JPH0350809A - 厚膜コンデンサ - Google Patents
厚膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0350809A JPH0350809A JP18644789A JP18644789A JPH0350809A JP H0350809 A JPH0350809 A JP H0350809A JP 18644789 A JP18644789 A JP 18644789A JP 18644789 A JP18644789 A JP 18644789A JP H0350809 A JPH0350809 A JP H0350809A
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- Japan
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- metal layer
- layer
- capacitance
- film capacitor
- electrode parts
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- Pending
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 36
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は厚膜コンデンサに関し、特にコンデンサの静電
容量を調整可能にした厚膜コンデンサに関する。
容量を調整可能にした厚膜コンデンサに関する。
従来の技術
従来、この種の厚膜コンデンサは、誘電体基板上に第１
の金属層、誘電体層および第２の金属層を順次重ねるこ
とにより静電容量を持つコンデンサを構成していた。ま
た、第１の金属層または第２の金属層を加工してその表
面積を変化させろことによ′り静電容量の調整を行って
いた。
の金属層、誘電体層および第２の金属層を順次重ねるこ
とにより静電容量を持つコンデンサを構成していた。ま
た、第１の金属層または第２の金属層を加工してその表
面積を変化させろことによ′り静電容量の調整を行って
いた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の厚膜コンデンサでは、誘電体
層と膜厚精度が悪く、第１の金属層と第２の金属層間の
距離のばらつきにより、静電容量のばらつきが多い問題
があった。この問題を解決するため、従来は独立した複
数の厚膜コンデンサを並列接続する構成にして全体の静
電容量を得、これら並列接続された複数の厚膜コンデン
サのうちいくつかの厚膜コンデンサの電極部をレーザー
加工法等により切断してその表面積を変化させることに
より静電容量を調整していた。しかしながら、上記方法
によれば静電容量の最小調整ステップ値が機械的精度に
より限定されてしまい、微調整が困難になる問題があっ
た。
層と膜厚精度が悪く、第１の金属層と第２の金属層間の
距離のばらつきにより、静電容量のばらつきが多い問題
があった。この問題を解決するため、従来は独立した複
数の厚膜コンデンサを並列接続する構成にして全体の静
電容量を得、これら並列接続された複数の厚膜コンデン
サのうちいくつかの厚膜コンデンサの電極部をレーザー
加工法等により切断してその表面積を変化させることに
より静電容量を調整していた。しかしながら、上記方法
によれば静電容量の最小調整ステップ値が機械的精度に
より限定されてしまい、微調整が困難になる問題があっ
た。
本発明は、このような従来の問題を解決するものであり
、静電容量の微調整を可能にした厚嘆コンデンサを提供
することを目的とする。
、静電容量の微調整を可能にした厚嘆コンデンサを提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するために、誘電体基板上に
互いに隣接して形成された第１および第２の導電体層の
上に誘電体層および第３の導電体層を順次重ねて形成し
た構成を備え、任意の導電体層を加工してその表面積を
変化させることにより静電容量の調整を可能としている
。
互いに隣接して形成された第１および第２の導電体層の
上に誘電体層および第３の導電体層を順次重ねて形成し
た構成を備え、任意の導電体層を加工してその表面積を
変化させることにより静電容量の調整を可能としている
。
作用
したがって、本発明によれば、第１の導電体層および第
３の導電体層間で形成される厚膜コンデンサと第２の導
電体層および第３の導電体層間で形成される厚膜コンデ
ンサが直列接続となるため、機械的精度により限定され
る最小静電容量値よりも小さな容量値を得ろことができ
、また容量調整もこの最小静電容量値より細かく調整す
ることができ、高精度な厚膜コンデンサを得ることがで
きろ。
３の導電体層間で形成される厚膜コンデンサと第２の導
電体層および第３の導電体層間で形成される厚膜コンデ
ンサが直列接続となるため、機械的精度により限定され
る最小静電容量値よりも小さな容量値を得ろことができ
、また容量調整もこの最小静電容量値より細かく調整す
ることができ、高精度な厚膜コンデンサを得ることがで
きろ。
実施例
第１図は本発明の一実施例の構成を示し、第２図は第１
図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。第２図において、１
は誘電体基板であり、厚膜コンデンサを構成する基板と
なる。２は第１の金属層、３は第２の金属層で、それぞ
れ誘電体基板１上に互いに隣接して形成されている。４
は誘電体層であり、第１および第２の金属層の上に重ね
て形成されている。６．６．７．８．９．１０，１１．
１２．１３．１４は第３の金属層１６の電極部であり、
それぞれ一端部を連結部１６に連結されて櫛歯状に形成
されている。電極部５〜９は誘電体層４上の第２の金属
層３の上方に対応する部分に重ねて形成され、電極部１
０〜１４は誘電体層４上の第１の金属層２の上方に対応
する部分に重ねて形成されている。連結部１６は第１お
よび第２の金属層２．３から外れた誘電体基板１上に張
り出しており、電極部６〜１４の付は根部分をレーザー
加工法等により切断してその表面積を変え、コンデンサ
の静電容量を調整できるようになっている。第３図には
このような容量調整を行ったコンデンサの一例が示され
ており、第３の金属層１６の電甑部６．６と１３．１４
のそれぞれの付は根部分ａ、ｂ、（、％ ｄがレーザー
加工法により切断されている。
図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。第２図において、１
は誘電体基板であり、厚膜コンデンサを構成する基板と
なる。２は第１の金属層、３は第２の金属層で、それぞ
れ誘電体基板１上に互いに隣接して形成されている。４
は誘電体層であり、第１および第２の金属層の上に重ね
て形成されている。６．６．７．８．９．１０，１１．
１２．１３．１４は第３の金属層１６の電極部であり、
それぞれ一端部を連結部１６に連結されて櫛歯状に形成
されている。電極部５〜９は誘電体層４上の第２の金属
層３の上方に対応する部分に重ねて形成され、電極部１
０〜１４は誘電体層４上の第１の金属層２の上方に対応
する部分に重ねて形成されている。連結部１６は第１お
よび第２の金属層２．３から外れた誘電体基板１上に張
り出しており、電極部６〜１４の付は根部分をレーザー
加工法等により切断してその表面積を変え、コンデンサ
の静電容量を調整できるようになっている。第３図には
このような容量調整を行ったコンデンサの一例が示され
ており、第３の金属層１６の電甑部６．６と１３．１４
のそれぞれの付は根部分ａ、ｂ、（、％ ｄがレーザー
加工法により切断されている。
次に、上記実施例の動作について、第４図に示す等何回
路を参照しながら説明する。まず、第１の金属）１２、
誘電体層４および第３の金属層１５の電甑部１０〜１４
間では静電容量ＣＩとして動作する。そして各電甑部１
０〜１４は第１の金属層２との間でそれぞれ静電容量Ｃ
ｔｔ、ＣＩ□、Ｃ１３，０１４、Ｃ１５を有して並列接
続されるので、Ｃ１は次のようになる。
路を参照しながら説明する。まず、第１の金属）１２、
誘電体層４および第３の金属層１５の電甑部１０〜１４
間では静電容量ＣＩとして動作する。そして各電甑部１
０〜１４は第１の金属層２との間でそれぞれ静電容量Ｃ
ｔｔ、ＣＩ□、Ｃ１３，０１４、Ｃ１５を有して並列接
続されるので、Ｃ１は次のようになる。
Ｃ＋ ＝０１１ ＋０１２ ＋ＣＩ３ ＋０１４ ＋０
１５ °°“°″３（１）また、第２の金属層３、誘
電体層４および第３の金属層１６の電極部５〜９間では
静電容量Ｃ２として動作する。そして各電極部５〜９は
第１の金属層２との間でそれぞれ静電容量Ｃ２１、Ｃ２
２、Ｃ２３、Ｃ２４、Ｃ２５を有して並列接続されるの
で、Ｃ２は次のようになる。
１５ °°“°″３（１）また、第２の金属層３、誘
電体層４および第３の金属層１６の電極部５〜９間では
静電容量Ｃ２として動作する。そして各電極部５〜９は
第１の金属層２との間でそれぞれ静電容量Ｃ２１、Ｃ２
２、Ｃ２３、Ｃ２４、Ｃ２５を有して並列接続されるの
で、Ｃ２は次のようになる。
Ｃ２＝ ０２１ ＋ ０２２ ＋ ０２３ ＋ ０２４
＋ ０２５ ・・・・・・（２）したがって、第１
の金属層２および第２の金属層３と第３の金属層１５と
の間に発生する全体の静電容量ＣＯはＣＩおよびＣ２の
直列接続になるので、次のようになる。
＋ ０２５ ・・・・・・（２）したがって、第１
の金属層２および第２の金属層３と第３の金属層１５と
の間に発生する全体の静電容量ＣＯはＣＩおよびＣ２の
直列接続になるので、次のようになる。
したがって第３の金属層１６の電極部５〜１４のいずれ
かを切断して静電容量Ｃ１およびまたは０２を変えるこ
とによりＯ，を調整することができろ。
かを切断して静電容量Ｃ１およびまたは０２を変えるこ
とによりＯ，を調整することができろ。
ここで、Ｃ１１”’−０１５を機械的精度により限定さ
れる最小調整ステップ値とすると、上記（３１式から明
らかなようにｃｏはこれら最小調整ステップ値より小さ
い容量変化を示すことになる。たとえば第６図に示すよ
うに、０１１、Ｃ１２、Ｃ１３，０１４％０ｔｓ＝Ｏ１
２ｐＦとし、０２１、Ｃ２２、ＣＱ３、Ｃ２４、Ｃ２５
＝２ｐＦとしてこれらの容量値を組み合わせろと、ｃｏ
は０．２ｐＦ以下のステップ値で容量調薬することがで
き、さらには０，２９Ｆ以下の値を得ることも可能とな
る。
れる最小調整ステップ値とすると、上記（３１式から明
らかなようにｃｏはこれら最小調整ステップ値より小さ
い容量変化を示すことになる。たとえば第６図に示すよ
うに、０１１、Ｃ１２、Ｃ１３，０１４％０ｔｓ＝Ｏ１
２ｐＦとし、０２１、Ｃ２２、ＣＱ３、Ｃ２４、Ｃ２５
＝２ｐＦとしてこれらの容量値を組み合わせろと、ｃｏ
は０．２ｐＦ以下のステップ値で容量調薬することがで
き、さらには０，２９Ｆ以下の値を得ることも可能とな
る。
上記実施例では、第３の金属層１５を加工することによ
り静電容量の調整を行っているが、第１または第２の金
属層２．３を加工してもよく、金属層２．３．１６を組
み合わせて加工してもよい。
り静電容量の調整を行っているが、第１または第２の金
属層２．３を加工してもよく、金属層２．３．１６を組
み合わせて加工してもよい。
また、金属層２．３．１６０代わりに導伝性ポリマー層
を設けてもよい。
を設けてもよい。
発明の効果
本発明は上記実施例から明らかなように、第１の導電体
層および第３の導電体層間で形成される厚膜コンデンサ
と第２の導電体層および第３の導電体層間で形成されろ
厚膜コンデンサが直列接続となるため、機械的精度によ
り限定される最小調整ステップ値以下の微調整が高精度
にできるとともに、最小調整ステップ値以下の微小容量
値を実現できるという効果を有する。
層および第３の導電体層間で形成される厚膜コンデンサ
と第２の導電体層および第３の導電体層間で形成されろ
厚膜コンデンサが直列接続となるため、機械的精度によ
り限定される最小調整ステップ値以下の微調整が高精度
にできるとともに、最小調整ステップ値以下の微小容量
値を実現できるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例における厚膜コンデンサの構
成を示す概略平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿っ
て切断した断面図、第３図は容量調整を行った厚膜コン
デンサの一例を示す概略平面図、第４図は第１図に示す
厚膜コンデンサの等価回路図、第６図は第１図に示す厚
膜コンデンサの容量調整範囲を示すグラフである。 １・・・誘電体基板、２・・第１の金属層、３・・・第
２の金属層、４・・・誘電体層、６〜１４・・・電極部
、１６ ・第３の導電体層、１６・・・連結部。
成を示す概略平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿っ
て切断した断面図、第３図は容量調整を行った厚膜コン
デンサの一例を示す概略平面図、第４図は第１図に示す
厚膜コンデンサの等価回路図、第６図は第１図に示す厚
膜コンデンサの容量調整範囲を示すグラフである。 １・・・誘電体基板、２・・第１の金属層、３・・・第
２の金属層、４・・・誘電体層、６〜１４・・・電極部
、１６ ・第３の導電体層、１６・・・連結部。
Claims (1)
- 誘電体基板上に互いに隣接して形成された第１および第
２の導電体層と、前記第１および第２の導電体層の上に
重ねて形成された誘電体層と、前記誘電体層の上にさら
に重ねて形成された第３の導電体層とを備え、前記各導
電体層のうち少なくとも一つの導電体層を加工してその
表面積を変化させることにより静電容量を調整可能にし
た厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18644789A JPH0350809A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 厚膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18644789A JPH0350809A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 厚膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350809A true JPH0350809A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16188616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18644789A Pending JPH0350809A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 厚膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350809A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04346408A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜コンデンサ |
| WO1997015059A1 (en) * | 1995-10-17 | 1997-04-24 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Trimmable multi-terminal capacitor for a voltage controlled oscillator |
| EP0767363A3 (en) * | 1990-10-12 | 1997-07-02 | Kazuhiro Okada | A method of manufacturing a physical quantity detector using electrostatic capacitance change |
| US6282956B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
| US6314823B1 (en) | 1991-09-20 | 2001-11-13 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP18644789A patent/JPH0350809A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477903B2 (en) | 1990-10-12 | 2002-11-12 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| EP0767363A3 (en) * | 1990-10-12 | 1997-07-02 | Kazuhiro Okada | A method of manufacturing a physical quantity detector using electrostatic capacitance change |
| US5811693A (en) * | 1990-10-12 | 1998-09-22 | Okada; Kazuhiro | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US6053057A (en) * | 1990-10-12 | 2000-04-25 | Okada; Kazuhiro | Force detector |
| US6158291A (en) * | 1990-10-12 | 2000-12-12 | Okada; Kazuhiro | Force detector and acceleration detector |
| US6716253B2 (en) | 1990-10-12 | 2004-04-06 | Kazuhiro Okada | Force detector |
| US6779408B2 (en) | 1990-10-12 | 2004-08-24 | Kazuhiro Okada | Force detector |
| JPH04346408A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜コンデンサ |
| US6314823B1 (en) | 1991-09-20 | 2001-11-13 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US6282956B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
| US6865943B2 (en) | 1994-12-29 | 2005-03-15 | Kazuhiro Okada | Angular velocity sensor |
| WO1997015059A1 (en) * | 1995-10-17 | 1997-04-24 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Trimmable multi-terminal capacitor for a voltage controlled oscillator |
| US5726608A (en) * | 1995-10-17 | 1998-03-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Trimmable multi-terminal capacitor for a voltage controlled oscillator |
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