JPH0345563A - 圧電セラミックスの製造方法 - Google Patents
圧電セラミックスの製造方法Info
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- JPH0345563A JPH0345563A JP1179611A JP17961189A JPH0345563A JP H0345563 A JPH0345563 A JP H0345563A JP 1179611 A JP1179611 A JP 1179611A JP 17961189 A JP17961189 A JP 17961189A JP H0345563 A JPH0345563 A JP H0345563A
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- piezoelectric ceramics
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Links
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Landscapes
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子部品に使用される圧電セラミックスの
製造方法に関するもので、最適な焼成条件をつくり、安
定した緒特性を持った焼結体を得る為のものである。
製造方法に関するもので、最適な焼成条件をつくり、安
定した緒特性を持った焼結体を得る為のものである。
従来の技術
圧電セラミックスは各種振動子、フィルターブザー等を
はしめ、広く電子機器に使用されている。近年これらの
高性能化、高信頼性化の進歩は著しく、圧電セラミック
スの焼結体についても信頼性の高いものが要求されてき
ている。従来、圧電セラミックスの製造方法は第２図に
示すように、平板状の閉塞蓋ｌの上に散布した敷粉２上
に圧電セラミックスの成形体３を置き、焼成容器４を前
記成形体と前記敷粉を上からおおうように設置して焼成
を行っている。この際には閉塞状態にしておき、１００
０℃以上の高温での焼成中に、低融点である圧電セラミ
ックスの主成分酸化鉛が蒸発し、容器内部に鉛雰囲気を
つくりだし、所望の特性を得る方法がとられていた。
はしめ、広く電子機器に使用されている。近年これらの
高性能化、高信頼性化の進歩は著しく、圧電セラミック
スの焼結体についても信頼性の高いものが要求されてき
ている。従来、圧電セラミックスの製造方法は第２図に
示すように、平板状の閉塞蓋ｌの上に散布した敷粉２上
に圧電セラミックスの成形体３を置き、焼成容器４を前
記成形体と前記敷粉を上からおおうように設置して焼成
を行っている。この際には閉塞状態にしておき、１００
０℃以上の高温での焼成中に、低融点である圧電セラミ
ックスの主成分酸化鉛が蒸発し、容器内部に鉛雰囲気を
つくりだし、所望の特性を得る方法がとられていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の製造方法では、圧電セ
ラミックスの主成分である酸化鉛が焼成中に蒸発する際
、圧電セラミックスの成形体の平板状の閉塞蓋を接して
いる底面部位と、焼成容器と接しない部位との間で蒸発
度合に差が生じる。この結−果、圧電セラミックスの焼
結体の部位により諸特性に不均一が生じるといった欠点
を有し、信頼性に問題点を残していた。本発明はこのよ
うな問題点を解決するもので、高信頼性の圧電セラミッ
クスを焼成する事を目的とするものである。
ラミックスの主成分である酸化鉛が焼成中に蒸発する際
、圧電セラミックスの成形体の平板状の閉塞蓋を接して
いる底面部位と、焼成容器と接しない部位との間で蒸発
度合に差が生じる。この結−果、圧電セラミックスの焼
結体の部位により諸特性に不均一が生じるといった欠点
を有し、信頼性に問題点を残していた。本発明はこのよ
うな問題点を解決するもので、高信頼性の圧電セラミッ
クスを焼成する事を目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、圧電セラミック
スの成形体を、平板状の閉塞蓋の上に設置した気孔率１
０〜８０％の敷板上に置き、この成形体と敷板を上から
おおう形に焼成容器を配設して閉塞し、焼成するように
したものである。
スの成形体を、平板状の閉塞蓋の上に設置した気孔率１
０〜８０％の敷板上に置き、この成形体と敷板を上から
おおう形に焼成容器を配設して閉塞し、焼成するように
したものである。
作用
この構成により、焼成中における圧電セラミックスの成
形体の平板状の閉塞蓋上の敷板と接している底面部位で
の酸化鉛の蒸発は妨害されず、それ以外の焼成容器と接
しない部位での蒸発と同じ状態となる。その結果、均一
な諸特性を有する信頼性の高い圧電セラミックスの焼結
体を得ることができる。
形体の平板状の閉塞蓋上の敷板と接している底面部位で
の酸化鉛の蒸発は妨害されず、それ以外の焼成容器と接
しない部位での蒸発と同じ状態となる。その結果、均一
な諸特性を有する信頼性の高い圧電セラミックスの焼結
体を得ることができる。
実施例
Ｐｂ （Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３−ＰｂＴ ｉ○３
ＰｂＺ ｒ○３系の圧電セラミックス材料を直径５００
ｍｍ、厚さ２００ｍｍの円柱状に成形する。そして次に
第１図に示すように前記の成形体８を平板状の閉塞蓋５
の上に、気孔率２０％のアルミナよりなる敷板６及びこ
の敷板６の上に置いた成形体と同−組成の圧電セラミッ
クス焼結体粉砕粉よりなる敷粉７を介して置き、次にマ
グネシア質からなる焼成容器９を上から成形体８と敷板
６、敷粉７をおおう形に配置し、１２００℃、２時間の
焼成を行った。次に、このようにして得られた焼結体を
更に信頼性の高いものにする為、熱間等方圧プレス（以
下、ＨＩＰと記す。）処理を行った。
ＰｂＺ ｒ○３系の圧電セラミックス材料を直径５００
ｍｍ、厚さ２００ｍｍの円柱状に成形する。そして次に
第１図に示すように前記の成形体８を平板状の閉塞蓋５
の上に、気孔率２０％のアルミナよりなる敷板６及びこ
の敷板６の上に置いた成形体と同−組成の圧電セラミッ
クス焼結体粉砕粉よりなる敷粉７を介して置き、次にマ
グネシア質からなる焼成容器９を上から成形体８と敷板
６、敷粉７をおおう形に配置し、１２００℃、２時間の
焼成を行った。次に、このようにして得られた焼結体を
更に信頼性の高いものにする為、熱間等方圧プレス（以
下、ＨＩＰと記す。）処理を行った。
この圧電セラミックスＨＩ Ｐ処理品を厚み５００μｍ
にスライスしたものにＡｇ電極を両面に設け、飽和分極
した後、静電容量と共振周波数、反共振周波数を測定し
、比誘電率、電気機械結合係数を求めた。そして、焼結
体が敷板と接している底面部位と、焼結容器と接してい
ない部位との諸特性の比較、ならびに従来法によって得
た焼結体の各部位との比較を行った。その結果を第１表
に示す。
にスライスしたものにＡｇ電極を両面に設け、飽和分極
した後、静電容量と共振周波数、反共振周波数を測定し
、比誘電率、電気機械結合係数を求めた。そして、焼結
体が敷板と接している底面部位と、焼結容器と接してい
ない部位との諸特性の比較、ならびに従来法によって得
た焼結体の各部位との比較を行った。その結果を第１表
に示す。
従来法によって得た焼結体は、底面部位と焼結容器と接
していない部位とでは諸特性に大きな差が生じており、
底面部位では焼成中に酸化鉛が蒸発しにくい事より、電
気特性や緻密性が劣化している事がわかる。実施例の場
合、敷板の気孔率が５％では、従来法と同様の結果とな
り圧電セラミックスの焼結体の底面部位における諸特性
が劣化している。又、敷板の気孔率が９０％では、底面
部位における緻密性が不均一となり信頼性に問題を残し
ている。更に敷板の気孔率が１０％の場合や、８０％で
は、圧電セラミックスの焼結体の底面部位と、焼結容器
と接していない部位とでは諸特性に差はなく、共に良好
な結果を示している。従って、本発明により諸特性の劣
化のない信頼性の高い圧電セラミックス素子を得る事が
できる。尚、実施例では焼成容器にマグネシアを用いた
が、これはアルミナやムライトでも良く、焼成後にＨＩ
Ｐ処理を行ったがこれは行わなくても良く、敷板上に敷
粉を散布したが、これは行わなくても良く本発明の効果
が有効であることは言うまでもない。
していない部位とでは諸特性に大きな差が生じており、
底面部位では焼成中に酸化鉛が蒸発しにくい事より、電
気特性や緻密性が劣化している事がわかる。実施例の場
合、敷板の気孔率が５％では、従来法と同様の結果とな
り圧電セラミックスの焼結体の底面部位における諸特性
が劣化している。又、敷板の気孔率が９０％では、底面
部位における緻密性が不均一となり信頼性に問題を残し
ている。更に敷板の気孔率が１０％の場合や、８０％で
は、圧電セラミックスの焼結体の底面部位と、焼結容器
と接していない部位とでは諸特性に差はなく、共に良好
な結果を示している。従って、本発明により諸特性の劣
化のない信頼性の高い圧電セラミックス素子を得る事が
できる。尚、実施例では焼成容器にマグネシアを用いた
が、これはアルミナやムライトでも良く、焼成後にＨＩ
Ｐ処理を行ったがこれは行わなくても良く、敷板上に敷
粉を散布したが、これは行わなくても良く本発明の効果
が有効であることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明の圧電セラミックスの製造方法によ
れば、焼成方法として、成形体を平板状の閉塞蓋の上に
設置した気孔率１０〜８０％の敷板上に置き、この成形
体と敷板を上からおおう形に焼成容器を配設して閉塞し
、焼成することにより、焼成中における成形体の敷板と
接している底面部位からの酸化鉛の蒸発が妨害されるこ
となくすすみ、成形体の全体から均等な酸化鉛の蒸発が
起こるため、性能の安定した信頼性の高い圧電セラミッ
クスをつくることができる。
れば、焼成方法として、成形体を平板状の閉塞蓋の上に
設置した気孔率１０〜８０％の敷板上に置き、この成形
体と敷板を上からおおう形に焼成容器を配設して閉塞し
、焼成することにより、焼成中における成形体の敷板と
接している底面部位からの酸化鉛の蒸発が妨害されるこ
となくすすみ、成形体の全体から均等な酸化鉛の蒸発が
起こるため、性能の安定した信頼性の高い圧電セラミッ
クスをつくることができる。
第１図は本発明の一実施例による圧電セラミックスの製
造方法における焼成状態を示す断面図、第２図は従来例
における焼成状態を示す断面図である。 ５・・・・・・平板状の閉塞蓋、６・・・・・・敷板、
７・・・・・・敷粉、８・・・・・・成形体、９・・・
・・・焼成容器。
造方法における焼成状態を示す断面図、第２図は従来例
における焼成状態を示す断面図である。 ５・・・・・・平板状の閉塞蓋、６・・・・・・敷板、
７・・・・・・敷粉、８・・・・・・成形体、９・・・
・・・焼成容器。
Claims (2)
- （１）圧電セラミックスの成形体を、平板状の閉塞蓋の
上に設置した敷板上に置き、焼成容器を前記成形体と前
記敷板とを上からおおうように設置して閉塞し、焼成す
ることを特徴とする圧電セラミックスの製造方法。 - （２）平板状の閉塞蓋の上に設置する敷板の気孔率が１
０〜８０％である請求項１記載の圧電セラミックスの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179611A JPH0345563A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 圧電セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179611A JPH0345563A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 圧電セラミックスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345563A true JPH0345563A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16068780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1179611A Pending JPH0345563A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 圧電セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187895A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Toshiba Corp | 画像形成装置及びメッセージ表示方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561587A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of piezoelectric sheet |
| JPS56101710A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing nonnlinear resestor |
| JPS58154289A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の製造方法 |
| JPH0158633B2 (ja) * | 1981-08-07 | 1989-12-12 | Amp Inc |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1179611A patent/JPH0345563A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561587A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of piezoelectric sheet |
| JPS56101710A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing nonnlinear resestor |
| JPH0158633B2 (ja) * | 1981-08-07 | 1989-12-12 | Amp Inc | |
| JPS58154289A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187895A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Toshiba Corp | 画像形成装置及びメッセージ表示方法 |
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