JPH0343263A

JPH0343263A - Ｌｅｄアレイ構造物

Info

Publication number: JPH0343263A
Application number: JP1178465A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Ogata; 緒方　弘美; Kensuke Sawase; 研介澤瀬
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1989-07-11
Filing date: 1989-07-11
Publication date: 1991-02-25
Anticipated expiration: 2010-02-15
Also published as: JPH0712715B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この発明は、ホトプリンタ等に適用される発光多゛イオ
ード（以下ＬＥＤという）アレイに関し、詳しく言えば
、ワイヤボンディングの不良を生じにくくする構造に関
する。

（ロ）従来の技術ＬＥＤアレイは、例えばホトプリンタのＬＥＤヘッドに
使用され、第７図は、このＬＥＤヘッドの一例を示す斜
視図である。２２は、セラミック基板であり、このセラ
ミック基板２２上にはＬＥＤアレイ１１、・・・　１１
がそれらの拡散領域列が一直線になるようにグイボンデ
ィングされている。

２３、・・・、２３は、ＬＥＤアレイ１１．・・・　１
１の駆動用ＩＣである。セラミック基板２２上には、図
示しない配線パターンが形成されており、これら配線パ
ターンとＬＥＤアレイ１１及びこれら配線パターンと駆
動用ＩＣ２３とをワイヤ（図示せず）でボンディングす
ることに、より、ＬＥＤアレイ１１、・・・　１１と駆
動用ｒｃ２３、・・・、２３間が電気的に接続される。

２４は、ＬＥＤアレイ１１、・・・　１１．駆動用ＩＣ
２３、・・・２３及びワイヤを被覆保護するエポキシ樹
脂である。

ＬＥＤアレイ１１、・・・　１１の発光領域の像は、レ
ンズアレイ例えば屈折率勾配型レンズアレイ（商品名セ
ルフォックレンズアレイ）２５により、図示しない感光
ドラム上に結ばれる。

第５図は、このＬＥＤアレイ１１を拡大して示す平面図
である。１２は、ガリウム（Ｇａ）上素（Ａｓ）の半導
体基板であり、底面には第１の電極（図示せず）が形成
されており、第６図中）に示すように、導電ペースト２
７によりセラミック基板２２上の配線パターン２６に電
気的に接続している。

基板１２上には、例えば６４個の拡散領域１４、・・・
　１４が所定のピッチをおいて、−直線上に形成されて
いる。また、基板１２上には第２の電極１６、・・・　
１６が形成されている。これら電極１６は、その一端は
ワイヤボンディングのためのボンディングパッド１６ａ
とされ、他端１６ｂは、拡散領域１４にオーくツタ接触
している。

（ハ）発明が解決しようとする課題上記従来のＬＥＤアレイ１１では、基板１２の端部１２
ｄに位置するボンディングパッド１６ａにおいて、ワイ
ヤボンディングの不良が生じゃすく、ＬＥＤヘッドの歩
留りが低下する問題点があった。

第６図（ｂ）は、ＬＥＤヘッド２１の断面を示しており
、導電ペースト２７は、基板端部１２ｄの部分には存在
していない。ワイヤボンディングには、通常超音波ボン
ダー（キャピラリに超音波振動を加えている）が使用さ
れるが、基板端部２ｄは配線パターン２６に固着されて
いないため、超音波振動のエネルギーの一部が基板端部
１２ｄを振動させるために浪費され、超音波振動エネル
ギーがボンディングのためのエネルギーに有効に転化さ
れず、ワイヤボンディングの不良が生じると考えられる
。

基板１２底面全体に導電ペーストを塗布しないのは、も
し全体に塗布したとすると第６図（ａ）に示すように導
電ペースト２７が、ＬＥＤアレイ１１．１１間の隙間ｇ
より盛り上がり、ＬＥＤアレイ１１の電極間に短絡が生
じるからである。

この発明は上記に鑑みなされたもので、ワイヤボンディ
ング不良の生じにくいＬＥＤアレイの提供を目的として
いる。

（ニ）°課題を解決するための手段及び作用上記課題を
解決するため、この発明のＬＥＤアレイは、基板と、こ
の基板上に形成される第１の電極と、前記基板上に列設
される拡散領域と、前記基板上に形成され、一端がボン
ディングパッド部とされ、他端が前記拡散領域に接触す
る第２の電極とを備えてなるものにおいて、前記基板端
部のボンディングパッドは、基板端面より所定距離内側
に配置することを特徴とするものである。

従って、基板端部のボンディングパッドを、導電ペース
トにより基板が固着されている部分にもってくることが
でき、ワイヤボンディングの際、超音波エネルギーを有
効にボンディングのエネルギーに転化でき、ワイヤボン
ディングの不良を防止することができる。

（ホ）実施例この発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づいて以下
に説明する。

第１図は、実施例ＬＥ’Ｄアレイ１の中央部を省略して
示す平面図、第２図、第３図は、それぞれこのＬＥＤア
レイ１をＬＥＤヘッドのセラミック基板２２にグイボン
ディングした状態での断面図である。

２は基板であり、例えばｎ−ＧａＡｓ１１２ｂ、ｎ−Ｇ
ａＡｓ１１２ｂの二層構造とされている（第２図及び第
３図参照）。基板２底面には、金（Ａｕ）−ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）−ニッケル（Ｎ　ｉ　）　合金等によりｎ側
の電極（第１の電極）３が形成される。

基板２上面には、所定のピッチＣをおいてＰ拡散領域４
が列設される。基板２上面は、これら拡散領域４、・・
・　４を除いて、窒化膜５が形成され、基板２上面が絶
縁される。

さらに窒化ＩＩ！５上には、Ｐ側の電極（第２の電極）
６、・・・、６が、アルミニウム（Ａｉ、）等により形
成される。電極６の一端は、ワイヤボンディングのため
のボンディングパッド６ａとされ、千鳥状に配されてい
る。ボンディングパッド６ａのピッチＣ１は、拡散領域
４のピッチＣよりも小さくされ（Ｃ１〈Ｃ）、基板端部
２ｄのボンディングパッド６ａと基板端面２ｃとの距離
が後述の２だけあけられる。なお、ボンディングパフド
６ａのすべてのピッチＣ１を、拡散領域４のピ・ンチＣ
より小さくしてもよいし、一部分だけのピッチＣ中をＣ
よりも小さくすることもできる。要は、基板端部２ｄに
位置するボンディングパッド６ａと、基板端面２ｃとの
距離ｌを確保すればよい。一方、前記電極６のもう一つ
の端部６ｂは、それぞれ拡散領域４のそれぞれにオーミ
ック接触している。

第２図は、実施例ＬＥＤアレイｌをセラミック基板２２
上にグイボンディングした状態での断面図である。基板
端部２ｄのボンディングパッド６ａは、基板２が導電ペ
ースト２７で強固に固着されている部分にある。すなわ
ち前記ｌは、最も端部にあるボンディングパッド６ａを
導、電ペースト２７上に位置させる距離である。したが
って、ワイヤボンディングの際、キャピラリ２８の超音
波振動エネルギーが、基板端部２ｄの振動に消費される
ことなく、有効にワイヤボンディングのエネルギーに転
化される。

第３図は、ボンディングパッド６ａとセラミック基板２
２上に配線パターン２６”とをワイヤＷでボンディング
した状態を示している。ワイヤＷには、例えば金（Ａｕ
）線が用いられる。

なお、第４図に示すように、Ｐ側電極６が交互に配置さ
れるＬＥＤアレイ１゛にも、この発明は、適用可能であ
る。この場合には、ボンディングパッド６ａのピッチＣ
“を、拡散領域４のピッチＣの２倍よりも小さく　　（
Ｃ”　＜２Ｃ）して、ボンディングパッド６ａと基板端
面２Ｃとの距離ｌをとる。

（へ）発明の詳細な説明したように、この発明のＬＥＤアレイは、基板端
部のボンディングパッドを、基板端面より所定距離内側
に配置することも特徴とするものであるから、ワイヤボ
ンディングの不良を防止でき、ＬＥＤヘッドの歩留りを
向上できる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係るＬＥＤアレイの中
央部を省略して示す平面図、第２図は、同ＬＥＤアレイ
の第１図中ＩＩ−ＩＩ線における断面図、第３図は、同
ＬＥＤアレイの第１図中■−■線における断面図、第４
図は、同ＬＥＤアレイの変形例を示す要部平面図、第５
図は、従来のＬＥＤアレイの中央部を省略して示す平面
図、第６図（ａ）及び第６図中）は、それぞれ従来のＬ
ＥＤアレイと導電ペーストとの関係を説明する図、第７
図は、ＬＥＤヘッドの一例を示す斜視図である。２：基板、　　　　　３：ｈ側電極、４：拡散領域、　　　６：Ｐ側電極、６ａ：ボンディングパッド。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板と、この基板上に形成される第１の電極と、
前記基板上に列設される拡散領域と、前記基板上に形成
され、一端がボンディングパッドとされ、他端が前記拡
散領域に接触する第２の電極とを備えてなるＬＥＤアレ
イにおいて、前記基板端部のボンディングパッドは、基板端面より所
定距離内側に配置することを特徴とするＬＥＤアレイ。