JP2006351803A - ジョセフソン素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
成膜対象物10bを真空雰囲気に置き、有機薄膜から成る第一の超伝導電極膜13表面にトリメチルアルミニウムを吸着させ、真空排気した後、オゾンガスを導入する。トリメチルアルミニウムとオゾンガスが反応し、酸化アルミニウム薄膜141が形成される。残留ガスや反応副生成物は真空排気によって除去する。トリメチルアルミニウムとオゾンガスの導入を交互に複数回行い、アルミナ薄膜141、142を積層させ、トンネル障壁膜を形成する。トンネル障壁膜の表面に第二の超伝導電極膜を形成すると、ジョセフソン素子が得られる。
【選択図】 図5
Description
なお、本発明と類似の成膜技術は下記文献に記載されている。
また、本発明は、前記トリメチルアルミニウムと前記オゾンは交互に導入するジョセフソン素子の製造方法である。
また、本発明は、前記第一の超伝導電極膜は、前記基板を真空雰囲気中に置き、有機薄膜材料の蒸気を放出させ、前記基板上に付着させて形成するジョセフソン素子の製造方法である。
導入するトリメチルアルミニウムはキャリアガス中に気体や蒸気として含有させることができる。
図1の符号10は、本発明の一例の薄膜製造方法によって作成したジョセフソン素子である。
このジョセフソン素子10は、基板11上に、第一の端子用電極膜12と、第一の超伝導電極膜13と、トンネル障壁膜15と、第二の超伝導電極膜16と、第二の端子用電極膜17とが形成されている。
この有機蒸着装置50は真空槽51を有しており、該真空槽51内の底壁側には一乃至複数台の有機蒸着源55a、55bが配置され、天井側には基板ホルダ56が配置されている。
この成膜装置70は真空槽71を有している。該真空槽71には真空排気系73が接続されており、真空排気系73を動作させ、真空槽71を予め真空排気しておく。そして、真空雰囲気を維持しながら成膜対象物10bを真空槽71内に搬入する。
第一、第二の超伝導電極膜13、16が、常温で超伝導状態になれば、ジョセフソン素子10も常温で動作する。
11……基板
13……第一の超伝導電極膜
15……トンネル障壁膜
16……第二の超伝導電極膜
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に配置された第一の超伝導電極膜と、
前記第一の超伝導電極膜と接触して配置されたトンネル障壁膜と、
前記トンネル障壁膜と接触して配置された第二の超伝導電極膜とを有し、
前記第トンネル障壁膜にトンネル電流が流れ得るように構成されたジョセフソン素子の製造方法であって、
前記第一の超伝導電極膜を露出させた状態で真空雰囲気に置き、前記真空雰囲気中にトリメチルアルミニウムを導入し、次いで、オゾンを導入してアルミナ薄膜を形成し、前記トンネル障壁膜とするジョセフソン素子の製造方法。 - 前記トリメチルアルミニウムと前記オゾンは交互に導入する請求項1記載のジョセフソン素子の製造方法。
- 前記第一の超伝導電極膜は、前記基板を真空雰囲気中に置き、有機薄膜材料の蒸気を放出させ、前記基板上に付着させて形成する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のジョセフソン素子の製造方法。
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