JPH0346338A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
素子等に幅広く利用される絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタ(以下、MOSFETと略す)に関する。
を設けることで基板とソース・ドレインとの間の接合容
量を低減化し、トランジスタの高速動作を実現するため
の製造方法に関して、新しい方法を提供するものである
。
と略す)を製造する場合、従来は第2図fatに示す半
導体基板lの表面部分にゲート絶縁膜4を設ける工程と
、第2開山)に示す前記ゲート絶縁膜4を介してゲート
電極用材料を底膜する工程と、第2図telに示すゲー
ト電極5を形成した後にイオン注入でソース6とドレイ
ン7を設ける工程とから戒っていた。この場合に形成さ
れるドレイン7と半導体基板1との間はPn”接合とな
っていた。
、これをドレイン容ICゎと称する)は、例えばCMO
Sインバータの動特性を低下させる要因であり、ドレイ
ン容量C0の値を小さくすることが必要となっていた。
は以下のような手段を講している。即ち、本発明では第
1図tal〜(C1に示すような製造工程を採用するこ
とにより、第1図telで示すようにソース6及びドレ
イン7を基板■との間に絶縁膜を埋め込んだ構造を実現
している。
ドレイン容!c、oが大幅に低減され、インバータの動
特性が向上する。
る。第1図[al〜(clは本発明を用いてMOSFE
Tを製造する場合の製造工程順断面図である。第1図t
a+は、半導体基板lのうえに絶縁膜2を設けた後に、
ゲートが形成される部分の直下に相当する領域のみ絶縁
膜2をエツチングし、半導体基板表面を露出させる。次
に第1図(′b)において、前記半導体基板表面が露出
した領域をシードとしてエピタキシャル成長を行う。こ
の場合、前記絶縁膜2の上側にもラテラルエピタキシャ
ル成長により単結晶が形成される。また、エピタキシャ
ル成長法として分子層工゛ピタキシャル法(Molec
ulan Layen [!pitaxy法; MLE
)を用いると、前記エピタキシャル成長層の膜厚は、単
原子層オーダーの精度で形成され、かつ不純物濃度プロ
ファイルも急峻となる0例えば分子層エピタキシャル成
長法を用いて形成された場合きエピタキシャル成長層の
プロファイルは、第3図に示すように約2000人のP
°層と、表面側の約50OAのP−層とから成り、その
遷移領域の幅は約200人と急峻なものとなっている。
てジクロルシランC3kHzC1g)を用い、ドーピン
グのソースとしてジポラン(BJh)を用い、P−層の
形成にはジボランを用いずノンドープ成長を行っている
0次に、第1図(C)において、ゲート絶縁膜4及びゲ
ート電極5を形成した後に、イオン注入法を用いてソー
ス6とドレイン7が形成される。
ン容fcaが小さく、かつ電流駆動能力が高いという特
徴を有する。更に、チャネル直下の不純物濃度が高いた
め、ドレイン空乏層がゲート直下に伸びることが抑えら
れ、その結果、単チャネル効果を起こしにくい構造とな
っている。
ジスタの新しい製造方法を提供する。
製造工程順断面図、第2図は従来の方法によるMOSF
ETの製造工程順断面図、第3図は第1図(C1におけ
るゲート直下の半導体層のボロンの深さ方向に対する濃
度プロファイルを示す図である。 l・・・半導体基板 2・・・絶縁膜 3・・・半導体1i(エピタキシャル成長層)4・・・
ゲート絶縁膜 5 ・ゲート電極 ・ソース ・ドレイン 以上
Claims (3)
- (1)第1導電型の半導体基板表面の一部に絶縁膜を設
ける第1の工程と、前記絶縁膜が設けられず前記半導体
基板表面が露出している領域をシードとしてラテラルエ
ピタキシャル成長を行って前記第1導電型と同じ導電型
の半導体層を設ける第2の工程と、前記半導体層の上に
ゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた後に、イオン
注入を行って前記第1導電型と異なる第2導電型のソー
ス及びドレインを形成する第3の工程とから成る半導体
装置の製造工程において、前記第1の工程において、少
なくとも前記絶縁膜がソース及びドレインの下側部分に
設けられ、かつ少なくともゲート直下の一部は前記半導
体基板表面が露出していることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - (2)前記第2の工程において形成される半導体層の不
純物濃度がゲート絶縁膜から離れるにつれて高くなって
いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造
方法。 - (3)前記第2の工程において半導体層を形成する方法
が分子層エピタキシャル成長法(MLE法)あるいは分
子線エピタキシャル成長法(MBE法)であることを特
徴とする請求項1、あるいは2記載の半導体装置の製造
方法。
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Publications (2)
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JPH0346338A true JPH0346338A (ja) | 1991-02-27 |
JP2869653B2 JP2869653B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=16129880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1183106A Expired - Lifetime JP2869653B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2869653B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8534616B2 (en) | 2007-01-03 | 2013-09-17 | Firefly Medical, Inc. | Integrated infusion management system |
US10299875B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-05-28 | Firefly Medical, Inc. | Devices for mobility assistance and infusion management |
US10758161B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-09-01 | Firefly Medical, Inc. | Patient mobility assessment device |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1183106A patent/JP2869653B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8534616B2 (en) | 2007-01-03 | 2013-09-17 | Firefly Medical, Inc. | Integrated infusion management system |
US9173803B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-11-03 | Firefly Medical, Inc. | Integrated infusion management system |
US10299875B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-05-28 | Firefly Medical, Inc. | Devices for mobility assistance and infusion management |
US11026760B2 (en) | 2013-07-19 | 2021-06-08 | Firefly Medical, Inc. | Devices and mobility assistance and infusion management |
US10758161B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-09-01 | Firefly Medical, Inc. | Patient mobility assessment device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2869653B2 (ja) | 1999-03-10 |
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