JP2004140324A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004140324A JP2004140324A JP2003166568A JP2003166568A JP2004140324A JP 2004140324 A JP2004140324 A JP 2004140324A JP 2003166568 A JP2003166568 A JP 2003166568A JP 2003166568 A JP2003166568 A JP 2003166568A JP 2004140324 A JP2004140324 A JP 2004140324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- confirmation window
- polymer
- processing apparatus
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【課題】工程がなされるチャンバー内部に対し検出部がその工程の終了時点を検出することにより工程進行を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】工程が実行されるチャンバー12と、透明な材質であり前記チャンバー12の一側壁に設置され、前記チャンバー12内壁から所定深さの溝22を有する確認窓と、前記確認窓の溝22部位に熱が集中するように加熱するヒーター24と、前記確認窓の溝22部位に対し前記チャンバー12外部から内側の工程変化を検出する検出部16とからなる。検出部16に対向する確認窓部位には突出部26が形成され、ヒーター24は突出部26を含んだその周りに熱を提供するように設けられている。確認窓の周辺部にはポリマーの蒸着を誘導するポリマー誘導部28が設けられ、ポリマー誘導部28の表面にはポリマーの除去を容易にするためのライナー30が設けられている。
【選択図】 図1
【解決手段】工程が実行されるチャンバー12と、透明な材質であり前記チャンバー12の一側壁に設置され、前記チャンバー12内壁から所定深さの溝22を有する確認窓と、前記確認窓の溝22部位に熱が集中するように加熱するヒーター24と、前記確認窓の溝22部位に対し前記チャンバー12外部から内側の工程変化を検出する検出部16とからなる。検出部16に対向する確認窓部位には突出部26が形成され、ヒーター24は突出部26を含んだその周りに熱を提供するように設けられている。確認窓の周辺部にはポリマーの蒸着を誘導するポリマー誘導部28が設けられ、ポリマー誘導部28の表面にはポリマーの除去を容易にするためのライナー30が設けられている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ装置に係るものであり、詳しくは工程がなされるチャンバー内部に対し検出部がその工程の終了時点を検出することにより工程進行を制御することができるプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体素子製造工程で頻繁に行われる食刻工程は、フォトレジストを用いたパターンマスクから露出した部位に対し食刻液又は食刻ガスが反応するようにして、露出した部位を必要な程度に除去する工程である。
【0003】
このような食刻工程において、食刻ガスを用いる乾式食刻法は、密閉されたチャンバー内にウェハを装着した後、ウェハ上に既に形成された絶縁膜又は金属層の所定部位をプラズマ状態の食刻ガスで食刻することにより、その絶縁膜又は金属層が異方性食刻されるという特徴を有している。このような乾式食刻法の一つである反応性イオン食刻法は、良好な異方性食刻を行うことができるという特徴を有し、微細なパターンを形成するのに主に用いられる。
【0004】
前記乾式食刻法により所定の工程を実施する設備がプラズマエッチング装置である。このプラズマエッチング装置は、ウェハ上に形成された複数個の膜質層のうち所定の膜質層がプラズマにより食刻される場合、食刻される膜質層に対する情報をチャンバーの外側で確認窓を通じて感知する検出部(end point detect)を備える。
【0005】
前記検出部を含んだプラズマ処理装置の従来技術について、添付図を用いて説明する。
図2及び図3に示すように、従来のプラズマ処理装置10の構成には、工程がなされるチャンバー12がある。前記チャンバー12の一側壁には透明な材質で確認窓14が気密維持されるように設置され、前記確認窓14を通してチャンバー12の外部から工程の実行される状態を作業者又は別の検出手段の組合せからなる検出部16によって確認することができる。
【0006】
このような構成によると、所定の真空圧状態をなすチャンバー12内部に先行工程を経た試料を装着する。例えば、絶縁膜又は金属膜が蒸着されるとともにその上面にフォトレジストなどのパターンマスクが形成されたウェハWを上下側電極板(図面の単純化のために省略する)の間に装着する。このとき、前記ウェハWは下側電極板にその底面が密着支持された状態をなす。このような状態でチャンバー12内部には所定の食刻ガスが供給されて、ウェハW上面に対向するように分布される。
【0007】
次いで、前記上下側電極板に高周波パワーが印加され、その間に供給された食刻ガスがプラズマ状態に変換されて、パターンマスクにより露出したウェハW上の膜と反応してその膜を除去する。
ここで、上記のプラズマ状態の食刻ガスが除去されるべき膜と反応すると、その膜の種類に従い固有色相の光発散がなされる。このとき、検出部16はチャンバー12の一側壁に形成された確認窓14を通してその内部の工程状況を検出する。即ち、光の固有色相を検出して現時点で反応する膜の種類を確認し、又、光の色相又は波長の変化を認識して工程の終了時点であることを確認した信号を制御部(図面の単純化のために省略する)に印加することにより、工程の進行を制御する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、上記の過程において、チャンバー12内部には工程の進行過程途中に食刻ガスと膜の反応による副産物のポリマーが生成される。このようなポリマーはチャンバー12内の各部位に無分別に蒸着される。このように蒸着されるポリマーは、継続される工程進行過程においてその蒸着厚さが一層甚だしくなって、ウェハW及びチャンバー12内部に対するパーティクルとして作用するだけでなく、前記確認窓14の内側面に蒸着されて検出部16による工程終了時点の検出を妨害し、工程が過渡に進行される結果又は微々と進行される結果を招来し、工程不良を惹起する。
【0009】
そこで、その誤検出を防止するために確認窓14とチャンバー12を含んだプラズマ処理装置10の各構成に対し一定周期に洗浄作業がなされる。しかしながら、このためのプラズマ処理装置10の分解/組立過程と洗浄作業による作業時間の浪費、それに従うプラズマ処理装置10の稼働率と生産性の低下という問題点がある。
【0010】
したがって本発明の目的は、検出部を通したチャンバー内部の工程進行状態の検出が正確になされるようにして工程不良を防止すると共に、チャンバーを含んだ各部構成の洗浄周期を延長させて作業時間を短縮し、設備の稼働率及び生産性を高めることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明のプラズマ処理装置は、工程が実行されるチャンバーと、透明材質であり前記チャンバーの一側壁に設置され、前記チャンバー内壁から所定深さの溝を有する確認窓と、前記確認窓の溝部位に対して熱が集中するように加熱するヒーターと、前記確認窓の溝部位に対し前記チャンバー外部で内側の工程変化を検出する検出部とを備える。
【0012】
又、前記検出部に対向する前記確認窓は前記チャンバーの外側に延長形成された突出部を有し、前記ヒーターは前記突出部を含んだその周りに対し熱を提供するように設けられている。
そして、前記溝は前記突出部内側の所定部位まで延長された深さに形成されている。
【0013】
一方、前記確認窓の周りの所定部位にはポリマーの蒸着を誘導するための誘導部が設けられ、前記誘導部の表面にはポリマーの除去を容易にするためのライナーを設けるのが好ましく、前記誘導部は前記確認窓の下部に配置する。又、前記誘導部は所定の静電気力を発生させる静電気ユニット、又は前記チャンバー内部の温度よりも低い温度状態を維持する冷却部からなる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
図1は、本発明の一実施例によるプラズマ処理装置において確認窓と検出部を含んだ構成の設置関係を説明するために概略的に示した断面図であり、従来と同じ部分に対しては同じ符号を付し、それに従う詳しい説明は省略する。
【0015】
本実施例によるプラズマ処理装置は、工程の実行されるチャンバー12の一側壁に、外部から内部を視覚的に確認できるように透明材質からなった確認窓20がチャンバー12内部に対し気密状態が維持されるように設置される。
前記確認窓20には、図1に示すように、チャンバー12内壁から外向きに所定深さを有するように延長された溝22が形成され、前記溝22に対向してチャンバー12外側の確認窓20部位に突出部26が外向きに所定長さと太さを有して延長形成される。前記溝22は突出部26の内側所定位置まで至るような深さに延長形成されている。
【0016】
又、前記チャンバー12外側の確認窓20部位、即ち、突出部26を含んだ外側部位には確認窓20に熱を供給するヒーター24が設置され、前記ヒーター24は前記確認窓20の溝22に提供される熱が集中するように突出部26を中心にその周りの確認窓20表面部位に対し熱を提供する。このようにヒーター24により提供される熱はチャンバー12内側の確認窓20内面へのポリマーの蒸着程度を低減するためのものであり、特に図1の点線で熱の分布範囲を示したように、溝22部位に対し熱が集中する熱島をなすことにより、その部位に対するポリマーの蒸着程度を低下させる。
【0017】
そして、確認窓20の溝22に対向するチャンバー12の外側部、即ち、確認窓20の溝22に対向して前記突出部26に近接する位置には突出部26とその延長線上にある溝22を通してチャンバー12内部の工程状況を確認するための検出部16が設置されている。前記検出部16は検出確認したチャンバー12内部の工程状況を制御部(図面の単純化のために省略する)に印加し、制御部は工程進行を制御する。
【0018】
一方、前記チャンバー12内部の確認窓20周りの所定部位には、工程過程で発生するポリマーが確認窓20の外側方向に流動しないようにその流れを誘導するためのポリマー誘導部28が具備されている。前記ポリマー誘導部28は確認窓20の側部又は下部に取り付けられる。
【0019】
又、前記ポリマー誘導部28の表面には蒸着されるポリマーの除去が容易になるようにライナー30が具備される。
そして、ポリマー誘導部28の構成は、前記制御部の制御により印加される電源から静電気力を発生させてポリマーをその表面又はライナー30表面に吸着させる静電気ユニット、又はチャンバー12の内部温度よりも低い温度状態を形成する冷却部ユニットのうちいずれか一つ又はこれらの結合でなされる。このようなポリマー誘導部28の構成がチャンバー12内部の工程実行に影響を与える場合、制御部は工程の終了時点を基準にしてポリマー誘導部28を駆動させるように制御する。
【0020】
このような構成によると、チャンバー12内部の所定位置にウェハWが装着された状態において食刻ガスが供給され、続いて上下部電極板上に高周波パワーが印加されると、供給された食刻ガスがプラズマ状態に変換されて、ウェハW上のパターンマスクにより露出した部位と反応することにより、工程が行われる。このとき、チャンバー12外側に設置された検出部16は確認窓20を通して工程の反応状態を検出し、その検出信号を制御部に印加する。
【0021】
このような関係において、上記の反応過程より生成されるポリマーはチャンバー12内壁に無分別に蒸着される。特に、検出部16を通してその反応状態を確認できるように設置される確認窓20部位がポリマーで蒸着された場合、検出部16は誤情報を認識するようになる。ここで、上述のように、確認窓20に形成された溝22部位はチャンバー12内側の確認窓20表面位置よりも外側に配置されているため、溝22の周辺部よりもポリマーの影響が少ないだけでなく、ヒーター24による高温雰囲気によりその蒸着程度が低下する。特に、前記ヒーター24は確認窓20の突出部26とその周りを囲む形状に設置され、提供される熱は前記溝22部位に集中して熱島をなすため、溝22部位、即ち、検出部16を通した工程状況の確認が要求される溝22部位は他の部位よりもポリマーの蒸着が微々になされる。
【0022】
又、前記ポリマー誘導部28が、確認窓20に流動するポリマーを吸着する形状であり、確認窓20に対するポリマーの蒸着程度を一層低下させることにより、継続的な工程実行過程において確認窓20を通した工程状況の確認がなされ、安定的な工程状況の確認を通じて工程不良が防止され、洗浄周期が延長される。
【0023】
このような構成関係において、前記ヒーター24は、工程のなされる前後過程で溝22部位を含んだ確認窓20のポリマーによる汚染を防止するために熱を継続的に提供するのが好ましい。前記ポリマー誘導部28は工程の終了された時点でその駆動があるようにするのが好ましい。
【0024】
以上、具体的な実施例に対してのみ詳しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で上述の実施例を変形及び変更できるのは、本発明が属する分野の当業者には明白なものであり、その変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、検出部によってチャンバー内部の工程状況を確認できる確認窓の溝部位がその周辺部よりも外側に配置されて、発生するポリマーの蒸着程度が相対的に低減されるだけでなく、溝の形成された相対側の確認窓部位に設置されたヒーターが溝に対し熱が集中するように熱を提供して、溝部位に対する熱島をなすことにより、ポリマーの蒸着がより効果的に防止されて工程不良を減らし、チャンバーを含んだ各構成の洗浄周期延長により設備の分解及び組立による煩雑さが低減されると共に、設備の稼働率とそれに従う生産性が向上されるという効果がある。
又、ポリマー誘導部により確認窓に対するポリマーの流動を防止するようにポリマーを誘導することにより、ポリマーの蒸着から確認窓が一層効果的に保護され、安定的な工程状況の確認がなされるという効果がある。
【0026】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の構成において確認窓とその確認窓を通した検出部との関係を概略的に示す断面図である。
【図2】一般の半導体装置製造用プラズマ処理装置を概略的に示す斜視図である。
【図3】一般の半導体装置製造用プラズマ処理装置の工程進行状態を確認するための確認窓と検出部の設置構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
10 プラズマ処理装置
12 チャンバー
14、20 確認窓
16 検出部
22 溝
24 ヒーター
26 突出部
28 ポリマー誘導部
30 ライナー
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ装置に係るものであり、詳しくは工程がなされるチャンバー内部に対し検出部がその工程の終了時点を検出することにより工程進行を制御することができるプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体素子製造工程で頻繁に行われる食刻工程は、フォトレジストを用いたパターンマスクから露出した部位に対し食刻液又は食刻ガスが反応するようにして、露出した部位を必要な程度に除去する工程である。
【0003】
このような食刻工程において、食刻ガスを用いる乾式食刻法は、密閉されたチャンバー内にウェハを装着した後、ウェハ上に既に形成された絶縁膜又は金属層の所定部位をプラズマ状態の食刻ガスで食刻することにより、その絶縁膜又は金属層が異方性食刻されるという特徴を有している。このような乾式食刻法の一つである反応性イオン食刻法は、良好な異方性食刻を行うことができるという特徴を有し、微細なパターンを形成するのに主に用いられる。
【0004】
前記乾式食刻法により所定の工程を実施する設備がプラズマエッチング装置である。このプラズマエッチング装置は、ウェハ上に形成された複数個の膜質層のうち所定の膜質層がプラズマにより食刻される場合、食刻される膜質層に対する情報をチャンバーの外側で確認窓を通じて感知する検出部(end point detect)を備える。
【0005】
前記検出部を含んだプラズマ処理装置の従来技術について、添付図を用いて説明する。
図2及び図3に示すように、従来のプラズマ処理装置10の構成には、工程がなされるチャンバー12がある。前記チャンバー12の一側壁には透明な材質で確認窓14が気密維持されるように設置され、前記確認窓14を通してチャンバー12の外部から工程の実行される状態を作業者又は別の検出手段の組合せからなる検出部16によって確認することができる。
【0006】
このような構成によると、所定の真空圧状態をなすチャンバー12内部に先行工程を経た試料を装着する。例えば、絶縁膜又は金属膜が蒸着されるとともにその上面にフォトレジストなどのパターンマスクが形成されたウェハWを上下側電極板(図面の単純化のために省略する)の間に装着する。このとき、前記ウェハWは下側電極板にその底面が密着支持された状態をなす。このような状態でチャンバー12内部には所定の食刻ガスが供給されて、ウェハW上面に対向するように分布される。
【0007】
次いで、前記上下側電極板に高周波パワーが印加され、その間に供給された食刻ガスがプラズマ状態に変換されて、パターンマスクにより露出したウェハW上の膜と反応してその膜を除去する。
ここで、上記のプラズマ状態の食刻ガスが除去されるべき膜と反応すると、その膜の種類に従い固有色相の光発散がなされる。このとき、検出部16はチャンバー12の一側壁に形成された確認窓14を通してその内部の工程状況を検出する。即ち、光の固有色相を検出して現時点で反応する膜の種類を確認し、又、光の色相又は波長の変化を認識して工程の終了時点であることを確認した信号を制御部(図面の単純化のために省略する)に印加することにより、工程の進行を制御する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、上記の過程において、チャンバー12内部には工程の進行過程途中に食刻ガスと膜の反応による副産物のポリマーが生成される。このようなポリマーはチャンバー12内の各部位に無分別に蒸着される。このように蒸着されるポリマーは、継続される工程進行過程においてその蒸着厚さが一層甚だしくなって、ウェハW及びチャンバー12内部に対するパーティクルとして作用するだけでなく、前記確認窓14の内側面に蒸着されて検出部16による工程終了時点の検出を妨害し、工程が過渡に進行される結果又は微々と進行される結果を招来し、工程不良を惹起する。
【0009】
そこで、その誤検出を防止するために確認窓14とチャンバー12を含んだプラズマ処理装置10の各構成に対し一定周期に洗浄作業がなされる。しかしながら、このためのプラズマ処理装置10の分解/組立過程と洗浄作業による作業時間の浪費、それに従うプラズマ処理装置10の稼働率と生産性の低下という問題点がある。
【0010】
したがって本発明の目的は、検出部を通したチャンバー内部の工程進行状態の検出が正確になされるようにして工程不良を防止すると共に、チャンバーを含んだ各部構成の洗浄周期を延長させて作業時間を短縮し、設備の稼働率及び生産性を高めることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明のプラズマ処理装置は、工程が実行されるチャンバーと、透明材質であり前記チャンバーの一側壁に設置され、前記チャンバー内壁から所定深さの溝を有する確認窓と、前記確認窓の溝部位に対して熱が集中するように加熱するヒーターと、前記確認窓の溝部位に対し前記チャンバー外部で内側の工程変化を検出する検出部とを備える。
【0012】
又、前記検出部に対向する前記確認窓は前記チャンバーの外側に延長形成された突出部を有し、前記ヒーターは前記突出部を含んだその周りに対し熱を提供するように設けられている。
そして、前記溝は前記突出部内側の所定部位まで延長された深さに形成されている。
【0013】
一方、前記確認窓の周りの所定部位にはポリマーの蒸着を誘導するための誘導部が設けられ、前記誘導部の表面にはポリマーの除去を容易にするためのライナーを設けるのが好ましく、前記誘導部は前記確認窓の下部に配置する。又、前記誘導部は所定の静電気力を発生させる静電気ユニット、又は前記チャンバー内部の温度よりも低い温度状態を維持する冷却部からなる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
図1は、本発明の一実施例によるプラズマ処理装置において確認窓と検出部を含んだ構成の設置関係を説明するために概略的に示した断面図であり、従来と同じ部分に対しては同じ符号を付し、それに従う詳しい説明は省略する。
【0015】
本実施例によるプラズマ処理装置は、工程の実行されるチャンバー12の一側壁に、外部から内部を視覚的に確認できるように透明材質からなった確認窓20がチャンバー12内部に対し気密状態が維持されるように設置される。
前記確認窓20には、図1に示すように、チャンバー12内壁から外向きに所定深さを有するように延長された溝22が形成され、前記溝22に対向してチャンバー12外側の確認窓20部位に突出部26が外向きに所定長さと太さを有して延長形成される。前記溝22は突出部26の内側所定位置まで至るような深さに延長形成されている。
【0016】
又、前記チャンバー12外側の確認窓20部位、即ち、突出部26を含んだ外側部位には確認窓20に熱を供給するヒーター24が設置され、前記ヒーター24は前記確認窓20の溝22に提供される熱が集中するように突出部26を中心にその周りの確認窓20表面部位に対し熱を提供する。このようにヒーター24により提供される熱はチャンバー12内側の確認窓20内面へのポリマーの蒸着程度を低減するためのものであり、特に図1の点線で熱の分布範囲を示したように、溝22部位に対し熱が集中する熱島をなすことにより、その部位に対するポリマーの蒸着程度を低下させる。
【0017】
そして、確認窓20の溝22に対向するチャンバー12の外側部、即ち、確認窓20の溝22に対向して前記突出部26に近接する位置には突出部26とその延長線上にある溝22を通してチャンバー12内部の工程状況を確認するための検出部16が設置されている。前記検出部16は検出確認したチャンバー12内部の工程状況を制御部(図面の単純化のために省略する)に印加し、制御部は工程進行を制御する。
【0018】
一方、前記チャンバー12内部の確認窓20周りの所定部位には、工程過程で発生するポリマーが確認窓20の外側方向に流動しないようにその流れを誘導するためのポリマー誘導部28が具備されている。前記ポリマー誘導部28は確認窓20の側部又は下部に取り付けられる。
【0019】
又、前記ポリマー誘導部28の表面には蒸着されるポリマーの除去が容易になるようにライナー30が具備される。
そして、ポリマー誘導部28の構成は、前記制御部の制御により印加される電源から静電気力を発生させてポリマーをその表面又はライナー30表面に吸着させる静電気ユニット、又はチャンバー12の内部温度よりも低い温度状態を形成する冷却部ユニットのうちいずれか一つ又はこれらの結合でなされる。このようなポリマー誘導部28の構成がチャンバー12内部の工程実行に影響を与える場合、制御部は工程の終了時点を基準にしてポリマー誘導部28を駆動させるように制御する。
【0020】
このような構成によると、チャンバー12内部の所定位置にウェハWが装着された状態において食刻ガスが供給され、続いて上下部電極板上に高周波パワーが印加されると、供給された食刻ガスがプラズマ状態に変換されて、ウェハW上のパターンマスクにより露出した部位と反応することにより、工程が行われる。このとき、チャンバー12外側に設置された検出部16は確認窓20を通して工程の反応状態を検出し、その検出信号を制御部に印加する。
【0021】
このような関係において、上記の反応過程より生成されるポリマーはチャンバー12内壁に無分別に蒸着される。特に、検出部16を通してその反応状態を確認できるように設置される確認窓20部位がポリマーで蒸着された場合、検出部16は誤情報を認識するようになる。ここで、上述のように、確認窓20に形成された溝22部位はチャンバー12内側の確認窓20表面位置よりも外側に配置されているため、溝22の周辺部よりもポリマーの影響が少ないだけでなく、ヒーター24による高温雰囲気によりその蒸着程度が低下する。特に、前記ヒーター24は確認窓20の突出部26とその周りを囲む形状に設置され、提供される熱は前記溝22部位に集中して熱島をなすため、溝22部位、即ち、検出部16を通した工程状況の確認が要求される溝22部位は他の部位よりもポリマーの蒸着が微々になされる。
【0022】
又、前記ポリマー誘導部28が、確認窓20に流動するポリマーを吸着する形状であり、確認窓20に対するポリマーの蒸着程度を一層低下させることにより、継続的な工程実行過程において確認窓20を通した工程状況の確認がなされ、安定的な工程状況の確認を通じて工程不良が防止され、洗浄周期が延長される。
【0023】
このような構成関係において、前記ヒーター24は、工程のなされる前後過程で溝22部位を含んだ確認窓20のポリマーによる汚染を防止するために熱を継続的に提供するのが好ましい。前記ポリマー誘導部28は工程の終了された時点でその駆動があるようにするのが好ましい。
【0024】
以上、具体的な実施例に対してのみ詳しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で上述の実施例を変形及び変更できるのは、本発明が属する分野の当業者には明白なものであり、その変形及び変更は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、検出部によってチャンバー内部の工程状況を確認できる確認窓の溝部位がその周辺部よりも外側に配置されて、発生するポリマーの蒸着程度が相対的に低減されるだけでなく、溝の形成された相対側の確認窓部位に設置されたヒーターが溝に対し熱が集中するように熱を提供して、溝部位に対する熱島をなすことにより、ポリマーの蒸着がより効果的に防止されて工程不良を減らし、チャンバーを含んだ各構成の洗浄周期延長により設備の分解及び組立による煩雑さが低減されると共に、設備の稼働率とそれに従う生産性が向上されるという効果がある。
又、ポリマー誘導部により確認窓に対するポリマーの流動を防止するようにポリマーを誘導することにより、ポリマーの蒸着から確認窓が一層効果的に保護され、安定的な工程状況の確認がなされるという効果がある。
【0026】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の構成において確認窓とその確認窓を通した検出部との関係を概略的に示す断面図である。
【図2】一般の半導体装置製造用プラズマ処理装置を概略的に示す斜視図である。
【図3】一般の半導体装置製造用プラズマ処理装置の工程進行状態を確認するための確認窓と検出部の設置構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
10 プラズマ処理装置
12 チャンバー
14、20 確認窓
16 検出部
22 溝
24 ヒーター
26 突出部
28 ポリマー誘導部
30 ライナー
Claims (8)
- 工程が実行されるチャンバーと、
透明な材質であり、前記チャンバーの一側壁に設置され、前記チャンバーの内壁から所定深さの溝を有する確認窓と、
前記確認窓の溝部位に熱が集中するように加熱するヒーターと、
前記確認窓の溝部位に対し前記チャンバーの外部から内側の工程変化を検出する検出部と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記検出部に対向する確認窓部位には前記チャンバーの外側から突出部が延長形成され、前記ヒーターは前記突出部を含んだその周りに熱を提供するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記溝は前記突出部の内側の所定部位に至るように延長された深さに形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバーの内側の確認窓周りの所定部位にはポリマーの蒸着を誘導するためのポリマー誘導部が設けられることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ポリマー誘導部の表面にはポリマーの除去を容易にするためのライナーが設けられることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ装置。
- 前記ポリマー誘導部は前記確認窓の両側の側部又は下部のうちいずれか一つ以上の部位に設置されることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ポリマー誘導部は印加される制御信号に応じて所定の静電気力を発生させる静電気ユニットであることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ポリマー誘導部は前記チャンバーの内部の温度よりも低い温度状態を形成する冷却部ユニットであることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0063790A KR100488541B1 (ko) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | 플라즈마 처리장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004140324A true JP2004140324A (ja) | 2004-05-13 |
Family
ID=32089733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003166568A Pending JP2004140324A (ja) | 2002-10-18 | 2003-06-11 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040074602A1 (ja) |
JP (1) | JP2004140324A (ja) |
KR (1) | KR100488541B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD749768S1 (en) | 2014-02-06 | 2016-02-16 | Cree, Inc. | Troffer-style light fixture with sensors |
USD807556S1 (en) | 2014-02-02 | 2018-01-09 | Cree Hong Kong Limited | Troffer-style fixture |
US10012354B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-07-03 | Cree, Inc. | Adjustable retrofit LED troffer |
US10527225B2 (en) | 2014-03-25 | 2020-01-07 | Ideal Industries, Llc | Frame and lens upgrade kits for lighting fixtures |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050042136A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-02-24 | Marganski Paul J. | Colorimetric gas detector and windowed process chamber |
KR100717974B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-05-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
KR102200455B1 (ko) | 2020-02-12 | 2021-01-08 | (주)오투바이 | 끈 조절을 포함한 다기능성 마스크 |
KR102196160B1 (ko) | 2020-07-07 | 2020-12-29 | 이성희 | 끈 조절 다기능성 마스크 |
KR20220019440A (ko) | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 삼성전자주식회사 | 윈도우를 갖는 플라즈마 처리 장치, 분석 장치, 및 챔버 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113425A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPH0375389A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-03-29 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
US5129994A (en) * | 1991-04-23 | 1992-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to inhibit obstruction of optical transmission through semiconductor etch process chamber viewport |
KR0159224B1 (ko) * | 1995-12-13 | 1999-02-01 | 김광호 | 플라즈마 에칭 설비에서의 엔드 포인트 검출 장치 |
JPH09209179A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | Nec Corp | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 |
KR100292053B1 (ko) * | 1998-03-30 | 2001-11-30 | 김영환 | 반도체제조용식각장치의엔드포인트윈도우 |
US6390019B1 (en) * | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
US6306246B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual window optical port for improved end point detection |
KR100336524B1 (ko) * | 2000-08-07 | 2002-05-11 | 윤종용 | 반도체 제조용 화학기상증착 장치의 뷰우포트 |
US6599765B1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-07-29 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection |
-
2002
- 2002-10-18 KR KR10-2002-0063790A patent/KR100488541B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-11 JP JP2003166568A patent/JP2004140324A/ja active Pending
- 2003-09-05 US US10/655,307 patent/US20040074602A1/en not_active Abandoned
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD807556S1 (en) | 2014-02-02 | 2018-01-09 | Cree Hong Kong Limited | Troffer-style fixture |
USRE48620E1 (en) | 2014-02-02 | 2021-07-06 | Ideal Industries Lighting Llc | Troffer-style fixture |
USRE49228E1 (en) | 2014-02-02 | 2022-10-04 | Ideal Industries Lighting Llc | Troffer-style fixture |
USD749768S1 (en) | 2014-02-06 | 2016-02-16 | Cree, Inc. | Troffer-style light fixture with sensors |
US10527225B2 (en) | 2014-03-25 | 2020-01-07 | Ideal Industries, Llc | Frame and lens upgrade kits for lighting fixtures |
US10012354B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-07-03 | Cree, Inc. | Adjustable retrofit LED troffer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040035066A (ko) | 2004-04-29 |
KR100488541B1 (ko) | 2005-05-11 |
US20040074602A1 (en) | 2004-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5528106B2 (ja) | 乾式非プラズマ処理システム及び当該システムの使用方法 | |
KR100767001B1 (ko) | 기판의 건조 처리 장치 및 건조 처리 방법 | |
JP2008527711A (ja) | フォトレジスト及びエッチング残渣の低圧除去方法 | |
KR19990080844A (ko) | 반도체소자 제조용 식각장치의 배플 | |
KR19990022602A (ko) | 감소된오염입자를갖는플라즈마스퍼터에칭장치 | |
TWI555070B (zh) | 斜角緣部保護膜之沉積方法 | |
JP2004140324A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008199023A (ja) | 基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置 | |
CN106816393A (zh) | 基片处理方法及设备 | |
KR20070012070A (ko) | 반도체 제조 장치 | |
KR100481180B1 (ko) | 포토레지스트 제거방법 | |
JPH09209179A (ja) | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 | |
JP2010027836A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20070080517A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2004247526A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
KR20060014801A (ko) | 기판 가장자리 식각 장치 | |
JP4293333B2 (ja) | 基板処理の不具合検出方法及び処理装置 | |
KR100635377B1 (ko) | 기판 가장자리 식각 장치 | |
JP4470325B2 (ja) | 成膜装置 | |
JPH0527258B2 (ja) | ||
KR20030006815A (ko) | 애싱 장치 | |
KR20040015602A (ko) | 반도체 제조 장치 | |
JPH05347281A (ja) | アッシング方法及びアッシング装置 | |
KR20060012531A (ko) | 반도체 제조용 식각장치 | |
KR20020094715A (ko) | 웨이퍼 가장자리 노광 시스템 |