JPH0350753A - ウェハーキャリア - Google Patents
ウェハーキャリアInfo
- Publication number
- JPH0350753A JPH0350753A JP1186727A JP18672789A JPH0350753A JP H0350753 A JPH0350753 A JP H0350753A JP 1186727 A JP1186727 A JP 1186727A JP 18672789 A JP18672789 A JP 18672789A JP H0350753 A JPH0350753 A JP H0350753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- carrier
- groove
- diameter
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程で用いられるウェハーキ
ャリアに関する。
ャリアに関する。
従来、半導体装置の製造工程におけるウェットエツチン
グ処理やフォトレジストの剥離処理等に使用されるウェ
ハーキャリア（以下単にキャリアという）は、第４図（
ａ）、（ｂ）に示すように、ウェハー１を保持するため
の溝６が設けられた側壁２Ａの長さがウェハー１の直径
とほぼ等しく構成されており、ウェハー１はこの側壁２
Ａと端縁部で接触した状態で処理槽に浸漬されていた。
グ処理やフォトレジストの剥離処理等に使用されるウェ
ハーキャリア（以下単にキャリアという）は、第４図（
ａ）、（ｂ）に示すように、ウェハー１を保持するため
の溝６が設けられた側壁２Ａの長さがウェハー１の直径
とほぼ等しく構成されており、ウェハー１はこの側壁２
Ａと端縁部で接触した状態で処理槽に浸漬されていた。
上述した従来のキャリアＩＯＡでは、ウェハー１はキャ
リアの側壁２Ａと端縁部で保持されているため、側壁２
Ａに接触するウェハーの端縁部に処理液が十分に回り込
まず、ウェハー１の端縁部にエツチング残り及び７オト
レジスト残りが発生し、次工程における汚染の原因とな
り、半導体装置の歩留り及び信頼性を低下させるという
欠点がある。
リアの側壁２Ａと端縁部で保持されているため、側壁２
Ａに接触するウェハーの端縁部に処理液が十分に回り込
まず、ウェハー１の端縁部にエツチング残り及び７オト
レジスト残りが発生し、次工程における汚染の原因とな
り、半導体装置の歩留り及び信頼性を低下させるという
欠点がある。
本発明のウェハーキャリアは、対向する側壁にウェハー
を保持するための複数の溝が設けられてなるウェハーキ
ャリアにおいて、前記側壁の長さをウェハーの直径の少
くとも１．２倍としたものである。
を保持するための複数の溝が設けられてなるウェハーキ
ャリアにおいて、前記側壁の長さをウェハーの直径の少
くとも１．２倍としたものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の一部切
り欠き正面図及び一部切り欠き側面図である。
り欠き正面図及び一部切り欠き側面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）において、キャリア１０はウェハ
ー１を保持するための講６が設けられた対向する側壁２
を有しているが、この側壁２の長さはウェハー１の直径
の約２倍となっている。そして、その上部には上蓋３が
設けられている。上蓋３は処理液が循環できるように穴
があけられている。さらに上蓋３はストッパー４により
側壁２に固定されるように構成されている。またキャリ
ア１０にはハンガーで揺動できる様に、ハンガー部５が
設けられている。
ー１を保持するための講６が設けられた対向する側壁２
を有しているが、この側壁２の長さはウェハー１の直径
の約２倍となっている。そして、その上部には上蓋３が
設けられている。上蓋３は処理液が循環できるように穴
があけられている。さらに上蓋３はストッパー４により
側壁２に固定されるように構成されている。またキャリ
ア１０にはハンガーで揺動できる様に、ハンガー部５が
設けられている。
次にこのように構成された第１の実施例の使用方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、ウェハー１をキャリア１０内の？１１６にそって
入れる。次でキャリア１０に上蓋３をとりつけ、ストッ
パー４で上蓋３を固定する。
入れる。次でキャリア１０に上蓋３をとりつけ、ストッ
パー４で上蓋３を固定する。
次に第２図（ａ）に示すように、傾斜台１１を有する処
理槽８にキャリア１０を横にした状態で浸漬させる。そ
してキャリア１０をハンガーを使用して第２図（ｂ）に
示すように揺動させる。このように第２図（ａ＞、（ｂ
）の状態を交互にくり返すことにより、ウェハー１はキ
ャリア１０内で回転移動し、ウェハー１の端縁の溝６と
接している部分を変えることが可能となり、処理液７と
ウェハー１の接触が十分となる。このため、ウェハー１
の端縁部のエツチングやレジストの剥離が可能となり、
エツチング残りやレジスト残りの発生はなくなる。
理槽８にキャリア１０を横にした状態で浸漬させる。そ
してキャリア１０をハンガーを使用して第２図（ｂ）に
示すように揺動させる。このように第２図（ａ＞、（ｂ
）の状態を交互にくり返すことにより、ウェハー１はキ
ャリア１０内で回転移動し、ウェハー１の端縁の溝６と
接している部分を変えることが可能となり、処理液７と
ウェハー１の接触が十分となる。このため、ウェハー１
の端縁部のエツチングやレジストの剥離が可能となり、
エツチング残りやレジスト残りの発生はなくなる。
このようにキャリア１０内でウェハー１を回転させ、？
Ａ６に接触したウェハー１の端部を移動させるためには
、溝６が設けられた側壁２の長さをウェハー１の直径の
少くとも１．２倍にする必要がある。
Ａ６に接触したウェハー１の端部を移動させるためには
、溝６が設けられた側壁２の長さをウェハー１の直径の
少くとも１．２倍にする必要がある。
第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の断面図
及び側面図である。
及び側面図である。
この第２の実施例では従来のキャリアと同様の形状を有
し、上面の周囲に凸状の縁１２を有する支持容器の、溝
が一致するように側壁２Ｂを重ね、ストッパー４により
固定した構造となっている。
し、上面の周囲に凸状の縁１２を有する支持容器の、溝
が一致するように側壁２Ｂを重ね、ストッパー４により
固定した構造となっている。
使用方法は第２図（ａ）、（ｂ）に示した第１の実施例
の場合と同様である。
の場合と同様である。
この第２の実施例では、キャリアＩＯＢを構成する支持
容器が同じ形をしているため、キャリア１０Ｂをハンガ
一部５で持つ時のバランスが良いという利点がある。ま
た各支持容器をそれぞれ単体で従来のキャリアと同様に
使用することが可能となる利点がある。さらに、第１の
実施例の様に上蓋を使用していないため、キャリア１０
Ｂ内の処理液の循環が良いという利点もある。
容器が同じ形をしているため、キャリア１０Ｂをハンガ
一部５で持つ時のバランスが良いという利点がある。ま
た各支持容器をそれぞれ単体で従来のキャリアと同様に
使用することが可能となる利点がある。さらに、第１の
実施例の様に上蓋を使用していないため、キャリア１０
Ｂ内の処理液の循環が良いという利点もある。
以上説明したように本発明は、ウェハーキャリアの、溝
を有する一対の側壁の長さを少くともウェハーの直径の
１．２倍とすることにより、処理槽内でウェハーを回転
させることができるため、ウェハ一端部のエツチング残
りやフォトレジスト残りの発生をなくすことができる。
を有する一対の側壁の長さを少くともウェハーの直径の
１．２倍とすることにより、処理槽内でウェハーを回転
させることができるため、ウェハ一端部のエツチング残
りやフォトレジスト残りの発生をなくすことができる。
従って従来のように、後工程における汚染がなくなるた
め、半導体装置の歩留り及び信頼性を向上させることが
できる。
め、半導体装置の歩留り及び信頼性を向上させることが
できる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の一部切
り欠き正面図及び一部切り欠き側面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は第１の実施例の使用方法を説明するための処理
槽の断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明の第２の実施例の断面図及び側面図、第
４図（ａ）、（ｂ）は従来のキャリアの断面図及び一部
切り欠き側面図である。 １・・・ウェハー２．２Ａ、２Ｂ・・・側壁、３・・・
上蓋、４・・・ストッパー、５・・・ハンガ一部、６・
・・溝、７・・・処理液、８・・・処理槽、９・・・穴
、１０゜１０Ａ、ＩＯＢ・・・キャリア、１１・・・傾
斜台、１２・・・縁。
り欠き正面図及び一部切り欠き側面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は第１の実施例の使用方法を説明するための処理
槽の断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明の第２の実施例の断面図及び側面図、第
４図（ａ）、（ｂ）は従来のキャリアの断面図及び一部
切り欠き側面図である。 １・・・ウェハー２．２Ａ、２Ｂ・・・側壁、３・・・
上蓋、４・・・ストッパー、５・・・ハンガ一部、６・
・・溝、７・・・処理液、８・・・処理槽、９・・・穴
、１０゜１０Ａ、ＩＯＢ・・・キャリア、１１・・・傾
斜台、１２・・・縁。
Claims (1)
- 対向する側壁にウェハーを保持するための複数の溝が設
けられてなるウェハーキャリアにおいて、前記側壁の長
さをウェハーの直径の少くとも１．２倍としたことを特
徴とするウェハーキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186727A JPH0350753A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ウェハーキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186727A JPH0350753A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ウェハーキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350753A true JPH0350753A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16193582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186727A Pending JPH0350753A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ウェハーキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350753A (ja) |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1186727A patent/JPH0350753A/ja active Pending
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