JPH035065B2 - - Google Patents
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- JPH035065B2 JPH035065B2 JP60215343A JP21534385A JPH035065B2 JP H035065 B2 JPH035065 B2 JP H035065B2 JP 60215343 A JP60215343 A JP 60215343A JP 21534385 A JP21534385 A JP 21534385A JP H035065 B2 JPH035065 B2 JP H035065B2
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- JP
- Japan
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- voltage
- circuit
- constant voltage
- region
- resistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は従来広く用いられているモノリシツク
集積回路化バンドギヤツプ型定電圧回路における
電源電圧除去比を改善した集積回路に関する。従
来、バンドギヤツプ型定電圧回路は、第１図に示
すように、トランジスタQ1，Q2、抵抗R1，R2，
R3によりつくられ抵抗R3とトランジスタQ2のコ
レクタとの接続点から得られる正の温度係数をも
つ電圧と負の温度係数をもつトランジスタQ3の
ベース−エミツタ間電圧VBE（Q3）との電圧の和
によつて互いの温度係数を打ち消すようにして出
力端子に定電圧Voutを得るような回路構成にな
つている。
集積回路化バンドギヤツプ型定電圧回路における
電源電圧除去比を改善した集積回路に関する。従
来、バンドギヤツプ型定電圧回路は、第１図に示
すように、トランジスタQ1，Q2、抵抗R1，R2，
R3によりつくられ抵抗R3とトランジスタQ2のコ
レクタとの接続点から得られる正の温度係数をも
つ電圧と負の温度係数をもつトランジスタQ3の
ベース−エミツタ間電圧VBE（Q3）との電圧の和
によつて互いの温度係数を打ち消すようにして出
力端子に定電圧Voutを得るような回路構成にな
つている。
トランジスタQ3，Q4，Q5、バツフア回路Ａは
誤差増幅器を構成し、出力定電圧Voutを一定な
値に維持するように働く。トランジスタQ6と定
電流源ＩはトランジスタQ3の能動負荷Q5に電流
を供給するためにもうけられており、またバツフ
ア回路ＡはトランジスタQ4のベース電流を吸収
し、位相が180度反転する回路構成をとつている。
誤差増幅器を構成し、出力定電圧Voutを一定な
値に維持するように働く。トランジスタQ6と定
電流源ＩはトランジスタQ3の能動負荷Q5に電流
を供給するためにもうけられており、またバツフ
ア回路ＡはトランジスタQ4のベース電流を吸収
し、位相が180度反転する回路構成をとつている。
かかる従来のモノリシツク集積回路化した定電
圧回路では、抵抗R1，R2，R3は第２図に示すよ
うにＰ型半導体基板１の上に作られ絶縁分離領域
４，５で電気的に独立せしめられた島状Ｎ型領域
２にＰ型不純物を拡散して形成し、島状Ｎ型領域
２をN+領域３で最高電位即ち、電源電圧にバイ
アスするような構成が使われている。
圧回路では、抵抗R1，R2，R3は第２図に示すよ
うにＰ型半導体基板１の上に作られ絶縁分離領域
４，５で電気的に独立せしめられた島状Ｎ型領域
２にＰ型不純物を拡散して形成し、島状Ｎ型領域
２をN+領域３で最高電位即ち、電源電圧にバイ
アスするような構成が使われている。
このような集積回路化定電圧回路を例えば電池
駆動で発光ダイオードを数百ｍＡでパルス駆動す
るような回路に使うと、電池の内部抵抗や配線の
インピーダンスで集積回路化定電圧回路の電源に
はパルス駆動周波数をもつリツプルが重じよう
し、そのリツプル電圧が第２図のn+領域３と抵
抗R3間の接合容量Cjを通してトランジスタQ3の
ベースにはいり、それが増幅されて定電圧出力
Voutに現われる。入力即ち、電源電圧のリツプ
ル電圧の比をとつて電源電圧除去比というが、パ
ルス駆動周波数が高くなればなるほど、接合容量
Cjのインピーダンスは低下するので、電源電圧除
去比は悪化する。このような定電圧回路の出力を
直流増幅器のバイアス電圧として使用すると、直
流増幅器の出力には、リツプル電圧が現われて、
信号対雑音比を著しく劣化させる。
駆動で発光ダイオードを数百ｍＡでパルス駆動す
るような回路に使うと、電池の内部抵抗や配線の
インピーダンスで集積回路化定電圧回路の電源に
はパルス駆動周波数をもつリツプルが重じよう
し、そのリツプル電圧が第２図のn+領域３と抵
抗R3間の接合容量Cjを通してトランジスタQ3の
ベースにはいり、それが増幅されて定電圧出力
Voutに現われる。入力即ち、電源電圧のリツプ
ル電圧の比をとつて電源電圧除去比というが、パ
ルス駆動周波数が高くなればなるほど、接合容量
Cjのインピーダンスは低下するので、電源電圧除
去比は悪化する。このような定電圧回路の出力を
直流増幅器のバイアス電圧として使用すると、直
流増幅器の出力には、リツプル電圧が現われて、
信号対雑音比を著しく劣化させる。
本発明の目的はこのような欠点をなくした集積
回路化定電圧回路を提供するものである。
回路化定電圧回路を提供するものである。
本発明による定電圧回路を形成した半導体装置
は、定電圧回路内に含まれる抵抗を構成するため
の抵抗領域をこれとは反対の導電型の半導体領域
内に形成し、この半導体領域を定電圧回路自身の
出力定電圧でバイアスして抵抗領域と半導体領域
との間のRN接合を逆バイアスしたことを特徴と
する。
は、定電圧回路内に含まれる抵抗を構成するため
の抵抗領域をこれとは反対の導電型の半導体領域
内に形成し、この半導体領域を定電圧回路自身の
出力定電圧でバイアスして抵抗領域と半導体領域
との間のRN接合を逆バイアスしたことを特徴と
する。
本発明の好ましい実施例によれば、カレントミ
ラー構成の電流出力側トランジスタと抵抗を備え
正温度係数を有する抵抗の両端電圧と負の温度係
数を有するトランジスタのベース−エミツタ間電
圧が和が出力電圧となるモノリシツク集積回路化
バンドギヤツプ型定電圧回路において、前記カレ
ントミラー構成から電流を受ける抵抗を形成した
島状領域を前記定電圧回路の出力電圧でバイアス
することを特徴とした集積回路装置を得る。
ラー構成の電流出力側トランジスタと抵抗を備え
正温度係数を有する抵抗の両端電圧と負の温度係
数を有するトランジスタのベース−エミツタ間電
圧が和が出力電圧となるモノリシツク集積回路化
バンドギヤツプ型定電圧回路において、前記カレ
ントミラー構成から電流を受ける抵抗を形成した
島状領域を前記定電圧回路の出力電圧でバイアス
することを特徴とした集積回路装置を得る。
本発明によれば、抵抗を形成した島状領域は安
定化された定電圧でバイアスされているので、安
定化されていない電源電圧が抵抗に重畳すること
はなく、出力電圧の電源電圧除去比は改善され
る。
定化された定電圧でバイアスされているので、安
定化されていない電源電圧が抵抗に重畳すること
はなく、出力電圧の電源電圧除去比は改善され
る。
次に図面を参照して本発明をより詳細に説明す
る。
る。
本発明の一実施例によれば、第３図に示すよう
に、抵抗R1，R2，R3をＰ型半導体基板１上に形
成され絶縁分離領域４，５で電気的に孤立せしめ
た島状Ｎ型領域２に形成し、この島状Ｎ型領域２
を定電圧回路の出力電圧Voutでバイアスしてい
る。このバイアスは表面酸化膜７に開孔を設けて
配線６で行なわれ、N+高濃度領域３から与えら
れる。
に、抵抗R1，R2，R3をＰ型半導体基板１上に形
成され絶縁分離領域４，５で電気的に孤立せしめ
た島状Ｎ型領域２に形成し、この島状Ｎ型領域２
を定電圧回路の出力電圧Voutでバイアスしてい
る。このバイアスは表面酸化膜７に開孔を設けて
配線６で行なわれ、N+高濃度領域３から与えら
れる。
このようにすれば、電源Vccに重じようしてい
ているリツプル電圧はトランジスタQ3のベース
にはいることがないので、高い電源電圧変動除去
比が得られる。抵抗R3の出力電圧Vout取り出し
側とは反対側の端子はトランジスタQ3のベース
に接続されているので、その端子電圧はVoutよ
り高くならず、抵抗R3を形成するＰ領域は常に
逆バイアスされる。同様に抵抗R1，R2を形成す
るＰ型領域も常に逆バイアスされることになる。
ているリツプル電圧はトランジスタQ3のベース
にはいることがないので、高い電源電圧変動除去
比が得られる。抵抗R3の出力電圧Vout取り出し
側とは反対側の端子はトランジスタQ3のベース
に接続されているので、その端子電圧はVoutよ
り高くならず、抵抗R3を形成するＰ領域は常に
逆バイアスされる。同様に抵抗R1，R2を形成す
るＰ型領域も常に逆バイアスされることになる。
このような集積回路構造にすることによつて、
電源にリツプル電圧が重じようしても、定電圧回
路の出力には、リツプル電圧が現われないので、
高利得増幅器やその他さまざまの電子回路の基準
電圧として幅広い応用が可能となる。
電源にリツプル電圧が重じようしても、定電圧回
路の出力には、リツプル電圧が現われないので、
高利得増幅器やその他さまざまの電子回路の基準
電圧として幅広い応用が可能となる。
ここで、出力電圧Vout以上の電圧のかかる抵
抗は電源電圧Vccでバイアスするが、出力電圧
Vout以上の電圧のかかる抵抗はバンドギヤツプ
レキユレータでは出力電圧決定に寄与しないので
リツプルに影響がない。
抗は電源電圧Vccでバイアスするが、出力電圧
Vout以上の電圧のかかる抵抗はバンドギヤツプ
レキユレータでは出力電圧決定に寄与しないので
リツプルに影響がない。
結局、信号対雑音比の優れた集積回路を実現で
きる。
きる。
第１図は定電圧回路を示す回路図である。
Q1，Q2，Q3……NPNトランジスタ、Ｉ……定
電流源、Q4，Q5，Q6……PNPトランジスタ、Ａ
……バツフア回路、R1，R2，R3……抵抗、Vcc
……電源電圧、Ｃ……位相補償用コンデンサ、
Vout……定電圧回路の出力電圧。 第２図は、従来の定電圧回路の集積回路装置の
１部を示す断面図、第３図は本発明の一実施例に
よる定電圧回路の集積回路装置の１部を示す断面
図である。 １……Ｐ型半導体基板、２……島状Ｎ型領域、
３……N+領域、４，５……P+絶縁領域、６……
配線、７……酸化膜、R1，R2，R3……抵抗を形
成するＰ型領域。
電流源、Q4，Q5，Q6……PNPトランジスタ、Ａ
……バツフア回路、R1，R2，R3……抵抗、Vcc
……電源電圧、Ｃ……位相補償用コンデンサ、
Vout……定電圧回路の出力電圧。 第２図は、従来の定電圧回路の集積回路装置の
１部を示す断面図、第３図は本発明の一実施例に
よる定電圧回路の集積回路装置の１部を示す断面
図である。 １……Ｐ型半導体基板、２……島状Ｎ型領域、
３……N+領域、４，５……P+絶縁領域、６……
配線、７……酸化膜、R1，R2，R3……抵抗を形
成するＰ型領域。
Claims (1)
- １ 定電圧回路を形成した半導体装置において、
前記定電圧回路内に含まれる抵抗を構成するため
の抵抗領域を当該抵抗領域とは反対の導電型の半
導体領域内に形成し、この半導体領域を前記定電
圧回路自身の出力定電圧でバイアスして前記抵抗
領域と前記半導体領域との間のRN接合を逆バイ
アスしたことを特徴とする定電圧回路を形成した
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21534385A JPS61172364A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 定電圧回路を形成した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21534385A JPS61172364A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 定電圧回路を形成した半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172364A JPS61172364A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH035065B2 true JPH035065B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=16670730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21534385A Granted JPS61172364A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 定電圧回路を形成した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61172364A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930001577A (ko) * | 1991-06-19 | 1993-01-16 | 김광호 | 기준전압 발생회로 |
| JPH07211510A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-11 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146957A (en) * | 1979-03-19 | 1980-11-15 | Trw Inc | Semiconductor resistor and method of fabricating same |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21534385A patent/JPS61172364A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146957A (en) * | 1979-03-19 | 1980-11-15 | Trw Inc | Semiconductor resistor and method of fabricating same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61172364A (ja) | 1986-08-04 |
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