JPH03193876A - 薄膜成長方法および装置 - Google Patents
薄膜成長方法および装置Info
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- JPH03193876A JPH03193876A JP1335706A JP33570689A JPH03193876A JP H03193876 A JPH03193876 A JP H03193876A JP 1335706 A JP1335706 A JP 1335706A JP 33570689 A JP33570689 A JP 33570689A JP H03193876 A JPH03193876 A JP H03193876A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、有機金属のガスを原料として基板上に薄膜を
成長させる方法およびこの方法を実施するための装置に
関し、 原料として用いた有機金属中のフッ素を薄膜中に混入さ
せることなく、高い組成制御精度で極めて平滑性の優れ
た薄膜を安定して成長させることができる薄膜成長方法
およびこの方法を実施するための装置を提供することを
目的とし、本発明の方法は、有機金属のガスを原料とし
て基板上に薄膜を成長させる方法において、上記有機金
属の少なくとも１種としてフッ化β−ジケトン金属錯体
を用い、電極と上記基板との間で発生させたプラズマに
よって上記フッ化β−ジケトン金属錯体中のフッ素を解
離させるように構成し、本発明の装置は、固体有機金属
の蒸発装置を有し、この蒸発装置で発生させた有機金属
のガスを原料として基板上に薄膜を成長させる装置にお
いて、基板との間にプラズマを発生させる電極を有する
ように構成する。
成長させる方法およびこの方法を実施するための装置に
関し、 原料として用いた有機金属中のフッ素を薄膜中に混入さ
せることなく、高い組成制御精度で極めて平滑性の優れ
た薄膜を安定して成長させることができる薄膜成長方法
およびこの方法を実施するための装置を提供することを
目的とし、本発明の方法は、有機金属のガスを原料とし
て基板上に薄膜を成長させる方法において、上記有機金
属の少なくとも１種としてフッ化β−ジケトン金属錯体
を用い、電極と上記基板との間で発生させたプラズマに
よって上記フッ化β−ジケトン金属錯体中のフッ素を解
離させるように構成し、本発明の装置は、固体有機金属
の蒸発装置を有し、この蒸発装置で発生させた有機金属
のガスを原料として基板上に薄膜を成長させる装置にお
いて、基板との間にプラズマを発生させる電極を有する
ように構成する。
本発明は、有機金属のガスを原料として基板上に薄膜を
成長させる方法およびこの方法を実施するための装置に
関する。
成長させる方法およびこの方法を実施するための装置に
関する。
有機金属を原料として用いる薄膜成長方法として、有機
金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）および有機金属分子
線エピタキシャル成長法（ＭＯＭＢＥ）等が行われてい
る。これらの方法は、固体の有機金属を蒸発装置でガス
化し、このガスを用いて基板上に薄膜を形成するため、
成長させる薄膜の組成をガス流量で比較的容易かつ高精
度に制御できるという大きな利点がある。この高精度の
組成制御性を利用して、酸化物超伝導薄膜のように組成
の微妙な変動によって特性が大きく左右される多元系物
質の薄膜を成長させるためには極めて有利である。
金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）および有機金属分子
線エピタキシャル成長法（ＭＯＭＢＥ）等が行われてい
る。これらの方法は、固体の有機金属を蒸発装置でガス
化し、このガスを用いて基板上に薄膜を形成するため、
成長させる薄膜の組成をガス流量で比較的容易かつ高精
度に制御できるという大きな利点がある。この高精度の
組成制御性を利用して、酸化物超伝導薄膜のように組成
の微妙な変動によって特性が大きく左右される多元系物
質の薄膜を成長させるためには極めて有利である。
特に、酸化物超伝導薄膜は、従来スパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）等
によって成長させられていたが、成長ままの状態（いわ
ゆる「アズブローン（ａｓ−ｇｒｏｗｎ）状態」）で多
結晶薄膜であり、実際の半導体装置に適用し得る高品質
の超伝導薄膜とするには単結晶薄膜として成長させる必
要がある。
子ビーム蒸着法、分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）等
によって成長させられていたが、成長ままの状態（いわ
ゆる「アズブローン（ａｓ−ｇｒｏｗｎ）状態」）で多
結晶薄膜であり、実際の半導体装置に適用し得る高品質
の超伝導薄膜とするには単結晶薄膜として成長させる必
要がある。
現在、有機金属のガスを原料とするＭＯＣＶＤ法、ＭＯ
ＭＢＥ法等を用いて、高精度で組成制御した単結晶の酸
化物超伝導薄膜を成長させる方法の開発が行われている
。その際に原料として用いる有機金属としては、十分に
高い蒸気圧が得られることと、固体状態から蒸発させて
も十分に安定なもの、すなわち蒸発中に分解しにくいも
のである必要がある。酸化物超伝導体は、それ以前から
知られていた金属系の超伝導体に比べて飛躍的に臨界温
度が高いことが、実用性の面で最も大きな利点である。
ＭＢＥ法等を用いて、高精度で組成制御した単結晶の酸
化物超伝導薄膜を成長させる方法の開発が行われている
。その際に原料として用いる有機金属としては、十分に
高い蒸気圧が得られることと、固体状態から蒸発させて
も十分に安定なもの、すなわち蒸発中に分解しにくいも
のである必要がある。酸化物超伝導体は、それ以前から
知られていた金属系の超伝導体に比べて飛躍的に臨界温
度が高いことが、実用性の面で最も大きな利点である。
特に高い臨界温度を持つものとしては、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系、Ｂ１−３ｒ−ＣａＣｕ−０系等が有望である。
−０系、Ｂ１−３ｒ−ＣａＣｕ−０系等が有望である。
これらの金属成分を提供でき且つ安定に蒸発し得る有機
金属は極めて限られており、上記の例ではＢｉ供給源と
してはトリフェニルビスマスが用いられているが、Ｂｉ
基以外Ｙ、Ｂａ５Ｃｕ、Ｓｒ、Ｃａの各供給源としては
下式（１）に示したフッ化β−ジケトン金属錯体すなわ
ちβ−ジケトンのＨＦ Ａ （ｈｅｘａｆｌｕ。
金属は極めて限られており、上記の例ではＢｉ供給源と
してはトリフェニルビスマスが用いられているが、Ｂｉ
基以外Ｙ、Ｂａ５Ｃｕ、Ｓｒ、Ｃａの各供給源としては
下式（１）に示したフッ化β−ジケトン金属錯体すなわ
ちβ−ジケトンのＨＦ Ａ （ｈｅｘａｆｌｕ。
ｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ）金属錯体が実
際上使用し得る唯一の有機金属として知られている。
際上使用し得る唯一の有機金属として知られている。
フッ化β−ジケトン金属錯体は蒸気圧も蒸発時の安定性
も実用上十分であるが、含有されるフ・ン素が薄膜中に
混入してしまうため、薄膜の超伝導特性を劣化させてし
まう。この混入フ・ン素を排除するためには、成長した
薄膜に水蒸気アニールを施すことが考えられる。しかし
、水蒸気アニールはフッ素を完全に排除できないばかり
でなく、薄膜表面を荒らしてしまう（例えば表゛面が直
径数μ鴎、高さ５０００人程度０粒状になる）ため、そ
の上にデバイスの素子形成を行うのに通さな（なるとい
う問題があった。
も実用上十分であるが、含有されるフ・ン素が薄膜中に
混入してしまうため、薄膜の超伝導特性を劣化させてし
まう。この混入フ・ン素を排除するためには、成長した
薄膜に水蒸気アニールを施すことが考えられる。しかし
、水蒸気アニールはフッ素を完全に排除できないばかり
でなく、薄膜表面を荒らしてしまう（例えば表゛面が直
径数μ鴎、高さ５０００人程度０粒状になる）ため、そ
の上にデバイスの素子形成を行うのに通さな（なるとい
う問題があった。
本発明は、原料として用いた有機金属中のフッ素を薄膜
中に混入させることなく、高い組成制御精度で極めて平
滑性の優れた薄膜を安定して成長させることができる薄
膜成長方法およびこの方法を実施するための装置を提供
することを目的とする。
中に混入させることなく、高い組成制御精度で極めて平
滑性の優れた薄膜を安定して成長させることができる薄
膜成長方法およびこの方法を実施するための装置を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記の目的は、本発明によれば、有機金属のガスを原料
として基板上に薄膜を成長させる方法において、上記有
機金属の少なくとも１種としてフッ化β−ジケトン金属
錯体を用い、電極と上記基板との間で発生させたプラズ
マによって上記フッ化β−ジケトン金属錯体中のフッ素
を解離させることを特徴とする薄膜成長方法によって達
成される。
として基板上に薄膜を成長させる方法において、上記有
機金属の少なくとも１種としてフッ化β−ジケトン金属
錯体を用い、電極と上記基板との間で発生させたプラズ
マによって上記フッ化β−ジケトン金属錯体中のフッ素
を解離させることを特徴とする薄膜成長方法によって達
成される。
本発明の方法は、固体有機金属の蒸発装置を有し、この
蒸発装置で発生させた有機金属のガスを原料として基板
上に薄膜を成長させる装置において、基板との間にプラ
ズマを発生させる電極を有することを特徴とする薄膜成
長装置を用いて実施することができる。
蒸発装置で発生させた有機金属のガスを原料として基板
上に薄膜を成長させる装置において、基板との間にプラ
ズマを発生させる電極を有することを特徴とする薄膜成
長装置を用いて実施することができる。
フッ化β−ジケトン金属錯体は常温では固体であるが、
■００〜２００°Ｃ程度に加熱することにより蒸発して
ガス化する。本発明の装置は、フッ化β−ジケトン金属
錯体を含めて固体有機金属原料の蒸発を行うための装置
を具備する。
■００〜２００°Ｃ程度に加熱することにより蒸発して
ガス化する。本発明の装置は、フッ化β−ジケトン金属
錯体を含めて固体有機金属原料の蒸発を行うための装置
を具備する。
本発明の方法および装置は、酸化物超伝導薄膜の成長に
適用すると特に有利である。ただし、本発明は、酸化物
超伝導薄膜以外でも、フッ化β−ジケトン金属錯体を有
機金属原料として用いる薄膜成長に適用するがことでき
る。
適用すると特に有利である。ただし、本発明は、酸化物
超伝導薄膜以外でも、フッ化β−ジケトン金属錯体を有
機金属原料として用いる薄膜成長に適用するがことでき
る。
本発明によれば、フッ化β−ジケトン金属錯体のフッ素
をプラズマによって解離させるので、成長した薄膜中に
フッ素が混入しない。
をプラズマによって解離させるので、成長した薄膜中に
フッ素が混入しない。
以下に、添付図面を参照し、実施例によって本発明を更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
［実施例］
１隻炭上
第１図に、本発明に従って酸化物超伝導薄膜を成長させ
るための有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置の構成例
を示す。
るための有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置の構成例
を示す。
真空容器ｌ内に、基板Ｓを保持するための基板支持台２
と、基板支持台２と対向して配置されたプラズマ発生用
電極３とが設けられている。基板支持台２は図示しない
加熱器を内蔵しており、この加熱器によって所定の薄膜
成長温度に加熱・保持される。高周波（ＲＦ）電源４は
、プラズマ発生用電極３と基板Ｓとの間に高周波電圧を
印加する。真空容器ｌは、排気口５を介して図示しない
真空排気系に接続されている。６は有機金属ガスの導入
口、７は酸素の導入口、１１．１２．および１３は固体
有機金属の蒸発装置、１４はキャリアガス供給源、２１
，２２．および２３は蒸発装置で発生した有機金属ガス
のための流量調節弁、３１．３２．および３３はキャリ
アガスのための流量調節弁である。
と、基板支持台２と対向して配置されたプラズマ発生用
電極３とが設けられている。基板支持台２は図示しない
加熱器を内蔵しており、この加熱器によって所定の薄膜
成長温度に加熱・保持される。高周波（ＲＦ）電源４は
、プラズマ発生用電極３と基板Ｓとの間に高周波電圧を
印加する。真空容器ｌは、排気口５を介して図示しない
真空排気系に接続されている。６は有機金属ガスの導入
口、７は酸素の導入口、１１．１２．および１３は固体
有機金属の蒸発装置、１４はキャリアガス供給源、２１
，２２．および２３は蒸発装置で発生した有機金属ガス
のための流量調節弁、３１．３２．および３３はキャリ
アガスのための流量調節弁である。
第１図の有機金属気相成長装置は次のように作動する。
真空容器１を、排気口５を介して図示しない真空排気系
によって必要な真空度にまで排気する。
によって必要な真空度にまで排気する。
蒸発装置１１，１２．および１３内には、成長させる酸
化物超伝導薄膜の組成に応じて必要な原料として固体有
機金属が装入されており、これら各固体有機金属原料を
所定温度に加熱することによりガス化する。例えば、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ−０酸化物超伝導薄膜あるいはＢ １−３
ｒ−Ｃａ−ＣｕＯ酸化物超伝導薄膜を成長させる場合、
Ｂｉを供給する有機金属原料としてはトリフェニルビス
マスを用い、Ｂｉ基以外Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｓｒ。
化物超伝導薄膜の組成に応じて必要な原料として固体有
機金属が装入されており、これら各固体有機金属原料を
所定温度に加熱することによりガス化する。例えば、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ−０酸化物超伝導薄膜あるいはＢ １−３
ｒ−Ｃａ−ＣｕＯ酸化物超伝導薄膜を成長させる場合、
Ｂｉを供給する有機金属原料としてはトリフェニルビス
マスを用い、Ｂｉ基以外Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｓｒ。
Ｃａを供給する有機金属原料としては、各金属のフッ化
β−ジケトン錯体すなわちβ−ジケトンのＨＦ Ａ 、
（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔ
ｅ ）錯体を用いる。
β−ジケトン錯体すなわちβ−ジケトンのＨＦ Ａ 、
（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔ
ｅ ）錯体を用いる。
蒸発装置１１．１２．および１３で発生した有機金属の
ガスは、それぞれ流量調節弁２１．２２゜および２３で
所定流量に調節され、キャリアガス供給源１４から流量
調節弁３１，３２．および３３を介して導入されたＡｒ
等の不活性なキャリアガスによって搬送され、合流・混
合した後に有機金属ガス導入口６から真空容器１内に導
入される。
ガスは、それぞれ流量調節弁２１．２２゜および２３で
所定流量に調節され、キャリアガス供給源１４から流量
調節弁３１，３２．および３３を介して導入されたＡｒ
等の不活性なキャリアガスによって搬送され、合流・混
合した後に有機金属ガス導入口６から真空容器１内に導
入される。
真空容器１内に導入された有機金属ガス混合物は、酸素
導入ロアから導入された酸素と更に混合され、原料ガス
混合物として基板Ｓ上に達する。高周波電源４を作動さ
せて電極３と基板Ｓとの間にプラズマを発生させる。原
料ガス混合物がこのプラズマに晒されることにより、原
料ガス混合物中のフッ化β−ジケトン金属錯体からフッ
素が解離し除去される。基板Ｓ上では通常の有機金属気
相成長反応によって所定組成の酸化物超伝導薄膜が成長
する。
導入ロアから導入された酸素と更に混合され、原料ガス
混合物として基板Ｓ上に達する。高周波電源４を作動さ
せて電極３と基板Ｓとの間にプラズマを発生させる。原
料ガス混合物がこのプラズマに晒されることにより、原
料ガス混合物中のフッ化β−ジケトン金属錯体からフッ
素が解離し除去される。基板Ｓ上では通常の有機金属気
相成長反応によって所定組成の酸化物超伝導薄膜が成長
する。
第１図の装置を用い、上記と同様な操作を行うて、ＹＢ
ａｔＣｕａＯｘ酸化物超伝導薄膜を成長させた。成長条
件は下記の通りであった。
ａｔＣｕａＯｘ酸化物超伝導薄膜を成長させた。成長条
件は下記の通りであった。
底長魚註
基板：Ｍｇ０（１００）
基板温度二８２０°Ｃ
有機金属原料／バブラー温度：
Ｙ （ＨＦＡ） ｓ ／ ｌ ＯＯｏＣＢａ （ＨＦＡ
）！ ／１５０°Ｃ Ｃｕ （ＨＦＡ）ｚ ／１００″Ｃ 酸素流量：５０ＳＣＣＭ キャリアガス（Ａｒ）流量：２００ＳＣＣＭ成長圧：５
Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ ＲＦ出カニ １００Ｗ（１３，５６ＭＨｚ）成長膜厚：
約１０００人 ル較桝土 実施例１の装置を用い、実施例１と同様の操作手順およ
び成長条件でＹＢａｚＣｕ３Ｃ）を酸化物超伝導薄膜を
成長させた。ただし高周波によるプラズマ発生は行わな
かった。
）！ ／１５０°Ｃ Ｃｕ （ＨＦＡ）ｚ ／１００″Ｃ 酸素流量：５０ＳＣＣＭ キャリアガス（Ａｒ）流量：２００ＳＣＣＭ成長圧：５
Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ ＲＦ出カニ １００Ｗ（１３，５６ＭＨｚ）成長膜厚：
約１０００人 ル較桝土 実施例１の装置を用い、実施例１と同様の操作手順およ
び成長条件でＹＢａｚＣｕ３Ｃ）を酸化物超伝導薄膜を
成長させた。ただし高周波によるプラズマ発生は行わな
かった。
実施例１および比較例２で成長させたＹ Ｂ ａ ｔＣ
ｕ、Ｏ，酸化物超伝導薄膜について、フッ素分析（ＥＤ
Ｘ法による）と成長ままの状態での臨界温度（Ｔ ｃ
）測定（四探子法による）を行った。
ｕ、Ｏ，酸化物超伝導薄膜について、フッ素分析（ＥＤ
Ｘ法による）と成長ままの状態での臨界温度（Ｔ ｃ
）測定（四探子法による）を行った。
プラズマを用いない比較例の薄膜５では、膜中に５〜１
０％のフッ素が混入しており、液体ヘリウム温度までの
低温においても超伝導特性は示さなかった。
０％のフッ素が混入しており、液体ヘリウム温度までの
低温においても超伝導特性は示さなかった。
これに対し、本発明に従ってプラズマを用いた実施例の
薄膜は、フッ素混入量が０．１％以下であり、Ｔｃ−７
０Ｋが得られた。また、薄膜表面も、その上に素子形成
をするのに十分な平滑性を有していた。
薄膜は、フッ素混入量が０．１％以下であり、Ｔｃ−７
０Ｋが得られた。また、薄膜表面も、その上に素子形成
をするのに十分な平滑性を有していた。
２隻班又
第２図に、本発明に従って酸化物超伝導薄膜を成長させ
るための有機金属分子線エピタキシャル（ＭＯＭＢＥ）
装置の構成例を示す。
るための有機金属分子線エピタキシャル（ＭＯＭＢＥ）
装置の構成例を示す。
真空容器１０１内に、基板Ｓを保持するための基板支持
台１０２と、基板支持台１０２と対向して配置されたリ
ング状のプラズマ発生用電極１０３とが設けられている
。基板支持台１０２は図示しない加熱器を内蔵しており
、この加熱器によって所定の薄膜成長温度に加熱・保持
される。高周波（ＲＦ）電源１０４は、プラズマ発生用
電極１０３と基板Ｓとの間に高周波電圧を印加する。真
空容器１０１は、排気口１０５を介して図示しない真空
排気系に接続されている。１６１，１６２゜および１６
３はそれぞれ有機金属原料ガスの導入口あるいは分子線
源、１５１，１５２．および１５３はそれぞれ導入口（
分子線源）１６１．１６２ および１６３からの有機金
属原料ガスの分子線の放射量を調節するためのシャッタ
ー、１０７は酸素の導入口、１１１，１１２．および１
１３は固体有機金属原料の蒸発装置、１１４はキャリア
ガス供給源、１２１，１２２．および１２３は蒸発装置
で発生した有機金属原料ガスのための流量調節弁、１３
１，１３２．および１３３はキャリアガスのための流量
調節弁である。
台１０２と、基板支持台１０２と対向して配置されたリ
ング状のプラズマ発生用電極１０３とが設けられている
。基板支持台１０２は図示しない加熱器を内蔵しており
、この加熱器によって所定の薄膜成長温度に加熱・保持
される。高周波（ＲＦ）電源１０４は、プラズマ発生用
電極１０３と基板Ｓとの間に高周波電圧を印加する。真
空容器１０１は、排気口１０５を介して図示しない真空
排気系に接続されている。１６１，１６２゜および１６
３はそれぞれ有機金属原料ガスの導入口あるいは分子線
源、１５１，１５２．および１５３はそれぞれ導入口（
分子線源）１６１．１６２ および１６３からの有機金
属原料ガスの分子線の放射量を調節するためのシャッタ
ー、１０７は酸素の導入口、１１１，１１２．および１
１３は固体有機金属原料の蒸発装置、１１４はキャリア
ガス供給源、１２１，１２２．および１２３は蒸発装置
で発生した有機金属原料ガスのための流量調節弁、１３
１，１３２．および１３３はキャリアガスのための流量
調節弁である。
第２図の有機金属分子線エピタキシャル成長装置では、
従来の有機金属分子線エピタキシャル成長装置に加えて
、分子線源１６１，１６２．および１６３と基板Ｓとの
間に、プラズマ発生用電極１０３が設けられている。高
周波電源１０４によって、電極１０３と基板Ｓとの間に
プラズマが発生し、各分子線源から放射された有機金属
ガス分子がこのプラズマ中を通過する際に、有機金属原
料として用いられたフッ化β−ジケトン金属錯体中のフ
ッ素が解離して除去される。これにより、基板Ｓ上では
、フッ素を実質的に含有しない有機金属分子と、導入口
１０７からの酸素分子とが反応に関与して、通常の有機
金属分子線エピタキシャル成長反応により、所定組成の
酸化物超伝導薄膜が成長する。
従来の有機金属分子線エピタキシャル成長装置に加えて
、分子線源１６１，１６２．および１６３と基板Ｓとの
間に、プラズマ発生用電極１０３が設けられている。高
周波電源１０４によって、電極１０３と基板Ｓとの間に
プラズマが発生し、各分子線源から放射された有機金属
ガス分子がこのプラズマ中を通過する際に、有機金属原
料として用いられたフッ化β−ジケトン金属錯体中のフ
ッ素が解離して除去される。これにより、基板Ｓ上では
、フッ素を実質的に含有しない有機金属分子と、導入口
１０７からの酸素分子とが反応に関与して、通常の有機
金属分子線エピタキシャル成長反応により、所定組成の
酸化物超伝導薄膜が成長する。
以上の実施例では、酸化物超伝導薄膜の成長に本発明を
通用した例を説明したが、有機金属原料としてフッ化β
−ジケトン金属錯体を用いる薄膜の成長であれば本発明
を適用することができる。
通用した例を説明したが、有機金属原料としてフッ化β
−ジケトン金属錯体を用いる薄膜の成長であれば本発明
を適用することができる。
以上説明したように、本発明は、有機金属原料としてフ
ッ化β−ジケトン金属錯体を用いた１ｍの成長において
、有機金属原料中のフッ素を薄膜中に混入させることな
く、高い組成制御精度で極めて平滑性の優れた薄膜を安
定して成長させることができる。
ッ化β−ジケトン金属錯体を用いた１ｍの成長において
、有機金属原料中のフッ素を薄膜中に混入させることな
く、高い組成制御精度で極めて平滑性の優れた薄膜を安
定して成長させることができる。
第１図は、本発明に従った有機金属気相成長装置の構成
例を示す配置図、および 第２図は、本発明に従った有機金属分子線エピタキシャ
ル成長装置の構成例を示す配置図である。 １．１０１：真空容器、Ｓ二基板、 ２．１０２二基板支持台２． ３．１０３：プラズマ発生用電極、 ４．１０４：高周波（ＲＦ）電源４． ５．１０５：排気口、 ６．１６１，１６２，１６３：有機金属ガスの導入口、 ７．１０７：酸素の導入口、 １１．１２，１３，１１１，１１２．１１３：固体有機
金属の蒸発装置、 １４．１１４：キャリアガスの供給源、２１．２２，２
３，１２１，１２２，１２３：有機金属ガスの流量調節
弁、 ３１．３２，３３，１３１，１３２．ｔ３ａ：キャリア
ガスの流量調節弁、 １５１．１５２．ｉ５３：シャッター
例を示す配置図、および 第２図は、本発明に従った有機金属分子線エピタキシャ
ル成長装置の構成例を示す配置図である。 １．１０１：真空容器、Ｓ二基板、 ２．１０２二基板支持台２． ３．１０３：プラズマ発生用電極、 ４．１０４：高周波（ＲＦ）電源４． ５．１０５：排気口、 ６．１６１，１６２，１６３：有機金属ガスの導入口、 ７．１０７：酸素の導入口、 １１．１２，１３，１１１，１１２．１１３：固体有機
金属の蒸発装置、 １４．１１４：キャリアガスの供給源、２１．２２，２
３，１２１，１２２，１２３：有機金属ガスの流量調節
弁、 ３１．３２，３３，１３１，１３２．ｔ３ａ：キャリア
ガスの流量調節弁、 １５１．１５２．ｉ５３：シャッター
Claims (2)
- １．有機金属のガスを原料として基板上に薄膜を成長さ
せる方法において、上記有機金属の少なくとも１種とし
てフッ化β−ジケトン金属錯体を用い、電極と上記基板
との間で発生させたプラズマによって上記フッ化β−ジ
ケトン金属錯体中のフッ素を解離させることを特徴とす
る薄膜成長方法。 - ２．固体有機金属の蒸発装置を有し、この蒸発装置で発
生させた有機金属のガスを原料として基板上に薄膜を成
長させる装置において、基板との間にプラズマを発生さ
せる電極を有することを特徴とする請求項１記載の方法
を実施するための薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1335706A JPH03193876A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 薄膜成長方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1335706A JPH03193876A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 薄膜成長方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03193876A true JPH03193876A (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=18291570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1335706A Pending JPH03193876A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 薄膜成長方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03193876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814062A1 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Process for producing a thin film of a metal fluoride on a substrate |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1335706A patent/JPH03193876A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814062A1 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Process for producing a thin film of a metal fluoride on a substrate |
| US5891531A (en) * | 1996-06-21 | 1999-04-06 | Yamamura Glass Co., Ltd. | Process for producing a thin film of a flouride |
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