JPH0340457A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装構造Info
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- JPH0340457A JPH0340457A JP5840289A JP5840289A JPH0340457A JP H0340457 A JPH0340457 A JP H0340457A JP 5840289 A JP5840289 A JP 5840289A JP 5840289 A JP5840289 A JP 5840289A JP H0340457 A JPH0340457 A JP H0340457A
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- sealing resin
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Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
プリント基板表面に搭載した半導体チップ、及び半導体
チップ周辺のプリント基板表面を半導体チップ用の封止
樹脂で塗布した半導体装置の実装構造に関し、 プリント基板表面に半導体チップ用の封止樹脂を塗布し
てもプリント基板に反りの発生しない半導体装置の実装
構造の提供を目的とし、プリント基板表面に搭載された
半導体チップを被覆封止する封止樹脂が前記プリント基
板上に部分的に形成され、封止樹脂が形成された部分と
背向する前記プリント基板裏面の半導体チップの搭載さ
れていない部分に前記封止樹脂、若しくは前記封止樹脂
と略同等の物理的特性値の樹脂を形成して槽底する。
チップ周辺のプリント基板表面を半導体チップ用の封止
樹脂で塗布した半導体装置の実装構造に関し、 プリント基板表面に半導体チップ用の封止樹脂を塗布し
てもプリント基板に反りの発生しない半導体装置の実装
構造の提供を目的とし、プリント基板表面に搭載された
半導体チップを被覆封止する封止樹脂が前記プリント基
板上に部分的に形成され、封止樹脂が形成された部分と
背向する前記プリント基板裏面の半導体チップの搭載さ
れていない部分に前記封止樹脂、若しくは前記封止樹脂
と略同等の物理的特性値の樹脂を形成して槽底する。
（産業上の利用分野）
本発明は、プリント基板表面に搭載した半導体チップ、
及び半導体チップ周辺のプリント基板表面を半導体チッ
プ用の封止樹脂で塗布した半導体装置の実装構造に関す
る。
及び半導体チップ周辺のプリント基板表面を半導体チッ
プ用の封止樹脂で塗布した半導体装置の実装構造に関す
る。
プリント基板への半導体素子の高密度実装を実現するた
めに、プリント基板表面に半導体チップを直接搭載した
後、半導体チップを封止樹脂により塗布した半導体装置
の実装構造が急速に普及しできた。
めに、プリント基板表面に半導体チップを直接搭載した
後、半導体チップを封止樹脂により塗布した半導体装置
の実装構造が急速に普及しできた。
従来の半導体装置の実装構造を図面に基づいて説明する
。
。
第４図は上記従来の半導体装置の実装構造に係る工程順
側断面図である。
側断面図である。
同図（ａ）は半導体チップ２を搭載したプリント基板１
で、半導体チップ２はプリント基板１表面に樹脂グイボ
ンディングされた後、半導体チップ２表面のポンディン
グパッド（図示せず）とプリント基板表面のポンディン
グパッド（図示せず）間を金属細線３ （例えば、直径
が２０〜３０μｍの金（Ａｕ）′ａ）でワイヤボンディ
ングされている。
で、半導体チップ２はプリント基板１表面に樹脂グイボ
ンディングされた後、半導体チップ２表面のポンディン
グパッド（図示せず）とプリント基板表面のポンディン
グパッド（図示せず）間を金属細線３ （例えば、直径
が２０〜３０μｍの金（Ａｕ）′ａ）でワイヤボンディ
ングされている。
即ち、前記従来の半導体装置の実装構造は、先ず前記状
態でワイヤボンディングした金属細線３上に、封止樹脂
４（例えば、エポキシ樹脂粉末を一辺がｌＱｍｍ程度の
立方体状に粉末成形して形成したもの）を載置しく同図
（ｂ）参照）、上記プリント基板１を１５０℃程度の雰
囲気中に入れて封止樹脂４を加熱し溶融させて、半導体
チップ２．及び金属細線３を包み隠すようにして塗布し
て構成したものである（同図（ｃ）参照）。
態でワイヤボンディングした金属細線３上に、封止樹脂
４（例えば、エポキシ樹脂粉末を一辺がｌＱｍｍ程度の
立方体状に粉末成形して形成したもの）を載置しく同図
（ｂ）参照）、上記プリント基板１を１５０℃程度の雰
囲気中に入れて封止樹脂４を加熱し溶融させて、半導体
チップ２．及び金属細線３を包み隠すようにして塗布し
て構成したものである（同図（ｃ）参照）。
然し、従来の半導体装置の実装構造では、プリント基板
１には半導体チップを搭載した面が凹面となる反り６が
発生する。
１には半導体チップを搭載した面が凹面となる反り６が
発生する。
この反り６は、加熱されて溶融した封止樹脂４が硬化す
るさいの体積収縮によって発生するものである。
るさいの体積収縮によって発生するものである。
従って、プリント基板１を薄い箱型をしたケース（図示
せず）に収納しようとしても収納できない問題や、無理
に収納すると金属細線３が断線したり、半導体チップ２
そのものが破壊される等の問題があった。
せず）に収納しようとしても収納できない問題や、無理
に収納すると金属細線３が断線したり、半導体チップ２
そのものが破壊される等の問題があった。
本発明は上記のような問題に鑑み、プリント基板表面に
半導体チップ封止用の封止樹脂を塗布しても、プリント
基板に反りを発生させない半導体装置の実装構造を提供
することを目的とするものである。
半導体チップ封止用の封止樹脂を塗布しても、プリント
基板に反りを発生させない半導体装置の実装構造を提供
することを目的とするものである。
前記した課題は第１図の本発明の原理図に示すように、
プリント基板１表面に搭載された半導体チップ２を被覆
封止する封止樹脂が前記プリント基板ｌ上に部分的に形
成され、封止樹脂４が形成された部分と背向する前記プ
リント基板１裏面の半導体チップの搭載されていない部
分に前記封止樹脂４．若しくは前記封止樹脂４と離開等
の物理的特性値の樹脂が形成されてなることを特徴とす
る半導体装置により解決される。
プリント基板１表面に搭載された半導体チップ２を被覆
封止する封止樹脂が前記プリント基板ｌ上に部分的に形
成され、封止樹脂４が形成された部分と背向する前記プ
リント基板１裏面の半導体チップの搭載されていない部
分に前記封止樹脂４．若しくは前記封止樹脂４と離開等
の物理的特性値の樹脂が形成されてなることを特徴とす
る半導体装置により解決される。
第１図に示した本発明による半導体装置の実装構造は、
プリント基板１の表面に搭載した半導体チソブ２．及び
半導体チソブ２の周辺のプリント基板１の表面に封止樹
脂４が塗布されると共に、半導体チップ２と背向するプ
リント基＋Ｊｉ １裏面位置に封止樹脂４．若しくは封
止樹脂４と離開等の物理的特性値の樹脂が塗布されてい
る。
プリント基板１の表面に搭載した半導体チソブ２．及び
半導体チソブ２の周辺のプリント基板１の表面に封止樹
脂４が塗布されると共に、半導体チップ２と背向するプ
リント基＋Ｊｉ １裏面位置に封止樹脂４．若しくは封
止樹脂４と離開等の物理的特性値の樹脂が塗布されてい
る。
従って、プリント基板１の表面と裏面には路間−の収縮
力が加わるために、プリント基板１は反ることはなく平
坦なものとなる。
力が加わるために、プリント基板１は反ることはなく平
坦なものとなる。
以下、本発明について図面に基づいて詳細に説明する。
第２図は本発明の半導体装置の実装構造の一実施例に係
る工程順側断面図である。
る工程順側断面図である。
同図（ａ）〜（ｃ）の工程は第４図の従来例で説明した
工程と同じである。
工程と同じである。
同図（ａ）は、半導体チップ２がプリント基、板ｌ（例
えば、横５９ｍｍ、縦５０ｍｍ、厚さ０．５ ｍｍのガ
ラスエポキシ系の基板１ａを主要な構成材料として形成
されているプリント基板）に搭載された状態を示すもの
である。
えば、横５９ｍｍ、縦５０ｍｍ、厚さ０．５ ｍｍのガ
ラスエポキシ系の基板１ａを主要な構成材料として形成
されているプリント基板）に搭載された状態を示すもの
である。
半導体チップ２は、プリント基板１の半導体チップ搭載
用パターン１ｅに樹脂グイボンディングされた後、半導
体チップ２表面のボンディングバッド（図示せず）とプ
リント基板１表面の配線パター７１０間を金属線′１Ｉ
Ａ３（例えば、２０〜３０μｍの金（Ａｕ）線）でワイ
ヤボンディングされている。
用パターン１ｅに樹脂グイボンディングされた後、半導
体チップ２表面のボンディングバッド（図示せず）とプ
リント基板１表面の配線パター７１０間を金属線′１Ｉ
Ａ３（例えば、２０〜３０μｍの金（Ａｕ）線）でワイ
ヤボンディングされている。
尚、配線パターン１ｃは防湿樹脂１ｂが塗布されて防湿
処理されている。
処理されている。
即ち、本発明の半導体装置の実装構造は、先ず前記金属
ｍ線３上に、封止樹脂４（例えば、エポキシ樹脂粉末を
一辺が１０ｍｍ程度の立方体状に粉末成形して形成した
もの）を載置しく同図（ｂ）参照）、 次いで、プリント基板１を１５０℃程度の雰囲気中に入
れて、封止樹脂４を加熱し溶融させて、半導体チップ２
．及び金属細線３を包み隠すようにして塗布する。
ｍ線３上に、封止樹脂４（例えば、エポキシ樹脂粉末を
一辺が１０ｍｍ程度の立方体状に粉末成形して形成した
もの）を載置しく同図（ｂ）参照）、 次いで、プリント基板１を１５０℃程度の雰囲気中に入
れて、封止樹脂４を加熱し溶融させて、半導体チップ２
．及び金属細線３を包み隠すようにして塗布する。
然し、この工程が完了した段階のプリント基板１には、
半導体チップ２の搭載面が凹面になって反り５が発生し
ている（同図（ｃ）参照）。
半導体チップ２の搭載面が凹面になって反り５が発生し
ている（同図（ｃ）参照）。
この後、プリント基板１の表裏を反転して半導体チップ
２と背向するプリント基Ｉｔ１ｉ１裏面位置に前記封止
樹脂４を載置しく同図（ｄ）参照）。
２と背向するプリント基Ｉｔ１ｉ１裏面位置に前記封止
樹脂４を載置しく同図（ｄ）参照）。
そして、プリント基板１を１５０℃程度の雰囲気中に入
れ、封止樹脂４を加熱し溶融させてプリント基板１裏面
に封止樹脂４を塗布する。
れ、封止樹脂４を加熱し溶融させてプリント基板１裏面
に封止樹脂４を塗布する。
すると、プリント基板１に発生していた反り５は矯正さ
れてなくなり、プリント基板１は平坦となる（同図（ｅ
）参照）。
れてなくなり、プリント基板１は平坦となる（同図（ｅ
）参照）。
しかる後、プリント基板１のコネクタ端子接続部１ｄに
コネクタ６の端子６ａがはんだ付けした後、スペーサ９
に該プリント基板上を固定すると共に上蓋７と下蓋８が
プリント基板１の表面側と裏面側に被せられて本発明の
一実施例の半導体装置は完成する（同図（ｆ）参照）。
コネクタ６の端子６ａがはんだ付けした後、スペーサ９
に該プリント基板上を固定すると共に上蓋７と下蓋８が
プリント基板１の表面側と裏面側に被せられて本発明の
一実施例の半導体装置は完成する（同図（ｆ）参照）。
第３図は上記で詳細よ説明した本発明の一実施例の上蓋
を外した状態の斜視図である。
を外した状態の斜視図である。
尚、端子挿入孔６ｂは該半導体装置を外部装置に接続す
るためのものである。
るためのものである。
以上の説明から明らかなように本発明の半導体装置の実
装構造によれば、プリント基板表面に搭載した半導体チ
ップ、及びその周辺のプリント基板表面に封止樹脂を塗
布しても、プリント基板には反りが発生することはない
。
装構造によれば、プリント基板表面に搭載した半導体チ
ップ、及びその周辺のプリント基板表面に封止樹脂を塗
布しても、プリント基板には反りが発生することはない
。
従って、プリント基板が薄い箱型をしたケースに収納で
きなくなる問題や、金属細線を断線したり半導体チップ
そのものを破壊するような問題がなくなる。
きなくなる問題や、金属細線を断線したり半導体チップ
そのものを破壊するような問題がなくなる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の一実施例の半導体装置の実装構造に係
る工程順側断面図、 第３図は本発明の一実施例の上蓋を外した状態の斜視図
、 第４図は従来の半導体装置の実装構造に係る工程順側断
面図である。 図において、 ｌはプリント基板、 ２は半導体チップ、 ３は金属ｔＬｊ！Ａ線、 は封止樹脂、 は反り、 はコネクタ、 は上蓋、 は下蓋、 はスペーサをそれぞれ示す。 半イ芒ｅ月１７１厘理Ｔｋ日ガ図 第１図 、木、葵明り一隻ｆｆ！、４列り上１ε外した秋泡りり
斗主見用算３朋
る工程順側断面図、 第３図は本発明の一実施例の上蓋を外した状態の斜視図
、 第４図は従来の半導体装置の実装構造に係る工程順側断
面図である。 図において、 ｌはプリント基板、 ２は半導体チップ、 ３は金属ｔＬｊ！Ａ線、 は封止樹脂、 は反り、 はコネクタ、 は上蓋、 は下蓋、 はスペーサをそれぞれ示す。 半イ芒ｅ月１７１厘理Ｔｋ日ガ図 第１図 、木、葵明り一隻ｆｆ！、４列り上１ε外した秋泡りり
斗主見用算３朋
Claims (1)
- プリント基板（１）表面に搭載された半導体チップ（
２）を被覆封止する封止樹脂が前記プリント基板（１）
上に部分的に形成され、封止樹脂（４）が形成された部
分と背向する前記プリント基板（１）裏面の半導体チッ
プの搭載されていない部分に前記封止樹脂（４），若し
くは前記封止樹脂（４）と略同等の物理的特性値の樹脂
が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5840289A JPH0340457A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5840289A JPH0340457A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340457A true JPH0340457A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=13083366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5840289A Pending JPH0340457A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340457A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664346U (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-09 | 春日電機株式会社 | 電磁接触器の可動ア−クランナ−固定構造 |
| US7816783B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Resin wiring substrate, and semiconductor device and laminated semiconductor device using the same |
| JP2017011030A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6416327B1 (ja) * | 2017-06-06 | 2018-10-31 | 太陽インキ製造株式会社 | インクジェット用硬化性組成物セット、硬化物、その製造方法、プリント配線板およびファンアウト型のウェハレベルパッケージ |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP5840289A patent/JPH0340457A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664346U (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-09 | 春日電機株式会社 | 電磁接触器の可動ア−クランナ−固定構造 |
| US7816783B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Resin wiring substrate, and semiconductor device and laminated semiconductor device using the same |
| JP2017011030A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6416327B1 (ja) * | 2017-06-06 | 2018-10-31 | 太陽インキ製造株式会社 | インクジェット用硬化性組成物セット、硬化物、その製造方法、プリント配線板およびファンアウト型のウェハレベルパッケージ |
| JP2018203912A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 太陽インキ製造株式会社 | インクジェット用硬化性組成物セット、硬化物、その製造方法、プリント配線板およびファンアウト型のウェハレベルパッケージ |
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