JPH0338802Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0338802Y2 JPH0338802Y2 JP1984186470U JP18647084U JPH0338802Y2 JP H0338802 Y2 JPH0338802 Y2 JP H0338802Y2 JP 1984186470 U JP1984186470 U JP 1984186470U JP 18647084 U JP18647084 U JP 18647084U JP H0338802 Y2 JPH0338802 Y2 JP H0338802Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- insulating substrate
- hole
- varistor element
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Motor Or Generator Current Collectors (AREA)
- Dc Machiner (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、主として、小型直流モータのノイズ
消去用として好適なバリスタに関する。
消去用として好適なバリスタに関する。
従来の技術
従来のこの種のバリスタの一般的な構造は、第
9図及び第10図に示すように、中心部に貫通孔
101を設けた円環状の焼結体で成るバリスタ素
体1の片面に、3個の電極パターン2〜4をギヤ
ツプg1を隔てて3等配して設けた構造となつて
いる。
9図及び第10図に示すように、中心部に貫通孔
101を設けた円環状の焼結体で成るバリスタ素
体1の片面に、3個の電極パターン2〜4をギヤ
ツプg1を隔てて3等配して設けた構造となつて
いる。
第11図はマイクロモータへのバリスタBの装
着構造を示す図で、マイクロモータの電機子コイ
ル5と整流子6との間に、貫通孔101に回転軸
7を貫着させて、バリスタBを固定する。そし
て、電極パターン2〜4上に半田付け固定したリ
ード線8〜10を整流子6に導通接続させる。1
1及び12は界磁、13及び14は刷子である。
着構造を示す図で、マイクロモータの電機子コイ
ル5と整流子6との間に、貫通孔101に回転軸
7を貫着させて、バリスタBを固定する。そし
て、電極パターン2〜4上に半田付け固定したリ
ード線8〜10を整流子6に導通接続させる。1
1及び12は界磁、13及び14は刷子である。
考案が解決しようとする問題点
上述のように、従来のバリスタは、バリスタ素
体1の上に電極パターン2〜4を形成した構造と
なつているため、当該バリスタをマイクロモータ
の整流子6等に導通接続する場合等には、バリス
タ素体1上の電極パターン2〜4にリード線8〜
10を直接半田付けする必要がある。このため、
リード線8〜9を電極パターン2〜4に半田付け
する際に半田ゴテ先端及び半田溶融の高熱がバリ
スタ素体1に加わり、バリスタ素体1にサーマル
クラツクが入つてしまうという問題点があつた。
体1の上に電極パターン2〜4を形成した構造と
なつているため、当該バリスタをマイクロモータ
の整流子6等に導通接続する場合等には、バリス
タ素体1上の電極パターン2〜4にリード線8〜
10を直接半田付けする必要がある。このため、
リード線8〜9を電極パターン2〜4に半田付け
する際に半田ゴテ先端及び半田溶融の高熱がバリ
スタ素体1に加わり、バリスタ素体1にサーマル
クラツクが入つてしまうという問題点があつた。
また、バリスタ素体1を回転軸7に取付ける構
造であるため、バリスタ素体1が破損し易い等の
問題点もあつた。
造であるため、バリスタ素体1が破損し易い等の
問題点もあつた。
問題点を解決するための手段
本考案は、上述する従来の問題点を解決するた
め、少なくとも一面上に導電パターンを設けた耐
熱性絶縁基板と、少なくとも一面上に電極パター
ンを形成したバリスタ素子とを、重ね合せて接着
固定したバリスタであつて、 前記絶縁基板及び前記バリスタ素子は、中心部
に貫通孔を有していて、前記貫通孔が互いに重な
るように重ね合されており、 前記導電パターン及び前記電極パターンは、複
数であつて、前記貫通孔の周りに分割して形成さ
れており、 複数の前記導電パターン及び前記電極パターン
のそれぞれは、前記絶縁基板及び前記バリスタ素
子の間で個別に対向し、前記導電パターンの一部
が露出するように、重ね合せて接着固定されてお
り、 露出した前記導電パターンの一部をリード導体
接続部としたこと を特徴とする。
め、少なくとも一面上に導電パターンを設けた耐
熱性絶縁基板と、少なくとも一面上に電極パター
ンを形成したバリスタ素子とを、重ね合せて接着
固定したバリスタであつて、 前記絶縁基板及び前記バリスタ素子は、中心部
に貫通孔を有していて、前記貫通孔が互いに重な
るように重ね合されており、 前記導電パターン及び前記電極パターンは、複
数であつて、前記貫通孔の周りに分割して形成さ
れており、 複数の前記導電パターン及び前記電極パターン
のそれぞれは、前記絶縁基板及び前記バリスタ素
子の間で個別に対向し、前記導電パターンの一部
が露出するように、重ね合せて接着固定されてお
り、 露出した前記導電パターンの一部をリード導体
接続部としたこと を特徴とする。
上述の構成であると、貫通孔にマイクロモータ
の回転軸を装着し、バリスタ素子の各電極パター
ンを整流子に導通接続させるに当つて、リード線
を耐熱性絶縁基板上の導体パターンの露出部分に
半田付けするだけでよい。このため、半田ゴテ先
及び溶融半田の高熱がバリスタ素子に直接加わる
のを避けることができる。従つて、半田熱によつ
てバリスタ素子にサーマルクラツクが入るのを防
止することができる。耐熱性絶縁基板は、その本
来的な性質により、半田熱によつてサーマルクラ
ツクを生じるおそれはない。
の回転軸を装着し、バリスタ素子の各電極パター
ンを整流子に導通接続させるに当つて、リード線
を耐熱性絶縁基板上の導体パターンの露出部分に
半田付けするだけでよい。このため、半田ゴテ先
及び溶融半田の高熱がバリスタ素子に直接加わる
のを避けることができる。従つて、半田熱によつ
てバリスタ素子にサーマルクラツクが入るのを防
止することができる。耐熱性絶縁基板は、その本
来的な性質により、半田熱によつてサーマルクラ
ツクを生じるおそれはない。
実施例
第1図は本考案に係るバリスタの平面図、第2
図は第1図A1−A1線上における断面図であ
る。図において、15はアルミナ、ガラスエポキ
シ、紙エポキシまたはビニルエポキシ等の耐熱性
の高い機械的強度の大きな絶縁材料によつて形成
された耐熱絶縁基板である。この絶縁基板15
は、第3図にも示すように、中心部に内径d1の
貫通孔151を設けた外径D1の円環状の形状と
なつていて、少なくとも一面側の貫通孔151の
まわりに、3個の導電パターン152,153及
び154をギヤツプg2を隔てて3等配して設け
た構造となつている。
図は第1図A1−A1線上における断面図であ
る。図において、15はアルミナ、ガラスエポキ
シ、紙エポキシまたはビニルエポキシ等の耐熱性
の高い機械的強度の大きな絶縁材料によつて形成
された耐熱絶縁基板である。この絶縁基板15
は、第3図にも示すように、中心部に内径d1の
貫通孔151を設けた外径D1の円環状の形状と
なつていて、少なくとも一面側の貫通孔151の
まわりに、3個の導電パターン152,153及
び154をギヤツプg2を隔てて3等配して設け
た構造となつている。
16はバリスタ素子である。このバリスタ素子
16は、第4図にも示すように、中心部に内径d
2の貫通孔161を設けた外径D2の円環状の形
状となつていて、少なくとも一面側の貫通孔16
1のまわりに、3個の電極パターン162,16
3及び164をギヤツプg3を隔てて3等配して
設けた構造となつている。この実施例では、バリ
スタ素子16は外径D2が絶縁基板15の外径D
1と略等しく、貫通孔161の内径d2は絶縁基
板15の貫通孔151の内径d1より大きくなる
ように形成されている。
16は、第4図にも示すように、中心部に内径d
2の貫通孔161を設けた外径D2の円環状の形
状となつていて、少なくとも一面側の貫通孔16
1のまわりに、3個の電極パターン162,16
3及び164をギヤツプg3を隔てて3等配して
設けた構造となつている。この実施例では、バリ
スタ素子16は外径D2が絶縁基板15の外径D
1と略等しく、貫通孔161の内径d2は絶縁基
板15の貫通孔151の内径d1より大きくなる
ように形成されている。
これらの絶縁基板15及びバリスタ素子16
は、貫通孔151,161を一致させた状態で、
導電パターン152〜154を形成した一面側
と、電極パターン162〜164を形成した一面
側とを互いに対向させ、かつ、半田またはその他
の導電成接着材によつて接着固定してある。この
場合、導電パターン152と電極パターン16
2、導電パターン153と電極パターン163及
び導電パターン154と電極パターン164が互
いに対向する関係で接着固定する。
は、貫通孔151,161を一致させた状態で、
導電パターン152〜154を形成した一面側
と、電極パターン162〜164を形成した一面
側とを互いに対向させ、かつ、半田またはその他
の導電成接着材によつて接着固定してある。この
場合、導電パターン152と電極パターン16
2、導電パターン153と電極パターン163及
び導電パターン154と電極パターン164が互
いに対向する関係で接着固定する。
ここで、この実施例では、バリスタ素子16の
貫通孔161の内径d2を、絶縁基板15の貫通
孔151の内径d1より大きくなるように形成し
てあるから、絶縁基板15とバリスタ素子16と
を、外径を合わせて接着固定した場合、バリスタ
素子15の貫通孔161の内側に、貫通孔151
と貫通孔161との孔径差d2−d1に基づくス
ペースが発生し、このスペース内に絶縁基板15
側の導電パターン152〜154が部分的に露出
する。この導電パターン152〜154は、バリ
スタ素子16の電極パターン162〜164に各
別に導通接続されている。従って、貫通孔161
の内側に露出する導電パターン152〜164の
それぞれにリード線17〜19を接続した場合、
リード線17〜19は、導電パターン152〜1
54を通して、バリスタ素子16の各電極パター
ン162〜164に各別に導通する。
貫通孔161の内径d2を、絶縁基板15の貫通
孔151の内径d1より大きくなるように形成し
てあるから、絶縁基板15とバリスタ素子16と
を、外径を合わせて接着固定した場合、バリスタ
素子15の貫通孔161の内側に、貫通孔151
と貫通孔161との孔径差d2−d1に基づくス
ペースが発生し、このスペース内に絶縁基板15
側の導電パターン152〜154が部分的に露出
する。この導電パターン152〜154は、バリ
スタ素子16の電極パターン162〜164に各
別に導通接続されている。従って、貫通孔161
の内側に露出する導電パターン152〜164の
それぞれにリード線17〜19を接続した場合、
リード線17〜19は、導電パターン152〜1
54を通して、バリスタ素子16の各電極パター
ン162〜164に各別に導通する。
上述のように、本考案においては、一面上に導
電パターン152〜154を設けた耐熱性絶縁基
板15と、一面側に電極パターン162〜164
を形成したバリスタ素子16とを、導電パターン
152〜154及び電極パターン162〜164
が個別的に対向し、かつ、絶縁基板15の導電パ
ターン152〜154の一部が露出する関係で、
重ね合せ接着固定する構造となつているから、貫
通孔151,161にマイクロモータの回転軸を
裝着し、バリスタ素子16の各電極パターン16
2〜164を整流子に導通接続させるに当つて、
リード線17〜19を耐熱性絶縁基板15上の導
体層152〜154に半田付けするだけでよい。
このため、半田ゴテ先及び溶融半田の高熱がバリ
スタ素子16に直接加わるのを避けることができ
る。従って、半田熱によつてバリスタ素子16に
サーマルクラツクが入るのを防止することができ
る。また、耐熱性絶縁基板15は、その本来的な
性質により、半田熱によつてサーマルクラツクを
生じる恐れはない。
電パターン152〜154を設けた耐熱性絶縁基
板15と、一面側に電極パターン162〜164
を形成したバリスタ素子16とを、導電パターン
152〜154及び電極パターン162〜164
が個別的に対向し、かつ、絶縁基板15の導電パ
ターン152〜154の一部が露出する関係で、
重ね合せ接着固定する構造となつているから、貫
通孔151,161にマイクロモータの回転軸を
裝着し、バリスタ素子16の各電極パターン16
2〜164を整流子に導通接続させるに当つて、
リード線17〜19を耐熱性絶縁基板15上の導
体層152〜154に半田付けするだけでよい。
このため、半田ゴテ先及び溶融半田の高熱がバリ
スタ素子16に直接加わるのを避けることができ
る。従って、半田熱によつてバリスタ素子16に
サーマルクラツクが入るのを防止することができ
る。また、耐熱性絶縁基板15は、その本来的な
性質により、半田熱によつてサーマルクラツクを
生じる恐れはない。
しかも絶縁基板15は、バリスタ素体より機械
的強度が大きくできるので、マイクロモータへの
取付時の破損等を防止できる。
的強度が大きくできるので、マイクロモータへの
取付時の破損等を防止できる。
バリスタ素子16としては、バリスタ素体自体
がバリスタ特性を有する酸化チタン(TiO2)系、
チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)系及び酸化
亜鉛(ZnO)系のものが適当である。バリスタの
他の例としては、焼結体の粒子間の接触面でバリ
スタ特性を得るシリコンカーバイト(SiC)系の
もの、焼結体自身は直線性抵抗体であるがこれに
付与される電極パターンとの接触状態によつてバ
リスタ特性を得る酸化錫(SnO2)系、酸化鉄
(Fe2O3)系のもの等も知られているが、これら
は、電極パターンや焼結体成形等の製造上の困難
性を伴い、価格が高くなることや、非直線性の経
時的劣化を招き易いこと、バリスタ電圧が高過
ぎ、小型直流モータのノイズ消去用等に不向きで
あること等の難点がある。これに対して、酸化チ
タン(TiO2)系、チタン酸ストロンチウム
(SrTiO3)系及び酸化亜鉛(ZnO)系のものには
このような欠点がない。
がバリスタ特性を有する酸化チタン(TiO2)系、
チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)系及び酸化
亜鉛(ZnO)系のものが適当である。バリスタの
他の例としては、焼結体の粒子間の接触面でバリ
スタ特性を得るシリコンカーバイト(SiC)系の
もの、焼結体自身は直線性抵抗体であるがこれに
付与される電極パターンとの接触状態によつてバ
リスタ特性を得る酸化錫(SnO2)系、酸化鉄
(Fe2O3)系のもの等も知られているが、これら
は、電極パターンや焼結体成形等の製造上の困難
性を伴い、価格が高くなることや、非直線性の経
時的劣化を招き易いこと、バリスタ電圧が高過
ぎ、小型直流モータのノイズ消去用等に不向きで
あること等の難点がある。これに対して、酸化チ
タン(TiO2)系、チタン酸ストロンチウム
(SrTiO3)系及び酸化亜鉛(ZnO)系のものには
このような欠点がない。
バリスタ素子16を、素体自体がバリスタ特性
を有するものによつて構成した場合、バリスタ素
体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させるに
は、電極パターン162〜164はバリスタ素体
に対してオーム性接触となるように形成する。
を有するものによつて構成した場合、バリスタ素
体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させるに
は、電極パターン162〜164はバリスタ素体
に対してオーム性接触となるように形成する。
第5図は本考案に係るバリスタの別の実施例に
おける平面図、第6図は第5図A2−A2線上に
おける断面図である。図において、第1図〜第4
図と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示し
ている。この実施例では、絶縁基板15及びバリ
スタ素子16は、第7図及び第8図にも示すよう
に、バリスタ素子16の外径D2が絶縁基板15
の外径D1より小さく、貫通孔161の内径d2
と絶縁基板15の貫通孔151の内径d1が略等
しくなるように形成されている。従って、絶縁基
板15とバリスタ素子16とを、貫通孔151,
162を合わせて接着固定した場合、バリスタ素
子15の外周側に外径差(D2−D1)に基づく
スペースが発生し、このスペース内に絶縁基板1
5側の導電パターン152〜154が部分的に露
出する。この導電パターン152〜154は、バ
リスタ素子16の電極パターン162〜164に
各別に導通接続されているから、バリスタ素子1
6の外周側に露出する導電パターン152〜16
4のそれぞれにリード線17〜19を接続した場
合、リード線17〜19を、導電パターン152
〜154を通して、バリスタ素子16の各電極パ
ターン162〜164に各別に導通させることが
できる。従って、第1図及び第2図の実施例と同
様に、リード線半田付け時にバリスタ素子16に
サーマルクラツクが発生するのを防止できる。
おける平面図、第6図は第5図A2−A2線上に
おける断面図である。図において、第1図〜第4
図と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示し
ている。この実施例では、絶縁基板15及びバリ
スタ素子16は、第7図及び第8図にも示すよう
に、バリスタ素子16の外径D2が絶縁基板15
の外径D1より小さく、貫通孔161の内径d2
と絶縁基板15の貫通孔151の内径d1が略等
しくなるように形成されている。従って、絶縁基
板15とバリスタ素子16とを、貫通孔151,
162を合わせて接着固定した場合、バリスタ素
子15の外周側に外径差(D2−D1)に基づく
スペースが発生し、このスペース内に絶縁基板1
5側の導電パターン152〜154が部分的に露
出する。この導電パターン152〜154は、バ
リスタ素子16の電極パターン162〜164に
各別に導通接続されているから、バリスタ素子1
6の外周側に露出する導電パターン152〜16
4のそれぞれにリード線17〜19を接続した場
合、リード線17〜19を、導電パターン152
〜154を通して、バリスタ素子16の各電極パ
ターン162〜164に各別に導通させることが
できる。従って、第1図及び第2図の実施例と同
様に、リード線半田付け時にバリスタ素子16に
サーマルクラツクが発生するのを防止できる。
考案の効果
以上述べたように、本考案に係るバリスタは、
少なくとも一面上に導電パターンを設けた耐熱性
絶縁基板と、少なくとも一面上に電極パターンを
形成したバリスタ素子とを、重ね合せて接着固定
したバリスタであつて、絶縁基板及びバリスタ素
子は、中心部に貫通孔を有していて、貫通孔が互
いに重なるように重ね合されており、導電パター
ン及び電極パターンは、複数であつて、貫通孔の
周りに分割して形成されており、複数の導電パタ
ーン及び電極パターンのそれぞれは、絶縁基板及
びバリスタ素子の間で個別に対向し、導電パター
ンの一部が露出するように、重ね合せて接着固定
されており、露出した導電パターンの一部をリー
ド導体接続部としたから、マイクロモータに装着
するに当つて、従来と同様に、マイクロモータ回
転軸を貫通孔に挿着するだけでよく、マイクロモ
ータ回転軸へ挿着した場合の破損等を防止でき、
しかも、マイクロモータの整流子等に接続するた
めのリード線を半田付けした場合でも、その時の
熱によつてバリスタにサーマルクラツクが入るこ
とのないバリスタを提供することができる。
少なくとも一面上に導電パターンを設けた耐熱性
絶縁基板と、少なくとも一面上に電極パターンを
形成したバリスタ素子とを、重ね合せて接着固定
したバリスタであつて、絶縁基板及びバリスタ素
子は、中心部に貫通孔を有していて、貫通孔が互
いに重なるように重ね合されており、導電パター
ン及び電極パターンは、複数であつて、貫通孔の
周りに分割して形成されており、複数の導電パタ
ーン及び電極パターンのそれぞれは、絶縁基板及
びバリスタ素子の間で個別に対向し、導電パター
ンの一部が露出するように、重ね合せて接着固定
されており、露出した導電パターンの一部をリー
ド導体接続部としたから、マイクロモータに装着
するに当つて、従来と同様に、マイクロモータ回
転軸を貫通孔に挿着するだけでよく、マイクロモ
ータ回転軸へ挿着した場合の破損等を防止でき、
しかも、マイクロモータの整流子等に接続するた
めのリード線を半田付けした場合でも、その時の
熱によつてバリスタにサーマルクラツクが入るこ
とのないバリスタを提供することができる。
第1図は本考案に係るバリスタの平面図、第2
図は第1図A1−A1線上における断面図、第3
は耐熱絶縁基板の平面図、第4図はバリスタ素子
の底面図、第5図は本考案に係るバリスタの別の
実施例における平面図、第6図は第5図A2−A
2線上における断面、第7図は第5図及び第6に
示したバリスタにおける耐熱絶縁基板の平面図、
第8図は同じくバリスタ素子の底面図、第9図は
従来のバリスタの平面図、第10図は第9図のB
1−B1線上における断面図、第11図はマイク
ロモータへのバリスタの装着構造を示す図であ
る。 15……耐熱性絶縁基板、16……バリスタ素
子、151,161……貫通孔、152〜154
……導電パターン、162〜164……電極パタ
ーン。
図は第1図A1−A1線上における断面図、第3
は耐熱絶縁基板の平面図、第4図はバリスタ素子
の底面図、第5図は本考案に係るバリスタの別の
実施例における平面図、第6図は第5図A2−A
2線上における断面、第7図は第5図及び第6に
示したバリスタにおける耐熱絶縁基板の平面図、
第8図は同じくバリスタ素子の底面図、第9図は
従来のバリスタの平面図、第10図は第9図のB
1−B1線上における断面図、第11図はマイク
ロモータへのバリスタの装着構造を示す図であ
る。 15……耐熱性絶縁基板、16……バリスタ素
子、151,161……貫通孔、152〜154
……導電パターン、162〜164……電極パタ
ーン。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 少なくとも一面上に導電パターンを設けた耐
熱性絶縁基板と、少なくとも一面上に電極パタ
ーンを形成したバリスタ素子とを、重ね合せて
接着固定したバリスタであつて、 前記絶縁基板及び前記バリスタ素子は、中心
部に貫通孔を有していて、前記貫通孔が互いに
重なるように重ね合されており、 前記導電パターン及び前記電極パターンは、
複数であつて、前記貫通孔の周りに分割して形
成されており、 複数の前記導電パターン及び前記電極パター
ンのそれぞれは、前記絶縁基板及び前記バリス
タ素子の間で個別に対向し、前記導電パターン
の一部が露出するように、重ね合せて接着固定
されており、 露出した前記導電パターンの一部をリード導
体接続部としたこと を特徴とするバリスタ。 (2) 前記絶縁基板はアルミナ、ガラスエポキシ、
紙エポキシまたはビニルエポキシの少なくとも
一種によつて構成されることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第1項に記載のバリスタ。 (3) 前記バリスタ素子は、バリスタ素体自体がバ
リスタ特性を有するもので成ることを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第1項または第2項
に記載のバリスタ。 (4) 前記バリスタ素体は、酸化チタン系焼結体、
チタン酸ストロンチウム系焼結体または酸化亜
鉛系焼結体の何れかで成ることを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第3項に記載のバリス
タ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984186470U JPH0338802Y2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984186470U JPH0338802Y2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61100103U JPS61100103U (ja) | 1986-06-26 |
JPH0338802Y2 true JPH0338802Y2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=30743934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984186470U Expired JPH0338802Y2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0338802Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4867511B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2012-02-01 | Tdk株式会社 | バリスタ及び発光装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5742163Y2 (ja) * | 1978-04-25 | 1982-09-17 |
-
1984
- 1984-12-08 JP JP1984186470U patent/JPH0338802Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61100103U (ja) | 1986-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5816602B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 | |
US4660017A (en) | Chip-type varistor | |
JPH0338802Y2 (ja) | ||
JPH0338803Y2 (ja) | ||
JPS6331354Y2 (ja) | ||
JP2017135163A (ja) | 電子部品 | |
JPS6331355Y2 (ja) | ||
JPH09306744A (ja) | チップ状インダクタ | |
JPS6130440Y2 (ja) | ||
JP2002203721A (ja) | コイル部品、その製造方法およびそのコイル部品を用いた電子機器 | |
JPS5855589Y2 (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 | |
JPS5919364Y2 (ja) | バリスタ | |
JP2588445Y2 (ja) | 円板状積層コンデンサ | |
JPH0110881Y2 (ja) | ||
JPH0717252Y2 (ja) | バリスタを備えた小型直流三極モ−タ用整流子 | |
US6975058B2 (en) | Commutator arrangement for a small electric motor | |
JPS6010701A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
JP3586523B2 (ja) | 避雷素子ユニット | |
JPH06260302A (ja) | チップ型ptcサーミスタ | |
JPH0113364Y2 (ja) | ||
JPS6334259Y2 (ja) | ||
JP2548458B2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
JPH0113361Y2 (ja) | ||
JPH054795B2 (ja) | ||
JPS5819835Y2 (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 |