JPH0346381Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0346381Y2 JPH0346381Y2 JP635485U JP635485U JPH0346381Y2 JP H0346381 Y2 JPH0346381 Y2 JP H0346381Y2 JP 635485 U JP635485 U JP 635485U JP 635485 U JP635485 U JP 635485U JP H0346381 Y2 JPH0346381 Y2 JP H0346381Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- constant current
- bridge circuit
- pole
- fetq
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、圧力等の測定に使用されるブリツジ
回路に対し、励振用の電圧を印加する励振回路に
関するものである。
回路に対し、励振用の電圧を印加する励振回路に
関するものである。
第2図は従来例の回路図であり、圧力センサの
ダイヤフラム等と連結されたストレインゲージ等
の物理量測定素子を含む抵抗素子r1〜r4によりブ
リツジ回路が構成され、これの互に対称な第1お
よび第2の給電点F1,F2には、各々電界効果形
トランジスタ(以下、FET)Q1,Q2を介し、電
源の一極V1が印加されると共に、各給電点F1,
F2には、FETQ3,Q4およびトランジスタQ5、抵
抗器R1〜R3からなる定電流回路を介し、電源の
他極として共通回路が接続されており、トランジ
スタQ5のベースには抵抗器R2,R3の回路を経て
電源V2が印加され、トランジスタQ5は常時オン
状態となつているのに対し、FETQ1,Q4とQ2,
Q3とのゲートには互に逆相の駆動パルスφ1,φ2
が印加され、これらが交互にオン,オフを反復す
るものとなつている。
ダイヤフラム等と連結されたストレインゲージ等
の物理量測定素子を含む抵抗素子r1〜r4によりブ
リツジ回路が構成され、これの互に対称な第1お
よび第2の給電点F1,F2には、各々電界効果形
トランジスタ(以下、FET)Q1,Q2を介し、電
源の一極V1が印加されると共に、各給電点F1,
F2には、FETQ3,Q4およびトランジスタQ5、抵
抗器R1〜R3からなる定電流回路を介し、電源の
他極として共通回路が接続されており、トランジ
スタQ5のベースには抵抗器R2,R3の回路を経て
電源V2が印加され、トランジスタQ5は常時オン
状態となつているのに対し、FETQ1,Q4とQ2,
Q3とのゲートには互に逆相の駆動パルスφ1,φ2
が印加され、これらが交互にオン,オフを反復す
るものとなつている。
このため、FETQ1,Q4がオンの間は、給電点
F1からF2へ電流が通じ、FETQ2,Q3がオンの間
は、給電点F2からF1へ電流が通ずると共に、各
電流は一定値の定電流となり、抵抗素子r1〜r4の
抵抗値が不平衡状態となれば、出力端子t1,t2間
に交互に極性の反転する出力電圧が生じ、これが
圧力センサのダイヤフラムへ印加される圧力に応
ずるものとなる。
F1からF2へ電流が通じ、FETQ2,Q3がオンの間
は、給電点F2からF1へ電流が通ずると共に、各
電流は一定値の定電流となり、抵抗素子r1〜r4の
抵抗値が不平衡状態となれば、出力端子t1,t2間
に交互に極性の反転する出力電圧が生じ、これが
圧力センサのダイヤフラムへ印加される圧力に応
ずるものとなる。
したがつて、この出力電圧を条件に応じて処理
すれば、圧力の測定を行うことができる。
すれば、圧力の測定を行うことができる。
しかし、第2図においては、定電流回路が高イ
ンピーダンスを呈するものとなつており、トラン
ジスタQ5のコレクタが高インピーダンスとなつ
ているところ、これと接続されたFETQ3,Q4が
オン,オフを行なう際、駆動パルスφ1,φ2の前
縁に含まれる高調波成分がFETQ3,Q4のゲー
ト・ドレイン間容量を介してブリツジ回路へ印加
される。すなわち、一般に、FETのゲート・ド
レイン間の容量は、バイポーラトランジスタに比
べて大きいため、ゲート信号がドレイン側へ漏れ
易い。また、この現象は、ゲート・ドレイン間の
電位差が大きくなる程著しくなり、この場合ドレ
インからスパイク状の出力電圧が発生する。この
出力電圧波形は第3図に示すとおり、交番電圧の
前縁にスパイク状の雑音として混入し、これが測
定上の誤差となる問題を生じている。
ンピーダンスを呈するものとなつており、トラン
ジスタQ5のコレクタが高インピーダンスとなつ
ているところ、これと接続されたFETQ3,Q4が
オン,オフを行なう際、駆動パルスφ1,φ2の前
縁に含まれる高調波成分がFETQ3,Q4のゲー
ト・ドレイン間容量を介してブリツジ回路へ印加
される。すなわち、一般に、FETのゲート・ド
レイン間の容量は、バイポーラトランジスタに比
べて大きいため、ゲート信号がドレイン側へ漏れ
易い。また、この現象は、ゲート・ドレイン間の
電位差が大きくなる程著しくなり、この場合ドレ
インからスパイク状の出力電圧が発生する。この
出力電圧波形は第3図に示すとおり、交番電圧の
前縁にスパイク状の雑音として混入し、これが測
定上の誤差となる問題を生じている。
前述の問題を解決するため、本考案はつぎの手
段により構成するものとなつている。
段により構成するものとなつている。
すなわち、上述のブリツジ回路における互に対
称な給電点の各々に対し、交互にオン,オフを反
復して電源の一極を印加する第1および第2のス
イツチング素子と、各給電点と電源の他極との間
にそれぞれ挿入され第1および第2のスイツチン
グ素子と逆相のタイミング関係によりオン,オフ
を反復する第1および第2の定電流回路とを備え
たものである。
称な給電点の各々に対し、交互にオン,オフを反
復して電源の一極を印加する第1および第2のス
イツチング素子と、各給電点と電源の他極との間
にそれぞれ挿入され第1および第2のスイツチン
グ素子と逆相のタイミング関係によりオン,オフ
を反復する第1および第2の定電流回路とを備え
たものである。
したがつて、第1のスイツチング素子および第
2の定電流回路と、第2のスイツチング素子およ
び第1の定電流回路とが交互にオン,オフを反復
し、従来と同様にブリツジ回路の励振が行なわれ
ると共に、定電流回路自体がオン,オフを行なう
ため、従来のFETQ3,Q4が省略される。スパイ
ク状の出力電圧を発生するこれらのFETQ3,Q4
が省略された結果、駆動パルスの高調波成分がプ
リツジ回路へ印加されないものとなる。
2の定電流回路と、第2のスイツチング素子およ
び第1の定電流回路とが交互にオン,オフを反復
し、従来と同様にブリツジ回路の励振が行なわれ
ると共に、定電流回路自体がオン,オフを行なう
ため、従来のFETQ3,Q4が省略される。スパイ
ク状の出力電圧を発生するこれらのFETQ3,Q4
が省略された結果、駆動パルスの高調波成分がプ
リツジ回路へ印加されないものとなる。
以下、実施例を示す図によつて本考案の詳細を
説明する。
説明する。
第1図は回路図であり、2図と同様、ブリツジ
回路の給電点F1,F2には、第1および第2のス
イツチング素子としてFETQ1,Q2が各個に接続
され、これらが駆動パルスφ1,φ2に応じて交互
にオン,オフを行ない、電源の一極V1を印加す
る一方、給電点F1,F2と共通回路との間には、
トランジスタQ11および抵抗器R11〜R13からなる
第1の定電流回路と、トランジスタQ12および抵
抗器R14〜R16からなる第2の定電流回路とが各
個に挿入されており、各々のベースバイアスとし
て駆動パルスφ2と同相の駆動パルスφ2a、および
駆動パルスφ1と同相の駆動パルスφ1aが与えら
れ、これに応じてトランジスタQ11,Q12がオン,
オフを行なうものとなつている。
回路の給電点F1,F2には、第1および第2のス
イツチング素子としてFETQ1,Q2が各個に接続
され、これらが駆動パルスφ1,φ2に応じて交互
にオン,オフを行ない、電源の一極V1を印加す
る一方、給電点F1,F2と共通回路との間には、
トランジスタQ11および抵抗器R11〜R13からなる
第1の定電流回路と、トランジスタQ12および抵
抗器R14〜R16からなる第2の定電流回路とが各
個に挿入されており、各々のベースバイアスとし
て駆動パルスφ2と同相の駆動パルスφ2a、および
駆動パルスφ1と同相の駆動パルスφ1aが与えら
れ、これに応じてトランジスタQ11,Q12がオン,
オフを行なうものとなつている。
このため、給電点F1へ接続された定電流回路
は、FETQ1と反対の関係により、かつ、FETQ2
と同期してオン,オフを反復すると共に、給電点
F2へ接続された定電流回路は、FETQ2と反対の
関係により、かつ、FETQ1と同期してオン,オ
フを反復し、これに応じて給電点F2からF1へ、
また、給電点F1からF2へ定電流が通じ、第2図
と同様にブリツジ回路が励振される。
は、FETQ1と反対の関係により、かつ、FETQ2
と同期してオン,オフを反復すると共に、給電点
F2へ接続された定電流回路は、FETQ2と反対の
関係により、かつ、FETQ1と同期してオン,オ
フを反復し、これに応じて給電点F2からF1へ、
また、給電点F1からF2へ定電流が通じ、第2図
と同様にブリツジ回路が励振される。
したがつて、ブリツジ回路の抵抗素子が呈する
抵抗値に応じ、出力端子t1,t2から第2図の場合
と同様に交番状の出力電圧が得られると共に、第
2図のFETQ3,Q4が省略され、出力電圧には第
3図のスパイク状雑音が混入せず、測定上の誤差
を生じないものとなる。すなわち、従来、ブリツ
ジ回路を励振するためのスイツチング素子とし
て、FETQ3,Q4を用いていたが、このFETQ3,
Q4のゲート・トレイン間の容量が、バイポーラ
トランジスタに比べて大きいことから、ゲート信
号がドレイン側へ漏れ易くなり、この結果、ドレ
イン側からスパイク状雑音が出力される。このス
パイク状雑音を除去するために本来は、この
FETQ3,Q4に代えてバイポーラトランジスタを
用いるべきところであるが、バイポーラトランジ
スタを用いるとベース電流の誤差が発生するた
め、第1および第2の定電流回路を用いてスパイ
ク状の雑音の混入を阻止し、測定上の誤差を生じ
させないようにしたものである。
抵抗値に応じ、出力端子t1,t2から第2図の場合
と同様に交番状の出力電圧が得られると共に、第
2図のFETQ3,Q4が省略され、出力電圧には第
3図のスパイク状雑音が混入せず、測定上の誤差
を生じないものとなる。すなわち、従来、ブリツ
ジ回路を励振するためのスイツチング素子とし
て、FETQ3,Q4を用いていたが、このFETQ3,
Q4のゲート・トレイン間の容量が、バイポーラ
トランジスタに比べて大きいことから、ゲート信
号がドレイン側へ漏れ易くなり、この結果、ドレ
イン側からスパイク状雑音が出力される。このス
パイク状雑音を除去するために本来は、この
FETQ3,Q4に代えてバイポーラトランジスタを
用いるべきところであるが、バイポーラトランジ
スタを用いるとベース電流の誤差が発生するた
め、第1および第2の定電流回路を用いてスパイ
ク状の雑音の混入を阻止し、測定上の誤差を生じ
させないようにしたものである。
なお、FETQ1,Q2側は、電源の一極V1が一般
に低インピーダンスであり、雑音の混入には関与
しない。
に低インピーダンスであり、雑音の混入には関与
しない。
たゞし、抵抗素子r1〜r4は、ストレインゲージ
のみならず、サーミスタと抵抗器との組み合せ
等、物理量に応じてインピーダンスの変化する素
子を含めばよく、温度、湿度等、各種の物理量を
測定するブリツジ回路へ適用することができる。
のみならず、サーミスタと抵抗器との組み合せ
等、物理量に応じてインピーダンスの変化する素
子を含めばよく、温度、湿度等、各種の物理量を
測定するブリツジ回路へ適用することができる。
また、FETQ1,Q2の代りに一般のトランジス
タ等、各種のスイツチング素子を用いてもよく、
各定電流回路の構成も条件に応じた選定が任意で
あり、駆動パルスφ1,φ2,φ1a,φ2aの電圧およ
び極性は、これらの状況にしたがつて定めればよ
い等、種々の変形が自在である。
タ等、各種のスイツチング素子を用いてもよく、
各定電流回路の構成も条件に応じた選定が任意で
あり、駆動パルスφ1,φ2,φ1a,φ2aの電圧およ
び極性は、これらの状況にしたがつて定めればよ
い等、種々の変形が自在である。
以上の説明により明らかなとおり本考案によれ
ば、ブリツジ回路に対する駆動パルスの高調波成
分印加がなく、ブリツジ回路の出力電圧中へ雑音
が混入せず、測定上の誤差発生が排除され、各種
物理量測定用のブリツジ回路に対する励振上、多
大な効果が得られる。
ば、ブリツジ回路に対する駆動パルスの高調波成
分印加がなく、ブリツジ回路の出力電圧中へ雑音
が混入せず、測定上の誤差発生が排除され、各種
物理量測定用のブリツジ回路に対する励振上、多
大な効果が得られる。
第1図は本考案の実施例を示す回路図、第2図
は従来例の回路図、第3図は第2図における出力
電圧の波形を示す図である。 Q1,Q2……FET(電界効果形トランジスタ)、
r1〜r4……抵抗素子、F1,F2……給電点、Q11,
Q12……トランジスタ、R11〜R16……抵抗器、
φ1,φ2,φ1a,φ2a……駆動パルス、V1……電源
の一極。
は従来例の回路図、第3図は第2図における出力
電圧の波形を示す図である。 Q1,Q2……FET(電界効果形トランジスタ)、
r1〜r4……抵抗素子、F1,F2……給電点、Q11,
Q12……トランジスタ、R11〜R16……抵抗器、
φ1,φ2,φ1a,φ2a……駆動パルス、V1……電源
の一極。
Claims (1)
- 物理量測定用の素子を含むブリツジ回路の互い
に対称な給電点の各々に対し交互にオン,オフを
反復して電源の一極を印加する第1および第2の
スイツチング素子と、前記各給電点と前記電源の
他極との間にそれぞれ挿入され前記第1および第
2のスイツチング素子と逆相のタイミング関係に
よりオン,オフを反復する第1および第2の定電
流回路とを備えたことを特徴とするブリツジ回路
用励振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP635485U JPH0346381Y2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP635485U JPH0346381Y2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61122572U JPS61122572U (ja) | 1986-08-01 |
JPH0346381Y2 true JPH0346381Y2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=30483718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP635485U Expired JPH0346381Y2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0346381Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP635485U patent/JPH0346381Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61122572U (ja) | 1986-08-01 |
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