JPH0349282A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH0349282A JPH0349282A JP18431789A JP18431789A JPH0349282A JP H0349282 A JPH0349282 A JP H0349282A JP 18431789 A JP18431789 A JP 18431789A JP 18431789 A JP18431789 A JP 18431789A JP H0349282 A JPH0349282 A JP H0349282A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体発光装置の電流及び発生光の閉じ込め
届形成に関するものである。 ここで半導体発光装置というのは端面発光型で埋め込み
型の半導体レーザ、発光ダイオードを指す。基板がｐ型
であっても、ｎ型であっても本発明は適用できるが、簡
単のため主にｐＱについて説明する。
届形成に関するものである。 ここで半導体発光装置というのは端面発光型で埋め込み
型の半導体レーザ、発光ダイオードを指す。基板がｐ型
であっても、ｎ型であっても本発明は適用できるが、簡
単のため主にｐＱについて説明する。
半導体発光装置において、効率良く、光を発生させるこ
とが重要である。 注入した電流を、発光領域に集中させて光に変換し、加
えて発生した光を屈折率差を利用して閉じ込めるため埋
め込み型の構造の半導体発光素子が広く利用されている
。これは基板の上の中央に発光領域を、その両側に閉じ
込め層を形成したものである。 注入電流を発光領域内へ仔効に閉じ込めるため、閉じ込
め層が非常に重要な役割を果たす。閉じ込め層は半導体
発光装置の性能を大きく支配する因子である。 これまでは、導電型の違いを利用して電流狭窄していた
。ｐ型基板から中央にある発光６へ域にのみ電流が流れ
るように、閉じ込め層はｐｎ接合が逆バイアスされるよ
うにしである。逆バイアスされているので、閉じ込め層
には電流が流れない。 しかし、導電型の違いを利用するものは晶注入領域で原
理的に漏れ電流が発生する。ｐｎ接合の逆バイアスを電
流が通り抜ける可能性があるからである。漏れ電流があ
ると、光出力が劣化する。 そこで、ｎ型１ｎＰ基板を使う半導体レーザの場合にＦ
ｅを添加した閉じ込め層を用いた構造が提案された。 閉じ込め層にＦｅを添加すると、Ｆｅが深い準位のアク
セプターとなり、電子を捕獲するので、高抵抗になる。 例えば比抵抗が１０７Ωｃｍになる。 このような閉じ込め層を持つ埋め込み型半導体発光装置
は原理的に圓れ電流の少ない半導体発光装置とすること
ができる。 しかし、この方法によってｐ型半導体に隣接して閉じ込
め層を形成した場合には、ｎクラッド層−晶抵抗Ｊｉｆ
ｌ−ｐ層のＰＩＮ構造となる。高抵抗の閉じ込め月に、
ｐ届よりホールが注入される。 高抵抗といっても、Ｆｅを添加したｊωは電子トラップ
形の半絶縁居である。Ｆｅのトラップ準位は注入された
ホールを捕獲できず、ホールが閉じ込め層に流入する。 これに伴って電子が流入する。いわゆるダプルインジェ
ク７ヨンが起こる。このため閉じ込め層を通る電流漏れ
が起こる。Ｐ型基板の場合、Ｆｅを添加した閉じ込め層
では電流狭窄が十分に行えないことが分かった。 そこでこれに加えて改良提案がなされた。閉じ込め層に
ｐ型不純物であるホールを捕獲するＴｉをＦｅとともに
添加するというものである。 Ｉｎ５ｔ、Ｐｈｙｓ、Ｃｏｎｆ、Ｓｅｒ、Ｎｏ、９１：
Ｃｈａｐｔｅｒ ３Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒ５ｅｎｌｄ
ｅ ａｎｄ Ｒｅ１ａｔｅｄ ｃｏａ＋ｐｏｕｎ
ｄ、Ｈｅｒａｋｌｔｏｎ、Ｇｒｅｅｃｅ、１９８７
Ａ、Ｇ、Ｄｅｍｔａｌ、Ｃ，Ｈ，Ｊｏｙｎｅｒ ＆
Ｔ。 Ｗ、Ｗｅｌｄｍａｎ″ＴしＦｅ Ｃｏ−ｄｏｐｅｄ ｓ
ｅｍｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ＩｎＰ ｇｒｏｗｎ
ｂｙ ＭＯＶＰＥ”２８３（＋９８７）Ｆｅによ
り電子を、Ｔｉによりホールを捕獲する。 こうして電流に寄与する正負のキャリアを捕獲して、閉
じ込め層の高抵抗（ρ〜１０７Ω・ｃｍ）を電子に対し
てもホールに対しても維持するようにしている。こうし
て、狭い発光領域に電流と発生光を閉じ込める。
とが重要である。 注入した電流を、発光領域に集中させて光に変換し、加
えて発生した光を屈折率差を利用して閉じ込めるため埋
め込み型の構造の半導体発光素子が広く利用されている
。これは基板の上の中央に発光領域を、その両側に閉じ
込め層を形成したものである。 注入電流を発光領域内へ仔効に閉じ込めるため、閉じ込
め層が非常に重要な役割を果たす。閉じ込め層は半導体
発光装置の性能を大きく支配する因子である。 これまでは、導電型の違いを利用して電流狭窄していた
。ｐ型基板から中央にある発光６へ域にのみ電流が流れ
るように、閉じ込め層はｐｎ接合が逆バイアスされるよ
うにしである。逆バイアスされているので、閉じ込め層
には電流が流れない。 しかし、導電型の違いを利用するものは晶注入領域で原
理的に漏れ電流が発生する。ｐｎ接合の逆バイアスを電
流が通り抜ける可能性があるからである。漏れ電流があ
ると、光出力が劣化する。 そこで、ｎ型１ｎＰ基板を使う半導体レーザの場合にＦ
ｅを添加した閉じ込め層を用いた構造が提案された。 閉じ込め層にＦｅを添加すると、Ｆｅが深い準位のアク
セプターとなり、電子を捕獲するので、高抵抗になる。 例えば比抵抗が１０７Ωｃｍになる。 このような閉じ込め層を持つ埋め込み型半導体発光装置
は原理的に圓れ電流の少ない半導体発光装置とすること
ができる。 しかし、この方法によってｐ型半導体に隣接して閉じ込
め層を形成した場合には、ｎクラッド層−晶抵抗Ｊｉｆ
ｌ−ｐ層のＰＩＮ構造となる。高抵抗の閉じ込め月に、
ｐ届よりホールが注入される。 高抵抗といっても、Ｆｅを添加したｊωは電子トラップ
形の半絶縁居である。Ｆｅのトラップ準位は注入された
ホールを捕獲できず、ホールが閉じ込め層に流入する。 これに伴って電子が流入する。いわゆるダプルインジェ
ク７ヨンが起こる。このため閉じ込め層を通る電流漏れ
が起こる。Ｐ型基板の場合、Ｆｅを添加した閉じ込め層
では電流狭窄が十分に行えないことが分かった。 そこでこれに加えて改良提案がなされた。閉じ込め層に
ｐ型不純物であるホールを捕獲するＴｉをＦｅとともに
添加するというものである。 Ｉｎ５ｔ、Ｐｈｙｓ、Ｃｏｎｆ、Ｓｅｒ、Ｎｏ、９１：
Ｃｈａｐｔｅｒ ３Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒ５ｅｎｌｄ
ｅ ａｎｄ Ｒｅ１ａｔｅｄ ｃｏａ＋ｐｏｕｎ
ｄ、Ｈｅｒａｋｌｔｏｎ、Ｇｒｅｅｃｅ、１９８７
Ａ、Ｇ、Ｄｅｍｔａｌ、Ｃ，Ｈ，Ｊｏｙｎｅｒ ＆
Ｔ。 Ｗ、Ｗｅｌｄｍａｎ″ＴしＦｅ Ｃｏ−ｄｏｐｅｄ ｓ
ｅｍｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ＩｎＰ ｇｒｏｗｎ
ｂｙ ＭＯＶＰＥ”２８３（＋９８７）Ｆｅによ
り電子を、Ｔｉによりホールを捕獲する。 こうして電流に寄与する正負のキャリアを捕獲して、閉
じ込め層の高抵抗（ρ〜１０７Ω・ｃｍ）を電子に対し
てもホールに対しても維持するようにしている。こうし
て、狭い発光領域に電流と発生光を閉じ込める。
前記において提案された方法では、閉じ込め層にＦｅと
Ｔ１の両元素を一緒に添加する。このため閉じ込め層の
結晶中の各元素の添加量を均一に制御することが極めて
難しい。 実際に試みてみると、高抵抗の結晶を再現性良く成長さ
せることができなかった。例えば結晶中に一方の元素が
偏析したりして結晶性が悪くなることもあった。モして
偏析部を通して電流が門れるという欠点があった。 ［［１−Ｖ族化合物半導体のｐ型またはｎ型基板に発光
領域と閉じ込め層を設ける埋め込み型半導体発光装置で
あって、電流注入量が大きい時でも、劇れ７ａ流のない
ようにした閉じ込め層を打する半導体発光装置を１是供
することが本発明の目的である。
Ｔ１の両元素を一緒に添加する。このため閉じ込め層の
結晶中の各元素の添加量を均一に制御することが極めて
難しい。 実際に試みてみると、高抵抗の結晶を再現性良く成長さ
せることができなかった。例えば結晶中に一方の元素が
偏析したりして結晶性が悪くなることもあった。モして
偏析部を通して電流が門れるという欠点があった。 ［［１−Ｖ族化合物半導体のｐ型またはｎ型基板に発光
領域と閉じ込め層を設ける埋め込み型半導体発光装置で
あって、電流注入量が大きい時でも、劇れ７ａ流のない
ようにした閉じ込め層を打する半導体発光装置を１是供
することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段］
本発明の半導体発光装置は、ｐ型基板の場合は、■ｐ型
半導体基板に、 ■ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る発光領域を中央に
、 ■電流及び発生光の閉じ込め厄をを側方に上下２層形成
した半導体発光装置であって、 ■発光領域及び該ｐ型半導体基板に隣接して設けられる
第一の電流及び発生光の閉じ込め層はＴｉを添加して高
抵抗化したものから成り、 ■ｎ型半導体層に隣接し第一の閉じ込め層」二に形成さ
れる第二の電流及び発生光の閉じ込め層はＦｅを添加し
て高抵抗化したものから成る ようにしたものである。 ｎ型基板の場合は、 ■ｎ型半導体基板に、 ■■−■族化合物半導体から成る発光領域を中央に、 ■電流及び発生光の閉じ込め層をを側方に上下２届形成
した半導体発光装置であって、 ０発光領域及び該ｎ型半導体基板に隣接して設けられる
第一の電流及び発生光の閉じ込め層はＦｅを添加して高
抵抗化したものから成り、 ■ｐ型型半体体層隣接し第一の閉じ込め層上に形成され
る第二の電流及び発生光の閉じ込め層はＴｉを添加して
高抵抗化したものから成る ようにしたものである。 図面によって説明する。 第１図はｐ型ｌｎＰを基板とする本発明の半導体発光装
置の構成例を示す断面図である。本発明は任意の■−■
族半導体を用いる半導体発光装置に適用できるが、ここ
ではＩｎＰ基板のものを例にとる。 １はｎ −１ｎＰクラッド層、２はＩｎＧａＡＳＰ活性
層３はｐ −ＩｎＰｎ型クラッド層はｐ型１ｎＰ基板、
５はＴｉを添加したＩｎＰ層、６はＦｅを添加したＩｎ
Ｐ層である。 ｐ型基板４の上に、中央には発光領域が、その側方には
閉じ込め層が設けられる。 発光領域は、ｐ−１ｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層２、ｎ ｌｎＰｎ型クラッド層１なる。電流は
ｐ −１ｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２、
ｎ−ＩｎＰｎ型クラッド層１に流れる。 閉じ込め届は、発光領域の両側に形成された上下２届よ
りなっている。第１層はＴｉ−ｄｏｐｅ ＩｎＰ ５で
ある。第２層はＦｅ−ｄｏｐｅｄ ｌｎＰ Ｇである。 Ｐ型基板４及び活性層２（発光領域）に隣接する第１の
閉じ込め層をＴｉのみを添加したＩｎＰ層５とする。つ
まりｐ型層に接する部分をＴｉ−ｄｏｐｅ閉じ込め層と
する。 その上のｎ型クラッド層と接する第２の閉じ込め層はＦ
ｅのみを添加したＩｎＰ層としている。 つまりＴ１をドープした第１の閉じ込め層では、ホール
を捕獲することができるので、ｐ型領域に隣接させる。 Ｆｅをドープした第２の閉じ込め層では、電子を捕獲で
きるので、ｎ型層に隣接して設ける。 ２層からなる閉じ込め層は、隣接する半導体層の多数キ
ャリヤが流入しても、それらををそれぞれ捕獲するので
両層とも高抵抗の結晶になる。 ２層の閉じ込め層の作用により、注入電流を狭窄できる
。 【作 用】 この考案では、閉じ込め層を２届にし、その役割分担を
明確にしている。 ホールを捕獲できるＴｉ−ｄｏｐｅ閉じ込め層をｐ型半
導体と隣接させる。電子を捕獲できるＦｅ−ｄｏｐｅ閉
じ込め層をｎ型半導体と隣接させている。 ｐ型に隣接するものはＴ１を添加した閉じ込め居である
ので、ｐ型層から流入する多数キャリヤであるホールを
捕獲して、電流に寄与するキャリアを減らす。 ｎ型に隣接するものは、Ｆｅを添加した閉じ込め層とし
て、ｎ型層から流入する多数キャリヤである電子を捕獲
して電流に寄与するキャリアを減らす。 このように、閉じ込め層を２層に分け、それぞれの閉じ
込め層に添加する元素の種類を１種類に限定する。 １種類であるので、添加量を自由に的確に１寸現性良く
制御しながら、良好な単結晶を成長させることができる
。 結晶性を悪化させず、なおかつ高抵抗である（ρ≧１０
６Ω・ｃｒａ ）閉じ込め届を容易に成長させることが
できる。 閉じ込め届を高抵抗化することで安定した電流狭窄構造
が形成できる。このため電流の高注入領域でも電流漏れ
の少ない半導体発光装置を作ることができる。
半導体基板に、 ■ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る発光領域を中央に
、 ■電流及び発生光の閉じ込め厄をを側方に上下２層形成
した半導体発光装置であって、 ■発光領域及び該ｐ型半導体基板に隣接して設けられる
第一の電流及び発生光の閉じ込め層はＴｉを添加して高
抵抗化したものから成り、 ■ｎ型半導体層に隣接し第一の閉じ込め層」二に形成さ
れる第二の電流及び発生光の閉じ込め層はＦｅを添加し
て高抵抗化したものから成る ようにしたものである。 ｎ型基板の場合は、 ■ｎ型半導体基板に、 ■■−■族化合物半導体から成る発光領域を中央に、 ■電流及び発生光の閉じ込め層をを側方に上下２届形成
した半導体発光装置であって、 ０発光領域及び該ｎ型半導体基板に隣接して設けられる
第一の電流及び発生光の閉じ込め層はＦｅを添加して高
抵抗化したものから成り、 ■ｐ型型半体体層隣接し第一の閉じ込め層上に形成され
る第二の電流及び発生光の閉じ込め層はＴｉを添加して
高抵抗化したものから成る ようにしたものである。 図面によって説明する。 第１図はｐ型ｌｎＰを基板とする本発明の半導体発光装
置の構成例を示す断面図である。本発明は任意の■−■
族半導体を用いる半導体発光装置に適用できるが、ここ
ではＩｎＰ基板のものを例にとる。 １はｎ −１ｎＰクラッド層、２はＩｎＧａＡＳＰ活性
層３はｐ −ＩｎＰｎ型クラッド層はｐ型１ｎＰ基板、
５はＴｉを添加したＩｎＰ層、６はＦｅを添加したＩｎ
Ｐ層である。 ｐ型基板４の上に、中央には発光領域が、その側方には
閉じ込め層が設けられる。 発光領域は、ｐ−１ｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層２、ｎ ｌｎＰｎ型クラッド層１なる。電流は
ｐ −１ｎＰクラッド層３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２、
ｎ−ＩｎＰｎ型クラッド層１に流れる。 閉じ込め届は、発光領域の両側に形成された上下２届よ
りなっている。第１層はＴｉ−ｄｏｐｅ ＩｎＰ ５で
ある。第２層はＦｅ−ｄｏｐｅｄ ｌｎＰ Ｇである。 Ｐ型基板４及び活性層２（発光領域）に隣接する第１の
閉じ込め層をＴｉのみを添加したＩｎＰ層５とする。つ
まりｐ型層に接する部分をＴｉ−ｄｏｐｅ閉じ込め層と
する。 その上のｎ型クラッド層と接する第２の閉じ込め層はＦ
ｅのみを添加したＩｎＰ層としている。 つまりＴ１をドープした第１の閉じ込め層では、ホール
を捕獲することができるので、ｐ型領域に隣接させる。 Ｆｅをドープした第２の閉じ込め層では、電子を捕獲で
きるので、ｎ型層に隣接して設ける。 ２層からなる閉じ込め層は、隣接する半導体層の多数キ
ャリヤが流入しても、それらををそれぞれ捕獲するので
両層とも高抵抗の結晶になる。 ２層の閉じ込め層の作用により、注入電流を狭窄できる
。 【作 用】 この考案では、閉じ込め層を２届にし、その役割分担を
明確にしている。 ホールを捕獲できるＴｉ−ｄｏｐｅ閉じ込め層をｐ型半
導体と隣接させる。電子を捕獲できるＦｅ−ｄｏｐｅ閉
じ込め層をｎ型半導体と隣接させている。 ｐ型に隣接するものはＴ１を添加した閉じ込め居である
ので、ｐ型層から流入する多数キャリヤであるホールを
捕獲して、電流に寄与するキャリアを減らす。 ｎ型に隣接するものは、Ｆｅを添加した閉じ込め層とし
て、ｎ型層から流入する多数キャリヤである電子を捕獲
して電流に寄与するキャリアを減らす。 このように、閉じ込め層を２層に分け、それぞれの閉じ
込め層に添加する元素の種類を１種類に限定する。 １種類であるので、添加量を自由に的確に１寸現性良く
制御しながら、良好な単結晶を成長させることができる
。 結晶性を悪化させず、なおかつ高抵抗である（ρ≧１０
６Ω・ｃｒａ ）閉じ込め届を容易に成長させることが
できる。 閉じ込め届を高抵抗化することで安定した電流狭窄構造
が形成できる。このため電流の高注入領域でも電流漏れ
の少ない半導体発光装置を作ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体発光装置の断面
図である。 ｐ型１ｎＰ半導体基板４上に、ｐ型１ｎＰ層３と、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層２、およびｎ型ｌｎＰ月１をエビタキ
シャル成長しダブルへテロ構造を形成する。これをエツ
チングにより発光部を残したメサ形状に整形する。 エツチングした部分に、Ｔｉ及びＦｅを添加した閉じ込
め月としてのＩｎＰ層５．６を別々に、順次積属したも
のである。埋め込み型ダブルへテロレーサーの一種であ
る。 第１の閉じ込め層５には、Ｔ１を〜ｌ Ｘ １０１１０
ｌ８’程度添加する。第２の閉じ込め層６には、Ｆｅを
〜Ｉ Ｘ １０′。ｃｍ−３程度添加する。それぞれの
厚みは、１〜２μＩの範囲で制御する。 活性層の両サイドには必ずＴ１ドープ閉じ込め月５が接
するようにする。ｎ型１ｎＰ層ｌの両側の大部分はＦｅ
ドープ閉じ込め６が接するようにする。 このように電流と発生光の閉じ込め層を２居に形成する
ので、ダブルインジェクションによる電流漏れが原理的
に発生しない。電流の高注入領域においても漏れがみら
れず、効率よく発光する。 また、ホール及び電子を補償できる範囲で、ＦｅとＴ１
の添加量を最小になるように制御したため、閉じ込め届
の結晶性も良好で、〜ｔｏｙ程度の耐圧がある。 ＦｅとＴ１を一度に添加した従来技術の場合にみられる
、結晶性の態化によるリークや面内のバラツキが低減す
る。閉じ込め層を２層にし、ＦｅとＴｉの添加量を個々
に制御している為である。 閉じ込め層における、Ｆｅ、 Ｔｉの面内分布の均一性
が向上するので、本構造では閉じ込め層形成の再現性が
良くなり、歩留まりも向上する。 また本発明での閉じ込め層は、第２図の構造を有する半
導体レーザにも適用可能である。 ｐ型１ｎＰ基板１０の上に、ＴｌドープＩｎＰ層５、Ｆ
ｅドープＩｎＰｆｆ６を閉じ込め届としてエピタキシャ
ル成長させる。中央の発光部となる部分をくさび型にエ
ツチングし、ｐ型１ｎＰ層９、ＩｎＧａＡｓＰ活性層８
を形成した後、全体にｎ型１ｎＰ層７をエピタキシャル
成長させる。 これは幾何学的に電流をより狭く狭窄できる。 この例においても、Ｔｌドープ閉じ込め層５はｐ型１ｎ
Ｐ層９と活性層８に接している。Ｆｅドープ閉じ込め層
６はｎ型１ｎＰ ｉに接している。
図である。 ｐ型１ｎＰ半導体基板４上に、ｐ型１ｎＰ層３と、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層２、およびｎ型ｌｎＰ月１をエビタキ
シャル成長しダブルへテロ構造を形成する。これをエツ
チングにより発光部を残したメサ形状に整形する。 エツチングした部分に、Ｔｉ及びＦｅを添加した閉じ込
め月としてのＩｎＰ層５．６を別々に、順次積属したも
のである。埋め込み型ダブルへテロレーサーの一種であ
る。 第１の閉じ込め層５には、Ｔ１を〜ｌ Ｘ １０１１０
ｌ８’程度添加する。第２の閉じ込め層６には、Ｆｅを
〜Ｉ Ｘ １０′。ｃｍ−３程度添加する。それぞれの
厚みは、１〜２μＩの範囲で制御する。 活性層の両サイドには必ずＴ１ドープ閉じ込め月５が接
するようにする。ｎ型１ｎＰ層ｌの両側の大部分はＦｅ
ドープ閉じ込め６が接するようにする。 このように電流と発生光の閉じ込め層を２居に形成する
ので、ダブルインジェクションによる電流漏れが原理的
に発生しない。電流の高注入領域においても漏れがみら
れず、効率よく発光する。 また、ホール及び電子を補償できる範囲で、ＦｅとＴ１
の添加量を最小になるように制御したため、閉じ込め届
の結晶性も良好で、〜ｔｏｙ程度の耐圧がある。 ＦｅとＴ１を一度に添加した従来技術の場合にみられる
、結晶性の態化によるリークや面内のバラツキが低減す
る。閉じ込め層を２層にし、ＦｅとＴｉの添加量を個々
に制御している為である。 閉じ込め層における、Ｆｅ、 Ｔｉの面内分布の均一性
が向上するので、本構造では閉じ込め層形成の再現性が
良くなり、歩留まりも向上する。 また本発明での閉じ込め層は、第２図の構造を有する半
導体レーザにも適用可能である。 ｐ型１ｎＰ基板１０の上に、ＴｌドープＩｎＰ層５、Ｆ
ｅドープＩｎＰｆｆ６を閉じ込め届としてエピタキシャ
ル成長させる。中央の発光部となる部分をくさび型にエ
ツチングし、ｐ型１ｎＰ層９、ＩｎＧａＡｓＰ活性層８
を形成した後、全体にｎ型１ｎＰ層７をエピタキシャル
成長させる。 これは幾何学的に電流をより狭く狭窄できる。 この例においても、Ｔｌドープ閉じ込め層５はｐ型１ｎ
Ｐ層９と活性層８に接している。Ｆｅドープ閉じ込め層
６はｎ型１ｎＰ ｉに接している。
以上説明したように、本発明では添加物としてのＦｅ及
びＴｉを含む結晶を、ｎ型及びｐ型に各々の特徴を生か
すよう隣接させて、閉じ込め層を形成している。これに
より、再現性良く、発光効率の良い半導体レーザができ
る。 従来の問題点の一つであったＦｅ及びＴ１の添加■の閉
じ込め層におけるバラツキが全くない。ｐ型またはｎ型
の導電型と、前記導電型のものと接する結晶への添加物
とをうまく組み合わせる事で、半導体レーザの電流狭窄
層に使用できる。 そればかりでなく、光電子集積回路の素子間分離絶縁層
など、多目的に利用可能となる。
びＴｉを含む結晶を、ｎ型及びｐ型に各々の特徴を生か
すよう隣接させて、閉じ込め層を形成している。これに
より、再現性良く、発光効率の良い半導体レーザができ
る。 従来の問題点の一つであったＦｅ及びＴ１の添加■の閉
じ込め層におけるバラツキが全くない。ｐ型またはｎ型
の導電型と、前記導電型のものと接する結晶への添加物
とをうまく組み合わせる事で、半導体レーザの電流狭窄
層に使用できる。 そればかりでなく、光電子集積回路の素子間分離絶縁層
など、多目的に利用可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体発光装置の断面
図。 第２図は本発明の他の実施例に係る半導体発光装置の断
面図。 第３図は従来技術のＦｅとＴｉを同時に添加した閉じ込
め層を有する半導体レーザ構造の断面図。 １ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ φ ６ ・ − ８・ ９ ・ ０ １ ・ｎ型１ｎＰ層 ＊ １ｎＧａＡｓＰ ７古注層 ・ｐ型１ｎＰ層 ・ｐ型１ｎＰ基板 ・Ｔ１ドープｌｒ＋Ｐ層 ・ＦｅドープｌｎＰ 層 ・ｎ型１ｎＰ層 ＊ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ｅｐ型ＩｎＰ層 ｅｐ型１ｎＰＦＪ ＊Ｔｉ、ＦｅドープＩｎＰ 層 発 明 者
図。 第２図は本発明の他の実施例に係る半導体発光装置の断
面図。 第３図は従来技術のＦｅとＴｉを同時に添加した閉じ込
め層を有する半導体レーザ構造の断面図。 １ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ φ ６ ・ − ８・ ９ ・ ０ １ ・ｎ型１ｎＰ層 ＊ １ｎＧａＡｓＰ ７古注層 ・ｐ型１ｎＰ層 ・ｐ型１ｎＰ基板 ・Ｔ１ドープｌｒ＋Ｐ層 ・ＦｅドープｌｎＰ 層 ・ｎ型１ｎＰ層 ＊ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ｅｐ型ＩｎＰ層 ｅｐ型１ｎＰＦＪ ＊Ｔｉ、ＦｅドープＩｎＰ 層 発 明 者
Claims (2)
- （１）ｐ型半導体基板に、III−Ｖ族化合物半導体から
成る発光領域を中央に、電流及び発生光の閉じ込め層を
を側方に上下２層形成した半導体発光装置であって、発
光領域及び該ｐ型半導体基板に隣接して設けられる第一
の電流及び発生光の閉じ込め層はＴｉを添加して高抵抗
化したものから成り、ｎ型半導体層に隣接し第一の閉じ
込め層上に形成される第２の電流及び発生光の閉じ込め
層はＦｅを添加して高抵抗化したものから成ることを特
徴とする半導体発光装置。 - （２）ｎ型半導体基板に、III−Ｖ族化合物半導体から
成る発光領域を中央に、電流及び発生光の閉じ込め層を
を側方に上下２層形成した半導体発光装置であって、発
光領域及び該ｎ型半導体基板に隣接して設けられる第一
の電流及び発生光の閉じ込め層はＦｅを添加して高抵抗
化したものから成り、ｐ型半導体層に隣接し第一の閉じ
込め層上に形成される第２の電流及び発生光の閉じ込め
層はＴｉを添加して高抵抗化したものから成ることを特
徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18431789A JP2738040B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18431789A JP2738040B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349282A true JPH0349282A (ja) | 1991-03-04 |
| JP2738040B2 JP2738040B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=16151220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18431789A Expired - Fee Related JP2738040B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738040B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353582A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Nec Corp | 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ |
| JP2013182976A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 埋め込み型光半導体素子 |
| JP2017188558A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP18431789A patent/JP2738040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353582A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Nec Corp | 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ |
| JP2013182976A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 埋め込み型光半導体素子 |
| JP2017188558A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738040B2 (ja) | 1998-04-08 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |