JPH0346546B2 - - Google Patents

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JPH0346546B2
JPH0346546B2 JP59253582A JP25358284A JPH0346546B2 JP H0346546 B2 JPH0346546 B2 JP H0346546B2 JP 59253582 A JP59253582 A JP 59253582A JP 25358284 A JP25358284 A JP 25358284A JP H0346546 B2 JPH0346546 B2 JP H0346546B2
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JP
Japan
Prior art keywords
hot plate
belt
heat treatment
processing chamber
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59253582A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61133314A (ja
Inventor
Hidetaka Jo
Takanori Iwami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority to JP25358284A priority Critical patent/JPS61133314A/ja
Priority to US06/802,468 priority patent/US4693777A/en
Priority to EP85115144A priority patent/EP0187249B1/en
Priority to DE3587830T priority patent/DE3587830T2/de
Publication of JPS61133314A publication Critical patent/JPS61133314A/ja
Publication of JPH0346546B2 publication Critical patent/JPH0346546B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は熱処理装置にかゝり、特にプラズマエ
ツチング処理を行なつた被処理物のエツチング処
理ガスの付着、吸着等によるエツチング処理後の
被処理物への影響を除去するための熱処理工程に
適用して最適な熱処理装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、集積回路(IC)の製造プロセスでは、
ICの高集積度化、高速度化に伴い、素子の微細
加工が強く要求されており、そのため、アンダカ
ツトのない垂直なエツチング形状が得られる反応
性イオンエツチング方法が採用されている。
例えば、電極配線材料として多用されているア
ルミニウムをエツチングする場合には、塩素系ガ
スが用いられ、反応容器内に被処理物を導入し、
減圧状態の前記反応ガス雰囲気中でグロー放電を
発生させ、被処理物上の被エツチング材料と反応
ガスとの反応を促進させ、被エツチング材料を揮
発性化合物にすることでエツチングを進行させて
いる。
このエツチング処理が終了し、被処理物を反応
室から大気中に取出す場合、被処理物には反応に
用いられたガス成分が付着、吸着しており、大気
中の水蒸気等と反応し、被処理物の残されるべき
被エツチング材料で形成された配線パターン等と
の反応を開始して配線の断線や短絡が発生する。
そのため、エツチング処理終了後、直ちに被処
理物に付着した反応ガス成分を除去することが必
要となる。その方法として、熱風の吹付け、加熱
等が極めて有効であり、従来からエツチング処理
後電気炉、または工業用ドライヤ等により熱処理
を行なつていたが、これによると昇温時間が長い
点、温度分布が悪く処理効果に差が生じる点、お
よびエツチング処理後熱処理を開始するまでに時
間が掛る点などの欠点を有している。
そこで、エツチング処理装置と直結し、ベルト
で熱処理装置内に直ちに搬入し、常時加熱状態に
ある熱板および熱風発生装置で直ちに熱処理を行
なう熱処理装置が案出されているが、これによる
と、内部に搬送機構を有するため、外部から駆動
力伝達機構の導入口から熱流が漏出し、周辺機器
の温度上昇による障害、また反応性ガス蒸気を含
んでいるため、周辺構造物の腐蝕が発生するとい
う問題がある。
一方、上記搬送機構は、その駆動源を処理室内
に具備せしめることが熱的および反応性ガス蒸気
による腐蝕の影響を受ける点において難かしく、
したがつて極力駆動源を少なく、かつ駆動方法を
単純化する必要性があることから、ベルトによる
搬送機構が用いられているが、これによると被処
理物をベルトの上にのせたまま熱処理を行なうこ
とになるため、熱板と被処理物とが接触すぜ、そ
の結果被処理の加熱効率が非常に悪く、確実で速
い熱処理が行なえないという問題が生じている。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来技術の諸問題に着目し、これ
を改善することを目的としてなされたもので、極
めて高速で均一加熱による熱処理を行なうことの
できる熱処理装置を提供するものである。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明は、処理室内
に被処理物の自動搬入を行ない、処理室内で熱
板、または熱板と熱風との併用により熱処理を行
なうもにおいて、熱板をその被処理物載置面が被
処理物搬送機構の搬送面より下位から上位にかけ
て昇降するように上下動自在に構成し、前記熱板
の上面長手方向には該熱板の両端部位に設けられ
た少なくとも一対のベルト車に巻回される搬送機
構としてのベルトの上部走行側が嵌入し得る溝を
有し、この溝の深さは熱板の上面がベルトの上面
より下位の位置からこのベルトの上面を越える上
位の位置までの範囲にわたり昇降し得る寸法とさ
れていて、熱板を上昇させることにより搬送機構
上の被処理物を熱板の上面に接触させて被処理物
を加熱することを特徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を図面に示す実施例を参照して説
明する。
第1図は本発明による熱処理装置の一実施例の
概略構成を示す断面図で、密閉箱型の処理室1の
内部上方には熱風発生装置2が設置され、その下
面に熱風吹出口3,3が設けられて熱風発生装置
2において発生した熱風吹出口3,3から下方に
向け吹出すようになつている。
熱風吹出口3,3の直下方には熱板4が設けら
れ、この熱板4は処理室1の外部に設置された駆
動源としてのエアシリンダ5によつて上下動自在
に支持されている。なお、この駆動源はエアシリ
ンダに限らず、他にクランク機構その他であつて
もよい。
上記熱板4の上面長手方向には、熱板4の両端
部位に設けられた少なくとも一対のベルト車6,
6間に巻回される搬送機構としての少なくとも一
対のベルト7の上部走行側が嵌入する溝8が形成
されている。この溝8の深さは、少なくとも熱板
4の上面(被処理物載置面)がベルト7の上面よ
り下位の位置からこのベルト7の上面を越える上
位の位置までの範囲にわたり昇降し得る寸法が与
えられている。
前記熱板4の両端部には、処理室1の被処理物
搬入用開口部9および搬出用開口部10を開閉す
るシヤツタ11,12の開閉機構を具有してい
る。このシヤツタ11,12はフツソ樹脂等の密
閉材からなり、熱板4の両端部にて断熱材13,
14を介して固着されたアーム15,16に取付
けられ、熱板4が上昇したときシヤツタ11,1
2が開口部9,10を密閉し、熱板4が下降した
とき開口部9,10を開放するようになつてい
る。
前記駆動源の駆動伝達軸17は、処理室1の底
部を貫通しており、この軸17と熱板4とは断熱
材18を介して結合されている。上記軸17の貫
通部は、処理室1内で発生するエツチング処理ガ
ス等に対し反応を起さない材料、例えばフツソ系
樹脂材からなるリング部材19を軸17に外嵌
し、このリング部材19を押え部材20で押圧固
定することにより軸17と処理室1との隙間をな
くし、かつ軸17の動きは妨げないようになつて
いる。
図において21は被処理物を示す。
つぎに作用を説明する。
被処理物21を処理室1内に搬入する場合には
熱板4は下降され、これと同時にシヤツタ11,
12が下降して搬入出用開口部9,10が開放さ
れる。熱板4の下降によりベルト7は熱板4上に
露出し、被処理物21は開口部9からベルト7上
に搬入され、所定の位置に到達したとき図示しな
いストツパ等により熱風吹出口3の直下位置で停
止される。これと共に熱板4が上昇し、その上面
がベルト7の上位に至るとき被処理物21を受取
つて熱板4の上面に密着した状態におかれる。こ
の熱板4の上昇とともにシヤツタ11,12も上
昇し、開口部9,10が閉じられ、処理室1内が
気密に保たれ、熱風発生装置2で発生する熱風が
熱風吹出口3,3から被処理物21に吹付けら
れ、熱処理がなされる。
熱処理が終了すると熱板4が下降し、熱板4の
上面に載置されていた被処理物21はベルト7上
に受渡されて搬送される。また熱板4の下降によ
つてシヤツタ11,12も開かれ、処理済の被処
理物21は搬出用開口部10から外部に搬出さ
れ、新たな被処理物21は搬入用開口部9からベ
ルト7上へ搬入され、前記と同様な手順により熱
処理が行なわれる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、処理室内に被
処理物の自動搬入出を行ない、処理室内で熱板、
または熱板と熱風との併用により熱処理を行なう
ものにおいて、熱板をその被処理物載置面が被処
理物搬送機構の搬送面より下位から上位にかけて
昇降するよう上下動自在に構成し、熱板を上昇さ
せることにより搬送機構上の被処理物を熱板の上
面に接触させて被処理物を加熱するようにしたの
で、被処理物と熱板との接触が容易かつ確実にで
き、第2図に示すように従来技術(A)に比し本発明
(B)によれば被処理物の加熱を約3倍速く行なうこ
とができ、処理能力を飛躍的に向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す略示縦断正面
図、第2図は従来技術に対する本発明の加熱時間
の関係を示す線図である。 1……処理室、2……熱風発生装置、3……熱
風吹出口、4……熱板、5……駆動源、7……ベ
ルト、8……溝、9,10……開口部、11,1
2……シヤツタ、15,16……アーム、17…
…軸。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 処理室内に被処理物の自動搬入出を行ない、
    処理室内で熱板、または熱板と熱風との併用によ
    り熱処理を行なうものにおいて、熱板をその被処
    理物載置面が被処理物搬送機構の搬送面より下位
    から上位にかけて昇降するように上下動自在に構
    成し、前記熱板の上面長手方向には該熱板の両端
    部位に設けられた少なくとも一対のベルト車に巻
    回される搬送機構としてのベルトの上部走行側が
    嵌入し得る溝を有し、この溝の深さは熱板の上面
    がベルトの上面より下位の位置からこのベルトの
    上面を越える上位の位置までの範囲にわたり昇降
    し得る寸法とされていることを特徴とする熱処理
    装置。 2 前記熱板は、処理室の被処理物搬入出用開口
    部を開閉する開閉機構を具備することを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の熱処理装置。
JP25358284A 1984-11-30 1984-11-30 熱処理装置 Granted JPS61133314A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25358284A JPS61133314A (ja) 1984-11-30 1984-11-30 熱処理装置
US06/802,468 US4693777A (en) 1984-11-30 1985-11-27 Apparatus for producing semiconductor devices
EP85115144A EP0187249B1 (en) 1984-11-30 1985-11-29 Apparatus for producing semiconductor devices
DE3587830T DE3587830T2 (de) 1984-11-30 1985-11-29 Apparat zur Herstellung von Halbleiteranordnungen.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25358284A JPS61133314A (ja) 1984-11-30 1984-11-30 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61133314A JPS61133314A (ja) 1986-06-20
JPH0346546B2 true JPH0346546B2 (ja) 1991-07-16

Family

ID=17253377

Family Applications (1)

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JP25358284A Granted JPS61133314A (ja) 1984-11-30 1984-11-30 熱処理装置

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JP (1) JPS61133314A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5747876A (en) * 1980-09-03 1982-03-18 Toshiba Corp Plasma etching apparatus and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5747876A (en) * 1980-09-03 1982-03-18 Toshiba Corp Plasma etching apparatus and method

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JPS61133314A (ja) 1986-06-20

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