JPH0349475Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0349475Y2 JPH0349475Y2 JP14302485U JP14302485U JPH0349475Y2 JP H0349475 Y2 JPH0349475 Y2 JP H0349475Y2 JP 14302485 U JP14302485 U JP 14302485U JP 14302485 U JP14302485 U JP 14302485U JP H0349475 Y2 JPH0349475 Y2 JP H0349475Y2
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- JP
- Japan
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- transistor
- transistors
- emitter
- current
- base
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はマルチバイブレータを使用する発振回
路に関するもので、特にVTRの周波数変調器と
して使用し得るIC（集積回路）化に適した発振回
路に関する。 (ロ) 従来の技術 従来、マルチバイブレータ型の発振回路が知ら
れている。前記発振回路をFM変調器に用いる場
合入力電圧と発振周波数との間に十分な直線性が
存在しなければならない。例えばVTRにおいて
は、この直線性が悪いと再生されたビデオ信号に
歪が発生し、再生画質の劣化を招く。特公昭59−
30337には、エミツタ結合型マルチバイブレータ
を用いた発振回路が記載されている。前記発振回
路を第２図に示す。この発振回路の発振周波数
F0は F0＝I0／2C△Ｖ ……(1) 〔ただし、I0はトランジスタ１のコレクタ電
流、ＣはＡ点とＢ点との間に接続されたコンデ
ンサの容量値、△ＶはＡ点又はＢ点に得られる
波形の波高値〕 で表わされる。前記第(1)式において、点Ａ及びＢ
に得られる電圧（第３図）の波高値△Ｖは、接続
点１０の電位をEa、接続点１１の電位をEbとす
れば △Ｖ＝２（Ea−Eb） ……(2) と表わされる。 従つて、第(1)式のＣ及び△Ｖは定数になるの
で、発振周波数F0は電流I0に比例するものにな
る。ところで、トランジスタ１のコレクタ電流I0
が変化すると、トランジスタ３，４及びトランジ
スタ１２，１３のベース電流が変化し、その電流
が抵抗９に流れるので、厳密に言えば抵抗９の両
端電圧はトランジスタ１のコレクタ電流I0に応じ
て変化することになる。特に第２図の回路を
VTRのFM変調器に使用すると、入力電圧E0の
変化が大きく電流I0の変化も大きいため、抵抗９
の両端電圧の変化が無視できず、発振周波数F0
は電流I0に比例しなくなる。この問題は、トラン
ジスタ２，３，４，１２及び１３のベースを低イ
ンピーダンス化し、それぞれのベース電流に対し
て抵抗９の両端電圧が変化しない様にすることが
解決される。 (ハ) 考案が解決しようとする問題点 しかしながら、その場合でも発振周波数F0と
電流I0との直線性が厳密に保たれるとは言えな
い。前記(2)式に示される波高値△Ｖは、トランジ
スタ２乃至８のベース・エミツタ間電圧を考慮す
ると、 △Ｖ＝２｛（Ea−Eb）−（Vf1−Vf0）｝ ……(3) 〔ただし、Vf1はトランジスタ２のベース、エ
ミツタ間電圧、Vf0はトランジスタ３及び４の
ベース・エミツタ間電圧〕 となるが、（Vf1−Vf0）はトランジスタ１のコレ
クタ電流I0に応じて変化するので、△Ｖも前記電
流I0に応じて変化する。尚、第(3)式においては、
トランジスタ５と６及びトランジスタ７と８のベ
ース・エミツタ間電圧を等しいものとしている。
ところで抵抗１４及び１５の値を等しくし、トラ
ンジスタ２のエミツタ電流をIE1とすれば、トラ
ンジスタ３及び４のオン時のエミツタ電流IE0は、
夫々I0−IE1と表わせる。その場合、電圧対周波数
特性の低周波領域における劣化防止のため抵抗１
４及び１５の値は大に設定されるので、IE0≫IE1
になり、トランジスタ３及び４のエミツタ電流
IE0は、トランジスタ２のエミツタ電流IE1に比べ
電流I0に対する依存性が高い。その為、電流I0が
変化したときのトランジスタ３及び４のベース・
エミツタ間電圧Vf0の変化は、トランジスタ２の
ベース・エミツタ間電圧Vf1の変化に比べ大にな
り、Vf1−Vf0が電流I0の変化に応じて変化するこ
とになる。従つて、△Ｖも電流I0に応じて変化
し、発振周波数F0は電流I0に比例しなくなり、十
分な直線性が得られなくなる。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は上述の点に鑑み成されたもので、交互
にオンオフする第１及び第２トランジスタを備え
るマルチバイブレータと、前記第１及び第２トラ
ンジスタのコレクタ間に直列接続された第１及び
第２抵抗と、前記第１及び第２トランジスタのコ
レクタにそれぞれエミツタが接続された第３及び
第４トランジスタと、前記第１及び第２抵抗の接
続点と前記第３及び第４トランジスタのコレクタ
とにエミツタが接続された第５トランジスタとを
備えるものである。 (ホ) 作用 本考案によれば、第５トランジスタのエミツタ
に流れる電流と第３及び第４トランジスタのエミ
ツタに流れる電流とが等しくなるので、第５トラ
ンジスタのベース・エミツタ間電圧と第３及び第
４トランジスタのベース・エミツタ間電圧が等し
くなり、第(3)式の△Ｖは一定となる。その為、発
振回路の発振周波数F0を動作電流I0に比例させる
ことが出来る。 (ヘ) 実施例 第１図は本考案の一実施例を示す回路図で、１
６はトランジスタ５，６，７，８及びコンデンサ
１７から成るエミツタ結合型の無安定マルチバイ
ブレータ、１８はトランジスタ１，１２，１３及
び抵抗１９からなりマルチバイブレータ１６の動
作電流を定める電流源回路、２０はトランジスタ
２，３，４から成るマルチバイブレータ１６の給
電回路である。尚、第１図において第２図と同一
の回路素子には同一の図番が付してある。マルチ
バイブレータ１６はトランジスタ７及び８が交互
に導通し、コンデンサ１７が充放電して所定の発
振が行なわれる。電流源回路１８はコンデンサ１
７の充電電流を定めるもので、トランジスタ１
２，１３のベースは共通接続され、所定の直流電
圧が印加されており、夫々のエミツタ電流は等し
く成されている。又、トランジスタ１のベース
は、入力電圧E0が印加される入力端子２２に接
続されているため、トランジスタ１のコレクタ電
流I0は入力電圧E0に応じたものになり例えば、
VTRの変調回路として使用する場合、輝度信号
を入力端子２２に印加すれば、輝度信号に応じた
電流がトランジスタ１のコレクタに流れる。給電
回路２０はマルチバイブレータ１６に直流電流＋
VCCから電流を供給するものである。トランジス
タ３，４のベースは互いに共通接続され、トラン
ジスタ２３のエミツタに接続されている。トラン
ジスタ２３のベースには、抵抗９と抵抗２４との
接続点１１の電位Ebが与えられている。トラン
ジスタ３及び４のコレクタは互いに共通接続さ
れ、トランジスタ２のエミツタと接続されてい
る。トランジスタ３と４は交互にオン、オフを行
い、オンの場合、各々のエミツタ電圧はEb−Vf0
となる。トランジスタ２のベースはトランジスタ
２５のエミツタに接続されており、トランジスタ
２５のベースには、抵抗２６と９との接続点１０
の電位Eaが与えられているため、トランジスタ
２のエミツタにはEa−Vf1なる電圧が与えられて
いる。ここでトランジスタ２３及び２５はトラン
ジスタ３，４及び２のベースを低インピーダンス
化する為のものである。尚、トランジスタ２のベ
ース電圧はEaよりもトランジスタ２５のベー
ス・エミツタ間電圧だけ低いが、トランジスタ３
と４のベース電圧もEbよりトランジスタ２３の
ベース・エミツタ間電圧だけ低く、両ベース・エ
ミツタ間電圧は等しいので説明の便宜上、トラン
ジスタ２のベース電圧をEa、トランジスタ３，
４のベース電圧をEbとしている。 次にマルチバイブレータ１６を構成するトラン
ジスタ７がオン、トランジスタ８がオフで、トラ
ンジスタ１のベースに入力端子２２から入力電圧
E0が印加されている状態について説明する。第
１図の発振回路の発振周波数F0も前記第(1)式で
表わすことが出来、波高値△Ｖも前記第(3)式で表
わすことが出来る。トランジスタ１のベースに入
力電圧E0が印加されているため、トランジスタ
１のコレクタには電流I0が流れ、トランジスタ７
がオン、トランジスタ８がオフのため、トランジ
スタ３はオン、トランジスタ４はオフとなる。そ
の為トランジスタ２のエミツタ電流はトランジス
タ３のコレクタ・エミツタを介してトランジスタ
７のコレクタに供給されるとともに、抵抗１４を
介してトランジスタ７のコレクタに供給される。
従つて、トランジスタ２のエミツタ電流をIE1、
トランジスタ３のエミツタ電流をIE0、抵抗１４
に流れる電流をIR、トランジスタ７に流れる電流
をI0とすれば次式が成り立つ。 IE1＝I0 ……(4) IE0＝I0−IR ……(5) となる。抵抗１４は大きい値であり、I0≫IEであ
るから、(4)及び(5)式からIE1≒IE0となる。その為
トランジスタ２とトランジスタ３のベース・エミ
ツタ間電圧Vf1及びVf0は等しくなり、Vf1−Vf0≒
０となる。従つて第(3)式の△Ｖはトランジスタ１
のベースへの入力電圧E0が変化し、トランジス
タ１のコレクタ電流I0が変化した場合も一定の値
を保つ。又、逆にマルチバイブレータを構成する
トランジスタ７がオフ、トランジスタ８がオンの
場合も同様に、トランジスタ３がオフ、トランジ
スタ４がオンとなる。その為トランジスタ２のエ
ミツタ電流は、トランジスタ４のコレクタ・エミ
ツタを介してトランジスタ８のコレクタに供給さ
れるとともに、抵抗１５を介してトランジスタ８
のコレクタに供給される。その為、トランジスタ
２とトランジスタ４のベース・エミツタ間電圧
Vf1及びVf0は等しくなり、Vf1−Vf0≒０となる。
従つて△Ｖも一定の値を保つ。 従つて、本考案に依れば、トランジスタ２乃至
８のベース・エミツタ間電圧を考慮した場合も、
発振器の発振周波数F0が入力電圧E0に応じて流
れる電流I0に比例する。 (ト) 考案の効果 それ故、本考案によれば発振回路の発振周波数
F0を入力電圧E0に正確に対応させることができ
る。そのため、本考案に係る発振回路をFM変調
器に用いた場合、その直線性の改善を行うことが
でき、信号の歪率が改善できるとともに、前記直
線性の改善を素子数の増加を招くことなく行うこ
とができる。特に高い周波数での直線性が改善さ
れるため、ハイフアイVTR、高画質VTRなどの
ように高い周波数での直線性が必要とされる機器
に用いて、その効果は大きい。又、トランジスタ
２及びトランジスタ３，４の整合をとれば各々の
エミツタ電流が等しくなり、Vf1とVf0の温度特性
が一致し（Vf1−Vf0）の温度変化がなくなり、発
振周波数F0の温度特性も改善されるので、IC化
に適したものになる。
路に関するもので、特にVTRの周波数変調器と
して使用し得るIC（集積回路）化に適した発振回
路に関する。 (ロ) 従来の技術 従来、マルチバイブレータ型の発振回路が知ら
れている。前記発振回路をFM変調器に用いる場
合入力電圧と発振周波数との間に十分な直線性が
存在しなければならない。例えばVTRにおいて
は、この直線性が悪いと再生されたビデオ信号に
歪が発生し、再生画質の劣化を招く。特公昭59−
30337には、エミツタ結合型マルチバイブレータ
を用いた発振回路が記載されている。前記発振回
路を第２図に示す。この発振回路の発振周波数
F0は F0＝I0／2C△Ｖ ……(1) 〔ただし、I0はトランジスタ１のコレクタ電
流、ＣはＡ点とＢ点との間に接続されたコンデ
ンサの容量値、△ＶはＡ点又はＢ点に得られる
波形の波高値〕 で表わされる。前記第(1)式において、点Ａ及びＢ
に得られる電圧（第３図）の波高値△Ｖは、接続
点１０の電位をEa、接続点１１の電位をEbとす
れば △Ｖ＝２（Ea−Eb） ……(2) と表わされる。 従つて、第(1)式のＣ及び△Ｖは定数になるの
で、発振周波数F0は電流I0に比例するものにな
る。ところで、トランジスタ１のコレクタ電流I0
が変化すると、トランジスタ３，４及びトランジ
スタ１２，１３のベース電流が変化し、その電流
が抵抗９に流れるので、厳密に言えば抵抗９の両
端電圧はトランジスタ１のコレクタ電流I0に応じ
て変化することになる。特に第２図の回路を
VTRのFM変調器に使用すると、入力電圧E0の
変化が大きく電流I0の変化も大きいため、抵抗９
の両端電圧の変化が無視できず、発振周波数F0
は電流I0に比例しなくなる。この問題は、トラン
ジスタ２，３，４，１２及び１３のベースを低イ
ンピーダンス化し、それぞれのベース電流に対し
て抵抗９の両端電圧が変化しない様にすることが
解決される。 (ハ) 考案が解決しようとする問題点 しかしながら、その場合でも発振周波数F0と
電流I0との直線性が厳密に保たれるとは言えな
い。前記(2)式に示される波高値△Ｖは、トランジ
スタ２乃至８のベース・エミツタ間電圧を考慮す
ると、 △Ｖ＝２｛（Ea−Eb）−（Vf1−Vf0）｝ ……(3) 〔ただし、Vf1はトランジスタ２のベース、エ
ミツタ間電圧、Vf0はトランジスタ３及び４の
ベース・エミツタ間電圧〕 となるが、（Vf1−Vf0）はトランジスタ１のコレ
クタ電流I0に応じて変化するので、△Ｖも前記電
流I0に応じて変化する。尚、第(3)式においては、
トランジスタ５と６及びトランジスタ７と８のベ
ース・エミツタ間電圧を等しいものとしている。
ところで抵抗１４及び１５の値を等しくし、トラ
ンジスタ２のエミツタ電流をIE1とすれば、トラ
ンジスタ３及び４のオン時のエミツタ電流IE0は、
夫々I0−IE1と表わせる。その場合、電圧対周波数
特性の低周波領域における劣化防止のため抵抗１
４及び１５の値は大に設定されるので、IE0≫IE1
になり、トランジスタ３及び４のエミツタ電流
IE0は、トランジスタ２のエミツタ電流IE1に比べ
電流I0に対する依存性が高い。その為、電流I0が
変化したときのトランジスタ３及び４のベース・
エミツタ間電圧Vf0の変化は、トランジスタ２の
ベース・エミツタ間電圧Vf1の変化に比べ大にな
り、Vf1−Vf0が電流I0の変化に応じて変化するこ
とになる。従つて、△Ｖも電流I0に応じて変化
し、発振周波数F0は電流I0に比例しなくなり、十
分な直線性が得られなくなる。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は上述の点に鑑み成されたもので、交互
にオンオフする第１及び第２トランジスタを備え
るマルチバイブレータと、前記第１及び第２トラ
ンジスタのコレクタ間に直列接続された第１及び
第２抵抗と、前記第１及び第２トランジスタのコ
レクタにそれぞれエミツタが接続された第３及び
第４トランジスタと、前記第１及び第２抵抗の接
続点と前記第３及び第４トランジスタのコレクタ
とにエミツタが接続された第５トランジスタとを
備えるものである。 (ホ) 作用 本考案によれば、第５トランジスタのエミツタ
に流れる電流と第３及び第４トランジスタのエミ
ツタに流れる電流とが等しくなるので、第５トラ
ンジスタのベース・エミツタ間電圧と第３及び第
４トランジスタのベース・エミツタ間電圧が等し
くなり、第(3)式の△Ｖは一定となる。その為、発
振回路の発振周波数F0を動作電流I0に比例させる
ことが出来る。 (ヘ) 実施例 第１図は本考案の一実施例を示す回路図で、１
６はトランジスタ５，６，７，８及びコンデンサ
１７から成るエミツタ結合型の無安定マルチバイ
ブレータ、１８はトランジスタ１，１２，１３及
び抵抗１９からなりマルチバイブレータ１６の動
作電流を定める電流源回路、２０はトランジスタ
２，３，４から成るマルチバイブレータ１６の給
電回路である。尚、第１図において第２図と同一
の回路素子には同一の図番が付してある。マルチ
バイブレータ１６はトランジスタ７及び８が交互
に導通し、コンデンサ１７が充放電して所定の発
振が行なわれる。電流源回路１８はコンデンサ１
７の充電電流を定めるもので、トランジスタ１
２，１３のベースは共通接続され、所定の直流電
圧が印加されており、夫々のエミツタ電流は等し
く成されている。又、トランジスタ１のベース
は、入力電圧E0が印加される入力端子２２に接
続されているため、トランジスタ１のコレクタ電
流I0は入力電圧E0に応じたものになり例えば、
VTRの変調回路として使用する場合、輝度信号
を入力端子２２に印加すれば、輝度信号に応じた
電流がトランジスタ１のコレクタに流れる。給電
回路２０はマルチバイブレータ１６に直流電流＋
VCCから電流を供給するものである。トランジス
タ３，４のベースは互いに共通接続され、トラン
ジスタ２３のエミツタに接続されている。トラン
ジスタ２３のベースには、抵抗９と抵抗２４との
接続点１１の電位Ebが与えられている。トラン
ジスタ３及び４のコレクタは互いに共通接続さ
れ、トランジスタ２のエミツタと接続されてい
る。トランジスタ３と４は交互にオン、オフを行
い、オンの場合、各々のエミツタ電圧はEb−Vf0
となる。トランジスタ２のベースはトランジスタ
２５のエミツタに接続されており、トランジスタ
２５のベースには、抵抗２６と９との接続点１０
の電位Eaが与えられているため、トランジスタ
２のエミツタにはEa−Vf1なる電圧が与えられて
いる。ここでトランジスタ２３及び２５はトラン
ジスタ３，４及び２のベースを低インピーダンス
化する為のものである。尚、トランジスタ２のベ
ース電圧はEaよりもトランジスタ２５のベー
ス・エミツタ間電圧だけ低いが、トランジスタ３
と４のベース電圧もEbよりトランジスタ２３の
ベース・エミツタ間電圧だけ低く、両ベース・エ
ミツタ間電圧は等しいので説明の便宜上、トラン
ジスタ２のベース電圧をEa、トランジスタ３，
４のベース電圧をEbとしている。 次にマルチバイブレータ１６を構成するトラン
ジスタ７がオン、トランジスタ８がオフで、トラ
ンジスタ１のベースに入力端子２２から入力電圧
E0が印加されている状態について説明する。第
１図の発振回路の発振周波数F0も前記第(1)式で
表わすことが出来、波高値△Ｖも前記第(3)式で表
わすことが出来る。トランジスタ１のベースに入
力電圧E0が印加されているため、トランジスタ
１のコレクタには電流I0が流れ、トランジスタ７
がオン、トランジスタ８がオフのため、トランジ
スタ３はオン、トランジスタ４はオフとなる。そ
の為トランジスタ２のエミツタ電流はトランジス
タ３のコレクタ・エミツタを介してトランジスタ
７のコレクタに供給されるとともに、抵抗１４を
介してトランジスタ７のコレクタに供給される。
従つて、トランジスタ２のエミツタ電流をIE1、
トランジスタ３のエミツタ電流をIE0、抵抗１４
に流れる電流をIR、トランジスタ７に流れる電流
をI0とすれば次式が成り立つ。 IE1＝I0 ……(4) IE0＝I0−IR ……(5) となる。抵抗１４は大きい値であり、I0≫IEであ
るから、(4)及び(5)式からIE1≒IE0となる。その為
トランジスタ２とトランジスタ３のベース・エミ
ツタ間電圧Vf1及びVf0は等しくなり、Vf1−Vf0≒
０となる。従つて第(3)式の△Ｖはトランジスタ１
のベースへの入力電圧E0が変化し、トランジス
タ１のコレクタ電流I0が変化した場合も一定の値
を保つ。又、逆にマルチバイブレータを構成する
トランジスタ７がオフ、トランジスタ８がオンの
場合も同様に、トランジスタ３がオフ、トランジ
スタ４がオンとなる。その為トランジスタ２のエ
ミツタ電流は、トランジスタ４のコレクタ・エミ
ツタを介してトランジスタ８のコレクタに供給さ
れるとともに、抵抗１５を介してトランジスタ８
のコレクタに供給される。その為、トランジスタ
２とトランジスタ４のベース・エミツタ間電圧
Vf1及びVf0は等しくなり、Vf1−Vf0≒０となる。
従つて△Ｖも一定の値を保つ。 従つて、本考案に依れば、トランジスタ２乃至
８のベース・エミツタ間電圧を考慮した場合も、
発振器の発振周波数F0が入力電圧E0に応じて流
れる電流I0に比例する。 (ト) 考案の効果 それ故、本考案によれば発振回路の発振周波数
F0を入力電圧E0に正確に対応させることができ
る。そのため、本考案に係る発振回路をFM変調
器に用いた場合、その直線性の改善を行うことが
でき、信号の歪率が改善できるとともに、前記直
線性の改善を素子数の増加を招くことなく行うこ
とができる。特に高い周波数での直線性が改善さ
れるため、ハイフアイVTR、高画質VTRなどの
ように高い周波数での直線性が必要とされる機器
に用いて、その効果は大きい。又、トランジスタ
２及びトランジスタ３，４の整合をとれば各々の
エミツタ電流が等しくなり、Vf1とVf0の温度特性
が一致し（Vf1−Vf0）の温度変化がなくなり、発
振周波数F0の温度特性も改善されるので、IC化
に適したものになる。
第１図は本考案の一実施例を示す回路図、第２
図は従来の発振回路を示す回路図、及び第３図は
第２図の点Ａ、点Ｂの発振出力を表わす波形図で
ある。 主な図番の説明、１６……マルチバイブレー
タ、１８……電流源回路、２０……給電回路。
図は従来の発振回路を示す回路図、及び第３図は
第２図の点Ａ、点Ｂの発振出力を表わす波形図で
ある。 主な図番の説明、１６……マルチバイブレー
タ、１８……電流源回路、２０……給電回路。
Claims (1)
- エミツタ間にコンデンサを有するとともに、互
いのベースとコレクタが接続され交互にオンオフ
する第１及び第２トランジスタを備えるマルチバ
イブレータと、前記第１及び第２トランジスタの
コレクタ間に直列接続された第１及び第２抵抗
と、前記第１及び第２トランジスタのコレクタに
それぞれエミツタが接続された第３及び第４トラ
ンジスタと、前記第１及び第２抵抗の接続点にエ
ミツタが接続された第５トランジスタとから成る
発振回路において、前記第３及び第４トランジス
タのコレクタを前記第５トランジスタのエミツタ
に接続したことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14302485U JPH0349475Y2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14302485U JPH0349475Y2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251824U JPS6251824U (ja) | 1987-03-31 |
| JPH0349475Y2 true JPH0349475Y2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=31052316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14302485U Expired JPH0349475Y2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349475Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP14302485U patent/JPH0349475Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251824U (ja) | 1987-03-31 |
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