDCl3),δppn:1.57(3H,d,J=
6.8Hz,2−CH3),2.06(2H,br,s,アミ
ノ),3.82(3H,s,テトラゾール1−CH3),
4.21,4.46(2H,BAq,J=14Hz),4.55(1H,
d,J=4.5Hz,7−H),4.86(1H,q,J=
6.8Hz,2−H),5.15(1H,d,J=4.5Hz,6
−H),6.92(1H,s,−CHph2),7.15〜7.70
(10H,m,C6H5X2)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、Rは式【式】 (但しR1は2−チエニル基又は3−チエニル
基を示し、R2は水素原子又はカルボキシル基を
示す)の基であるか又かRは式 (但しR3は低級アルキル基を示す)の基であ
り;R4は水素原子又はメトキシ基であり;R5は
低級アルキル基であり;R6は式−CH2−S−Het
(但しHetは1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル基、トリアゾリル基又はチアジアゾリル基
を示す)で表わされる複素環置換チオメチル基で
ある〕で示される2−アルキル−1−オキサ−1
−デチアーセフアロスポリン誘導体、およびその
薬学的に許容される塩又はエステル。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57127574A JPS5946287A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 新規1−オキサ−1−デチア−セフアロスポリン誘導体 |
PH29252A PH21016A (en) | 1982-07-23 | 1983-07-20 | 2-alkyl-1-oxa-dethia-cephalosporin derivatives and process for producing said compound |
US06/515,422 US4534898A (en) | 1982-07-23 | 1983-07-20 | 1-Oxa-1-dethia-cephalosporin derivatives |
DE8383107150T DE3374061D1 (en) | 1982-07-23 | 1983-07-21 | New 1-oxa-1-dethia-cephalosporin derivatives |
EP83107150A EP0099580B1 (en) | 1982-07-23 | 1983-07-21 | New 1-oxa-1-dethia-cephalosporin derivatives |
IN911/CAL/83A IN159071B (ja) | 1982-07-23 | 1983-07-22 | |
KR1019830003411A KR890001489B1 (ko) | 1982-07-23 | 1983-07-23 | 1-옥사-1-데티아-세팔로스포린 유도체 및 그 중간 화합물의 제조방법 |
PH32495A PH21657A (en) | 1982-07-23 | 1985-07-09 | 7b-amino-2-alkyl-1-oxa-1 dethiacephalosporin compounds and process for preparing said compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57127574A JPS5946287A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 新規1−オキサ−1−デチア−セフアロスポリン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5946287A JPS5946287A (ja) | 1984-03-15 |
JPH0352472B2 true JPH0352472B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=14963413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57127574A Granted JPS5946287A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 新規1−オキサ−1−デチア−セフアロスポリン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5946287A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5286315A (en) * | 1989-03-30 | 1994-02-15 | Nippon Steel Corporation | Process for preparing rollable metal sheet from quenched solidified thin cast sheet as starting material |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS535193A (en) * | 1976-06-28 | 1978-01-18 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 2-alkyl-7-substituted-2 or 3-cephem-4-carboxlic acids, their salts and their preparation |
JPS53135997A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-28 | Shionogi & Co Ltd | Haloarylmalonamide oxacephalosporin |
JPS549296A (en) * | 1977-04-02 | 1979-01-24 | Hoechst Ag | Cephem derivative and its preparation |
JPS5484590A (en) * | 1977-12-13 | 1979-07-05 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 2-methyl-7-substituted-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid, its salt, and their preparation |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57127574A patent/JPS5946287A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS535193A (en) * | 1976-06-28 | 1978-01-18 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 2-alkyl-7-substituted-2 or 3-cephem-4-carboxlic acids, their salts and their preparation |
JPS549296A (en) * | 1977-04-02 | 1979-01-24 | Hoechst Ag | Cephem derivative and its preparation |
JPS53135997A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-28 | Shionogi & Co Ltd | Haloarylmalonamide oxacephalosporin |
JPS5484590A (en) * | 1977-12-13 | 1979-07-05 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 2-methyl-7-substituted-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid, its salt, and their preparation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5946287A (ja) | 1984-03-15 |
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