JPH0344931A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH0344931A JPH0344931A JP18108989A JP18108989A JPH0344931A JP H0344931 A JPH0344931 A JP H0344931A JP 18108989 A JP18108989 A JP 18108989A JP 18108989 A JP18108989 A JP 18108989A JP H0344931 A JPH0344931 A JP H0344931A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 42
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 42
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明(よ 選択CVD (化学気相成長)法により良
好な形状のスルーホールコンタクト電極が形成可能な半
導体集積回路装置の製造方法に関するものである。
好な形状のスルーホールコンタクト電極が形成可能な半
導体集積回路装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体デバイスの微細化・高集積化に伴(\ スルーホ
ール(第1層アルミニウム配線−第2層アルミニウム配
線間の接続孔)のアスペクト比が増大し 第2層アルミ
ニウム配線の段差被覆性が低下するという問題が生じて
くる。特にアスペクト比が工程度になると、段差被覆性
(平坦部の配線膜厚とコンタクト部の配線膜厚の比率)
が10%程度になり、配線の信頼性が非常に問題となっ
てくる。
ール(第1層アルミニウム配線−第2層アルミニウム配
線間の接続孔)のアスペクト比が増大し 第2層アルミ
ニウム配線の段差被覆性が低下するという問題が生じて
くる。特にアスペクト比が工程度になると、段差被覆性
(平坦部の配線膜厚とコンタクト部の配線膜厚の比率)
が10%程度になり、配線の信頼性が非常に問題となっ
てくる。
従来 このような問題を解決するために 選択CVDに
よりスルーホールにタングステンを堆積し スルーホー
ルの埋め込み・平坦化を行なうという技術がある(部付
、西徐 笠阪 浅野「W選択CVDへのスパッタエッチ
前処理の影響」r1989年(平成元年)春季第36回
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(第2分冊)」論
文番号ap−ZF−3,1980年4月)。この技術を
用いればスルーホールを完全に埋め込むことができるの
で、スルーホール部において第2層アルミニウム配線の
段差被覆性が低下することがな(1ここで、その製造方
法を第3図A〜Fに示す。
よりスルーホールにタングステンを堆積し スルーホー
ルの埋め込み・平坦化を行なうという技術がある(部付
、西徐 笠阪 浅野「W選択CVDへのスパッタエッチ
前処理の影響」r1989年(平成元年)春季第36回
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(第2分冊)」論
文番号ap−ZF−3,1980年4月)。この技術を
用いればスルーホールを完全に埋め込むことができるの
で、スルーホール部において第2層アルミニウム配線の
段差被覆性が低下することがな(1ここで、その製造方
法を第3図A〜Fに示す。
同図において、まずシリコン基板1上に第1のシリコン
酸化膜2を形成し その後、シリコン酸化膜2上に第1
層アルミニウム配線3を形成する。
酸化膜2を形成し その後、シリコン酸化膜2上に第1
層アルミニウム配線3を形成する。
さらに第1層アルミニウム配線3上に順次 第2のシリ
コン酸化膜4、レジスト5を形成する(第3図A)。
コン酸化膜4、レジスト5を形成する(第3図A)。
次に第2のシリコン酸化膜4をドライエツチング法によ
り除去し スルーホールを形成し その後、 レジスト
5を除去する(第3図B)。
り除去し スルーホールを形成し その後、 レジスト
5を除去する(第3図B)。
次にコンタクト抵抗を低くするために アルゴン(Ar
)スパッタエッチを行1.′X、第1層アルミニウム配
線3の表面酸化膜(アルミナ)を除去しスルーホールコ
ンタクト底部のアルミニウムを露出させも この時、ア
ルゴンイオンによってスパッタされたスルーホール底部
のアルミニウム原子がスルーホールの側壁に付着し ア
ルミニウム薄膜6を形成する(第3図C)。
)スパッタエッチを行1.′X、第1層アルミニウム配
線3の表面酸化膜(アルミナ)を除去しスルーホールコ
ンタクト底部のアルミニウムを露出させも この時、ア
ルゴンイオンによってスパッタされたスルーホール底部
のアルミニウム原子がスルーホールの側壁に付着し ア
ルミニウム薄膜6を形成する(第3図C)。
次にCVD法によりタングステン7を選択的にスルーホ
ールに堆積する。タングステンCVD法は ガス流量、
圧力等の条件を制御することによりシリコン酸化膜上に
は堆積させず、アルミニウム上にのみ堆積させることが
できも この時、スルーホールの側壁にアルミニウム薄
膜6が形成されているた△ スルーホールの底部だけで
なく、スルーホールの側壁にもタングステンが堆積され
る(第3図D)。次に第2のシリコン酸化膜4及びスル
ーホール上に第2層アルミニウム配線8を形成する(第
3図E)。次に第2層アルミニウム配線8上に保護膜と
してシリコン窒化膜10を形成する(第3図F)。
ールに堆積する。タングステンCVD法は ガス流量、
圧力等の条件を制御することによりシリコン酸化膜上に
は堆積させず、アルミニウム上にのみ堆積させることが
できも この時、スルーホールの側壁にアルミニウム薄
膜6が形成されているた△ スルーホールの底部だけで
なく、スルーホールの側壁にもタングステンが堆積され
る(第3図D)。次に第2のシリコン酸化膜4及びスル
ーホール上に第2層アルミニウム配線8を形成する(第
3図E)。次に第2層アルミニウム配線8上に保護膜と
してシリコン窒化膜10を形成する(第3図F)。
発明が解決しようとする課題
上記従来の製造方法の問題点を第3図を用いて以下述べ
る。上記製造方法において、CVD法によりタングステ
ン7を選択的にスルーホールに堆積する時、スルーホー
ルの側壁にアルミニウム薄膜6が形成されているた△
スルーホールの底部だけでなく、スルーホールの側壁に
もタングステンが堆積される。スルーホール底部と側壁
部からタングステンが成長するので、スルーホールを完
全に埋め込んで平坦化することができ哄 タングステン
の表面に深い段差9が生じてしまう(第3図D)。この
ような段差が存在すると、第2層アルミニウム配線8の
形成時において、タングステンの表面段差のために第2
層アルミニウム配線8の段差被覆性が低下し スルーホ
ール上部の第2層アルミニウム配線8の断面積(第3図
Eのaの部分)が平坦上の断面積(第3図Eのbの部分
)と比較して減少すも 配線の断面積の減少(戴 エレ
クトロマイグレーション寿命を減少させるの玄信頼性上
問題となる。また 深い段差9が存在すると、発煙硝酸
・純水による洗浄を行なった場合、段差部に溜った発煙
硝酸が水洗しても除去できにくくなり、アルミニウム配
線の腐食が生じる可能性が高くなったり、保護膜である
シリコン窒化膜10の段差被覆性が低下ま スルーホー
ル部のシリコン窒化膜lOの膜厚が薄くなり、耐湿性の
低下を招く等の問題を生じる。
る。上記製造方法において、CVD法によりタングステ
ン7を選択的にスルーホールに堆積する時、スルーホー
ルの側壁にアルミニウム薄膜6が形成されているた△
スルーホールの底部だけでなく、スルーホールの側壁に
もタングステンが堆積される。スルーホール底部と側壁
部からタングステンが成長するので、スルーホールを完
全に埋め込んで平坦化することができ哄 タングステン
の表面に深い段差9が生じてしまう(第3図D)。この
ような段差が存在すると、第2層アルミニウム配線8の
形成時において、タングステンの表面段差のために第2
層アルミニウム配線8の段差被覆性が低下し スルーホ
ール上部の第2層アルミニウム配線8の断面積(第3図
Eのaの部分)が平坦上の断面積(第3図Eのbの部分
)と比較して減少すも 配線の断面積の減少(戴 エレ
クトロマイグレーション寿命を減少させるの玄信頼性上
問題となる。また 深い段差9が存在すると、発煙硝酸
・純水による洗浄を行なった場合、段差部に溜った発煙
硝酸が水洗しても除去できにくくなり、アルミニウム配
線の腐食が生じる可能性が高くなったり、保護膜である
シリコン窒化膜10の段差被覆性が低下ま スルーホー
ル部のシリコン窒化膜lOの膜厚が薄くなり、耐湿性の
低下を招く等の問題を生じる。
本発明は上述の課題に鑑みて為されたもので、表面に段
差を生じることなく、高信頼性のスルーホール電極を形
成することができる半導体集積回路装置の製造方法を提
供することを目的とする。
差を生じることなく、高信頼性のスルーホール電極を形
成することができる半導体集積回路装置の製造方法を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上述の課題を解決するた△ 半導体基板上に第
1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第
1の導電膜による配線を形成する工程と、前記第1の導
電膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶
縁膜に接続孔を設ける工程と、前記第1の導電膜の表面
酸化膜を窒素を添加した不活性ガスを用いたスパッタリ
ング法により除去する工程と、前記接続孔に第2の導電
膜を埋め込む工程と、前記第2の絶縁膜及び第2の導電
膜上に第3の導電膜による配線を形成する工程とを備え
たものであも 作用 本発明は上述の構成によって、窒素を添加した不活性ガ
ス雰囲気中においてスパッタエッチ法により第1の導電
膜による配線の表面処理を行なう時、不活性ガスのイオ
ンによりスパッタされた接続孔底部の第1の導電膜原子
が接続孔の側壁部に向けて飛来する。飛来した第1の導
電膜原子(よプラズマ中の窒素ラジカルや窒素イオンと
結合し接続孔の側壁部に第1の導電膜の窒化物を形成す
る。この時、接続孔の底部において(よ 不活性ガスイ
オンにより第1の導電膜の表面酸化膜がスパッタ除去さ
れ 第1の導電膜が露出している。その後、CVD法に
より接続孔に選択的に第2の導電膜を埋め込む時、接続
孔の側壁部は第1の導電膜の窒化物が形成されているた
めに 第2の導電膜は側壁部には堆積しな(1したがっ
て、第1の導電膜が露出している接続孔底部に選択的に
堆積するた△ 第2の導電膜の表面に段差が生じること
なく接続孔の埋め込み・平坦化が可能となる。
1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第
1の導電膜による配線を形成する工程と、前記第1の導
電膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶
縁膜に接続孔を設ける工程と、前記第1の導電膜の表面
酸化膜を窒素を添加した不活性ガスを用いたスパッタリ
ング法により除去する工程と、前記接続孔に第2の導電
膜を埋め込む工程と、前記第2の絶縁膜及び第2の導電
膜上に第3の導電膜による配線を形成する工程とを備え
たものであも 作用 本発明は上述の構成によって、窒素を添加した不活性ガ
ス雰囲気中においてスパッタエッチ法により第1の導電
膜による配線の表面処理を行なう時、不活性ガスのイオ
ンによりスパッタされた接続孔底部の第1の導電膜原子
が接続孔の側壁部に向けて飛来する。飛来した第1の導
電膜原子(よプラズマ中の窒素ラジカルや窒素イオンと
結合し接続孔の側壁部に第1の導電膜の窒化物を形成す
る。この時、接続孔の底部において(よ 不活性ガスイ
オンにより第1の導電膜の表面酸化膜がスパッタ除去さ
れ 第1の導電膜が露出している。その後、CVD法に
より接続孔に選択的に第2の導電膜を埋め込む時、接続
孔の側壁部は第1の導電膜の窒化物が形成されているた
めに 第2の導電膜は側壁部には堆積しな(1したがっ
て、第1の導電膜が露出している接続孔底部に選択的に
堆積するた△ 第2の導電膜の表面に段差が生じること
なく接続孔の埋め込み・平坦化が可能となる。
実施例
第1図A−F、第2図はそれぞれ本発明の一実施例にお
ける半導体集積回路装置の製造工程を示す断面図である
。以下、本発明の実施例を第1図A〜F、第2図を用い
て説明すも 第1図において、まずシリコン基板11上に導電膜とし
て例えば第1のシリコン酸化膜12を0.6μm膜尾
第1層アルミニウム配線13を0.8μm膜尾第2のシ
リコン酸化膜14を0.8μm膜厚となるように順次形
威すも この啄 第1のシリコン酸化膜12はボロン及
びリンを含んだ風 第1層アルミニウム配線■3はシリ
コンや銅を添加した膜を使用しても良へ また 第2の
シリコン酸化膜14は通常プラズマCVD法により形成
されたものを使用する。その後、スルーホールを形成す
るためのレジスト15を形成する(第1図A)。
ける半導体集積回路装置の製造工程を示す断面図である
。以下、本発明の実施例を第1図A〜F、第2図を用い
て説明すも 第1図において、まずシリコン基板11上に導電膜とし
て例えば第1のシリコン酸化膜12を0.6μm膜尾
第1層アルミニウム配線13を0.8μm膜尾第2のシ
リコン酸化膜14を0.8μm膜厚となるように順次形
威すも この啄 第1のシリコン酸化膜12はボロン及
びリンを含んだ風 第1層アルミニウム配線■3はシリ
コンや銅を添加した膜を使用しても良へ また 第2の
シリコン酸化膜14は通常プラズマCVD法により形成
されたものを使用する。その後、スルーホールを形成す
るためのレジスト15を形成する(第1図A)。
次にレジスト15をマスクとして第2のシリコン酸化膜
14をドライエツチング法により除去ニ スルーホール
を形成する。その後、プラズマアッシング法及び発煙硝
酸によりレジスト15を除去する。
14をドライエツチング法により除去ニ スルーホール
を形成する。その後、プラズマアッシング法及び発煙硝
酸によりレジスト15を除去する。
この隊 第2のシリコン酸化膜14のドライエツチング
にi上 cHF*と02の混合ガスを用いた反応性リア
クティブイオンエツチング法を用いる(第1図B)。
にi上 cHF*と02の混合ガスを用いた反応性リア
クティブイオンエツチング法を用いる(第1図B)。
次に平行平板型装置の真空反応室内において、窒素を添
加したアルゴンガスを導入し プラズマ放電によるスパ
ッタエッチを行し\ スルーホール底部の第1層アルミ
ニウム配線13の表面酸化膜を除去L Ff浄なアル
ミニウム表面を露出させる。
加したアルゴンガスを導入し プラズマ放電によるスパ
ッタエッチを行し\ スルーホール底部の第1層アルミ
ニウム配線13の表面酸化膜を除去L Ff浄なアル
ミニウム表面を露出させる。
この啄 アルゴンイオンによりスパッタされたアルミニ
ウム原子はスルーホールの側壁部に付着し窒素ラジカル
や窒素イオンと反応して窒化アルミニウム16を形成す
る。この場合、アルゴンガスの代わりに他の不活性ガス
を用いてもよい(第1図C)。
ウム原子はスルーホールの側壁部に付着し窒素ラジカル
や窒素イオンと反応して窒化アルミニウム16を形成す
る。この場合、アルゴンガスの代わりに他の不活性ガス
を用いてもよい(第1図C)。
この場合の反応を第2図を用いてさらに詳細に説明する
。プラズマ中のアルゴンイオン23がスルーホール底部
の第1層アルミニウム配線13の表面酸化膜をスバッタ
エッチレ 清浄なアルミニウム表面を露出させる。この
時、表面酸化膜厚やスパッタエッチレートのばらつきを
考慮してオーバーエッチを行わなくてはならないので、
表面酸化膜を除去した後もアルミニウム表面をスパッタ
し続ける。アルゴンイオン23によりスパッタされたア
ルミニウム原子24(上 スルーホールの側壁部に付
着し その場でプラズマ中より飛来した窒素ラジカル2
5と反応し 窒化アルミニウム16を形威すも次に第1
層アルミニウム配線13上にCVD法により選択的にタ
ングステンi7を堆積し スルーホールの埋め込み・平
坦化を行う。この時、タングステン17は清浄なアルミ
ニウム表面のみに堆積して、窒化アルミニウム16によ
り覆われたスルーホールの側壁部には堆積することはな
いので、スルーポールに埋め込んだタングステン17の
表面には段差ができない。この場合、タングステンの代
わりに他の導電膜を用いてもよい(第1図D)。
。プラズマ中のアルゴンイオン23がスルーホール底部
の第1層アルミニウム配線13の表面酸化膜をスバッタ
エッチレ 清浄なアルミニウム表面を露出させる。この
時、表面酸化膜厚やスパッタエッチレートのばらつきを
考慮してオーバーエッチを行わなくてはならないので、
表面酸化膜を除去した後もアルミニウム表面をスパッタ
し続ける。アルゴンイオン23によりスパッタされたア
ルミニウム原子24(上 スルーホールの側壁部に付
着し その場でプラズマ中より飛来した窒素ラジカル2
5と反応し 窒化アルミニウム16を形威すも次に第1
層アルミニウム配線13上にCVD法により選択的にタ
ングステンi7を堆積し スルーホールの埋め込み・平
坦化を行う。この時、タングステン17は清浄なアルミ
ニウム表面のみに堆積して、窒化アルミニウム16によ
り覆われたスルーホールの側壁部には堆積することはな
いので、スルーポールに埋め込んだタングステン17の
表面には段差ができない。この場合、タングステンの代
わりに他の導電膜を用いてもよい(第1図D)。
次に第2のシリコン酸化膜1東 窒化アルミニウム16
及びタングステン17上に第2層アルミニウム配線18
を膜厚が1μmになるように形成する。この時、タング
ステン17の表面は段差がなく平滑であるので、第2層
アルミニウム配線18の段差被覆性が低下し スルーホ
ール上部の第2層アルミニウム配線18の断面積が減少
するようなことはなl、%したがって、第2層アルミニ
ウム配線18のエレクトロマイグレーション寿命も減少
することはないので、信頼性の高いスルーホールコンタ
クト電極を形成することができる。また スルーホール
上部の第2層アルミニウム配線18の表面には段差が生
じないので、第2層アルミニウム配線18の形成後、発
煙硝酸による洗浄を行なって払 発煙硝酸の混じった水
分が段差部に溜ってしまうことがないので、第2層アル
ミニウム配線18が腐食し断線することはない。この場
合、第2層アルミニウム配線の代わりに他の導電膜を用
いてもよい(第1図E)。
及びタングステン17上に第2層アルミニウム配線18
を膜厚が1μmになるように形成する。この時、タング
ステン17の表面は段差がなく平滑であるので、第2層
アルミニウム配線18の段差被覆性が低下し スルーホ
ール上部の第2層アルミニウム配線18の断面積が減少
するようなことはなl、%したがって、第2層アルミニ
ウム配線18のエレクトロマイグレーション寿命も減少
することはないので、信頼性の高いスルーホールコンタ
クト電極を形成することができる。また スルーホール
上部の第2層アルミニウム配線18の表面には段差が生
じないので、第2層アルミニウム配線18の形成後、発
煙硝酸による洗浄を行なって払 発煙硝酸の混じった水
分が段差部に溜ってしまうことがないので、第2層アル
ミニウム配線18が腐食し断線することはない。この場
合、第2層アルミニウム配線の代わりに他の導電膜を用
いてもよい(第1図E)。
次に第2層アルミニウム配線18上に保護膜としてプラ
ズマCVD法によりシリコン窒化膜19を膜厚0.8μ
mとなるように形成すも この啄 スルーホール上部の
第2層アルミニウム配線18の表面は平坦であり段差が
ないので、第2層アルミニウム配線18上に堆積したシ
リコン窒化膜19の段差被覆性が低下し 膜厚が局所的
に薄くなることはない。
ズマCVD法によりシリコン窒化膜19を膜厚0.8μ
mとなるように形成すも この啄 スルーホール上部の
第2層アルミニウム配線18の表面は平坦であり段差が
ないので、第2層アルミニウム配線18上に堆積したシ
リコン窒化膜19の段差被覆性が低下し 膜厚が局所的
に薄くなることはない。
つまり、どの部分でも膜厚が0.8μmに保たれている
ので耐湿性の高い保護膜が得られも 発明の効果 以上の説明から明らかなように 本発明によれば 窒素
を添加した不活性ガス雰囲気中においてスパッタ法によ
り第1の導電膜による配線の表面処理を行なうので、接
続孔の側壁部に第1の導電膜の窒化物が形成されん 次
に選択CVD法により第2の導電膜を接続孔に埋め込む
場合、第2の導電膜は接続孔側壁部には堆積されず、第
1の導電膜が露出した接続孔の底部にのみ選択的に堆積
されるので、第2の導電膜の埋め込み・完全平坦化が可
能となり、接続孔部に段差が生じることがな賎 したが
って、接続孔上に第3の導電膜による配線を形成してL
段差のために第3の導電膜配線の膜厚が薄くなり配線
の断面積が減少することはないので、信頼性の高いスル
ーホールコンタクト電極の形成が可能となる。また 第
3の導電膜配線上に保護膜としてシリコン窒化膜を形成
して転 接続孔部には段差が存在しないので、シリコン
窒化膜の膜厚が局所的に薄くなり、信頼性の低下を招く
ことがな(ち また 第3の導電膜配線の形成後、発煙
硝酸による洗浄を行なった場合、発煙硝酸が接続孔上の
段差部に溜って、水洗しても除去しにくくなることがな
いので、第3の導電膜配線が腐食することもない。
ので耐湿性の高い保護膜が得られも 発明の効果 以上の説明から明らかなように 本発明によれば 窒素
を添加した不活性ガス雰囲気中においてスパッタ法によ
り第1の導電膜による配線の表面処理を行なうので、接
続孔の側壁部に第1の導電膜の窒化物が形成されん 次
に選択CVD法により第2の導電膜を接続孔に埋め込む
場合、第2の導電膜は接続孔側壁部には堆積されず、第
1の導電膜が露出した接続孔の底部にのみ選択的に堆積
されるので、第2の導電膜の埋め込み・完全平坦化が可
能となり、接続孔部に段差が生じることがな賎 したが
って、接続孔上に第3の導電膜による配線を形成してL
段差のために第3の導電膜配線の膜厚が薄くなり配線
の断面積が減少することはないので、信頼性の高いスル
ーホールコンタクト電極の形成が可能となる。また 第
3の導電膜配線上に保護膜としてシリコン窒化膜を形成
して転 接続孔部には段差が存在しないので、シリコン
窒化膜の膜厚が局所的に薄くなり、信頼性の低下を招く
ことがな(ち また 第3の導電膜配線の形成後、発煙
硝酸による洗浄を行なった場合、発煙硝酸が接続孔上の
段差部に溜って、水洗しても除去しにくくなることがな
いので、第3の導電膜配線が腐食することもない。
第1図、第2図は本発明の一実施例における半導体集積
回路装置の製造工程を示す断面は 第3図は従来の半導
体集積回路装置の製造工程を示す断面図であも 11・・・シリコン基板、12・・・第1のシリコン酸
化風13・・・第1層アルミニウム配置1 14・・・
第2のシリコン酸化i 15・・・レジスト、16・
・・窒化アルミニラん17・・・タングステン、18・
・・第2層アルミニウム配線19・・・シリコン窒化膜
回路装置の製造工程を示す断面は 第3図は従来の半導
体集積回路装置の製造工程を示す断面図であも 11・・・シリコン基板、12・・・第1のシリコン酸
化風13・・・第1層アルミニウム配置1 14・・・
第2のシリコン酸化i 15・・・レジスト、16・
・・窒化アルミニラん17・・・タングステン、18・
・・第2層アルミニウム配線19・・・シリコン窒化膜
Claims (1)
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第
1の絶縁膜上に第1の導電膜による配線を形成する工程
と、前記第1の導電膜上に第2の絶縁膜を形成する工程
と、前記第2の絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記第
1の導電膜の表面酸化膜を窒素を添加した不活性ガスを
用いたスパッタリング法により除去する工程と、前記接
続孔に第2の導電膜を埋め込む工程と、前記第2の絶縁
膜及び第2の導電膜上に第3の導電膜による配線を形成
する工程とを備えた半導体集積回路装置の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18108989A JPH0344931A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18108989A JPH0344931A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0344931A true JPH0344931A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16094632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18108989A Pending JPH0344931A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0344931A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403358B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP18108989A patent/JPH0344931A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403358B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
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