JPH0343684B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄膜で構成されたマルチトラツクの
記録・再生が可能なコンビネーシヨンタイプの薄
膜磁気ヘツドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 従来のコンビネーシヨンタイプの薄膜磁気ヘツ
ドについて第１図により説明する。記録ヘツド
は、ベース１と基板２と保護基板３と端子板４と
から構成され、記録ヘツドギヤツプ５は基板２と
保護基板３との間に蒸着等により形成されてい
る。再生ヘツドは、記録ヘツドと同様に、ベース
６と基板７と保護基板８と端子板９とから構成さ
れ、再生ヘツドギヤツプ１０は記録ヘツドギヤツ
プ５と同様に、基板７と保護基板８との間に蒸着
等により形成されている。これら２つのヘツドで
シールド板１１を挾み込んで接着し、記録再生一
体型のコンビネーシヨンタイプのヘツドとしたも
のである。

このような従来の薄膜磁気ヘツドにおいては、
記録ヘツドギヤツプ５と再生ヘツドギヤツプ１０
との平行度が重要である。すなわち、再生ヘツド
ギヤツプ１０が磁気テープの記録信号に対して傾
き（アジマス）を持つている場合、再生信号はそ
の傾きに応じて出力が減少する。これはアジマス
ロスと呼ばれており、このアジマスロスは再生信
号の波長に反比例して大きくなる。したがつて、
短波長記録の場合、アジマスロスの影響は大きく
なる。またマルチトラツクヘツドの場合、再生ヘ
ツドギヤツプ１０の傾きは、各トラツクの再生信
号の位相のずれとなつてあらわれ、デイジタル記
録の場合はそれが読み誤りの原因になる。記録再
生一体型のコンビネーシヨンタイプのヘツドの場
合は、組立時の記録ヘツドギヤツプ５と再生ヘツ
ドギヤツプ１０との平行度が記録信号に対する再
生ヘツドの傾きとなるため、組立精度が重要にな
る。記録ヘツドギヤツプ５と再生ヘツドギヤツプ
１０との平行度に影響を与えるのは、保護基板
３，８の厚み、シールド板１１の厚み、保護基板
３，８と基板２，７との間の接着層の厚み、シー
ルド板１１と保護基板３，８との間の接着層の厚
みであり、これらの７項目について平行度を高精
度に管理しなければならない。いま、角度にして
3′のアジマス精度が必要であるとすると、ヘツド
幅が８mmに対して約7μmの平行度が必要であり、
これは従来の構成では実現がたいへん困難であ
る。また、記録ヘツドギヤツプ５と再生ヘツドギ
ヤツプ１０とを顕微鏡等で観察しながら平行度を
調整し、シールド板１１を挾んで固着することに
より、精度の向上を図ることも考えられるが、こ
のような方法は非能率的で組立作業に時間がかか
るという問題がある。

発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、記
録ヘツドギヤツプと再生ヘツドギヤツプとの平行
度を容易にかつ高精度に保つことのできるコンビ
ネーシヨンタイプの薄膜磁気ヘツドを得ることを
目的とする。

発明の構成 上記目的を達するため、本発明の薄膜磁気ヘツ
ドは、基板の表面に蒸着等により磁気ギヤツプを
形成した薄膜記録ヘツド及び薄膜磁気ヘツドと、
これら薄膜記録ヘツド及び薄膜磁気ヘツドの基板
表面に当接する互いに平行な基準面を有するスペ
ーサとを備え、前記薄膜記録ヘツドと薄膜磁気ヘ
ツドとを前記スペーサを介して一体固着した構成
である。

実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面に基づい
て説明する。第２図および第３図において、１２
はベース、１３は基板、１４は保護基板、１５は
端子板であり、これらにより記録ヘツドが構成さ
れている。また１６はベース、１７は基板、１８
は保護基板、１９は端子板であり、これらにより
再生ヘツドが構成されている。なお２０はシール
ド板、２１，２２はスペーサである。前記保護基
板１４，１８は、基板１３，１７よりも高さ方向
の長さが短かく、基板１３，１７の表面１３ａ，
１７ａ（１３ａは図面には現われていない）の上
端部及び下端部は保護基板１４，１８と当接して
いない。基板１４，１８間には、その上端部及び
下端部においてスペーサ２１，２２が挾み込まれ
ており、このスペーサ２１，２２の左右方向両端
の基準面２３は、両面GCラツプ等で、平行度を
高精度に出している。製作に際しては、基板１
３，１７の表面１３ａ，１７ａをスペーサ２１，
２２の基準面２３に両側から押し当て、保護基板
１４，１８の間にシールド板２０を差し入れて保
持した状態で、第３図のようにすきまに樹脂等を
モールドして互いに固着し、その後、前面形状を
ラツピングで加工して仕上げる。なお、スペーサ
２１，２２を基板１３，１７の表面１３ａ，１７
ａで挾持したとき、保護基板１４，１８及びシー
ルド板２０の間にすき間ができ、スペーサ２１，
２２と基板表面１３ａ，１７ａとだけが接触する
ように構成されている。

上記構成によれば、２個のスペーサ２１，２２
の左右方向の長さの差、スペーサ２１，２２と基
板１３，１７との間の接着層の厚さむら等の合計
が5μm程度あるとしても、ヘツド幅ｌを８mmとす
ると、基板表面１３ａ，１７ａの傾きは、角度に
して2′程度になる。再生ヘツドギヤツプは、基板
表面１７ａとほぼ同位置にあると考えられるの
で、記録ヘツドギヤツプ及び再生ヘツドギヤツプ
の傾き（アジマス）は、やはり角度にして2′程度
になる。アジマスに影響を与えるのは、上記の如
く、スペーサ２１，２２の左右方向の長さ、及び
基板１３，１７とスペーサ２１，２２との間の接
着層の厚みだけであり、３項目の精度を押さえれ
ばよいので、従来のように７項目の精度を押さえ
なければならないものと比較して、累積の誤差が
少なくなつている。

第４図及び第５図は別の実施例を示し、この例
では、シールド板２４の両面に非磁性材料からな
る４個のスペーサ２５を積層している。スペーサ
２５の４箇所の基準面２６は、シールド板２４の
両側で互いに平行になるように加工されている。
製作に際しては、基板１３，１７をスペーサ２５
の基準面２６に両側から押し当てた状態で互いに
固着する。

この構成においても、第１の実施例のものと同
様に、記録ヘツドギヤツプと再生ヘツドギヤツプ
との平行度を高精度に得ることができる。またシ
ールド板２４がスペーサ２５と一体であるため、
組立てが容易である。さらに、シールド板２４が
ヘツドの全幅にわたつて記録ヘツドと再生ヘツド
との間を区切つているので、第１の実施例のもの
よりもシールド効果が大きい。

発明の効果 以上のように本発明によれば、記録ヘツドギヤ
ツプと再生ヘツドギヤツプとの平行度を容易な組
立作業で高精度に出すことができ、品質の優れた
かつ安価なコンビネーシヨンタイプの薄膜マルチ
トラツクヘツドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第２
図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘツドの
再生ヘツド部分の分解斜視図、第３図は本発明の
一実施例における薄膜磁気ヘツドの斜視図、第４
図は他の実施例におけるシールド板及びスペーサ
の斜視図、第５図は他の実施例における薄膜磁気
ヘツドの斜視図である。 １３，１７……基板、１４，１８……保護基
板、２０，２４……シールド板、２１，２２，２
５……スペーサ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板の表面に蒸着等により磁気ギヤツプを形
   成した薄膜記録ヘツド及び薄膜磁気ヘツドと、こ
   れら薄膜記録ヘツド及び薄膜磁気ヘツドの基板表
   面に当接する互いに平行な基準面を有するスペー
   サとを備え、前記薄膜記録ヘツドと薄膜磁気ヘツ
   ドとを前記スペーサを介して一体固着する構成と
   した薄膜磁気ヘツド。 ２ スペーサは、非磁性材料からなりシールド板
   と一体積層により構成されている特許請求の範囲
   第１項記載の薄膜磁気ヘツド。