JPH0350104A - 酸化物超伝導体薄膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
酸化物超伝導体薄膜の製造方法および製造装置Info
- Publication number
- JPH0350104A JPH0350104A JP1183646A JP18364689A JPH0350104A JP H0350104 A JPH0350104 A JP H0350104A JP 1183646 A JP1183646 A JP 1183646A JP 18364689 A JP18364689 A JP 18364689A JP H0350104 A JPH0350104 A JP H0350104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide superconductor
- reaction chamber
- thin film
- oxygen
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既 要〕
酸化物超伝導体、より詳しくは、基板上に成膜する酸化
物超伝導体薄膜の製造方法およびその製造装置に関し、 ＥＣＲによる酸素イオンないしラジカル利用した従来の
方法に改善を加えて、ストイキオメトリ良好な酸化物超
伝導体薄膜を継続的に製造する方法および製造装置を提
供することを目的とし、酸化物超伝導体を構成する複数
の元素の各々の有機化合物ガスおよび電子サイクロトロ
ン共鳴法によって発生させた酸素イオンないしラジカル
を減圧反応室に導入して加熱された基板上に酸化物超伝
導体薄膜を製造する方法に構成する。
物超伝導体薄膜の製造方法およびその製造装置に関し、 ＥＣＲによる酸素イオンないしラジカル利用した従来の
方法に改善を加えて、ストイキオメトリ良好な酸化物超
伝導体薄膜を継続的に製造する方法および製造装置を提
供することを目的とし、酸化物超伝導体を構成する複数
の元素の各々の有機化合物ガスおよび電子サイクロトロ
ン共鳴法によって発生させた酸素イオンないしラジカル
を減圧反応室に導入して加熱された基板上に酸化物超伝
導体薄膜を製造する方法に構成する。
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物超伝導体、より詳しくは、基板上に成
膜する酸化物超伝導体薄膜の製造方法およびその製造装
置に関するものである。
膜する酸化物超伝導体薄膜の製造方法およびその製造装
置に関するものである。
近年、酸化物（高温セラミック）超伝導体は、常伝導−
超伝導転位温度（Ｔｃ）がそれまでの超伝導体よりもか
なり高いことから研究開発が盛んに行なわれ、実用的な
高速電子デバイス材料として注目されている。例えば、
この酸化物超伝導体を用いたジョセフソン素子あるいは
通常の電子デバイスの配線材料として用いて高速動作デ
バイスを作製することができる。このために、酸化物超
伝導体薄膜を制御性良く量産する技術が求められている
。
超伝導転位温度（Ｔｃ）がそれまでの超伝導体よりもか
なり高いことから研究開発が盛んに行なわれ、実用的な
高速電子デバイス材料として注目されている。例えば、
この酸化物超伝導体を用いたジョセフソン素子あるいは
通常の電子デバイスの配線材料として用いて高速動作デ
バイスを作製することができる。このために、酸化物超
伝導体薄膜を制御性良く量産する技術が求められている
。
従来、基板上への酸化物超伝導体薄膜の形成方法として
は、主として下記（１）および（２）の方法が用いられ
ている。
は、主として下記（１）および（２）の方法が用いられ
ている。
（１）酸素雰囲気中で原料金属（又は酸化物セラミック
）のターゲットをスパッタリングして、あるいはＥＢ（
電子ビーム）加熱などで同時に多成分蒸発させて基板上
に堆積成膜する方法。
）のターゲットをスパッタリングして、あるいはＥＢ（
電子ビーム）加熱などで同時に多成分蒸発させて基板上
に堆積成膜する方法。
（２）高真空室（チャンバ）内でクヌードセンセルから
原料金属を蒸発させ、同時に電子サイクロトロン共鳴（
ＥＣＲ）プラズマ発生装置から酸素イオンないしラジカ
ルを導入して基板上に堆積成膜する方法（例えば、ｋ、
Ｍｏｒｉｗａｋｉ ｅｔ ａｌ：Ａｓ−Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｅｄ ＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＢａｚＹＣｕｓ
０７−ｙ ＦｉｌｍｓＵｓｉｎｇ ＥＣＲＩｏｎ Ｂｅ
ａｍ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ’＋Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖ
ｏｌ、２７．Ｎｏ、１１．１９８８．ＰＰ、Ｌ２０７５
−Ｌ２０７？参照）。
原料金属を蒸発させ、同時に電子サイクロトロン共鳴（
ＥＣＲ）プラズマ発生装置から酸素イオンないしラジカ
ルを導入して基板上に堆積成膜する方法（例えば、ｋ、
Ｍｏｒｉｗａｋｉ ｅｔ ａｌ：Ａｓ−Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｅｄ ＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＢａｚＹＣｕｓ
０７−ｙ ＦｉｌｍｓＵｓｉｎｇ ＥＣＲＩｏｎ Ｂｅ
ａｍ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ’＋Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖ
ｏｌ、２７．Ｎｏ、１１．１９８８．ＰＰ、Ｌ２０７５
−Ｌ２０７？参照）。
ところが、上記（１）の方法で形成した酸化物超伝導体
薄膜は酸素不足状態になりやすく、堆積後に酸素雰囲気
中で高温アニール処理（８００〜９００℃の加熱）を施
こすことが多い。また、上記（２）の方法では、あらか
じめ原料（金属、化合物）を装填したクヌードセンセル
を蒸発源として用いるために、該セルの大きさに限界が
あり、大量の原料を用いることはできないので、所定の
薄膜形成（製造）のための条件設定に消費する必要もあ
って生産量（スループット）は低い。さらに、原料を再
装填（補充）する際には、高真空室（チャンバ）を大気
圧までもどすことになり（場合によっては大気によるチ
ャンバの汚染もあり）、スルーブツトはさらに低くなる
。
薄膜は酸素不足状態になりやすく、堆積後に酸素雰囲気
中で高温アニール処理（８００〜９００℃の加熱）を施
こすことが多い。また、上記（２）の方法では、あらか
じめ原料（金属、化合物）を装填したクヌードセンセル
を蒸発源として用いるために、該セルの大きさに限界が
あり、大量の原料を用いることはできないので、所定の
薄膜形成（製造）のための条件設定に消費する必要もあ
って生産量（スループット）は低い。さらに、原料を再
装填（補充）する際には、高真空室（チャンバ）を大気
圧までもどすことになり（場合によっては大気によるチ
ャンバの汚染もあり）、スルーブツトはさらに低くなる
。
したがって、ストイキオメトリが良好な（化学量論的に
所定の平衡な）酸化物超伝導体薄膜を継続的に（連続的
に、大量生産的に）製造することは困難であった。
所定の平衡な）酸化物超伝導体薄膜を継続的に（連続的
に、大量生産的に）製造することは困難であった。
本発明は、ＥＣＲによる酸素イオンないしラジカル利用
した上記（２）の方法に改善を加えて、ストイキオメト
リ良好な酸化物超伝導体薄膜を継続的に製造する方法お
よび製造装置を提供することを目的としている。
した上記（２）の方法に改善を加えて、ストイキオメト
リ良好な酸化物超伝導体薄膜を継続的に製造する方法お
よび製造装置を提供することを目的としている。
上記の目的が、酸化物超伝導体を構成する複数の元素の
各々の有機化合物ガスおよび電子サイクロトロン共鳴法
によって発生させた酸素イオンないしラジカルを減圧反
応室に導入して加熱された基板上に酸化物超伝導体薄膜
を製造する方法および、真空ポンプに接続された反応室
と、該反応室に付設された電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ発生装置と、該反応室内へ酸化物超伝導体を構成す
る複数の元素の有機化合物ガスを各々導入する複数の管
と、該反応室内に設置された基板加熱支持台とからなる
酸化物超伝導体薄膜の製造装置によって達成される。
各々の有機化合物ガスおよび電子サイクロトロン共鳴法
によって発生させた酸素イオンないしラジカルを減圧反
応室に導入して加熱された基板上に酸化物超伝導体薄膜
を製造する方法および、真空ポンプに接続された反応室
と、該反応室に付設された電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ発生装置と、該反応室内へ酸化物超伝導体を構成す
る複数の元素の有機化合物ガスを各々導入する複数の管
と、該反応室内に設置された基板加熱支持台とからなる
酸化物超伝導体薄膜の製造装置によって達成される。
本発明では、従来と同様にＥＣＲプラズマ発生装置を用
いて酸素イオンないしラジカルを反応室に導入している
ので、酸素を堆積する酸化物超伝導体中に所定割合含有
させる（すなわち、ストイキオメトリ良好な状態にする
）ことが比較的低温にて行なえ、かつ原料に有機金属化
合物ガスを用いることで反応室外部から連続的に（継続
的に）供給でき、原料切れがない。このようにして基板
上への酸化物超伝導体薄膜が再現性良く次々とでき、ス
ルーブツトを高めることができる。
いて酸素イオンないしラジカルを反応室に導入している
ので、酸素を堆積する酸化物超伝導体中に所定割合含有
させる（すなわち、ストイキオメトリ良好な状態にする
）ことが比較的低温にて行なえ、かつ原料に有機金属化
合物ガスを用いることで反応室外部から連続的に（継続
的に）供給でき、原料切れがない。このようにして基板
上への酸化物超伝導体薄膜が再現性良く次々とでき、ス
ルーブツトを高めることができる。
（実施例〕
以下、添付図面を参照して、本発明の実施態様例によっ
て本発明の詳細な説明する。
て本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に係る酸化物超伝導体薄膜製造装置の
概略図であり、基本的には従来のＥＣＲプラズ、マ発生
装置付製造装置におけるクヌードセンセル（原料蒸発器
）を有機金属化合物ガスの供給系および反応室内導入管
に置換したものである。
概略図であり、基本的には従来のＥＣＲプラズ、マ発生
装置付製造装置におけるクヌードセンセル（原料蒸発器
）を有機金属化合物ガスの供給系および反応室内導入管
に置換したものである。
本発明の薄膜製造装置は、反応室１と、ＥＣＲプラズマ
発生装置２と、ロードロツタ室３とからなり、それぞれ
に粗引きポンプ４Ａ〜４Ｃおよび高真空ポンプ５Ａ〜５
Ｃの排気ユニットが接続されている。反応室１とＥＣＲ
装置２のプラズマ発生室６とはアパーチャ−７によって
連通しており、そして、反応室１とロードロツタ室３と
は仕切り弁８を介して連通している。
発生装置２と、ロードロツタ室３とからなり、それぞれ
に粗引きポンプ４Ａ〜４Ｃおよび高真空ポンプ５Ａ〜５
Ｃの排気ユニットが接続されている。反応室１とＥＣＲ
装置２のプラズマ発生室６とはアパーチャ−７によって
連通しており、そして、反応室１とロードロツタ室３と
は仕切り弁８を介して連通している。
ＥＣＲプラズマ装置２はプラズマ発生室６と、マイクロ
波発生源９と、マイクロ波を発生室６へ導く導波路１１
と、発生室６を取り巻く電磁コイル１２と、マスフロー
コントローラー１３を備えた酸素（０りガス供給系１４
とからなる。ロードロック室３には所定の基板１５（例
えば、５ｒＴｉＯ，、などの単結晶板）を出し入れする
マニピュレータ１６が備えである。
波発生源９と、マイクロ波を発生室６へ導く導波路１１
と、発生室６を取り巻く電磁コイル１２と、マスフロー
コントローラー１３を備えた酸素（０りガス供給系１４
とからなる。ロードロック室３には所定の基板１５（例
えば、５ｒＴｉＯ，、などの単結晶板）を出し入れする
マニピュレータ１６が備えである。
反応室１内には、薄膜をその上に形成することになる基
板１３を担持しかつ加熱する基板加熱支持台１７が設置
されており、ヒーター１８によって加熱温度が制御でき
る。この基板１３はマニピュレータ１６によってロード
ロック室３から仕切り弁８を通して搬入され、そして、
成膜後にロードロック室に搬出されるようになっている
。
板１３を担持しかつ加熱する基板加熱支持台１７が設置
されており、ヒーター１８によって加熱温度が制御でき
る。この基板１３はマニピュレータ１６によってロード
ロック室３から仕切り弁８を通して搬入され、そして、
成膜後にロードロック室に搬出されるようになっている
。
本発明にしたがって、反応室１へ有機金属化合物ガスを
導入するために、所望の酸化物超伝導体薄膜の構成金属
成分の数だけのセットとして、有機金属化合物液（原料
）２１Ａ〜２ＩＣを収容したバブリング容器２２Ａ〜２
２Ｃと、恒温器２３Ａ〜２３Ｃと、キャリアガス（例え
ばＡｒ）のマスフローコントローラー２４Ａ〜２４Ｃと
からなる供給系および反応室１内に挿入設置された導入
管２５Ａおよび２５Ｂが第１図に示すように設けである
。導入管２５Ａ 、 ２５Ｂの周囲にはシュラウド（冷
却壁）２６が付設されており、導入した有機金属ガスが
分解するを防止している。なお、第１図では３セツトの
供給系を示しているが、導入管は２本で１本省略して示
しており、金属成分が４つならばもう一組増やすことに
なる。
導入するために、所望の酸化物超伝導体薄膜の構成金属
成分の数だけのセットとして、有機金属化合物液（原料
）２１Ａ〜２ＩＣを収容したバブリング容器２２Ａ〜２
２Ｃと、恒温器２３Ａ〜２３Ｃと、キャリアガス（例え
ばＡｒ）のマスフローコントローラー２４Ａ〜２４Ｃと
からなる供給系および反応室１内に挿入設置された導入
管２５Ａおよび２５Ｂが第１図に示すように設けである
。導入管２５Ａ 、 ２５Ｂの周囲にはシュラウド（冷
却壁）２６が付設されており、導入した有機金属ガスが
分解するを防止している。なお、第１図では３セツトの
供給系を示しているが、導入管は２本で１本省略して示
しており、金属成分が４つならばもう一組増やすことに
なる。
上述した酸化物超伝導体薄膜の製造装置を用いてＢａ２
ＹＣｕ３Ｏ，−Ｘを成膜する場合で製造方法を説明する
。
ＹＣｕ３Ｏ，−Ｘを成膜する場合で製造方法を説明する
。
まず、５ｒＴｉ（ｈの基板１５をロードロック室３内へ
入れ、ロードロック室３および反応室１内をそれぞれの
排気ユニット（真空ポンプ４Ｃ，５Ｃ。
入れ、ロードロック室３および反応室１内をそれぞれの
排気ユニット（真空ポンプ４Ｃ，５Ｃ。
４Ａ、５Ａ）で排気してから仕切り弁８を開いてマニピ
ュレータ１６によって基板１５を基板加熱支持台１７上
にセットする。仕切り弁を閉じたところで、反応室１内
を約１０−’Ｔｏｒｒにし、同時にプラズマ発生室６内
も排気ユニット（真空ポンプ４Ｂ、５Ｂ）で排気して約
１０− ’Ｔｏｒｒにする。
ュレータ１６によって基板１５を基板加熱支持台１７上
にセットする。仕切り弁を閉じたところで、反応室１内
を約１０−’Ｔｏｒｒにし、同時にプラズマ発生室６内
も排気ユニット（真空ポンプ４Ｂ、５Ｂ）で排気して約
１０− ’Ｔｏｒｒにする。
一方、Ｂａ、ＹおよびＣｎの原料としてＢａ （ＰＰＭ
） ｚ液２１Ａ、 Ｙ（ｔｌＦＡ）ｚ液２１Ｂおよび
Ｃｎ （ＨＦＡ） ２液２ＩＣの有機金属化合物をそれ
ぞれバブリング容器２２Ａ〜２２Ｃに入れ、恒温器２３
Ａ〜２３Ｃによって一定温度（−１０〜３０°Ｃ）に保
持する。そして、Ａｒキャリアガスをマスフローコント
ローラー２４Ａ〜２４Ｃで制御しながらバブリング容器
２２Ａ〜２２Ｃへ送り、有機金属化合物ガス（蒸気）を
キャリアガスと共に導入管２５Ａ、２５Ｂへ送り、反応
室１内に導入する。Ａｒキャリアガスの流量はＢａ （
ＰＰＭ） ｚ用（コントローラー２４Ａ）で１０〜４０
ｃｃ／ｍｉｎ 、、Ｙ（ＨＦＡ）ｓ用（コントローラー
２４Ｂ）で５〜２０ｃｃ／１ｌｉｎ、およびＣｕ （）
ＩＦＡ） を用（コントローラー２４０）で２０〜７０
ｃｃ／ｍｉｎが望ましい。なお、ＰＰＭとはｐｅｎｔａ
ｆｌｕｏｒｏ−ｐｒｏｐａｎｏｙｌ ｐｉｖａｌｏｙｌ
ｍｅｔｈａｎｅであり、ＨＦＡはｈｅｘａｆｌｕｏｒ
ｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅである。
） ｚ液２１Ａ、 Ｙ（ｔｌＦＡ）ｚ液２１Ｂおよび
Ｃｎ （ＨＦＡ） ２液２ＩＣの有機金属化合物をそれ
ぞれバブリング容器２２Ａ〜２２Ｃに入れ、恒温器２３
Ａ〜２３Ｃによって一定温度（−１０〜３０°Ｃ）に保
持する。そして、Ａｒキャリアガスをマスフローコント
ローラー２４Ａ〜２４Ｃで制御しながらバブリング容器
２２Ａ〜２２Ｃへ送り、有機金属化合物ガス（蒸気）を
キャリアガスと共に導入管２５Ａ、２５Ｂへ送り、反応
室１内に導入する。Ａｒキャリアガスの流量はＢａ （
ＰＰＭ） ｚ用（コントローラー２４Ａ）で１０〜４０
ｃｃ／ｍｉｎ 、、Ｙ（ＨＦＡ）ｓ用（コントローラー
２４Ｂ）で５〜２０ｃｃ／１ｌｉｎ、およびＣｕ （）
ＩＦＡ） を用（コントローラー２４０）で２０〜７０
ｃｃ／ｍｉｎが望ましい。なお、ＰＰＭとはｐｅｎｔａ
ｆｌｕｏｒｏ−ｐｒｏｐａｎｏｙｌ ｐｉｖａｌｏｙｌ
ｍｅｔｈａｎｅであり、ＨＦＡはｈｅｘａｆｌｕｏｒ
ｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅである。
プラズマ発生室６へ酸素ガスをマスフローコントローラ
ー１３で制御して流量５０〜２００ ｃｃ／ｍｉｎで供
給し、マイクロ波源９より１２．５ ＧＨｚ、３００〜
８００Ｗのマイクロ波を導波路１１を経由してプラズマ
室６へ導き、同時に電磁コイル１２によって磁界を発生
させることで、酸素プラズマを発生させる。
ー１３で制御して流量５０〜２００ ｃｃ／ｍｉｎで供
給し、マイクロ波源９より１２．５ ＧＨｚ、３００〜
８００Ｗのマイクロ波を導波路１１を経由してプラズマ
室６へ導き、同時に電磁コイル１２によって磁界を発生
させることで、酸素プラズマを発生させる。
基板１５をヒーター１８によって４００〜６００’Ｃに
加熱した状態で、反応室１内に上述したようにしてを機
金属化合物ガスを導入しかつ酸素プラズマによる酸素イ
オンないしラジカルをアパーチャー７を通して反応室１
内へ導入する。このときの反応室１内は１０−”〜１０
−’Ｔｏｒｒになる。有機金属化合物ガスは分解しかつ
酸素と反応しながら基板１５上にＢａｚＹＣｕａＯｒ−
ｙが堆積して酸化物超伝導体薄膜を形成することができ
る。
加熱した状態で、反応室１内に上述したようにしてを機
金属化合物ガスを導入しかつ酸素プラズマによる酸素イ
オンないしラジカルをアパーチャー７を通して反応室１
内へ導入する。このときの反応室１内は１０−”〜１０
−’Ｔｏｒｒになる。有機金属化合物ガスは分解しかつ
酸素と反応しながら基板１５上にＢａｚＹＣｕａＯｒ−
ｙが堆積して酸化物超伝導体薄膜を形成することができ
る。
成膜後に、基板１５をマニピュレータ１６でもって反応
室１からロードロック室３へ搬出し、次の基板を反応室
１内へ搬入して、同様にして酸化物超伝導体薄膜を成膜
を成膜することができる。成膜処理が、原料の量に拘束
されずに、継続的に（連続的に）行なえる。
室１からロードロック室３へ搬出し、次の基板を反応室
１内へ搬入して、同様にして酸化物超伝導体薄膜を成膜
を成膜することができる。成膜処理が、原料の量に拘束
されずに、継続的に（連続的に）行なえる。
以上説明したように、本発明によれば、ＥＣＲによって
発生させた酸素イオンないしラジカルを利用しており、
かつ有機金属化合物ガスを使用しているので、ストイキ
オメトリが一定な酸化物超伝導体膜を比較的低温で再現
性良く、しかも、高スループツトに（継続的に）製造す
ることができる。
発生させた酸素イオンないしラジカルを利用しており、
かつ有機金属化合物ガスを使用しているので、ストイキ
オメトリが一定な酸化物超伝導体膜を比較的低温で再現
性良く、しかも、高スループツトに（継続的に）製造す
ることができる。
第１図は、本発明に係る酸化物超伝導体薄膜製造装置の
概略図である。 １・・・反応室、 ３・・・ロードロック室、６・・
・ＥＣＲのプラズマ発生室、 ９・・・マイクロ波発生源、 １５・・・基板、 １７・・・基板加熱支持°台、２
１Ａ〜２ＩＣ・・・有機金属化合物液、２５Ａ、２５Ｂ
・・・導入管。
概略図である。 １・・・反応室、 ３・・・ロードロック室、６・・
・ＥＣＲのプラズマ発生室、 ９・・・マイクロ波発生源、 １５・・・基板、 １７・・・基板加熱支持°台、２
１Ａ〜２ＩＣ・・・有機金属化合物液、２５Ａ、２５Ｂ
・・・導入管。
Claims (2)
- １．酸化物超伝導体を構成する複数の元素の各々の有機
化合物ガスおよび電子サイクロトロン共鳴法によって発
生させた酸素イオンないしラジカルを減圧反応室に導入
して加熱された基板上に酸化物超伝導体薄膜を製造する
方法。 - ２．真空ポンプに接続された反応室と、該反応室に付設
された電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生装置と、該
反応室内へ酸化物超伝導体を構成する複数の元素の有機
化合物ガスを各々導入する複数の管と、該反応室内に設
置された基板加熱支持台とからなる酸化物超伝導体薄膜
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183646A JPH0350104A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183646A JPH0350104A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350104A true JPH0350104A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16139438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183646A Pending JPH0350104A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04265206A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高温酸化物超伝導体薄膜の製造方法及び製造装置 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1183646A patent/JPH0350104A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04265206A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高温酸化物超伝導体薄膜の製造方法及び製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910007382B1 (ko) | 초전도 재료 및 초전도 박막의 제조방법 | |
| JP2012107317A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| WO1992017406A1 (en) | Production method for oxide superconductor film | |
| JPH01104774A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0350104A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法および製造装置 | |
| US20050241585A1 (en) | System for vaporizing materials onto a substrate surface | |
| JP2986799B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH06291375A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH01116079A (ja) | 薄膜作製装置 | |
| JPH04119906A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
| JP3111779B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| Gaitan et al. | Development of a Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System for High-Performance SRF Cavities | |
| JP2707470B2 (ja) | 分子線エピタキシ成長方法 | |
| JPH01317122A (ja) | 超伝導体とその製造方法 | |
| JPS6353255A (ja) | 炭素薄膜の形成方法 | |
| JPH03193876A (ja) | 薄膜成長方法および装置 | |
| JP2006351803A (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPH04349107A (ja) | 酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH0297402A (ja) | 酸化物超伝導体膜の形成装置及びその形成方法 | |
| JPS6324614A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02255504A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH02267105A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の形成方法 | |
| JPH02311313A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH04240105A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法及び酸化物超電導体薄膜の製造装置 | |
| JPH01304619A (ja) | 酸化物系超電導長尺材の製造装置 |