JPH0337658A - 感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、特に電子写真感光体に関するものであ
る。
る。
口、従来技術
電子写真感光体用の感光材料としては従来、セレン、酸
化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウムなどの無機系光導
電性物質が主に用いられており、その中で最近は、アモ
ルファスシリコン等の研究・開発も盛んに行われている
。
化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウムなどの無機系光導
電性物質が主に用いられており、その中で最近は、アモ
ルファスシリコン等の研究・開発も盛んに行われている
。
他方、有機光導電性物質(opc)を使用する感光材料
は、無機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、か
つ可撓性や軽量性、製膜性、コスト等において有利であ
ることから、最近注目されてきている。
は、無機系光導電性物質に比べて一般に毒性が弱く、か
つ可撓性や軽量性、製膜性、コスト等において有利であ
ることから、最近注目されてきている。
いずれの電子写真感光体に於いても、電荷の発生と輸送
という両機能を分離して各層にもたしめた機能分離型感
光体は、この各々の機能を独立して設定することが可能
で、感光体設計上、選択の幅が広がり、有利である。
という両機能を分離して各層にもたしめた機能分離型感
光体は、この各々の機能を独立して設定することが可能
で、感光体設計上、選択の幅が広がり、有利である。
また、機能分離型感光体では、電子写真緒特性を向上さ
せることができ、感度、繰り返し特性、機械強度等の点
で優れる。
せることができ、感度、繰り返し特性、機械強度等の点
で優れる。
かかる電子写真感光体は、一般に電子写真複写機、プリ
ンター等に広く用いられている。例えば、コンピュータ
の端末に半導体レーザーを光源とするプリンターが用い
られている。こうしたプリンターに組み込む電子写真感
光体は近赤外領域に高感度をもたなくてはならない。
ンター等に広く用いられている。例えば、コンピュータ
の端末に半導体レーザーを光源とするプリンターが用い
られている。こうしたプリンターに組み込む電子写真感
光体は近赤外領域に高感度をもたなくてはならない。
また、半導体レーザー使用のプリンターに、白色光を光
源として複写機能をもたせた装置の開発も進められてい
る。
源として複写機能をもたせた装置の開発も進められてい
る。
この場合、感光体では、まず、プリンター機能に適応す
るために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適
応するために可視光領域の光に高感度でなければならな
い。即ち、上記の如きプリンター機能と白色光を光源と
した複写機能との両機能を備えた装置に適用できる電子
写真感光体の開発が要請されている。
るために近赤外領域に高感度を有し、かつ複写機能に適
応するために可視光領域の光に高感度でなければならな
い。即ち、上記の如きプリンター機能と白色光を光源と
した複写機能との両機能を備えた装置に適用できる電子
写真感光体の開発が要請されている。
例えば、特開昭47−37543号、同55−2283
4号、同54−79632号、同56−116040号
公報等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有
する感光体としては、短波長及び中波長域で比較的良好
な感度を示すが、長波長域での感度が低く、半導体光源
を用いるレーザープリンターには用いることができなか
った。
4号、同54−79632号、同56−116040号
公報等によりすでに知られているビスアゾ化合物を含有
する感光体としては、短波長及び中波長域で比較的良好
な感度を示すが、長波長域での感度が低く、半導体光源
を用いるレーザープリンターには用いることができなか
った。
現在広く使用されているガリウムーアルミニウムーヒ素
(Ga−Al−As)系発光素子は発振波長が750n
m以上であり、このような長波長域に感度を有する有機
系感光体としては、例えば、特公昭49−4338号、
特開昭58−182639号、60=19151号公報
に記載されているX、τ、τ′、η、η′型型金金属フ
タロシアニン化合物挙げられる。
(Ga−Al−As)系発光素子は発振波長が750n
m以上であり、このような長波長域に感度を有する有機
系感光体としては、例えば、特公昭49−4338号、
特開昭58−182639号、60=19151号公報
に記載されているX、τ、τ′、η、η′型型金金属フ
タロシアニン化合物挙げられる。
しかし、このような長波長域に高感度を有する電子写真
感光体は、中波長域から短波長域での光感度が充分では
なく、白色光源等を光源とする複写機能には対応できな
かった。
感光体は、中波長域から短波長域での光感度が充分では
なく、白色光源等を光源とする複写機能には対応できな
かった。
前述のように、可視光用電子写真感光体及び半導体レー
ザー光用電子写真感光体は、それぞれ単独では比較的良
好な性能が得られているが、短波長域から長波長域まで
幅広く感度を有する感光体は現在得られていない。
ザー光用電子写真感光体は、それぞれ単独では比較的良
好な性能が得られているが、短波長域から長波長域まで
幅広く感度を有する感光体は現在得られていない。
更に、最近、電子写真複写機、プリンターの高速化に伴
い、複写プロセスに要する時間が著しく短縮されると共
に、複写回数も増大し、感光体の高感度化、高耐久化が
要求されてきている。
い、複写プロセスに要する時間が著しく短縮されると共
に、複写回数も増大し、感光体の高感度化、高耐久化が
要求されてきている。
ハ1発明の目的
本発明の目的は、可視光から近赤外領域に亘って高感度
の分光感度特性を有し、プリンター機能と白色光を光源
とする複写機能との両機能を備えた装置に適用でき、か
つ繰り返し特性に優れている複写プロセスの高速化に対
応できるような感光体を提供することである。
の分光感度特性を有し、プリンター機能と白色光を光源
とする複写機能との両機能を備えた装置に適用でき、か
つ繰り返し特性に優れている複写プロセスの高速化に対
応できるような感光体を提供することである。
二0発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、フタロシアニン系化合物を含有する第
1のキャリア発生層と;下記構造式〔I〕で表される化
合物と下記構造式[■]で表される化合物と下記構造式
〔I〕で表される化合物と下記構造式〔IV〕で表され
る化合物とからなる群より選ばれた少なくとも1種(1
種のみならず、複数種併用も可能) の化合物を含有する第2のキャ リア発生層とを具備する感光体に係るものである。
1のキャリア発生層と;下記構造式〔I〕で表される化
合物と下記構造式[■]で表される化合物と下記構造式
〔I〕で表される化合物と下記構造式〔IV〕で表され
る化合物とからなる群より選ばれた少なくとも1種(1
種のみならず、複数種併用も可能) の化合物を含有する第2のキャ リア発生層とを具備する感光体に係るものである。
構造式〔I] :
(以下余白)
構造式(It)
構造式〔■] :
構造式(■):
本発明によれば、フタロシアニン系化合物を第1のキャ
リア発生層に含有させ、かつ構造式(1)〜〔■〕で表
される化合物を第2のキャリア発生層に含有させている
ことが顕著な特徴である。
リア発生層に含有させ、かつ構造式(1)〜〔■〕で表
される化合物を第2のキャリア発生層に含有させている
ことが顕著な特徴である。
即ち、フタロシアニン系化合物は、例えば第1図に示す
ような分光感度スペクトルを有しており(τ型無金属フ
タロシアニン)、その感光波長域は主として長波域に亘
り、780nm付近に吸収ピークを有している。従って
、第1のキャリア発生層は半導体レーザー等の長波長光
に高感度を有するものとなっている。
ような分光感度スペクトルを有しており(τ型無金属フ
タロシアニン)、その感光波長域は主として長波域に亘
り、780nm付近に吸収ピークを有している。従って
、第1のキャリア発生層は半導体レーザー等の長波長光
に高感度を有するものとなっている。
しかし、フタロシアニン系化合物は長波長域に良好な光
感度を有するものではあるが、前述したように、これの
みでは白色光源等を光源とする複写機には対応できなか
った。
感度を有するものではあるが、前述したように、これの
みでは白色光源等を光源とする複写機には対応できなか
った。
この対策として、他のキャリア発生物質を併用して中波
長、短波長側を増感することが考えられるが、問題は組
み合わせるべきキャリア発生物質の選択であって、この
選択によっては、かえってフタロシアニン系化合物の長
波長側の本来の光感度が損なわれるおそれもある。また
、かかる選択については必ずしも一律的な選択手段があ
るというものでもなく、数多くの化合物の中から実験の
積み重ねによって決定しているのが実情といえる。
長、短波長側を増感することが考えられるが、問題は組
み合わせるべきキャリア発生物質の選択であって、この
選択によっては、かえってフタロシアニン系化合物の長
波長側の本来の光感度が損なわれるおそれもある。また
、かかる選択については必ずしも一律的な選択手段があ
るというものでもなく、数多くの化合物の中から実験の
積み重ねによって決定しているのが実情といえる。
ここにおいて、本発明者は、フタロシアニン系化合物を
含有する第1のキャリア発生層とは別に、構造式(1)
〜〔IV〕で表される化合物を含有する第2のキャリア
発生層を設けることにより、十分に満足できる結果が得
られることを見出した。
含有する第1のキャリア発生層とは別に、構造式(1)
〜〔IV〕で表される化合物を含有する第2のキャリア
発生層を設けることにより、十分に満足できる結果が得
られることを見出した。
即ち、構造式(1)〜〔IV〕で表される化合物は、4
00〜700ns+の波長域に分光感度を有し、例えば
第1図に示すような分光感度スペクトルを示す構造式(
1)のペリレン化合物であるが、これを第2のキャリア
発生層に用い、フタロシアニン系化合物(τ型無金属フ
タロシアニン)を第1のキャリア発生層に用いて、再化
合物を併用することにより、第1図に示すように600
nm以下の短波長側を著しく増感しつつ、フタロシアニ
ン系化合物本来の良好な長波長側の光感度を保持するこ
とが可能となり、また、繰り返し使用時も電位の履歴を
小さくできる。
00〜700ns+の波長域に分光感度を有し、例えば
第1図に示すような分光感度スペクトルを示す構造式(
1)のペリレン化合物であるが、これを第2のキャリア
発生層に用い、フタロシアニン系化合物(τ型無金属フ
タロシアニン)を第1のキャリア発生層に用いて、再化
合物を併用することにより、第1図に示すように600
nm以下の短波長側を著しく増感しつつ、フタロシアニ
ン系化合物本来の良好な長波長側の光感度を保持するこ
とが可能となり、また、繰り返し使用時も電位の履歴を
小さくできる。
この結果、第2のキャリア発生層の存在によって、可視
域で主たる分光感度が必要な複写機(例えば蛍光灯、ハ
ロゲンランプ、キセノンランプ等の画像信号−アナログ
信号)として好適となり、かつ第1のキャリア発生層の
存在によって、可視光領域中の長波長側あるいは赤外域
で主たる分光感度が必要なプリンター(例えば発光ダイ
オード、He−Neレーザー等の気体レーザー、半導体
レーザー等の画像信号=デジタル信号)として好適とな
る。この意味で、アナログ/デジタルの両方式を1種の
感光体で夫々実現できる。
域で主たる分光感度が必要な複写機(例えば蛍光灯、ハ
ロゲンランプ、キセノンランプ等の画像信号−アナログ
信号)として好適となり、かつ第1のキャリア発生層の
存在によって、可視光領域中の長波長側あるいは赤外域
で主たる分光感度が必要なプリンター(例えば発光ダイ
オード、He−Neレーザー等の気体レーザー、半導体
レーザー等の画像信号=デジタル信号)として好適とな
る。この意味で、アナログ/デジタルの両方式を1種の
感光体で夫々実現できる。
以下、本発明の感光体の具体的な構成について述べる。
フタロシアニン系化合物と構造式(1)〜(TV)で表
される化合物との各層間での含有量比は、重量比(フタ
ロシアニン系化合物:構造式(13〜〔■〕で表される
化合物)で、(100: 10)〜(10: 100)
の範囲内であるのが好ましい。
される化合物との各層間での含有量比は、重量比(フタ
ロシアニン系化合物:構造式(13〜〔■〕で表される
化合物)で、(100: 10)〜(10: 100)
の範囲内であるのが好ましい。
次に、本発明に用いる「フタロシアニン系化合物」につ
いて述べる。
いて述べる。
有機系光導電材料の一つであるフタロシアニン系化合物
は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大している。
は、他のものに比べ感光域が長波長域に拡大している。
そして、α型のフタロシアニン化合物が結晶形の安定な
β型のフタロシアニン化合物に変わる過程で、各種結晶
形のフタロシアニン化合物が見出されている。
β型のフタロシアニン化合物に変わる過程で、各種結晶
形のフタロシアニン化合物が見出されている。
「フタロシアニン系化合物」は無金属フタロシアニン化
合物、金属フタロシアニン化合物の一方又は両方を組み
合わせて使用でき、また、これらのそれぞれにおいて金
属、無金属の各々のフタロシアニン化合物に属する単数
又は複数のフタロシアニン化合物が使用できる。無金属
フタロシアニン化合物には、例えばα、β、T1τ、τ
′、η、η′、X型無金属フタロシアニン化合物等が挙
げられる。無金属フタロシアニン化合物は、感度、帯電
安定性に優れているという特長がある。これらのうちの
無金属フタロシアニンのいくつかの特性値を示すと下記
表−1のようになる。
合物、金属フタロシアニン化合物の一方又は両方を組み
合わせて使用でき、また、これらのそれぞれにおいて金
属、無金属の各々のフタロシアニン化合物に属する単数
又は複数のフタロシアニン化合物が使用できる。無金属
フタロシアニン化合物には、例えばα、β、T1τ、τ
′、η、η′、X型無金属フタロシアニン化合物等が挙
げられる。無金属フタロシアニン化合物は、感度、帯電
安定性に優れているという特長がある。これらのうちの
無金属フタロシアニンのいくつかの特性値を示すと下記
表−1のようになる。
表
なお、これらの無金属フタロシアニン化合物は特公昭5
9−4338号公報、特開昭60−19154号公報、
特開昭58−182639号公報に詳細に記載されてい
る。
9−4338号公報、特開昭60−19154号公報、
特開昭58−182639号公報に詳細に記載されてい
る。
無金属フタロシアニンとしては第2図に示す如きX線回
折スペクトルを有するものがある。即ち、この無金属X
型フタロシアニンは図示するように、CuKα(1,5
41人)のX線に対するブラッグ角度(但し、誤差は2
θ±0.2度)は7.5.9.1.16.7.17.3
.22.3度にピークを有し、ブラッグ角度22.3度
にτ型にない特徴的なピークを有する。
折スペクトルを有するものがある。即ち、この無金属X
型フタロシアニンは図示するように、CuKα(1,5
41人)のX線に対するブラッグ角度(但し、誤差は2
θ±0.2度)は7.5.9.1.16.7.17.3
.22.3度にピークを有し、ブラッグ角度22.3度
にτ型にない特徴的なピークを有する。
また、その赤外線吸収スペクトルの特徴は、第3図のよ
うに、746cm−’をはしめ、700〜750 cm
−の間に3つのピーク、1318cm−’、1330C
TIl−’に強度の等しいピークがある。
うに、746cm−’をはしめ、700〜750 cm
−の間に3つのピーク、1318cm−’、1330C
TIl−’に強度の等しいピークがある。
また、第4図に示すように、Cu K α(1,541
人)のX線に対するブラッグ角度2θ(但し、誤差は2
θ±0.2度)が7.7.9.3.16.9.17.5
.22.4.28.8度に主要なピークを有するX線回
折スペクトルを有し、かつこのX線回折スペクトルの上
記ブラッグ角度9.3度のピークに対するブラッグ角度
16.9度のピークの強度比が0.8〜1.0であり、
かつ上記ブラッグ角度9.3度のピークに対するブラッ
グ角度22.4及び28.8度のそれぞれのピークの強
度比が0.4以上である無金属フタロシアニンを用いる
ことができる。このフタロシアニンは、第2図のものに
比べて、ブラッグ角度28.8度に特徴的なピークを有
する。
人)のX線に対するブラッグ角度2θ(但し、誤差は2
θ±0.2度)が7.7.9.3.16.9.17.5
.22.4.28.8度に主要なピークを有するX線回
折スペクトルを有し、かつこのX線回折スペクトルの上
記ブラッグ角度9.3度のピークに対するブラッグ角度
16.9度のピークの強度比が0.8〜1.0であり、
かつ上記ブラッグ角度9.3度のピークに対するブラッ
グ角度22.4及び28.8度のそれぞれのピークの強
度比が0.4以上である無金属フタロシアニンを用いる
ことができる。このフタロシアニンは、第2図のものに
比べて、ブラッグ角度28.8度に特徴的なピークを有
する。
このフタロシアニンは、第4図から明らかなように、次
の点で、第5図に示したτ型無金属フタロシアニンと異
なっている。即ち、第5図のフタロシアニンは、上記し
た前者の強度比に対応するブラッグ角度9.2度のピー
クに対するブラッグ角度16.9度のピークの強度比が
0.9〜1.0であるが、上記した後者の強度比につい
ては一方のブラッグ角度を持たないために強度比を求め
られない。また、第4図のフタロシアニンは、第2図に
示した無金属フタロシアニンとも次の点で異なっている
。
の点で、第5図に示したτ型無金属フタロシアニンと異
なっている。即ち、第5図のフタロシアニンは、上記し
た前者の強度比に対応するブラッグ角度9.2度のピー
クに対するブラッグ角度16.9度のピークの強度比が
0.9〜1.0であるが、上記した後者の強度比につい
ては一方のブラッグ角度を持たないために強度比を求め
られない。また、第4図のフタロシアニンは、第2図に
示した無金属フタロシアニンとも次の点で異なっている
。
即ち、第2図のフタロシアニンは、上記した前者の強度
比に対応するブラッグ角度9.1度のピークに対するブ
ラッグ角度16.7度のピークの強度比が0.4〜0.
6であるが、上記した後者の強度比に対してはブラッグ
角度28.8度に対応するピークがなくてその強度比を
求められない。
比に対応するブラッグ角度9.1度のピークに対するブ
ラッグ角度16.7度のピークの強度比が0.4〜0.
6であるが、上記した後者の強度比に対してはブラッグ
角度28.8度に対応するピークがなくてその強度比を
求められない。
また、第4図の無金属フタロシアニンの赤外線吸収スペ
クトルは第6図に示す、ように、700〜760c「1
の間に720±2c「1が最も強い4本の吸収帯、13
20±2c「1.3288±3cm−’に特徴的な吸収
を有するものが望ましく、τ型無金属フタロシアニンが
700〜760cm−’の間に752±2c「1が最も
強い4本の吸収帯を有し、1320〜1340cm−’
に1本でなく2本の吸収帯を有するのと異なる。また、
この無金属フタロシアニンは、第2図の無金属フタロシ
アニンの赤外線吸収スペクトルとは700〜760C1
’のピークの強度比が異なり、また1330c+n−’
に吸収帯を有さず、3288±3c「1に特徴的な吸収
を有する点で異なる。
クトルは第6図に示す、ように、700〜760c「1
の間に720±2c「1が最も強い4本の吸収帯、13
20±2c「1.3288±3cm−’に特徴的な吸収
を有するものが望ましく、τ型無金属フタロシアニンが
700〜760cm−’の間に752±2c「1が最も
強い4本の吸収帯を有し、1320〜1340cm−’
に1本でなく2本の吸収帯を有するのと異なる。また、
この無金属フタロシアニンは、第2図の無金属フタロシ
アニンの赤外線吸収スペクトルとは700〜760C1
’のピークの強度比が異なり、また1330c+n−’
に吸収帯を有さず、3288±3c「1に特徴的な吸収
を有する点で異なる。
また、第4図の無金属フタロシアニンの可視、近赤外線
吸収スペクトルは第7図に実線で示すように、770n
m以上、790nm未満に吸収極大があることが望まし
く、破線で示すτ型無金属フタロシアニンが790〜8
20na+に吸収極大を持ち、多くは約810nmに吸
収極大を持つものと異なる。
吸収スペクトルは第7図に実線で示すように、770n
m以上、790nm未満に吸収極大があることが望まし
く、破線で示すτ型無金属フタロシアニンが790〜8
20na+に吸収極大を持ち、多くは約810nmに吸
収極大を持つものと異なる。
これらの無金属フタロシアニン化合物はその結晶形が安
定で、アセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、酢酸
エチル、1.2−ジクロロエタン等の有機溶剤に浸漬し
たり、例えば200’Cに50時間放置したり、さらに
はミリング等の機械的歪力を加えてもその結晶形の転移
が起こり難く、感光体の繰り返し使用に対する電位安定
性等にも優れており、好ましい。なおこれは特願昭61
−295784号明細書等に詳細に記載されている。
定で、アセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、酢酸
エチル、1.2−ジクロロエタン等の有機溶剤に浸漬し
たり、例えば200’Cに50時間放置したり、さらに
はミリング等の機械的歪力を加えてもその結晶形の転移
が起こり難く、感光体の繰り返し使用に対する電位安定
性等にも優れており、好ましい。なおこれは特願昭61
−295784号明細書等に詳細に記載されている。
無金属フタロシアニンは次の構造式からなっており、そ
の熱力学的状態で各種のものに分けられ金属フタロシア
ニン化合物も特公昭49−4338号公報等に詳細に記
載されている。また、例えばε型銅フタロシアニンや特
願昭62−241938号記載のチタニルフタロシアニ
ン等も挙げられる。その他、Co、、1 ncl、Al
Cl2等を含む金属フタロシアニンも使用できる。
の熱力学的状態で各種のものに分けられ金属フタロシア
ニン化合物も特公昭49−4338号公報等に詳細に記
載されている。また、例えばε型銅フタロシアニンや特
願昭62−241938号記載のチタニルフタロシアニ
ン等も挙げられる。その他、Co、、1 ncl、Al
Cl2等を含む金属フタロシアニンも使用できる。
特に半導体レーザーに好適なフタロシアニン系化合物を
下記表−2に例示する。但し、下記において、M−Pc
は次の構造のものを示す(Pcはフタロシアニンを示す
)。
下記表−2に例示する。但し、下記において、M−Pc
は次の構造のものを示す(Pcはフタロシアニンを示す
)。
(以下余白)
表−2
LD用ラフタロシアニ
ン上の如きフタロシアニン系化合物や構造式(N〜〔I
V〕の化合物は公知の方法により台底することができる
。また、公知の他のキャリア発生物質を併用することが
できる。
V〕の化合物は公知の方法により台底することができる
。また、公知の他のキャリア発生物質を併用することが
できる。
電子写真感光体の構成は種々の形態が知られているが、
本発明に基く電子写真感光体はそれらのいずれの形態を
もとり得る。
本発明に基く電子写真感光体はそれらのいずれの形態を
もとり得る。
通常は、第8図〜第11図の形態である。第8図及び第
9図では、導電性支持体1上にフタロシアニン系化合物
及び必要に応じてキャリア輸送物質を含有する第1のキ
ャリア発生層2と、構造式(1)〜[fV)の化合物及
び必要に応じてキャリア輸送物質を含有する第2のキャ
リア発生層3と、後述するキャリア輸送物質を主成分と
して含有するキャリア輸送層4との積層体より成る感光
層5を設けており、第9図では、導電性支持体1と感光
層5との間に接着層、バリア層としての中間層(又は下
引き層)6を介して設けている。このように感光層を二
層構成としたときに最も優れた電子写真特性を有する感
光体が得られる。また、第10図及び第11図に示すよ
うに、キャリア発生層2.3とキャリア輸送層4の積層
順が異なるような構成としてもよい。また、図示省略し
たが、最表面層として保護層を設けてもよい。
9図では、導電性支持体1上にフタロシアニン系化合物
及び必要に応じてキャリア輸送物質を含有する第1のキ
ャリア発生層2と、構造式(1)〜[fV)の化合物及
び必要に応じてキャリア輸送物質を含有する第2のキャ
リア発生層3と、後述するキャリア輸送物質を主成分と
して含有するキャリア輸送層4との積層体より成る感光
層5を設けており、第9図では、導電性支持体1と感光
層5との間に接着層、バリア層としての中間層(又は下
引き層)6を介して設けている。このように感光層を二
層構成としたときに最も優れた電子写真特性を有する感
光体が得られる。また、第10図及び第11図に示すよ
うに、キャリア発生層2.3とキャリア輸送層4の積層
順が異なるような構成としてもよい。また、図示省略し
たが、最表面層として保護層を設けてもよい。
キャリア発生層2.3は、例えば次の方法によって形成
することができる。
することができる。
M−1) フタロシアニン系化合物を適当な溶媒に溶
解した溶液を必要に応じてバインダー樹脂と共に混合溶
解した溶液を塗布、乾燥した上に、構造式(1)〜〔I
V〕の化合物及び必要に応じてバインダー樹脂を混合溶
解した溶液を塗布する方法。
解した溶液を必要に応じてバインダー樹脂と共に混合溶
解した溶液を塗布、乾燥した上に、構造式(1)〜〔I
V〕の化合物及び必要に応じてバインダー樹脂を混合溶
解した溶液を塗布する方法。
M−2) フタロシアニン化合物及び構造式(1)〜(
rV)で表される化合物を別々にボールミル、ホモ稟キ
サ等によって分散媒中で微細粒子(好ましくは粒径5μ
m以下、更に好ましくは1μm以下)とし、必要に応じ
てバインダー樹脂を加え混合分散した各分散液を上記と
同様に順次塗布する方法。
rV)で表される化合物を別々にボールミル、ホモ稟キ
サ等によって分散媒中で微細粒子(好ましくは粒径5μ
m以下、更に好ましくは1μm以下)とし、必要に応じ
てバインダー樹脂を加え混合分散した各分散液を上記と
同様に順次塗布する方法。
キャリア発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパノールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、■、2−ジクロロエタン、1.2−ジクロロプロパン
、1、l、2−)ジクロロエタン、1,1.1−トリク
ロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン
、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソ
ルブ等が挙げられる。
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパノールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、■、2−ジクロロエタン、1.2−ジクロロプロパン
、1、l、2−)ジクロロエタン、1,1.1−トリク
ロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン
、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソ
ルブ等が挙げられる。
また、キャリア輸送層は上記キャリア発生層と同様にし
て形成することができる。
て形成することができる。
キャリア発生層あるいはキャリア輸送層の形成に用いら
れるバインダー樹脂は任意のものを用いることができる
が、疎水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィル
ム形成性高分子重合体を用いるのが好ましい。このよう
な高分子重合体としては、例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。
れるバインダー樹脂は任意のものを用いることができる
が、疎水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィル
ム形成性高分子重合体を用いるのが好ましい。このよう
な高分子重合体としては、例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。
P−1)ポリカーボネート
P−2)ポリエステル
P−3)メタクリル酸
P−4)アクリル樹脂
P−5)ポリ塩化ビニル
P−6)ポリ塩化ビニリデン
P−7)ポリスチレン
P−8)ポリビニルアセテート
P−9)スヂレンーブタジエン共重合体P−10)塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 P−11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−12)
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P−13)シリコン樹脂 P−14)シリコン−アルキッド樹脂 P−15)フェノールホルムアルデヒド樹脂P−16)
スチレン−アルキッド樹脂 P−17)ポリーN−ビニルカルバゾールP−18)ポ
リビニルブチラール P−19)ポリビニルフォルマール これらのバインダー樹脂は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 P−11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−12)
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P−13)シリコン樹脂 P−14)シリコン−アルキッド樹脂 P−15)フェノールホルムアルデヒド樹脂P−16)
スチレン−アルキッド樹脂 P−17)ポリーN−ビニルカルバゾールP−18)ポ
リビニルブチラール P−19)ポリビニルフォルマール これらのバインダー樹脂は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。
各キャリア発生層において、キャリア発生物質とバイン
ダーとの重量比は好ましくはioo:t〜1000であ
る。キャリア発生物質の含有割合がこれより少ないと光
感度が低く、残留霊位の増加を招き、またこれより多い
と暗減衰及び受容電位が低下する(噴量がある。
ダーとの重量比は好ましくはioo:t〜1000であ
る。キャリア発生物質の含有割合がこれより少ないと光
感度が低く、残留霊位の増加を招き、またこれより多い
と暗減衰及び受容電位が低下する(噴量がある。
形成される各キャリア発生層の膜厚は、好ましくは0.
01〜10μmである。
01〜10μmである。
また、前記のようにして形成されるキャリア輸送層にお
いて、キャリア輸送物質はキャリア輸送層中のバインダ
ー樹脂100重量部当たり20〜200重量部が好まし
く、特に好ましくは30〜150 mN部である。
いて、キャリア輸送物質はキャリア輸送層中のバインダ
ー樹脂100重量部当たり20〜200重量部が好まし
く、特に好ましくは30〜150 mN部である。
また、形成されるキャリア輸送層の厚さは、好ましくは
5〜50μm、特に好ましくは5〜30μmである。
5〜50μm、特に好ましくは5〜30μmである。
キャリア輸送物質としては、特に制限はないが、例えば
オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘1、チアゾー
ル誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体
、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、イミダゾ
リジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化
合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、アミン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等から選ばれた一種又は二種以上が例示される。
オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘1、チアゾー
ル誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体
、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、イミダゾ
リジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化
合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、アミン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等から選ばれた一種又は二種以上が例示される。
キャリア輸送物質としては、光照射時発生するキャリア
の支持体側への輸送能力が優れている外、キャリア発生
物質との組合せに好適なものが好ましく用いられ、かか
るキャリア輸送物質として好ましいものは下記−形式(
C)、(D)及び(E)で表されるものが挙げられる。
の支持体側への輸送能力が優れている外、キャリア発生
物質との組合せに好適なものが好ましく用いられ、かか
るキャリア輸送物質として好ましいものは下記−形式(
C)、(D)及び(E)で表されるものが挙げられる。
一般式(C)
但し、Ar’ 、Ar’ 、Ar7はそれぞれ置換又は
未置換のアリール基を表し、Ar6は置換又は未置換の
アリーレン基を表し、Rhoは水素原子、置換若しくは
未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリー
ル基を表す。
未置換のアリール基を表し、Ar6は置換又は未置換の
アリーレン基を表し、Rhoは水素原子、置換若しくは
未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリー
ル基を表す。
このような化合物の具体例は特開昭58−65440号
の第3〜4頁及び同58−198043号の第3〜6頁
に詳細に記載されている。
の第3〜4頁及び同58−198043号の第3〜6頁
に詳細に記載されている。
一般式(D)
但し、R21は置換・未置換のアリール基、置換・未置
換の複素環基であり、RZ2は水素原子、置換・未置換
のアルキル基、置換・未置換のアルール基を表し、詳細
には特開昭58−134642号及び同58−1663
54号の公報に記載されている。
換の複素環基であり、RZ2は水素原子、置換・未置換
のアルキル基、置換・未置換のアルール基を表し、詳細
には特開昭58−134642号及び同58−1663
54号の公報に記載されている。
−形式(E)
23
但し、R23は置換・未置換のアリール基であり、R2
Jは水素原子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキル
基、置換・未置換のアルコキシ基、置換・未置換のアミ
ノ基、ヒドロキシ基であり、R2Sは置換・未置換のア
リール基、置換・未置換の複素環基を表す。これらの化
合物の合成法及びその例示は特公昭57−148750
号公報に詳細に記載されており、本発明に援用すること
ができる。
Jは水素原子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキル
基、置換・未置換のアルコキシ基、置換・未置換のアミ
ノ基、ヒドロキシ基であり、R2Sは置換・未置換のア
リール基、置換・未置換の複素環基を表す。これらの化
合物の合成法及びその例示は特公昭57−148750
号公報に詳細に記載されており、本発明に援用すること
ができる。
本発明のその他の好ましいキャリア輸送物質としては、
特開昭57−67940号、同59−15252号、同
57−101844号公報にそれぞれ記載されているヒ
ドラゾン化合物を挙げることができる。
特開昭57−67940号、同59−15252号、同
57−101844号公報にそれぞれ記載されているヒ
ドラゾン化合物を挙げることができる。
感光体に用いられる導電性支持体としては、合金を含め
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマ、酸化インジウ
ム等の導電性化合物や、合金を含めたアルミニウム、パ
ラジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネ
ートして、導電性化された紙、プラスチックフィルム等
が挙げられる。
た金属板、金属ドラム又は導電性ポリマ、酸化インジウ
ム等の導電性化合物や、合金を含めたアルミニウム、パ
ラジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着あるいはラミネ
ートして、導電性化された紙、プラスチックフィルム等
が挙げられる。
接着層あるいはバリヤ層などの中間層としては、前記バ
インダー樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロースなどの有機高分子物質または酸化アル実
ニウムなどが用いられる。
インダー樹脂として用いられる高分子重合体のほか、ポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロースなどの有機高分子物質または酸化アル実
ニウムなどが用いられる。
本発明の感光層には有機ア旦ン類を添加することができ
、特に2級アミンを添加するのが好ましい。
、特に2級アミンを添加するのが好ましい。
かかる2級アミンとしては、例えばジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−nプロピルア旦ン、ジ−イソプロピ
ルアミン、ジ−nブチルアミン、ジ−イソブチルアミン
、ジ−nアミルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−n
ヘキシルアミン、ジ−イソヘキシルアミン、ジ−nペン
チルアミン、ジ−イソペンチルアミン、ジ−nオクチル
アミン、ジ−イソオクチルアミン、ジ−nノニルアミン
、ジ−イソノニルアミン、ジ−nデシルアミン、ジイソ
デシルアミン、ジ−nモノデシルアミン、シーイソモノ
デシルアミン、ジ−nドブシルアごン、ジ−イソドデシ
ルアミン等を挙げることができる。
エチルアミン、ジ−nプロピルア旦ン、ジ−イソプロピ
ルアミン、ジ−nブチルアミン、ジ−イソブチルアミン
、ジ−nアミルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−n
ヘキシルアミン、ジ−イソヘキシルアミン、ジ−nペン
チルアミン、ジ−イソペンチルアミン、ジ−nオクチル
アミン、ジ−イソオクチルアミン、ジ−nノニルアミン
、ジ−イソノニルアミン、ジ−nデシルアミン、ジイソ
デシルアミン、ジ−nモノデシルアミン、シーイソモノ
デシルアミン、ジ−nドブシルアごン、ジ−イソドデシ
ルアミン等を挙げることができる。
又かかる有機ア果ン頚の添加量としては、キャリア発生
物質の1倍以下、好ましくは0.2倍〜o、oos倍の
範囲のモル数とするのがよい。
物質の1倍以下、好ましくは0.2倍〜o、oos倍の
範囲のモル数とするのがよい。
感光層には、オゾン劣化防止の目的で酸化防止剤を添加
することができる。
することができる。
かかる酸化防止剤の代表的具体例を以下に示すが、これ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
(1)群:ヒンダードフェノール類
ジブチルヒドロキシトルエン、2.2’−メチレンビス
(6−t−フチルー4−メチルフェノール)、4.4′
−ブチリデンビス(6−t−ブチル−3−メチルフエノ
ールL4,4’−チオビス(6−t−ブチル−3−メチ
ルフェノール)、2.2’−ブチリデンビス(6−t−
ブチル−4−メチルフェノール)、α−トコフェロール
、B−トコフェロール、2,2.4−トリメチル−6−
ヒトロキシー7−t−ブチルクロマン、ペンタエリスチ
ルテトラキス〔3−・(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、2.2’−チ
オジエチレンビス(3−(3,5−ジーし一ブチルー4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、1,6−ヘ
キサンジオールビス[3−(3゜5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、ブチルヒ
ドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソール、
1−(2((3,5−ジーter t−ブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル)−4
−(3−(3,5−ジーter t−ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル)プロピオニルオキシ)−2,2゜6.
6−テトラメチルビベリジルなど。
(6−t−フチルー4−メチルフェノール)、4.4′
−ブチリデンビス(6−t−ブチル−3−メチルフエノ
ールL4,4’−チオビス(6−t−ブチル−3−メチ
ルフェノール)、2.2’−ブチリデンビス(6−t−
ブチル−4−メチルフェノール)、α−トコフェロール
、B−トコフェロール、2,2.4−トリメチル−6−
ヒトロキシー7−t−ブチルクロマン、ペンタエリスチ
ルテトラキス〔3−・(3,5−ジ−t−ブチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、2.2’−チ
オジエチレンビス(3−(3,5−ジーし一ブチルー4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、1,6−ヘ
キサンジオールビス[3−(3゜5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、ブチルヒ
ドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソール、
1−(2((3,5−ジーter t−ブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル)−4
−(3−(3,5−ジーter t−ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル)プロピオニルオキシ)−2,2゜6.
6−テトラメチルビベリジルなど。
(II)群:バラフエニレンジアミン類N−フェニル−
N′−イソプロピル−p−フエニレンジアミン、N、N
’−ジ−5ec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N
−フェニル−N −5ecブチル−P−フェニレンジア
ミン、N、N’−ジイソプロピル−p−フェニレンジア
ミン、N、 N’−ジメチル−N、N’−ジ−セーブチ
ル−p−フェニレンシアもンなと。
N′−イソプロピル−p−フエニレンジアミン、N、N
’−ジ−5ec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N
−フェニル−N −5ecブチル−P−フェニレンジア
ミン、N、N’−ジイソプロピル−p−フェニレンジア
ミン、N、 N’−ジメチル−N、N’−ジ−セーブチ
ル−p−フェニレンシアもンなと。
〔III〕群:ハイドロキノン類
2.5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2゜6−シ
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン
、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−
オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オク
タデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン
、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−
オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オク
タデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
(■)群:有機硫黄化合物類
ジラウリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー3,3′−チオジプロピオネートなど。
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー3,3′−チオジプロピオネートなど。
(V)群:有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ (ノニルフェニル)ホ
スフィン、トリ (ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ (2,4ジブチルフエノ
キシ)ホスフィンなど。
スフィン、トリ (ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ (2,4ジブチルフエノ
キシ)ホスフィンなど。
これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。
これらの酸化防止剤はキャリア輸送層に添加してよい。
その場合の酸化防止剤の添加量はキャリア輸送物質10
0重量部に対して0.1〜100重量部、好ましくは1
〜50重量部、特に好ましくは1〜25重量部である。
0重量部に対して0.1〜100重量部、好ましくは1
〜50重量部、特に好ましくは1〜25重量部である。
キャリア発生層には感度の向上、残留電位乃至反復使用
時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。
時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。
ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム熱水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン
、1.3.5−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、2
,7−シニトロフルオレノン、2,4.7−1−リニト
ロフルオレノン、2゜4.5.7−テトラニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、
0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジ
ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロ
サリチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、
メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げ
ることができる。
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム熱水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン
、1.3.5−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、2
,7−シニトロフルオレノン、2,4.7−1−リニト
ロフルオレノン、2゜4.5.7−テトラニトロフルオ
レノン、9−フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、
0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジ
ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロ
サリチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸、
メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げ
ることができる。
電子受容性物質の添加量は、重量比でキャリア発生物質
:電子受容性物質−100: (0,01〜200)
、好ましくは100 : (0,1〜100)である。
:電子受容性物質−100: (0,01〜200)
、好ましくは100 : (0,1〜100)である。
電子受容性物質はキャリア輸送層に添加してもよい。か
かる層への電子受容性物質の添加量は重量比でキャリア
輸送物質:電子受容性物質=100: (0,01〜
100)、好ましくは100 : (0,1〜50)で
ある。
かる層への電子受容性物質の添加量は重量比でキャリア
輸送物質:電子受容性物質=100: (0,01〜
100)、好ましくは100 : (0,1〜50)で
ある。
また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。
第12図には、本発明に暴く感光体11を用いた画像形
成装置の一例を示している。ここで、26は分離電極、
27はクリーニングブレード、28は除電ランプ、21
は長波用光源、22は短波用(可視光)光源、20は帯
電極、23は現像器、25は転写電極である。
成装置の一例を示している。ここで、26は分離電極、
27はクリーニングブレード、28は除電ランプ、21
は長波用光源、22は短波用(可視光)光源、20は帯
電極、23は現像器、25は転写電極である。
また、光源21.22に使用可能な光源としては、白色
光、レーザー光(半導体レーザー、He−Neレーザー
)、LED等があげられる。
光、レーザー光(半導体レーザー、He−Neレーザー
)、LED等があげられる。
現像器23は、正転現像法、反転現像法のいずれでもよ
い。除電ランプ28は、正転現像時、反転現像時のいず
れにおいても有効である。
い。除電ランプ28は、正転現像時、反転現像時のいず
れにおいても有効である。
画像形成に際しては、まず白色光源を使用する場合は、
20で帯電された感光体は22で像露光され、23で現
像される。これを25の転写極で紙24に転写し、26
の分離極で紙を分離する。
20で帯電された感光体は22で像露光され、23で現
像される。これを25の転写極で紙24に転写し、26
の分離極で紙を分離する。
残ったトナーは27でかき落とす。
一方、レーザー光源を用いた場合は、20で帯電された
感光体は21のレーザー光源で像露光され、23で現像
される。これを25の転写極で祇24に転写し、26の
分離極で紙を分離する。残ったトナーは27でかき落と
す。
感光体は21のレーザー光源で像露光され、23で現像
される。これを25の転写極で祇24に転写し、26の
分離極で紙を分離する。残ったトナーは27でかき落と
す。
この記録装置のように、ドラム状の像担持体を用いるも
のにあっては、レーザー光源による像露光は、第13図
に示したようなレーザービームスキャナによるものが好
ましい。
のにあっては、レーザー光源による像露光は、第13図
に示したようなレーザービームスキャナによるものが好
ましい。
第13図のレーザービームスキャナの動作を次に述べる
。
。
半導体レーザー41で発生されたレーザービームは、駆
動モータ42により回転されるポリゴン旦う−43によ
り回転走査され、r−θレンズ44を経て反射鏡45に
より光路を曲げられて像担持体23の表面上に投射され
輝線46を形成する。
動モータ42により回転されるポリゴン旦う−43によ
り回転走査され、r−θレンズ44を経て反射鏡45に
より光路を曲げられて像担持体23の表面上に投射され
輝線46を形成する。
47はビーム走査開始を検出するためのインデックスセ
ンサで、48.49は倒れ角補正用のシリンドリカルレ
ンズである。50a、50b、socは反射鏡でビーム
走査光路及びビーム検知の光路を形成する。
ンサで、48.49は倒れ角補正用のシリンドリカルレ
ンズである。50a、50b、socは反射鏡でビーム
走査光路及びビーム検知の光路を形成する。
走査が開始されるとビームがインデックスセンサ47に
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器20により予め一様に帯電されている像担持体上を
走査する。レーザービーム51による主走査と像担持体
の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形成され
てゆく。
よって検知され、信号によるビームの変調が図示省略し
た変調部によって開始される。変調されたビームは、帯
電器20により予め一様に帯電されている像担持体上を
走査する。レーザービーム51による主走査と像担持体
の回転による副走査によりドラム表面に潜像が形成され
てゆく。
また、像担持体がベルト状のように平面状態をとり得る
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
記録装置にあっては、像露光をフラッシュ露光とするこ
ともできる。
ホ、実施例
以下に本発明の詳細な説明するが、これに先立って、第
4図、第6図及び第7図に示す特性をもつ無金属フタロ
シアニン化合物Aの合成例、τ型無金属フタロシアニン
化合物の合成例及びチタニルフタロシアニンの合成例を
示す。
4図、第6図及び第7図に示す特性をもつ無金属フタロ
シアニン化合物Aの合成例、τ型無金属フタロシアニン
化合物の合成例及びチタニルフタロシアニンの合成例を
示す。
(無金属フタロシアニン化合物Aの合成例)リチウムフ
タロシアニン50gを0°Cにおいて十分攪拌した濃硫
酸の600i1に加える。次いでその混合物はこの温度
において2時間攪拌される。次いでできた溶液は粗い焼
結されたガラス濾斗を通して濾過されて、41の氷と水
の中へ攪拌しながら徐々に注入される。数時間放置した
後に、その混合物は濾過され、得られた塊りは中性にな
るまで水で洗浄される。ついでその塊りは最終的にメタ
ノールで数回洗浄されかつ空気中で乾燥させられる。こ
の乾燥された粉末は24時間連続抽出装置中でアセトン
によって抽出されかつ空気中で乾燥させられて青い粉末
となる。
タロシアニン50gを0°Cにおいて十分攪拌した濃硫
酸の600i1に加える。次いでその混合物はこの温度
において2時間攪拌される。次いでできた溶液は粗い焼
結されたガラス濾斗を通して濾過されて、41の氷と水
の中へ攪拌しながら徐々に注入される。数時間放置した
後に、その混合物は濾過され、得られた塊りは中性にな
るまで水で洗浄される。ついでその塊りは最終的にメタ
ノールで数回洗浄されかつ空気中で乾燥させられる。こ
の乾燥された粉末は24時間連続抽出装置中でアセトン
によって抽出されかつ空気中で乾燥させられて青い粉末
となる。
上記においてリチウムに対して塩の残渣を保証するため
に析出は反復される。このようにして30.5 gの青
い粉末が得られた。この得られたちのは、そのX線回折
図形がすでに出版されている資料に記載されているα型
フタロシアニン化合物のX線回折図形と一敗していた。
に析出は反復される。このようにして30.5 gの青
い粉末が得られた。この得られたちのは、そのX線回折
図形がすでに出版されている資料に記載されているα型
フタロシアニン化合物のX線回折図形と一敗していた。
このようにして得られた金属を含まないα型フタロシア
ニン化合物30gを直径13/16インチのボールで半
分溝たされた内容積900dの磁製ボールミル中に仕込
み、約8Orpmで164時間ミリングした。その後テ
トラヒドロフラン、1.2−ジクロロエタン等の有機溶
剤200dをボールミル中に加え、24時間再度ξリン
グした。このミリングした後の分散液について有機溶剤
の除去及び乾燥を行い、無金属フタロシアニン化合物A
28.3gを得た。
ニン化合物30gを直径13/16インチのボールで半
分溝たされた内容積900dの磁製ボールミル中に仕込
み、約8Orpmで164時間ミリングした。その後テ
トラヒドロフラン、1.2−ジクロロエタン等の有機溶
剤200dをボールミル中に加え、24時間再度ξリン
グした。このミリングした後の分散液について有機溶剤
の除去及び乾燥を行い、無金属フタロシアニン化合物A
28.3gを得た。
(τ型無金属フタロシアニン化合物の合成例)α型無金
属フタロシアニン化合物(ICI製モノライトファース
トプルGS)を加熱したジメヂルホルムアルデヒドによ
り3回抽出して精製した。
属フタロシアニン化合物(ICI製モノライトファース
トプルGS)を加熱したジメヂルホルムアルデヒドによ
り3回抽出して精製した。
この操作により精製物はβ型に転移した。次にこのβ型
無金属フタロシアニン化合物の1部分を濃硫酸に溶解し
、この溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、
α型に転移させた。この再沈澱物をアンモニア水、メタ
ノール等で洗浄後10”Cで乾燥した。次に上記により
精製したα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及
び分散剤とともにサンドミルに入れ、温度100±20
°Cで15〜25時間混練した。この操作により結晶形
がτ型に転移したのを確認後、容器より取り出し、水及
びメタノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後
乾燥して鮮明な青味を帯びたτ型無金属フタロシアニン
の青色結晶を得た。
無金属フタロシアニン化合物の1部分を濃硫酸に溶解し
、この溶液を氷水中に注いで再沈澱させることにより、
α型に転移させた。この再沈澱物をアンモニア水、メタ
ノール等で洗浄後10”Cで乾燥した。次に上記により
精製したα型無金属フタロシアニン化合物を磨砕助剤及
び分散剤とともにサンドミルに入れ、温度100±20
°Cで15〜25時間混練した。この操作により結晶形
がτ型に転移したのを確認後、容器より取り出し、水及
びメタノール等で磨砕助剤及び分散剤を十分除去した後
乾燥して鮮明な青味を帯びたτ型無金属フタロシアニン
の青色結晶を得た。
(チタニルフタロシアニンの合成例)
フタロジニトリル40gと4塩化チタン18g及びα−
クロロナフタレン50Mの混合物を窒素気流下240〜
250 ’Cで3時間加熱攪拌して反応を完結させた。
クロロナフタレン50Mの混合物を窒素気流下240〜
250 ’Cで3時間加熱攪拌して反応を完結させた。
その後濾過し、生成物であるジクロロチタニウムフタロ
シアニンを収得した。得られたジクロロチタニウムフク
ロシアニンと濃アンモニア水300dの混合物を1時間
加熱環流し、目的物であるチタニルフタロシアニン18
gを得た。生成物はアセトンにより、ソックスレー抽出
器で充分洗浄を行った。
シアニンを収得した。得られたジクロロチタニウムフク
ロシアニンと濃アンモニア水300dの混合物を1時間
加熱環流し、目的物であるチタニルフタロシアニン18
gを得た。生成物はアセトンにより、ソックスレー抽出
器で充分洗浄を行った。
この生成物を質量スペクトル分析したところ、チタニル
フタロシアニン(M’ 576)を主成分とし、クロル
化チタニルフタロシアニン(M” 610)を少量含む
ものであった。
フタロシアニン(M’ 576)を主成分とし、クロル
化チタニルフタロシアニン(M” 610)を少量含む
ものであった。
尖施旌土
下記の組成で調製した混合液をサンドグラインダで10
時間分散し、第1のキャリア発生層形成用塗布液入とし
た。
時間分散し、第1のキャリア発生層形成用塗布液入とし
た。
τ型無金属フタロシアニン 1.0 gポリビ
ニルブチラール 5g(エスレックBX
−1、積木化学社製)メチルエチルケトン
100 mlこの分散液を、A1を蒸着したポリ
エステルフィルム上にワイヤーバーで塗布し、′乾燥後
の膜厚が約0.2μmの第1のキャリア発生層を形成し
た。
ニルブチラール 5g(エスレックBX
−1、積木化学社製)メチルエチルケトン
100 mlこの分散液を、A1を蒸着したポリ
エステルフィルム上にワイヤーバーで塗布し、′乾燥後
の膜厚が約0.2μmの第1のキャリア発生層を形成し
た。
次に、下記組成で調製した混合液をサンドグラインダで
12時間分散し、第2のキャリア発生層形成用塗布液B
とした。この塗布液Bを上記第1のキャリア発生層の上
にワイヤーバーで塗布し、乾燥膜厚約0.5μmの第2
のキャリア発生層を形成した。
12時間分散し、第2のキャリア発生層形成用塗布液B
とした。この塗布液Bを上記第1のキャリア発生層の上
にワイヤーバーで塗布し、乾燥膜厚約0.5μmの第2
のキャリア発生層を形成した。
構造式(1)の化合物 1.0 gポリカ
ーボネート 5g(パンライトL
−1250、帝人化戒社製)1.2−ジクロロエタン
100威次に、下記組成で調製した混合液
を上記キャリア発生層上にドクターブレードで塗布し、
乾燥膜厚が約201Imのキャリア輸送層を形成し、感
光体を得た。
ーボネート 5g(パンライトL
−1250、帝人化戒社製)1.2−ジクロロエタン
100威次に、下記組成で調製した混合液
を上記キャリア発生層上にドクターブレードで塗布し、
乾燥膜厚が約201Imのキャリア輸送層を形成し、感
光体を得た。
ポリカーボネート 15g(ニー
ピロンZ−200、三菱ガス化学社製)1.2−ジクロ
ロエタン 100Idこうして得られた感
光体試料の特性評価試験を以下のようにして行った。
ピロンZ−200、三菱ガス化学社製)1.2−ジクロ
ロエタン 100Idこうして得られた感
光体試料の特性評価試験を以下のようにして行った。
静電帯電試験装置E P A −8100(川口電気■
製)を用いて、感光体表面電位が初期電位から半減する
のに必要な露光量E+zz(!!、uχ・5ec)を測
定した。
製)を用いて、感光体表面電位が初期電位から半減する
のに必要な露光量E+zz(!!、uχ・5ec)を測
定した。
上記静電帯電試験装置E P A−8100を用いて、
帯電→露光→除電を100回操り返した時の1回目と1
00回目の帯電電位の変化量ΔV’−”” (V)を
測定した。
帯電→露光→除電を100回操り返した時の1回目と1
00回目の帯電電位の変化量ΔV’−”” (V)を
測定した。
前述のE P A−8100を用いる測定系において光
源にタングステンランプを使用し、モノクロメータを通
し、特に問題とする780nm+ 1 nmの波長の光
に対する露光ff1E+z□(V erM / erg
)を測定した。
源にタングステンランプを使用し、モノクロメータを通
し、特に問題とする780nm+ 1 nmの波長の光
に対する露光ff1E+z□(V erM / erg
)を測定した。
この値は大きい方が感度がよい。
結果を下記表−3に示した(以下、同様)。
尖施拠1
実施例1において、τ型無金属フタロシアニンをX型無
金属フタロシアニンに変更し、さらに、エスレックBX
−1をポリメチルメタクリレート(エルバサイト201
0、デュポン社製)に変更し、溶媒を1.2−ジクロロ
エタンに変更し、第1のキャリア発生層を形成した。
金属フタロシアニンに変更し、さらに、エスレックBX
−1をポリメチルメタクリレート(エルバサイト201
0、デュポン社製)に変更し、溶媒を1.2−ジクロロ
エタンに変更し、第1のキャリア発生層を形成した。
次に、構造式(1)の化合物を構造式(II)の化合物
に変更し、さらに、ポリカーボネートをポリビニルブチ
ラール(エスレックBH−3、tl水化学社製)に変更
し、1.2−ジクロロエタンをメチルエチルケトンに変
更し、第2のキャリア発生層を形成した。
に変更し、さらに、ポリカーボネートをポリビニルブチ
ラール(エスレックBH−3、tl水化学社製)に変更
し、1.2−ジクロロエタンをメチルエチルケトンに変
更し、第2のキャリア発生層を形成した。
さらに、電荷輸送層形成用塗布液に使用するキャリア輸
送物質を下記化合物に変更し、感光体を作製した。
送物質を下記化合物に変更し、感光体を作製した。
下引き層形成用塗布液として下記組成の溶液を調製し、
Af蒸着ポリエステルフィルム上にワイヤーバーで塗布
し、乾燥後の膜厚が約0.1μ−の下引き層を形成した
。
Af蒸着ポリエステルフィルム上にワイヤーバーで塗布
し、乾燥後の膜厚が約0.1μ−の下引き層を形成した
。
ポリアミド 1.0g(ラッカマ
イト5003、大日本インキ社製)エタノール
LooInlこの下引き層の上に、
実施例1と同様にして、以下の組成の塗布液(分散液)
A、B、電荷輸送層形成用塗布液を順次塗工し、感光体
3を形成した。
イト5003、大日本インキ社製)エタノール
LooInlこの下引き層の上に、
実施例1と同様にして、以下の組成の塗布液(分散液)
A、B、電荷輸送層形成用塗布液を順次塗工し、感光体
3を形成した。
塗布液A:
m型Ti0−Pc 1.Og(チタ
ニルフタロシアニン) シリコーン樹脂 0.5g(K
R−5240、信越化学社製) メチルエチルケトン 100g塗布液
B: 構造式〔III〕の化合物 2gポリビ
ニルブチラール 1g(エスレックBL
−3、積木化学社製)メチルエチルケトン
L 00 mfl電荷電荷輸送層形使用塗布 液CI+ 。
ニルフタロシアニン) シリコーン樹脂 0.5g(K
R−5240、信越化学社製) メチルエチルケトン 100g塗布液
B: 構造式〔III〕の化合物 2gポリビ
ニルブチラール 1g(エスレックBL
−3、積木化学社製)メチルエチルケトン
L 00 mfl電荷電荷輸送層形使用塗布 液CI+ 。
ポリカーボネー) 15g(パ
ンライトL−1250、奇人化学社製)1.2−ジクロ
ロエタン1ool11 里り皿上 実施例3において、構造式(1)の化合物を構造式〔■
〕の化合物に変更して試料を作製した。
ンライトL−1250、奇人化学社製)1.2−ジクロ
ロエタン1ool11 里り皿上 実施例3において、構造式(1)の化合物を構造式〔■
〕の化合物に変更して試料を作製した。
止較孤上
実施例1において第1のキャリア発生層に使用したフタ
ロシアニン化合物を下記の構造の化合物に変更した以外
は、実施例1と同様にして試料を作製し、評価を行った
。
ロシアニン化合物を下記の構造の化合物に変更した以外
は、実施例1と同様にして試料を作製し、評価を行った
。
且(It4
実施例3において第1のキャリア発生層に使用したフタ
ロシアニン化合物を下記の構造のものに変え、 さらに、キャリア輸送層形成用樹脂をポリカーボネート
からアクリル系樹脂(BR−80、三菱レーヨン社製)
に変更し、かつキャリア輸送物質も下記化合物に変更し
た以外は実施例3と同様にして試料を作製し、評価を行
った。
ロシアニン化合物を下記の構造のものに変え、 さらに、キャリア輸送層形成用樹脂をポリカーボネート
からアクリル系樹脂(BR−80、三菱レーヨン社製)
に変更し、かつキャリア輸送物質も下記化合物に変更し
た以外は実施例3と同様にして試料を作製し、評価を行
った。
実施例1において第2のキャリア発生層に使用した構造
式(1)の化合物を下記の構造の化合物に変更した以外
は、実施例1と同様にして試料を作製し、評価を行った
。
式(1)の化合物を下記の構造の化合物に変更した以外
は、実施例1と同様にして試料を作製し、評価を行った
。
実施例2において第2のキャリア発生層に使用した構造
式(II)の化合物を下記の構造の化合物に変更した以
外は、実施例2と同様にして試料を作製し、評価を行っ
た。
式(II)の化合物を下記の構造の化合物に変更した以
外は、実施例2と同様にして試料を作製し、評価を行っ
た。
実施例3において第2のキャリア発生層に使用した構造
式〔III〕の化合物を下記の構造の化合物に変更した
以外は、実施例1と同様にして試料を作製し、 評価を行った。
式〔III〕の化合物を下記の構造の化合物に変更した
以外は、実施例1と同様にして試料を作製し、 評価を行った。
得られた結果を下記表−3に示す。
この表の結果から、
実施例の感光体はいずれも、
比較感光体に比べて、
白色光に対する感度、
半導
体レーザー光源に対する感度及び繰り返し特性の全ての
点において、優れた性能を示していることが明らかであ
る。
点において、優れた性能を示していることが明らかであ
る。
図面は本発明を例示して説明するためのものであって、
第1図は感光体の吸収スペクトル、
第2図は無金属フタロシアニンのX線回折スペクトル図
、 第3図は無金属フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図
、 第4図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第5図はτ型無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第6図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第7図は無金属フタロシアニンの二側の近赤外吸収スペ
クトル図、 第8図、第9図、第10図、第11図はそれぞれ、感光
体の構成例を示す各断面図、 第12図は画像形成装置の構成概略図、第13図は像露
光のためのレーザービームスキャナの構成概要図 である。 なお、図面に示す符号において、 1・・・・・・・・・導電性支持体 2・・・・・・・・・第1のキャリア発生層3・・・・
・・・・・第2のキャリア発生層4・・・・・・・・・
キャリア輸送層 5・・・・・・・・・感光層 6・・・・・・・・・中間層(又は下引き層)である。
、 第3図は無金属フタロシアニンの赤外吸収スペクトル図
、 第4図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第5図はτ型無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第6図は他の無金属フタロシアニンのX線回折スペクト
ル図、 第7図は無金属フタロシアニンの二側の近赤外吸収スペ
クトル図、 第8図、第9図、第10図、第11図はそれぞれ、感光
体の構成例を示す各断面図、 第12図は画像形成装置の構成概略図、第13図は像露
光のためのレーザービームスキャナの構成概要図 である。 なお、図面に示す符号において、 1・・・・・・・・・導電性支持体 2・・・・・・・・・第1のキャリア発生層3・・・・
・・・・・第2のキャリア発生層4・・・・・・・・・
キャリア輸送層 5・・・・・・・・・感光層 6・・・・・・・・・中間層(又は下引き層)である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フタロシアニン系化合物を含有する第1のキャリア
発生層と;下記構造式〔 I 〕で表される化合物と下記
構造式〔II〕で表される化合物と下記構造式〔III〕で
表される化合物と下記構造式〔IV〕で表される化合物と
からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物を含有
する第2のキャリア発生層とを具備する感光体。 構造式〔 I 〕: ▲数式、化学式、表等があります▼ 構造式〔II]: ▲数式、化学式、表等があります▼ 構造式〔III〕: ▲数式、化学式、表等があります▼ 構造式〔IV〕: ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17373289A JPH0337658A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17373289A JPH0337658A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0337658A true JPH0337658A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15966111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17373289A Pending JPH0337658A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0337658A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05273773A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-10-22 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
US6348290B1 (en) * | 1995-08-03 | 2002-02-19 | Nippon Ink And Chemicals, Inc. | Multilayer organic photoconductor including electrically conductive support having specific index of surface area |
US6960417B2 (en) | 1993-11-05 | 2005-11-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
JP2007256970A (ja) * | 1999-06-25 | 2007-10-04 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17373289A patent/JPH0337658A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05273773A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-10-22 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
US6960417B2 (en) | 1993-11-05 | 2005-11-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
US7192677B2 (en) | 1993-11-05 | 2007-03-20 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
US6348290B1 (en) * | 1995-08-03 | 2002-02-19 | Nippon Ink And Chemicals, Inc. | Multilayer organic photoconductor including electrically conductive support having specific index of surface area |
JP2007256970A (ja) * | 1999-06-25 | 2007-10-04 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
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