JPH0336703A - 薄膜抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体及びその製造方法Info
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- JPH0336703A JPH0336703A JP2163050A JP16305090A JPH0336703A JP H0336703 A JPH0336703 A JP H0336703A JP 2163050 A JP2163050 A JP 2163050A JP 16305090 A JP16305090 A JP 16305090A JP H0336703 A JPH0336703 A JP H0336703A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
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- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、１メガオームから数ギガオームの間の範囲の
面抵抗値を有する薄膜抵抗体及びその製造方法に関する
。
面抵抗値を有する薄膜抵抗体及びその製造方法に関する
。
大表面マイクロエレクトロニクス（Ｌａｒｇｅ−Ａｒｅ
ａ−Ｍｔｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）で使用するに
は、ダイオード及びトランジスタのような活性デバイス
の他に抵抗体も必要である。その際増幅器又は論理回路
の動作抵抗は、使用したトランジスタのＯＮ抵抗と同程
度の大きさでなければならない、帰還抵抗はしばしば著
しく大きくなければならない、いわゆるＴＰＴのような
、非晶質シリコンからなる薄膜トランジスタでは極めて
高い抵抗値が生じる。
ａ−Ｍｔｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）で使用するに
は、ダイオード及びトランジスタのような活性デバイス
の他に抵抗体も必要である。その際増幅器又は論理回路
の動作抵抗は、使用したトランジスタのＯＮ抵抗と同程
度の大きさでなければならない、帰還抵抗はしばしば著
しく大きくなければならない、いわゆるＴＰＴのような
、非晶質シリコンからなる薄膜トランジスタでは極めて
高い抵抗値が生じる。
’Ｍａｔ、 Ｒｅｓ、 Ｓａｃ、 ５ｙｓｐ、
Ｐｒｏｃ、Ｊ 第 １１８ 巻、（１９８８年）、第
４４５〜４４９真に掲載されているスチーマーズ（ｆｌ
、 Ｓｔｅｅｉｍｅｒｓ）及びワイズフィールド（Ｒ，
Ｗｅｉｓｆｉｅｌｄ）の報告書から抵抗体を非晶質シリ
コン（ａ−３ｔ：Ｈ）から製造することは公知である。
Ｐｒｏｃ、Ｊ 第 １１８ 巻、（１９８８年）、第
４４５〜４４９真に掲載されているスチーマーズ（ｆｌ
、 Ｓｔｅｅｉｍｅｒｓ）及びワイズフィールド（Ｒ，
Ｗｅｉｓｆｉｅｌｄ）の報告書から抵抗体を非晶質シリ
コン（ａ−３ｔ：Ｈ）から製造することは公知である。
高ドープ化されたａ−３ｉ：Ｈを使用した場合、′２．
５％／℃の温度係数でＩＯＫオームの面抵抗値が得られ
るにすぎない、非ドープ化ａ−Ｓｉ＋Ｈでは、温度係数
１２％／”Ｃではあるが１０”オームまでの面抵抗値を
得ることができる。しかしこの値は実際の使用に当たっ
ては使用できない。
５％／℃の温度係数でＩＯＫオームの面抵抗値が得られ
るにすぎない、非ドープ化ａ−Ｓｉ＋Ｈでは、温度係数
１２％／”Ｃではあるが１０”オームまでの面抵抗値を
得ることができる。しかしこの値は実際の使用に当たっ
ては使用できない。
「スイン・ソリッド・フィルムズ（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉ
ｄＦｉｌｍｓ） Ｊ ５ユ、（１９７９年）、第３６３
〜３６６頁に記載されているオーヤ（Ｓ、 Ｍ、 ０ｊ
ｈａ）の報告書からは、サーメット（Ｃｅｒ＊ｅｔ）か
らなる抵抗体を使用することが公知である。この抵抗体
は５ｉｎｓ と−金属からなる一緒にスパッタリングさ
れた層である。このサーメット抵抗体は、ターゲットが
高オームであり過ぎるため、高周波スパッタリング装置
によってのみ製造することができるにすぎない、ターゲ
ットの組成の２０％が変化すると面抵抗値は数１０乗変
化することから、このような抵抗体は再現可能に製造す
ることが困難である。
ｄＦｉｌｍｓ） Ｊ ５ユ、（１９７９年）、第３６３
〜３６６頁に記載されているオーヤ（Ｓ、 Ｍ、 ０ｊ
ｈａ）の報告書からは、サーメット（Ｃｅｒ＊ｅｔ）か
らなる抵抗体を使用することが公知である。この抵抗体
は５ｉｎｓ と−金属からなる一緒にスパッタリングさ
れた層である。このサーメット抵抗体は、ターゲットが
高オームであり過ぎるため、高周波スパッタリング装置
によってのみ製造することができるにすぎない、ターゲ
ットの組成の２０％が変化すると面抵抗値は数１０乗変
化することから、このような抵抗体は再現可能に製造す
ることが困難である。
本発明の課題は、１メガオームと数ギガオームとの間の
薄膜抵抗体を製造することのできる物質を提供すること
にある。
薄膜抵抗体を製造することのできる物質を提供すること
にある。
本発明の対象は、１メガオームから数ギガオームの間の
範囲の面抵抗値を有する薄膜抵抗体用物質であり、これ
は透明で、導電性の酸化物からなり、高めた酸素分圧で
大気中においてスパッタリング又は蒸着することにより
製造されることを特徴としている。この物質がインジウ
ム−錫酸化物（［ＴＯ）からなることは本発明の枠内に
ある。
範囲の面抵抗値を有する薄膜抵抗体用物質であり、これ
は透明で、導電性の酸化物からなり、高めた酸素分圧で
大気中においてスパッタリング又は蒸着することにより
製造されることを特徴としている。この物質がインジウ
ム−錫酸化物（［ＴＯ）からなることは本発明の枠内に
ある。
欧州特許出願第０．２９３６４５号明細書から公知のよ
うに、インジウム−錫酸化物層は非晶質シリコンをベー
スとするイメージセンサライン中のフォトダイオード用
電極の透明な導電性物質として使用される。この場合そ
の製造条件は、これらの層が高い透明度及び可能な限り
良好な導電性を有するように最適化する。厚さ１１００
ｎの１７０層の面抵抗値は１平方当たり２００オーム（
２０×１０−’オームｃ１１の電気抵抗率に相当）であ
り、可視光線に対する透明度は９０％である。１７０層
の製造は反応スパッタリング又は反応電子ビーム蒸着法
によって行う、この場合金属又は酸化物から出発しまた
析出された層の酸素含有量は製造中の酸素分圧によって
調整する。酸素分圧を高めることによって、層は一層透
明になるが、オーム値も高くなる０本発明はこの硬化を
完全に利用するものである。これに対して上記欧州特許
出願明細書に記載されている方法では、面抵抗値を低く
保つために被覆中酸素の供給を一時的に遮断することに
よって受器内の酸素分圧を減少させる。
うに、インジウム−錫酸化物層は非晶質シリコンをベー
スとするイメージセンサライン中のフォトダイオード用
電極の透明な導電性物質として使用される。この場合そ
の製造条件は、これらの層が高い透明度及び可能な限り
良好な導電性を有するように最適化する。厚さ１１００
ｎの１７０層の面抵抗値は１平方当たり２００オーム（
２０×１０−’オームｃ１１の電気抵抗率に相当）であ
り、可視光線に対する透明度は９０％である。１７０層
の製造は反応スパッタリング又は反応電子ビーム蒸着法
によって行う、この場合金属又は酸化物から出発しまた
析出された層の酸素含有量は製造中の酸素分圧によって
調整する。酸素分圧を高めることによって、層は一層透
明になるが、オーム値も高くなる０本発明はこの硬化を
完全に利用するものである。これに対して上記欧州特許
出願明細書に記載されている方法では、面抵抗値を低く
保つために被覆中酸素の供給を一時的に遮断することに
よって受器内の酸素分圧を減少させる。
本発明はこの可能性をも完全に利用し、同じ物質（ＩＴ
Ｏ）を用いてまた同じターゲットを有する同じ直流スパ
ッタリング装置内で、フォトダイオード用電極並びに集
積回路中の抵抗体を製造する。しかし酸素分圧は高める
か又は低める必要があり、これは簡単に実施することが
できる。
Ｏ）を用いてまた同じターゲットを有する同じ直流スパ
ッタリング装置内で、フォトダイオード用電極並びに集
積回路中の抵抗体を製造する。しかし酸素分圧は高める
か又は低める必要があり、これは簡単に実施することが
できる。
本発明の他の実施ｕ様、特にその実現方法に関しては請
求項２以下に記載する。
求項２以下に記載する。
（実施例〕
次に本発明を２つの実施例に基づき詳述する。
裏施囲上
２００メガオームの面抵抗値を有する１７０層を製造し
た。その際インジウム９０重量％及び錫１０重量％から
なる金属性ターゲットを使用し、層を直流スパッタリン
グ装置（バルツェルス（ＢａＩｚｅｒｓ）社製のＢＡＫ
６００）内でアルゴン３×１０−３ｍバール及び酸素５
Ｘ１０−３ｍバールからなる混合気でスパッタリングし
た。その際基板を室温に保った。スパッタリング出力は
８００ワットであった。４９分のスパッタリング時間抜
層厚は９５ｎｍ及び面抵抗値は２０メガオームになった
。
た。その際インジウム９０重量％及び錫１０重量％から
なる金属性ターゲットを使用し、層を直流スパッタリン
グ装置（バルツェルス（ＢａＩｚｅｒｓ）社製のＢＡＫ
６００）内でアルゴン３×１０−３ｍバール及び酸素５
Ｘ１０−３ｍバールからなる混合気でスパッタリングし
た。その際基板を室温に保った。スパッタリング出力は
８００ワットであった。４９分のスパッタリング時間抜
層厚は９５ｎｍ及び面抵抗値は２０メガオームになった
。
ｚ益史主
１．５ギガオームの面抵抗値を有する別の１７０層を実
施例１とは異なるパラメータで酸素分圧２゜６ Ｘ １
０−２ｍバール及びスパッタリング出力５０ワットに調
整することにより製造した。８分のスパッタリング時間
後に、層厚は３５ｎｍ、面抵抗値は１．５ギガオームと
なった。
施例１とは異なるパラメータで酸素分圧２゜６ Ｘ １
０−２ｍバール及びスパッタリング出力５０ワットに調
整することにより製造した。８分のスパッタリング時間
後に、層厚は３５ｎｍ、面抵抗値は１．５ギガオームと
なった。
寸法比率（長さ７幅）１／２５〜２５／１の薄膜抵抗体
を製造することが可能なことから、本発明による１７０
層を用いて８メガオーム〜４０ギガオームの抵抗値を実
現することも可能である。
を製造することが可能なことから、本発明による１７０
層を用いて８メガオーム〜４０ギガオームの抵抗値を実
現することも可能である。
分圧を高めることにより更に大きな抵抗値を得ることも
不可能ではない。
不可能ではない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 透明で導電性の酸化物からなり、高めた酸素分圧
で大気中においてスパッタリング又は蒸着することによ
り製造される１メガオームから数ギガオームの間の範囲
の面抵抗値を有することを特徴とする薄膜抵抗体。 ２） インジウム−錫酸化物からなることを特徴とする
請求項１記載の薄膜抵抗体。 ３） インジウム−錫酸化物を、希ガス−酸素混合気中
で金属性インジウム−錫ターゲットを用いてのスパッタ
リングにより製造することを特徴とする請求項２記載の
インジウム−錫酸化物からなる薄膜抵抗体の製造方法。 ４） 集積半導体回路を有する基板上にインジウム−錫
酸化物からなる薄膜抵抗体を製造するに当たり、 ａ）インジウム９８〜９０重量％及び錫２〜１０重量％
のインジウム／錫合金からなる ターゲットを使用し、 ｂ）被覆を直流マグネトロン−スパッタリング装置内で
行い、 ｃ）アルゴン２×１０＾−＾３ｍバール〜１×１０＾−
＾１ｍバール及び酸素２×１０＾−＾３ｍバール〜２×
１０＾−＾２ｍバールからなる混合気を使用し、ｄ）基
板を室温〜８０℃の間の温度に保ち、ｅ）スパッタリン
グ出力を６００〜３０００ワットの範囲に調整する ことを特徴とする請求項３記載の薄膜抵抗体の製造方法
。 ５） 層厚９５ｎｍで２００メガオームの面抵抗値を有
するインジウム・錫酸化物からなる薄膜抵抗体を製造す
るに当たり、 ａ）インジウム９０重量％及び錫１０重量％のインジウ
ム／錫合金からなるターゲット を使用し、 ｂ）被覆を直流マグネトロン−スパッタリング装置内で
行い、 ｃ）アルゴン３×１０＾−＾３バール及び酸素５×１０
＾−＾３ｍバールからなる混合気を使用し、ｄ）基板を
室温に保ち、 ｅ）スパッタリング出力を７５０〜８５０ワットの範囲
に調整する ことを特徴とする請求項４記載の薄膜抵抗体の製造方法
。 ６） 層厚３５ｎｍで１．５メガオームの面抵抗値を有
するインジウム−錫酸化物からなる薄膜抵抗体を製造す
るに当たり、 ａ）インジウム９０重量％及び錫１０重量％のインジウ
ム／錫合金からなるターゲット を使用し、 ｂ）被覆を直流マグネトロン−スパッタリング装置内で
行い、 ｃ）アルゴン３×１０＾−＾３ｍバール及び酸素２．６
×１０＾−＾３ｍバールからなる混合気を使用し、 ｄ）基板を室温に保ち、 ｅ）スパッタリング出力を７５０ワットの範囲に調整す
る ことを特徴とする請求項４記載の薄膜抵抗体の製造方法
。 ７） 透明なインジウム−錫酸化物電極を有しているフ
ォトダイオードを有する集積回路中に薄膜抵抗体を製造
するために使用することを特徴とする請求項３ないし６
の１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3921431.1 | 1989-06-29 | ||
| DE3921431 | 1989-06-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336703A true JPH0336703A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=6383944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163050A Pending JPH0336703A (ja) | 1989-06-29 | 1990-06-22 | 薄膜抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0405304A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0336703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0781076A2 (en) | 1995-12-20 | 1997-06-25 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Transparent conductive laminate and electroluminescence element |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW392189B (en) * | 1997-01-17 | 2000-06-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a cathode ray tube and a cathode ray tube |
| ES2185454B1 (es) * | 2000-08-28 | 2004-05-01 | Centro De Investigaciones Energeticas, Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Metodo de obtencion de oxidos conductores electricos y transparentes mediante pulverizacion catodica. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2261601A1 (en) * | 1974-02-15 | 1975-09-12 | Thomson Csf | Method of forming conductive layers - uses varying pressures of oxygen during ion bombardment of target |
-
1990
- 1990-06-19 EP EP19900111587 patent/EP0405304A3/de not_active Withdrawn
- 1990-06-22 JP JP2163050A patent/JPH0336703A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0781076A2 (en) | 1995-12-20 | 1997-06-25 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Transparent conductive laminate and electroluminescence element |
| US6351068B2 (en) | 1995-12-20 | 2002-02-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0405304A3 (en) | 1992-06-03 |
| EP0405304A2 (de) | 1991-01-02 |
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