JPH034517B2 - - Google Patents
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- JPH034517B2 JPH034517B2 JP57011115A JP1111582A JPH034517B2 JP H034517 B2 JPH034517 B2 JP H034517B2 JP 57011115 A JP57011115 A JP 57011115A JP 1111582 A JP1111582 A JP 1111582A JP H034517 B2 JPH034517 B2 JP H034517B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は単結晶シリコン引上装置の改良に関す
る。 単結晶シリコンは主としてチヨコラルスキー法
（CZ法）によって製造されている。この方法は、
第１図に示す如き単結晶シリコン引上装置を用い
て行われる。以下、単結晶シリコン引上装置を第
１図を参照して説明する。 図中１は上部と下部が開口したチヤンバーであ
る。このチヤンバー１内には石英ルツボ２が載置
され、かつ該ルツボ２の外周面は黒鉛製保護体３
によって包囲されている。この保護体３の底面に
は、前記チヤンパー１の下部開口から挿入された
回転自在な支持棒４が連結されている。また、前
記保護体３の外周には筒上のヒータ５及び筒状の
保温筒６，７が順次配設されている。さらに、チ
ヤンバー１の上部開口からは、下端に種結晶８を
保持した引上軸９が回転可能に吊下されている。 上述した引上装置を用いたチヨコラルスキー法
による単結晶シリコンの引上げは、ルツボ２にシ
リコン原料及び単結晶シリコンインゴツトの抵抗
値を調節するためのＰ、Ｂ、As、Sb等のドーパ
ントを入れ、ヒータ５によりこれらを溶融させ、
この溶融シリコン１０に引上軸９下端の種結晶８
を浸し、引上軸９を引上げることにより行う。 ところで、シリコンウエハは製造される集積回
路等の使用目的に応じてその抵抗値が規制され
る。特に、LSIの微細化が進むにつれ、例えば
CMOSデバイスひおいてはしきい値電圧の厳し
い制御が必要となり、シリコンウエハの許容抵抗
値は非常に狭い範囲に限られている。このため、
１本の単結晶シリコンインゴツトから許容抵抗値
の範囲にあるシリコンウエハをできるだけ多く製
造するには単結晶シリコンインゴツトの抵抗分布
を制御することが重要になつてくる。また、石英
ルツボは溶融シリコンと反応性があり、反応によ
つて生成したSiO2が融液中に溶け込み、融液の
対流により結晶成長界面に運ばれて酸素不純物と
して引上げインゴツト中に含まれるが、デバイス
の種類によつてはシリコンウエハの酸素濃度とし
て適切な数値が異なるため、単結晶シリコンイン
ゴツトの不純物酸素濃度の制御も重要である。 しかしながら、従来の単結晶シリコン引上装置
を用いて単結晶シリコンを引上げた場合、添加し
たＰ、Ｂ等のドーパントの偏析係数が１より小さ
いので、引上げが進むにつれて液相中のドーパン
ト濃度が大きくなる。従つて、単結晶シリコンイ
ンゴツト中に含まれるドーパメント濃度はインゴ
ツトのヘツド側で小さく、テール側で大きくな
り、抵抗値はヘツド側からテール側に向つて漸次
減少する。このため、インゴツトから製造される
ウエハのうちには、目的とするデバイスの許容抵
抗値の範囲からはずれるものができ、歩留りが悪
いという欠点がある。 そこで、単結晶シリコン引上げ中に粉末又は溶
融多血晶シリコン及びドーパント引上げ量に応じ
て供給しながら引上げれば、インゴツトの抵抗値
分布は小さくなり、目的とするデバイスに適した
抵抗値を有するウエハの歩留りが良くなることが
考えられる。 しかし、従来の単結晶シリコン引上装置におい
て、単結晶シリコン引上げ中に石英ルツボ内に多
結晶シリコン及びドーパントを供給すると、融液
の対流が乱されることによつて、引上げインゴツ
トの有転位化、多血晶化を招く結果となる。 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、回転可能に載置された石英ルツボを二重構造
とすると共に内側ルツボの所望筒所に穴を穿設
し、かつ外側と内側のルツボの間に多結晶シリコ
ン供給管及びドーパントの供給管を夫々その一端
部を二重ルツボの外側融液部に浸漬して挿置し、
インゴツトの引上げに応じて連続的に多結晶シリ
コン及びドーパントを供給することにより、抵抗
値分布及び酸素濃度分布が小さいインゴツトを製
造し得る単結晶シリコン引上装置を供給しようと
するものである。 また、上述したように各供給管が内側と外側の
ルツボ側壁上端よりも下方に挿置することによ
り、供給した原料が直接内側ルツボ内に混入して
結晶欠陥の原因となるのを防止しようとするもの
である。 以下、本発明の実施例を第２図及び第３図を参
照して説明する。なお、第１図に示した従来の単
結晶シリコン引上装置と同一部材は同一番号を付
して説明を省略する。 図中１１は二重構造の石英ルツボであり、外側
ルツボ１１ａと内側ルツボ１１ｂが一体となつて
いる。この内側ルツボ１１ｂの所望筒所には穴１
１ｃが穿設されている。また、外側ルツボ１１ａ
と内側ルツボ１１ｂとの間には図示しない支持部
材によつて支持された多結晶シリコン供給管１２
及びドーパント供給管１３が夫々融液に浸漬して
挿置されている。ここに用いられている内側ルツ
ボ１１ｂは第３図に示す如く円筒状を形状をなし
ており、その上部側壁にスリツト状の穴１１ｃが
穿設された構造のものである。 上述した構造の単結晶シリコン引上装置を用い
て単結晶シリコンを引上げるには、ルツボ１１に
原料及びドーパントを入れ、ヒータ５によりこれ
らを溶融させ、この溶融シリコン１０に引上軸９
下端の種結晶８を浸し、引上軸９を引上げること
により行う。そして、引上げインゴツトの径が一
定になつてから、引上げ量に応じて、多結晶シリ
コン供給管１２から粉末状多結晶シリコンを、ド
ーパント供給管１３からドーパントを夫々供給す
る。この際、外側ルツボ１１ａと内側ルツボ１１
ｂの間では粉末状多結晶シリコンが溶融する温度
（約1470℃）に、内側ルツボ１１ｂの溶融シリコ
ン１０表面では結晶成長温度（1420℃）になつて
いる必要がある。外側ルツボ１１ａと内側ルツボ
１１ｂとの間に供給された多結晶シリコン及びド
ーパントは溶融して、内側ルツボ１１ｂに穿設さ
れた穴１１ｃから内側ルツボ１１ｂ内に流れ込
み、単結晶シリコンインゴツトとして引上げられ
る。 しかして、上記実施例によれば、外側ルツボ１
１ａと内側ルツボ１１ｂとの間に多結晶シリコン
及びドーパントが供給されても、内側ルツボ１１
ｂ内の対流が乱されない。この結果、単結晶シリ
コンインゴツトの長さ方向の抵抗値分布は小さく
なる。また、インゴツトの酸素濃度分布も小さく
なる。 更に、多結晶シリコン供給管１２及びドーパン
ト供給管１３が溶融シリコン１０中に浸漬されて
いるので、供給された粉末状の多結晶シリコン及
びドーパントが融液表面で浮遊固化するのを防止
することができる。しかも、ルツボ１１を回転さ
せると、供給管１２，１３が溶融シリコン１０を
撹拌するので、ドーパント濃度等の均一化を図る
こともできる。 なお、本発明における内側ルツボは第３図に示
す如き構造のものに限らず、第４図に示す如く、
上部が円筒状で、下部の径が上部の径より小さい
円筒状の形状をなす内側ルツボ１４ｂの底面に穴
１４ｃを穿設し、支持部材に１５によつて図示し
ない外側ルツボと一体化しているものでもよい。 事実、以下に示す実験例でも、単結晶シリコン
インゴツトの抵抗値分布及び酸素濃度分布が小さ
くなることが確められた。 実験例 直径12インチ、高さ９インチの外側ルツボと、
直径10インチ、高さ９インチの内側ルツボとから
なる二重ルツボに15Kgの多結晶シリコン原料及び
ドーパントを入れ溶融し、石英ガラス製、外径８
mm、内径５mmの多結晶シリコン供給管及びドーパ
ント供給管を開口部が融液面から５cm下になるよ
うに浸漬し、毎分５回転で回転させながら直径４
インチの単結晶シリコンインゴツトを70cm引上
げ、インゴツトの抵抗値及び酸素濃度を測定して
下記表に示した。下記表中実験例１は第３図図示
の内側ルツボを有する二重ルツボを、実験例２は
第４図図示の内側ルツボを有する二重ルツボを
夫々用いたものである。またドーパントとしてＰ
を用いてｎ型単結晶シリコンインゴツトを引上げ
た際の抵抗値の目標値は3Ωcm、Ｂを用いてｐ型
単結晶シリコンインゴツトを引上げた際の抵抗値
の目標は5Ωcmであつた。なお、下記表中比例は
従来の石英ルツボを用いたものである。
る。 単結晶シリコンは主としてチヨコラルスキー法
（CZ法）によって製造されている。この方法は、
第１図に示す如き単結晶シリコン引上装置を用い
て行われる。以下、単結晶シリコン引上装置を第
１図を参照して説明する。 図中１は上部と下部が開口したチヤンバーであ
る。このチヤンバー１内には石英ルツボ２が載置
され、かつ該ルツボ２の外周面は黒鉛製保護体３
によって包囲されている。この保護体３の底面に
は、前記チヤンパー１の下部開口から挿入された
回転自在な支持棒４が連結されている。また、前
記保護体３の外周には筒上のヒータ５及び筒状の
保温筒６，７が順次配設されている。さらに、チ
ヤンバー１の上部開口からは、下端に種結晶８を
保持した引上軸９が回転可能に吊下されている。 上述した引上装置を用いたチヨコラルスキー法
による単結晶シリコンの引上げは、ルツボ２にシ
リコン原料及び単結晶シリコンインゴツトの抵抗
値を調節するためのＰ、Ｂ、As、Sb等のドーパ
ントを入れ、ヒータ５によりこれらを溶融させ、
この溶融シリコン１０に引上軸９下端の種結晶８
を浸し、引上軸９を引上げることにより行う。 ところで、シリコンウエハは製造される集積回
路等の使用目的に応じてその抵抗値が規制され
る。特に、LSIの微細化が進むにつれ、例えば
CMOSデバイスひおいてはしきい値電圧の厳し
い制御が必要となり、シリコンウエハの許容抵抗
値は非常に狭い範囲に限られている。このため、
１本の単結晶シリコンインゴツトから許容抵抗値
の範囲にあるシリコンウエハをできるだけ多く製
造するには単結晶シリコンインゴツトの抵抗分布
を制御することが重要になつてくる。また、石英
ルツボは溶融シリコンと反応性があり、反応によ
つて生成したSiO2が融液中に溶け込み、融液の
対流により結晶成長界面に運ばれて酸素不純物と
して引上げインゴツト中に含まれるが、デバイス
の種類によつてはシリコンウエハの酸素濃度とし
て適切な数値が異なるため、単結晶シリコンイン
ゴツトの不純物酸素濃度の制御も重要である。 しかしながら、従来の単結晶シリコン引上装置
を用いて単結晶シリコンを引上げた場合、添加し
たＰ、Ｂ等のドーパントの偏析係数が１より小さ
いので、引上げが進むにつれて液相中のドーパン
ト濃度が大きくなる。従つて、単結晶シリコンイ
ンゴツト中に含まれるドーパメント濃度はインゴ
ツトのヘツド側で小さく、テール側で大きくな
り、抵抗値はヘツド側からテール側に向つて漸次
減少する。このため、インゴツトから製造される
ウエハのうちには、目的とするデバイスの許容抵
抗値の範囲からはずれるものができ、歩留りが悪
いという欠点がある。 そこで、単結晶シリコン引上げ中に粉末又は溶
融多血晶シリコン及びドーパント引上げ量に応じ
て供給しながら引上げれば、インゴツトの抵抗値
分布は小さくなり、目的とするデバイスに適した
抵抗値を有するウエハの歩留りが良くなることが
考えられる。 しかし、従来の単結晶シリコン引上装置におい
て、単結晶シリコン引上げ中に石英ルツボ内に多
結晶シリコン及びドーパントを供給すると、融液
の対流が乱されることによつて、引上げインゴツ
トの有転位化、多血晶化を招く結果となる。 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、回転可能に載置された石英ルツボを二重構造
とすると共に内側ルツボの所望筒所に穴を穿設
し、かつ外側と内側のルツボの間に多結晶シリコ
ン供給管及びドーパントの供給管を夫々その一端
部を二重ルツボの外側融液部に浸漬して挿置し、
インゴツトの引上げに応じて連続的に多結晶シリ
コン及びドーパントを供給することにより、抵抗
値分布及び酸素濃度分布が小さいインゴツトを製
造し得る単結晶シリコン引上装置を供給しようと
するものである。 また、上述したように各供給管が内側と外側の
ルツボ側壁上端よりも下方に挿置することによ
り、供給した原料が直接内側ルツボ内に混入して
結晶欠陥の原因となるのを防止しようとするもの
である。 以下、本発明の実施例を第２図及び第３図を参
照して説明する。なお、第１図に示した従来の単
結晶シリコン引上装置と同一部材は同一番号を付
して説明を省略する。 図中１１は二重構造の石英ルツボであり、外側
ルツボ１１ａと内側ルツボ１１ｂが一体となつて
いる。この内側ルツボ１１ｂの所望筒所には穴１
１ｃが穿設されている。また、外側ルツボ１１ａ
と内側ルツボ１１ｂとの間には図示しない支持部
材によつて支持された多結晶シリコン供給管１２
及びドーパント供給管１３が夫々融液に浸漬して
挿置されている。ここに用いられている内側ルツ
ボ１１ｂは第３図に示す如く円筒状を形状をなし
ており、その上部側壁にスリツト状の穴１１ｃが
穿設された構造のものである。 上述した構造の単結晶シリコン引上装置を用い
て単結晶シリコンを引上げるには、ルツボ１１に
原料及びドーパントを入れ、ヒータ５によりこれ
らを溶融させ、この溶融シリコン１０に引上軸９
下端の種結晶８を浸し、引上軸９を引上げること
により行う。そして、引上げインゴツトの径が一
定になつてから、引上げ量に応じて、多結晶シリ
コン供給管１２から粉末状多結晶シリコンを、ド
ーパント供給管１３からドーパントを夫々供給す
る。この際、外側ルツボ１１ａと内側ルツボ１１
ｂの間では粉末状多結晶シリコンが溶融する温度
（約1470℃）に、内側ルツボ１１ｂの溶融シリコ
ン１０表面では結晶成長温度（1420℃）になつて
いる必要がある。外側ルツボ１１ａと内側ルツボ
１１ｂとの間に供給された多結晶シリコン及びド
ーパントは溶融して、内側ルツボ１１ｂに穿設さ
れた穴１１ｃから内側ルツボ１１ｂ内に流れ込
み、単結晶シリコンインゴツトとして引上げられ
る。 しかして、上記実施例によれば、外側ルツボ１
１ａと内側ルツボ１１ｂとの間に多結晶シリコン
及びドーパントが供給されても、内側ルツボ１１
ｂ内の対流が乱されない。この結果、単結晶シリ
コンインゴツトの長さ方向の抵抗値分布は小さく
なる。また、インゴツトの酸素濃度分布も小さく
なる。 更に、多結晶シリコン供給管１２及びドーパン
ト供給管１３が溶融シリコン１０中に浸漬されて
いるので、供給された粉末状の多結晶シリコン及
びドーパントが融液表面で浮遊固化するのを防止
することができる。しかも、ルツボ１１を回転さ
せると、供給管１２，１３が溶融シリコン１０を
撹拌するので、ドーパント濃度等の均一化を図る
こともできる。 なお、本発明における内側ルツボは第３図に示
す如き構造のものに限らず、第４図に示す如く、
上部が円筒状で、下部の径が上部の径より小さい
円筒状の形状をなす内側ルツボ１４ｂの底面に穴
１４ｃを穿設し、支持部材に１５によつて図示し
ない外側ルツボと一体化しているものでもよい。 事実、以下に示す実験例でも、単結晶シリコン
インゴツトの抵抗値分布及び酸素濃度分布が小さ
くなることが確められた。 実験例 直径12インチ、高さ９インチの外側ルツボと、
直径10インチ、高さ９インチの内側ルツボとから
なる二重ルツボに15Kgの多結晶シリコン原料及び
ドーパントを入れ溶融し、石英ガラス製、外径８
mm、内径５mmの多結晶シリコン供給管及びドーパ
ント供給管を開口部が融液面から５cm下になるよ
うに浸漬し、毎分５回転で回転させながら直径４
インチの単結晶シリコンインゴツトを70cm引上
げ、インゴツトの抵抗値及び酸素濃度を測定して
下記表に示した。下記表中実験例１は第３図図示
の内側ルツボを有する二重ルツボを、実験例２は
第４図図示の内側ルツボを有する二重ルツボを
夫々用いたものである。またドーパントとしてＰ
を用いてｎ型単結晶シリコンインゴツトを引上げ
た際の抵抗値の目標値は3Ωcm、Ｂを用いてｐ型
単結晶シリコンインゴツトを引上げた際の抵抗値
の目標は5Ωcmであつた。なお、下記表中比例は
従来の石英ルツボを用いたものである。
【表】
【表】
上記表から明らかな如く、比較例では抵抗値が
インゴツトのヘツド側とテール側で大きく異なる
のに対し、実験例１及び２ではインゴツト中の抵
抗値分布がほとんどない。また、実験例１及び２
ではインゴツト中の酸素濃度分布も小さい。 以上詳述した如く本発明によれば、抵抗値分布
及び酸素濃度分布が小さい単結晶シリコンインゴ
ツトを製造し得る単結晶シリコン引上装置を提供
できるものである。
インゴツトのヘツド側とテール側で大きく異なる
のに対し、実験例１及び２ではインゴツト中の抵
抗値分布がほとんどない。また、実験例１及び２
ではインゴツト中の酸素濃度分布も小さい。 以上詳述した如く本発明によれば、抵抗値分布
及び酸素濃度分布が小さい単結晶シリコンインゴ
ツトを製造し得る単結晶シリコン引上装置を提供
できるものである。
第１図は従来の単結晶シリコン引上装置を示す
断面図、第２図は本発明の実施例における単結晶
シリコン引上装置を示す断面図、第３図は本発明
の実施例における内側ルツボを示す斜視図、第４
図は本発明の他の実施例における内側ルツボを示
す斜視図である。 １……チヤンバー、３……保護体、４……支持
棒、５……ヒーター、６，７……保温筒、８……
種結晶、９……引上軸、１０……溶融シリコン、
１１……二重ルツボ、１１ａ……外側ルツボ、１
１ｂ，１４ｂ……内側ルツボ、１１ｃ，１４ｃ…
…穴、１２……多結晶シリコン供給管、１３……
ドーパント供給管、１５……支持部材。
断面図、第２図は本発明の実施例における単結晶
シリコン引上装置を示す断面図、第３図は本発明
の実施例における内側ルツボを示す斜視図、第４
図は本発明の他の実施例における内側ルツボを示
す斜視図である。 １……チヤンバー、３……保護体、４……支持
棒、５……ヒーター、６，７……保温筒、８……
種結晶、９……引上軸、１０……溶融シリコン、
１１……二重ルツボ、１１ａ……外側ルツボ、１
１ｂ，１４ｂ……内側ルツボ、１１ｃ，１４ｃ…
…穴、１２……多結晶シリコン供給管、１３……
ドーパント供給管、１５……支持部材。
Claims (1)
- １ チヤンバー内に多結晶シリコン供給管及びド
ーパントの供給管が夫々挿置された石英ルツボを
回転可能に載置し、ルツボを回転させながら該ル
ツボ内の溶融シリコンを引き上げて単結晶シリコ
ンを造る装置において、前記石英ルツボを二重構
造とすると共に内側ルツボの所望箇所に穴を穿設
し、かつ外側と内側ルツボの間に前記各供給管
を、その一端部を二重ルツボの外側融液部に浸漬
して挿置したことを特徴とする単結晶シリコン引
上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1111582A JPS58130195A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 単結晶シリコン引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1111582A JPS58130195A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 単結晶シリコン引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130195A JPS58130195A (ja) | 1983-08-03 |
| JPH034517B2 true JPH034517B2 (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=11769005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1111582A Granted JPS58130195A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 単結晶シリコン引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130195A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IN161924B (ja) * | 1984-10-29 | 1988-02-27 | Westinghouse Electric Corp | |
| JPH0633218B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1994-05-02 | 日本鋼管株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
| EP0340941A1 (en) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Nkk Corporation | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals |
| JPH02283693A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法および装置 |
| JPH035392A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-11 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH0421585A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶引上方法 |
| JP2900577B2 (ja) * | 1990-10-18 | 1999-06-02 | 住友電気工業株式会社 | 化合物単結晶の成長方法および成長装置 |
| JP2018080098A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130894A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-11 | Hitachi Ltd | Single crystal picking up apparatus |
| JPS5688896A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-18 | Fujitsu Ltd | Growth of single crystal |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP1111582A patent/JPS58130195A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130894A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-11 | Hitachi Ltd | Single crystal picking up apparatus |
| JPS5688896A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-18 | Fujitsu Ltd | Growth of single crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58130195A (ja) | 1983-08-03 |
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