JPH101394A - アンチモン添加シリコン単結晶の成長方法 - Google Patents
アンチモン添加シリコン単結晶の成長方法Info
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- JPH101394A JPH101394A JP15126796A JP15126796A JPH101394A JP H101394 A JPH101394 A JP H101394A JP 15126796 A JP15126796 A JP 15126796A JP 15126796 A JP15126796 A JP 15126796A JP H101394 A JPH101394 A JP H101394A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高酸素濃度で、かつ成長方向に均一なアンチ
モンを添加したシリコン単結晶が得られる単結晶の成長
方法を提供する。 【解決手段】 アンチモンを添加したＤＬＣＺ法を使用
し、低回転数領域で高酸素濃度が得られ、中回転数領域
で低酸素濃度が得られ、高回転数領域で高酸素濃度が得
られるという坩堝回転数と結晶中酸素濃度との関係の、
高回転数領域の回転数で坩堝を回転させる。例えば６イ
ンチの単結晶を成長させる場合、20rpm で坩堝を回転さ
せる。
モンを添加したシリコン単結晶が得られる単結晶の成長
方法を提供する。 【解決手段】 アンチモンを添加したＤＬＣＺ法を使用
し、低回転数領域で高酸素濃度が得られ、中回転数領域
で低酸素濃度が得られ、高回転数領域で高酸素濃度が得
られるという坩堝回転数と結晶中酸素濃度との関係の、
高回転数領域の回転数で坩堝を回転させる。例えば６イ
ンチの単結晶を成長させる場合、20rpm で坩堝を回転さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体材料として
使用されるアンチモン添加シリコン単結晶を成長させる
方法に関する。
使用されるアンチモン添加シリコン単結晶を成長させる
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶の成長方法として一般的
に用いられているものの１つにチョクラルスキー法（Ｃ
Ｚ法）がある。図５は、ＣＺ法に使用される単結晶成長
装置を示す模式的縦断面図である。図中１はチャンバ内
に配設された坩堝を示しており、坩堝１は有底円筒状を
なす石英坩堝1aと、石英坩堝1aの外側に嵌合された黒鉛
坩堝1bとから構成されている。坩堝１は、図示しない回
転・昇降機構に接続された支持軸７にて支持されてい
る。また、坩堝１の上方には引上げ棒又はワイヤ等から
なる引上げ軸４が、回転及び昇降が可能なように垂下さ
れており、引上げ軸４の下端に接続されたシードチャッ
ク（図示せず）には種結晶５が取り付けられている。坩
堝１の外側には抵抗加熱式のヒータ２が坩堝１と同心円
筒状に配設されている。
に用いられているものの１つにチョクラルスキー法（Ｃ
Ｚ法）がある。図５は、ＣＺ法に使用される単結晶成長
装置を示す模式的縦断面図である。図中１はチャンバ内
に配設された坩堝を示しており、坩堝１は有底円筒状を
なす石英坩堝1aと、石英坩堝1aの外側に嵌合された黒鉛
坩堝1bとから構成されている。坩堝１は、図示しない回
転・昇降機構に接続された支持軸７にて支持されてい
る。また、坩堝１の上方には引上げ棒又はワイヤ等から
なる引上げ軸４が、回転及び昇降が可能なように垂下さ
れており、引上げ軸４の下端に接続されたシードチャッ
ク（図示せず）には種結晶５が取り付けられている。坩
堝１の外側には抵抗加熱式のヒータ２が坩堝１と同心円
筒状に配設されている。
【０００３】アンチモンをドープした単結晶を成長させ
る場合、坩堝１にアンチモン（Ｓｂ）を添加したシリコ
ン（Ｓｉ）原料を充填し、坩堝１を所定方向へ所定回転
数にて回転させながら、ヒータ２によりこれを溶融させ
融液３とする。次に引上げ軸４の先端に接続されたシー
ドチャックに種結晶５を取り付け、種結晶５が融液３に
接触するまで引上げ軸４を降下させる。この状態で引上
げ軸４を坩堝１とは逆方向に回転させながら引き上げる
ことにより、種結晶５の下端に接触した融液３が冷却さ
れ、種結晶５の下端に単結晶８が成長する。
る場合、坩堝１にアンチモン（Ｓｂ）を添加したシリコ
ン（Ｓｉ）原料を充填し、坩堝１を所定方向へ所定回転
数にて回転させながら、ヒータ２によりこれを溶融させ
融液３とする。次に引上げ軸４の先端に接続されたシー
ドチャックに種結晶５を取り付け、種結晶５が融液３に
接触するまで引上げ軸４を降下させる。この状態で引上
げ軸４を坩堝１とは逆方向に回転させながら引き上げる
ことにより、種結晶５の下端に接触した融液３が冷却さ
れ、種結晶５の下端に単結晶８が成長する。
【０００４】半導体材料として使用されるシリコン単結
晶を成長させる場合、所定の電気伝導度及び電気抵抗率
を得るために、融液３中にアンチモン等のドーピング不
純物（ドーパント）を添加して成長させる。このドーパ
ントは、Pfann の式として知られる下式に従って単結晶
８の引上げ方向に偏析することにより、単結晶８の電気
抵抗は、その引き上げ方向に沿って異なる値をもつこと
になる。 ＣS ＝ ｋｅ・ＣC （１−ｆS ）ke-1 但し、ｋｅ：実効偏析係数 ＣS ：結晶中のドーパント濃度 ＣC ：結晶引上げ開始時の融液中のドーパント濃度 ｆS ：結晶引上げ率（原料重量に対する結晶重量の比）
晶を成長させる場合、所定の電気伝導度及び電気抵抗率
を得るために、融液３中にアンチモン等のドーピング不
純物（ドーパント）を添加して成長させる。このドーパ
ントは、Pfann の式として知られる下式に従って単結晶
８の引上げ方向に偏析することにより、単結晶８の電気
抵抗は、その引き上げ方向に沿って異なる値をもつこと
になる。 ＣS ＝ ｋｅ・ＣC （１−ｆS ）ke-1 但し、ｋｅ：実効偏析係数 ＣS ：結晶中のドーパント濃度 ＣC ：結晶引上げ開始時の融液中のドーパント濃度 ｆS ：結晶引上げ率（原料重量に対する結晶重量の比）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】アンチモンを添加した
シリコン融液では、石英坩堝1aから溶解する酸素量より
も融液表面から蒸発する酸素量の方が多くなる。これは
アンチモンを添加しないシリコン単結晶成長時における
融液表面からの蒸発物はＳｉＯが主であるが、アンチモ
ンを添加したシリコン単結晶を引き上げる場合にはＳｉ
Ｏに加えて何種類かのアンチモン酸化物（ＳｂＯX ：ｘ
＝1.5 ，2.0 ，2.5 …）が多量に蒸発することに起因す
る。従ってアンチモンを添加した場合は、添加しない場
合よりも融液中の酸素濃度が低くなり、シリコン単結晶
中の成長方向の酸素濃度が固化率の増加に伴い急激に低
下する傾向がある。
シリコン融液では、石英坩堝1aから溶解する酸素量より
も融液表面から蒸発する酸素量の方が多くなる。これは
アンチモンを添加しないシリコン単結晶成長時における
融液表面からの蒸発物はＳｉＯが主であるが、アンチモ
ンを添加したシリコン単結晶を引き上げる場合にはＳｉ
Ｏに加えて何種類かのアンチモン酸化物（ＳｂＯX ：ｘ
＝1.5 ，2.0 ，2.5 …）が多量に蒸発することに起因す
る。従ってアンチモンを添加した場合は、添加しない場
合よりも融液中の酸素濃度が低くなり、シリコン単結晶
中の成長方向の酸素濃度が固化率の増加に伴い急激に低
下する傾向がある。
【０００６】このシリコン単結晶の低酸素化に影響する
融液内の対流としては、レーリーベナール対流（坩堝内
壁面，融液表面を経由して結晶へと流れる対流）が挙げ
られる。通常、ＣＺ法ではこの対流が支配的であるの
で、アンチモンを添加したＣＺ法においては、上記メカ
ニズムにより融液表面でより低酸素化した融液が単結晶
８の直下に運ばれ、単結晶中に取り込まれることになる
ので、単結晶中の酸素濃度がＰ，Ｂ等を添加したＣＺ法
よりもより多く低下する。これはＤＬＣＺ法においても
同様であり、通常使用される坩堝回転数域では図６に示
すレーリーベナール対流により、アンチモンを添加した
ＤＬＣＺ法により製造した単結晶中の酸素濃度は、通常
のＤＬＣＺ法によるものよりも、より多く低下する。
融液内の対流としては、レーリーベナール対流（坩堝内
壁面，融液表面を経由して結晶へと流れる対流）が挙げ
られる。通常、ＣＺ法ではこの対流が支配的であるの
で、アンチモンを添加したＣＺ法においては、上記メカ
ニズムにより融液表面でより低酸素化した融液が単結晶
８の直下に運ばれ、単結晶中に取り込まれることになる
ので、単結晶中の酸素濃度がＰ，Ｂ等を添加したＣＺ法
よりもより多く低下する。これはＤＬＣＺ法においても
同様であり、通常使用される坩堝回転数域では図６に示
すレーリーベナール対流により、アンチモンを添加した
ＤＬＣＺ法により製造した単結晶中の酸素濃度は、通常
のＤＬＣＺ法によるものよりも、より多く低下する。
【０００７】従来は、融液表面からの酸素蒸発を抑制す
るために、不活性ガス（Ａｒガス）の流量を少なくした
り（５〜40リットル／min)、炉内のガス圧を高くする
（大気圧近傍まで）等の対策が講じられているが、対流
の抑制に対しては効果がなく、所望する高酸素濃度が得
られなかった。また蒸発の進行に伴う結晶成長方向の酸
素濃度の均一化も困難であった。
るために、不活性ガス（Ａｒガス）の流量を少なくした
り（５〜40リットル／min)、炉内のガス圧を高くする
（大気圧近傍まで）等の対策が講じられているが、対流
の抑制に対しては効果がなく、所望する高酸素濃度が得
られなかった。また蒸発の進行に伴う結晶成長方向の酸
素濃度の均一化も困難であった。
【０００８】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであり、ＤＬＣＺ法を用い、また坩堝の回転数を上げ
ることにより、成長方向において均一な高酸素濃度のシ
リコン単結晶が得られるアンチモンを添加したシリコン
単結晶成長方法を提供することを目的とする。
のであり、ＤＬＣＺ法を用い、また坩堝の回転数を上げ
ることにより、成長方向において均一な高酸素濃度のシ
リコン単結晶が得られるアンチモンを添加したシリコン
単結晶成長方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転可能に支
持された坩堝内に固体層と融液層とを共存させた状態
で、アンチモンを添加したシリコン単結晶を引き上げる
方法において、低回転数領域で高酸素濃度が得られ、中
回転数領域で低酸素濃度が得られ、高回転数領域で高酸
素濃度が得られるという坩堝回転数と結晶中酸素濃度と
の関係の、高回転数領域の回転数で坩堝を回転させるこ
とを特徴とする。
持された坩堝内に固体層と融液層とを共存させた状態
で、アンチモンを添加したシリコン単結晶を引き上げる
方法において、低回転数領域で高酸素濃度が得られ、中
回転数領域で低酸素濃度が得られ、高回転数領域で高酸
素濃度が得られるという坩堝回転数と結晶中酸素濃度と
の関係の、高回転数領域の回転数で坩堝を回転させるこ
とを特徴とする。
【００１０】また本発明は、直径が実質的に４，６，
８，１２インチである単結晶を引き上げて成長させる場
合、坩堝の回転数を、夫々、２２rpm 以上，２１rpm 以
上，２０rpm 以上，１８rpm 以上とすることを特徴とす
る。
８，１２インチである単結晶を引き上げて成長させる場
合、坩堝の回転数を、夫々、２２rpm 以上，２１rpm 以
上，２０rpm 以上，１８rpm 以上とすることを特徴とす
る。
【００１１】さらに本発明は、上記のいずれの直径の単
結晶を製造する場合において、坩堝の回転数を３０rpm
以下、実質的には２５rpm 以下とすることを特徴とす
る。
結晶を製造する場合において、坩堝の回転数を３０rpm
以下、実質的には２５rpm 以下とすることを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、従来のア
ンチモンを添加したシリコン単結晶の成長装置を示す模
式的縦断面図であって、ドーパントの偏析を抑制する二
層引上げ法（ＤＬＣＺ法：Double Layered Czochralsk
i）を適用したものである。図中１はチャンバ内に配設
された坩堝を示しており、坩堝１は有底円筒状をなす石
英坩堝1aと、石英坩堝1aの外側に嵌合された黒鉛坩堝1b
とから構成されている。坩堝１は、図示しない回転・昇
降機構に接続された支持軸７にて支持されている。
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、従来のア
ンチモンを添加したシリコン単結晶の成長装置を示す模
式的縦断面図であって、ドーパントの偏析を抑制する二
層引上げ法（ＤＬＣＺ法：Double Layered Czochralsk
i）を適用したものである。図中１はチャンバ内に配設
された坩堝を示しており、坩堝１は有底円筒状をなす石
英坩堝1aと、石英坩堝1aの外側に嵌合された黒鉛坩堝1b
とから構成されている。坩堝１は、図示しない回転・昇
降機構に接続された支持軸７にて支持されている。
【００１３】また坩堝１の上方には引上げ棒又はワイヤ
等からなる引上げ軸４が、回転及び昇降が可能なように
垂下されており、引上げ軸４の下端はシードチャックに
て種結晶５が取り付けられている。また、坩堝１の外側
には、抵抗加熱式のヒータ２が同心円筒状に配設されて
いる。
等からなる引上げ軸４が、回転及び昇降が可能なように
垂下されており、引上げ軸４の下端はシードチャックに
て種結晶５が取り付けられている。また、坩堝１の外側
には、抵抗加熱式のヒータ２が同心円筒状に配設されて
いる。
【００１４】ＤＬＣＺ法によりアンチモンを添加したシ
リコン単結晶を引き上げる場合、坩堝１内でアンチモン
を添加したシリコンを、ヒータ２により全て溶融させた
後、ヒータ２の出力を制御して石英坩堝1a内の下方に固
体層９を、上方に融液層10を形成する。固体層９の形成
後、融液表面からの蒸発によって減少した量を補うた
め、アンチモンを追加添加する。次に、引上げ軸４の先
端のシードチャックに種結晶５を取り付け、種結晶５が
融液層10に接触するまで引上げ軸４を降下させる。この
状態で、引上げ軸４を坩堝１とは逆方向に回転させなが
ら引き上げることにより、種結晶５の下端に接触した融
液層10が冷却され、種結晶５の下端に単結晶８が成長す
る。このとき、同時に融液層10の減少を補うべく、固体
層９を溶解する。単結晶成長中には単結晶の引上げに伴
い坩堝１内の単結晶用原料が減少し、坩堝１内の融液面
レベルが低下するので、このレベルが一定に保たれるよ
う、坩堝１を上昇せしめる。
リコン単結晶を引き上げる場合、坩堝１内でアンチモン
を添加したシリコンを、ヒータ２により全て溶融させた
後、ヒータ２の出力を制御して石英坩堝1a内の下方に固
体層９を、上方に融液層10を形成する。固体層９の形成
後、融液表面からの蒸発によって減少した量を補うた
め、アンチモンを追加添加する。次に、引上げ軸４の先
端のシードチャックに種結晶５を取り付け、種結晶５が
融液層10に接触するまで引上げ軸４を降下させる。この
状態で、引上げ軸４を坩堝１とは逆方向に回転させなが
ら引き上げることにより、種結晶５の下端に接触した融
液層10が冷却され、種結晶５の下端に単結晶８が成長す
る。このとき、同時に融液層10の減少を補うべく、固体
層９を溶解する。単結晶成長中には単結晶の引上げに伴
い坩堝１内の単結晶用原料が減少し、坩堝１内の融液面
レベルが低下するので、このレベルが一定に保たれるよ
う、坩堝１を上昇せしめる。
【００１５】本実施例における成長条件を以下に示す。 単結晶径 ６ インチ 単結晶長 １０００ mm 坩堝回転数 ２０ rpm 引き上げ軸回転数 １５ rpm 引き上げ速度 １.0 mm/min 炉内圧 ２０ Torr Ａｒ流量 ２０ リットル／min
【００１６】図２は、本発明による坩堝が高回転（20rp
m)でのＤＬＣＺ法，ＤＬＣＺ法（坩堝回転：１rpm)，及
び従来のＣＺ法でのアンチモンを添加したシリコン単結
晶の、成長方向の酸素濃度分布を示すグラフである。従
来のＤＬＣＺ法の場合は、従来のＣＺ法で得られた単結
晶に比べ、固化率が増大しても酸素濃度が大幅に低減し
ないことが判る。これは、ＤＬＣＺ法では、低温である
固体層９が坩堝１の底部に存在するため、ＣＺ法による
場合よりもレーリーベナール対流が抑制され、融液表面
で低酸素化した融液がバルク融液中に輸送されないの
で、融液全体の酸素濃度が低下しないためである。しか
し本発明方法によるものに比べ、その酸素値は低いレベ
ルにとどまり、かつ固化率の増大に伴い漸減している。
m)でのＤＬＣＺ法，ＤＬＣＺ法（坩堝回転：１rpm)，及
び従来のＣＺ法でのアンチモンを添加したシリコン単結
晶の、成長方向の酸素濃度分布を示すグラフである。従
来のＤＬＣＺ法の場合は、従来のＣＺ法で得られた単結
晶に比べ、固化率が増大しても酸素濃度が大幅に低減し
ないことが判る。これは、ＤＬＣＺ法では、低温である
固体層９が坩堝１の底部に存在するため、ＣＺ法による
場合よりもレーリーベナール対流が抑制され、融液表面
で低酸素化した融液がバルク融液中に輸送されないの
で、融液全体の酸素濃度が低下しないためである。しか
し本発明方法によるものに比べ、その酸素値は低いレベ
ルにとどまり、かつ固化率の増大に伴い漸減している。
【００１７】図３は、直径が４，６，８，12インチの単
結晶について、本発明における坩堝回転数と酸素濃度と
の関係を示すグラフである。結晶径によって多少のずれ
は見られるが、いずれの場合も同様の現象が得られてい
ることが判る。図３より成長方向を通して高酸素濃度
（13〜17×1017atoms/cm3 ）が得られる坩堝回転数（高
回転数領域）を、４インチでは22rpm 以上、６インチで
は21rpm 以上、８インチでは20rpm 以上、12インチでは
18rpm 以上とする。また上限はいずれの結晶径において
も30rpm 以下、実用的には25rpm 以下とする。これ以上
とすると、固体層と融液層との界面が中央で盛り上がる
形状となり、酸素濃度の面内均一性が低下する。
結晶について、本発明における坩堝回転数と酸素濃度と
の関係を示すグラフである。結晶径によって多少のずれ
は見られるが、いずれの場合も同様の現象が得られてい
ることが判る。図３より成長方向を通して高酸素濃度
（13〜17×1017atoms/cm3 ）が得られる坩堝回転数（高
回転数領域）を、４インチでは22rpm 以上、６インチで
は21rpm 以上、８インチでは20rpm 以上、12インチでは
18rpm 以上とする。また上限はいずれの結晶径において
も30rpm 以下、実用的には25rpm 以下とする。これ以上
とすると、固体層と融液層との界面が中央で盛り上がる
形状となり、酸素濃度の面内均一性が低下する。
【００１８】アンチモンを添加しないＤＬＣＺ法による
シリコン単結晶の育成の坩堝回転数は、通常１rpm であ
る。この理由は、例えば６インチの単結晶については図
３に示すように５rpm を越えると酸素濃度が低下し、所
望する高酸素濃度の単結晶が得られなかったためであ
る。本発明者は、図３に示すように、坩堝のより高回転
数の領域において逆に単結晶の酸素濃度が上昇する傾向
を見出した。この現象は、図４に示すように坩堝１が高
回転（20rpm 以上）することによる遠心力の作用によ
り、結晶直下へ流れ込もうとする融液表面で低酸素化し
た表面流が抑制され、かつ石英坩堝の内面近傍から下部
固体層上を経由して成長界面に至る、高酸素帯の上昇流
が発生するために起こると考えられる。この作用によ
り、固化率が増大しても結晶中酸素濃度は高く維持され
ることになる。また、固体層９の溶解量を固化率の増大
に合わせて制御すれば、成長方向に均一な高酸素濃度分
布の単結晶が得られる。
シリコン単結晶の育成の坩堝回転数は、通常１rpm であ
る。この理由は、例えば６インチの単結晶については図
３に示すように５rpm を越えると酸素濃度が低下し、所
望する高酸素濃度の単結晶が得られなかったためであ
る。本発明者は、図３に示すように、坩堝のより高回転
数の領域において逆に単結晶の酸素濃度が上昇する傾向
を見出した。この現象は、図４に示すように坩堝１が高
回転（20rpm 以上）することによる遠心力の作用によ
り、結晶直下へ流れ込もうとする融液表面で低酸素化し
た表面流が抑制され、かつ石英坩堝の内面近傍から下部
固体層上を経由して成長界面に至る、高酸素帯の上昇流
が発生するために起こると考えられる。この作用によ
り、固化率が増大しても結晶中酸素濃度は高く維持され
ることになる。また、固体層９の溶解量を固化率の増大
に合わせて制御すれば、成長方向に均一な高酸素濃度分
布の単結晶が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る単結晶の成
長方法は、坩堝の回転数を上げることにより、単結晶直
下へ流れ込もうとする融液表面で低酸素化した融液を坩
堝壁側へ移動させ、かつ石英坩堝内面近傍の高酸素濃度
の融液を固体層直上から単結晶直下まで上昇せしめるこ
とにより、固化率が増大しても高酸素濃度が維持され、
成長方向に均一な高酸素濃度分布をもつ単結晶が得られ
る。
長方法は、坩堝の回転数を上げることにより、単結晶直
下へ流れ込もうとする融液表面で低酸素化した融液を坩
堝壁側へ移動させ、かつ石英坩堝内面近傍の高酸素濃度
の融液を固体層直上から単結晶直下まで上昇せしめるこ
とにより、固化率が増大しても高酸素濃度が維持され、
成長方向に均一な高酸素濃度分布をもつ単結晶が得られ
る。
【図１】ＤＬＣＺ法に使用される単結晶成長装置を示す
模式的縦断面図である。
模式的縦断面図である。
【図２】直径６インチのシリコン単結晶中の、成長方向
における酸素濃度分布を示すグラフである。
における酸素濃度分布を示すグラフである。
【図３】本発明方法における坩堝回転数と酸素濃度との
関係を、４，６，８，12インチの単結晶について求めた
結果を示すグラフである。
関係を、４，６，８，12インチの単結晶について求めた
結果を示すグラフである。
【図４】本発明方法によるアンチモンを添加したＤＬＣ
Ｚ法での、融液中における酸素帯分布を示す断面図であ
る。
Ｚ法での、融液中における酸素帯分布を示す断面図であ
る。
【図５】ＣＺ法に使用される単結晶成長装置を示す模式
的縦断面図である。
的縦断面図である。
【図６】従来のアンチモンを添加したＤＬＣＺ法での、
融液中における酸素帯分布を示す断面図である。
融液中における酸素帯分布を示す断面図である。
１ 坩堝 1a 石英坩堝 1b 黒鉛坩堝 ２ ヒータ ４ 引上げ軸 ５ 種結晶 ７ 支持軸 ８ 単結晶 ９ 固体層 10 融液層
Claims (3)
- 【請求項１】 回転可能に支持された坩堝内に、固体層
と融液層とを共存させた状態で、アンチモンを添加した
シリコン単結晶を引き上げる方法において、低回転数領
域で高酸素濃度が得られ、中回転数領域で低酸素濃度が
得られ、高回転数領域で高酸素濃度が得られるという坩
堝回転数と結晶中酸素濃度との関係の、高回転数領域の
回転数で坩堝を回転させることを特徴とするアンチモン
添加シリコン単結晶の成長方法。 - 【請求項２】 直径が実質的に４，６，８，１２インチ
である単結晶を引き上げて成長させる場合、坩堝の回転
数を、夫々、２２rpm 以上，２１rpm 以上，２０rpm 以
上，１８rpm 以上とすることを特徴とする請求項１記載
のアンチモン添加シリコン単結晶の成長方法。 - 【請求項３】 坩堝の回転数を３０rpm 以下とすること
を特徴とする請求項２記載のアンチモン添加シリコン単
結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126796A JPH101394A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | アンチモン添加シリコン単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126796A JPH101394A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | アンチモン添加シリコン単結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101394A true JPH101394A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15514937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15126796A Pending JPH101394A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | アンチモン添加シリコン単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH101394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2322696A1 (en) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Sumco Techxiv Corporation | Method of manufacturing silicon single crystal |
| CN114921846A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-08-19 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 降低重掺锑<100>单晶杂质条纹的方法 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15126796A patent/JPH101394A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8840721B2 (en) | 2009-11-16 | 2014-09-23 | Sumco Techxiv Corporation | Method of manufacturing silicon single crystal |
| CN114921846A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-08-19 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 降低重掺锑<100>单晶杂质条纹的方法 |
| CN114921846B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-10-24 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 降低重掺锑<100>单晶杂质条纹的方法 |
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