JP2002012964A - 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット - Google Patents
透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲットInfo
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低抵抗で耐擦傷性の高い酸化錫系透明導電膜と
その製造方法およびスパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫
系の透明導電膜であって、Ｇａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳ
ｎＯ2 との総量に対して、ガリウムをＧａ2 Ｏ3換算で
０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ2 Ｏ
3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその
製造方法およびスパッタリングターゲット。
その製造方法およびスパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫
系の透明導電膜であって、Ｇａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳ
ｎＯ2 との総量に対して、ガリウムをＧａ2 Ｏ3換算で
０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ2 Ｏ
3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその
製造方法およびスパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜とその
製造方法およびスパッタリングターゲットに関する。
製造方法およびスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は高い可視光透過率と高い導
電性を合わせ持ち、液晶表示素子、プラズマ発光素子な
どの表示素子の透明電極、太陽電池の透明電極、自動車
および建築用ガラスの熱線反射膜、ＣＲＴの帯電防止膜
あるいは冷凍冷蔵ショーケースをはじめとする各種防曇
用の透明発熱体として広く利用されている。
電性を合わせ持ち、液晶表示素子、プラズマ発光素子な
どの表示素子の透明電極、太陽電池の透明電極、自動車
および建築用ガラスの熱線反射膜、ＣＲＴの帯電防止膜
あるいは冷凍冷蔵ショーケースをはじめとする各種防曇
用の透明発熱体として広く利用されている。
【０００３】従来、透明導電膜としては、ＩＴＯ（錫ド
ープ酸化インジウム）が低抵抗膜が容易に得られること
から主として表示素子用電極として広く使われている。
また、そのほかに、低コストの酸化亜鉛系透明導電膜
や、低コストで耐薬品性の高い酸化錫系透明導電膜が知
られている。
ープ酸化インジウム）が低抵抗膜が容易に得られること
から主として表示素子用電極として広く使われている。
また、そのほかに、低コストの酸化亜鉛系透明導電膜
や、低コストで耐薬品性の高い酸化錫系透明導電膜が知
られている。
【０００４】従来の透明導電膜材料の問題点として、Ｉ
ＴＯは、その主成分であるインジウムが高価であり、低
コスト化の障害になっている。酸化亜鉛系については、
酸やアルカリなどに対する耐薬品性が低く、酸化亜鉛系
透明導電膜の表示素子など工業製品への応用を困難にし
ている。
ＴＯは、その主成分であるインジウムが高価であり、低
コスト化の障害になっている。酸化亜鉛系については、
酸やアルカリなどに対する耐薬品性が低く、酸化亜鉛系
透明導電膜の表示素子など工業製品への応用を困難にし
ている。
【０００５】酸化錫系については、工業的製法としてス
プレー法あるいはＣＶＤ法で作製されているが、膜厚を
均一に成膜するのは困難であり、また、成膜時に生成す
る塩素や塩化水素などの廃液あるいは排ガスによる環境
汚染の問題があった。このように酸化錫系透明導電膜は
前記したように有用である一方、種々の問題を有する。
また、結晶質の酸化錫系の膜は、耐擦傷性が低いという
問題があった。耐擦傷性が低い理由として、膜の表面
に、結晶成長のときに形成される微細な凹凸があり、こ
れが引っかかりとなっているためと考えられる。
プレー法あるいはＣＶＤ法で作製されているが、膜厚を
均一に成膜するのは困難であり、また、成膜時に生成す
る塩素や塩化水素などの廃液あるいは排ガスによる環境
汚染の問題があった。このように酸化錫系透明導電膜は
前記したように有用である一方、種々の問題を有する。
また、結晶質の酸化錫系の膜は、耐擦傷性が低いという
問題があった。耐擦傷性が低い理由として、膜の表面
に、結晶成長のときに形成される微細な凹凸があり、こ
れが引っかかりとなっているためと考えられる。
【０００６】ところで一般に、大面積の成膜法として
は、均一な薄膜が得られやすく、環境汚染の少ないスパ
ッタリング法が適している。スパッタリング法には、大
きく分けて高周波電源を使用する高周波（ＲＦ）スパッ
タリング法と、直流電源を使用する直流（ＤＣ）スパッ
タリング法がある。ＲＦスパッタリング法は、ターゲッ
トに電気絶縁性の材料を使用できる点で優れているが、
高周波電源は価格も高く、構造が複雑で、大面積の成膜
には好ましくない。
は、均一な薄膜が得られやすく、環境汚染の少ないスパ
ッタリング法が適している。スパッタリング法には、大
きく分けて高周波電源を使用する高周波（ＲＦ）スパッ
タリング法と、直流電源を使用する直流（ＤＣ）スパッ
タリング法がある。ＲＦスパッタリング法は、ターゲッ
トに電気絶縁性の材料を使用できる点で優れているが、
高周波電源は価格も高く、構造が複雑で、大面積の成膜
には好ましくない。
【０００７】ＤＣスパッタリング法は、ターゲット材が
良導電性の材料に限られるが、装置構造が簡単な直流電
源を使用するので操作しやすく、工業的成膜法としては
ＤＣスパッタリング法の方が好ましい。特開平１−９７
３１５に、スパッタリング法による酸化錫導電膜の形成
方法が提案されているが、ＲＦスパッタリング法につい
てのみ記載されており、ＤＣスパッタリング法を採用す
るには至っていない。また、膜の比抵抗も８×１０-3Ω
ｃｍ以上の比較的高抵抗の膜しか得られていない。
良導電性の材料に限られるが、装置構造が簡単な直流電
源を使用するので操作しやすく、工業的成膜法としては
ＤＣスパッタリング法の方が好ましい。特開平１−９７
３１５に、スパッタリング法による酸化錫導電膜の形成
方法が提案されているが、ＲＦスパッタリング法につい
てのみ記載されており、ＤＣスパッタリング法を採用す
るには至っていない。また、膜の比抵抗も８×１０-3Ω
ｃｍ以上の比較的高抵抗の膜しか得られていない。
【０００８】また、特開平７−３３５０３０に、透明導
電性酸化物がＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、およびＧ
ａ2 Ｏ3 からなる群より選択された１種または複数種か
らなる透明導電性酸化物を提案しているが、酸化錫を主
成分とした複合酸化物の記載はない。
電性酸化物がＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、およびＧ
ａ2 Ｏ3 からなる群より選択された１種または複数種か
らなる透明導電性酸化物を提案しているが、酸化錫を主
成分とした複合酸化物の記載はない。
【０００９】また、特開平４−２７２６１２に、ガリウ
ムをドープしたＩＴＯを提案しているが、酸化インジウ
ムが主成分であり、酸化錫は主成分ではない。
ムをドープしたＩＴＯを提案しているが、酸化インジウ
ムが主成分であり、酸化錫は主成分ではない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
前述の欠点を解消するものであり、低抵抗で耐擦傷性の
高い酸化錫系透明導電膜とその製造方法および該酸化錫
系透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲッ
トの提供を目的とする。
前述の欠点を解消するものであり、低抵抗で耐擦傷性の
高い酸化錫系透明導電膜とその製造方法および該酸化錫
系透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲッ
トの提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガリウムとイ
ンジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、
ガリウムをＧａ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 と
ＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル％含有し、
かつインジウムをＩｎ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3とＩｎ2
Ｏ3 とＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル％含
有することを特徴とする透明導電膜を提供する。
ンジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、
ガリウムをＧａ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 と
ＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル％含有し、
かつインジウムをＩｎ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3とＩｎ2
Ｏ3 とＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル％含
有することを特徴とする透明導電膜を提供する。
【００１２】ガリウムとインジウムのいずれかが０．１
原子％未満であると、膜の比抵抗が高くなり、また、膜
が結晶性となる。また、いずれかが３０原子％より大き
くなると、膜の比抵抗が高くなる。
原子％未満であると、膜の比抵抗が高くなり、また、膜
が結晶性となる。また、いずれかが３０原子％より大き
くなると、膜の比抵抗が高くなる。
【００１３】より低抵抗の膜が得られることから、ガリ
ウムの含有割合が、Ｇａ2 Ｏ3 換算で１〜１５モル％
で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ2 Ｏ3 換算で１
〜１５モル％であることが好ましい。
ウムの含有割合が、Ｇａ2 Ｏ3 換算で１〜１５モル％
で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ2 Ｏ3 換算で１
〜１５モル％であることが好ましい。
【００１４】また、より低抵抗の膜が得られることか
ら、アンチモンおよび／またはテルルを、アンチモンは
Ｓｂ2 Ｏ5 換算で、テルルはＴｅＯ2 換算で、Ｓｂ2 Ｏ
5 とＴｅＯ2 とＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との
総量に対して１０モル％以下含むことが好ましい。１０
モル％より多くなると抵抗が高くなる傾向にある。本発
明における膜の比抵抗は、実用的な観点から１Ωｃｍ以
下であることが好ましい。特に、所定の抵抗値を得るた
めにより膜厚を薄くできコストを低減できることから、
１０-2Ωｃｍ以下であることが好ましい。
ら、アンチモンおよび／またはテルルを、アンチモンは
Ｓｂ2 Ｏ5 換算で、テルルはＴｅＯ2 換算で、Ｓｂ2 Ｏ
5 とＴｅＯ2 とＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との
総量に対して１０モル％以下含むことが好ましい。１０
モル％より多くなると抵抗が高くなる傾向にある。本発
明における膜の比抵抗は、実用的な観点から１Ωｃｍ以
下であることが好ましい。特に、所定の抵抗値を得るた
めにより膜厚を薄くできコストを低減できることから、
１０-2Ωｃｍ以下であることが好ましい。
【００１５】本発明は、また、ガリウムとインジウムと
を含有する酸化錫系のスパッタリングターゲットであっ
て、ガリウムをＧａ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ
3 とＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル％含有
し、かつインジウムをＩｎ2Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩ
ｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル
％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット
を提供する。
を含有する酸化錫系のスパッタリングターゲットであっ
て、ガリウムをＧａ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ
3 とＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル％含有
し、かつインジウムをＩｎ2Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩ
ｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との総量に対して０．１〜３０モル
％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット
を提供する。
【００１６】ガリウムとインジウムのいずれかが０．１
原子％未満であると、成膜した膜の比抵抗が高くなり、
また、膜が結晶性となる。また、いずれかが３０原子％
より大きくなると、膜の比抵抗が高くなる。
原子％未満であると、成膜した膜の比抵抗が高くなり、
また、膜が結晶性となる。また、いずれかが３０原子％
より大きくなると、膜の比抵抗が高くなる。
【００１７】得られる膜がより低抵抗となることから、
ガリウムの含有割合が、Ｇａ2 Ｏ3換算で１〜１５モル
％で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ2 Ｏ3 換算で
１〜１５モル％であることが好ましい。
ガリウムの含有割合が、Ｇａ2 Ｏ3換算で１〜１５モル
％で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ2 Ｏ3 換算で
１〜１５モル％であることが好ましい。
【００１８】また、より低抵抗の膜が得られることか
ら、アンチモンおよび／またはテルルを、アンチモンは
Ｓｂ2 Ｏ5 換算で、テルルはＴｅＯ2 換算で、Ｓｂ2 Ｏ
5 とＴｅＯ2 とＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との
総量に対して１０モル％以下含むことが好ましい。１０
モル％より多くなるとターゲットおよび得られる膜の抵
抗が高くなる傾向にある。さらに、ターゲットの密度
（緻密さ）が低下し、スパッタリング時の放電が不安定
になる傾向にある。安定なスパッタリング放電を行うう
えでは、スパッタリングターゲットの比抵抗は１Ωｃｍ
以下であることが好ましい。
ら、アンチモンおよび／またはテルルを、アンチモンは
Ｓｂ2 Ｏ5 換算で、テルルはＴｅＯ2 換算で、Ｓｂ2 Ｏ
5 とＴｅＯ2 とＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との
総量に対して１０モル％以下含むことが好ましい。１０
モル％より多くなるとターゲットおよび得られる膜の抵
抗が高くなる傾向にある。さらに、ターゲットの密度
（緻密さ）が低下し、スパッタリング時の放電が不安定
になる傾向にある。安定なスパッタリング放電を行うう
えでは、スパッタリングターゲットの比抵抗は１Ωｃｍ
以下であることが好ましい。
【００１９】ターゲット中のガリウムは、酸化物状態あ
るいは固溶状態で存在していることが好ましい。ここ
で、酸化物状態とは、三酸化ガリウム（Ｇａ2 Ｏ3 ）の
状態、あるいは、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）および
／または酸化錫（ＳｎＯ2 ）との複合酸化物の状態を意
味している。固溶状態とは、ガリウムが固溶した酸化錫
（ＳｎＯ2 ）および／またはガリウムが固溶した酸化イ
ンジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）の状態を意味している。大部分
はＳｎＯ2 またはＩｎ2 Ｏ3 へ固溶した状態で存在して
いると考えられる。
るいは固溶状態で存在していることが好ましい。ここ
で、酸化物状態とは、三酸化ガリウム（Ｇａ2 Ｏ3 ）の
状態、あるいは、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）および
／または酸化錫（ＳｎＯ2 ）との複合酸化物の状態を意
味している。固溶状態とは、ガリウムが固溶した酸化錫
（ＳｎＯ2 ）および／またはガリウムが固溶した酸化イ
ンジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）の状態を意味している。大部分
はＳｎＯ2 またはＩｎ2 Ｏ3 へ固溶した状態で存在して
いると考えられる。
【００２０】ターゲット中のインジウムは、酸化物状態
あるいは固溶状態で存在していることが好ましい。ここ
で、酸化物状態とは、Ｉｎ2 Ｏ3 （ＳｎＯ2 またはＧａ
2 Ｏ3 が固溶していてもよい）の状態、あるいはＳｎＯ
2 および／またはＧａ2 Ｏ3との複合酸化物の状態を意
味している。固溶状態とは、インジウムが固溶したＳｎ
Ｏ2 および／またはインジウムが固溶したＧａ2 Ｏ3 を
意味している。大部分は、Ｉｎ2 Ｏ3 （ＳｎＯ2 または
Ｇａ2 Ｏ3 が固溶していてもよい）の状態またはＳｎＯ
2 へ固溶した状態で存在していると考えられる。
あるいは固溶状態で存在していることが好ましい。ここ
で、酸化物状態とは、Ｉｎ2 Ｏ3 （ＳｎＯ2 またはＧａ
2 Ｏ3 が固溶していてもよい）の状態、あるいはＳｎＯ
2 および／またはＧａ2 Ｏ3との複合酸化物の状態を意
味している。固溶状態とは、インジウムが固溶したＳｎ
Ｏ2 および／またはインジウムが固溶したＧａ2 Ｏ3 を
意味している。大部分は、Ｉｎ2 Ｏ3 （ＳｎＯ2 または
Ｇａ2 Ｏ3 が固溶していてもよい）の状態またはＳｎＯ
2 へ固溶した状態で存在していると考えられる。
【００２１】ガリウムおよびインジウムは、酸化物状態
あるいは固溶状態で存在することが透明膜を作製しやす
い点で好ましいが、支障がない程度で酸化物状態あるい
は固溶状態以外の状態、たとえば、金属、炭化物、窒化
物等で含まれていても本発明を損なうものではない。
あるいは固溶状態で存在することが透明膜を作製しやす
い点で好ましいが、支障がない程度で酸化物状態あるい
は固溶状態以外の状態、たとえば、金属、炭化物、窒化
物等で含まれていても本発明を損なうものではない。
【００２２】スパッタリングターゲット中のガリウムお
よびインジウムが酸化物状態で存在する場合、その酸化
物の結晶粒子の最大粒径は２００μｍ以下であることが
好ましい。粒径が２００μｍより大きい酸化物粒子が存
在すると、スパッタリングの放電が不安定となるため好
ましくない。
よびインジウムが酸化物状態で存在する場合、その酸化
物の結晶粒子の最大粒径は２００μｍ以下であることが
好ましい。粒径が２００μｍより大きい酸化物粒子が存
在すると、スパッタリングの放電が不安定となるため好
ましくない。
【００２３】本発明のターゲットには他の成分が本発明
の目的、効果を損なわない範囲において含まれていても
支障ないが可及的に少量にとどめることが望ましい。
の目的、効果を損なわない範囲において含まれていても
支障ないが可及的に少量にとどめることが望ましい。
【００２４】膜の組成は、ターゲットの組成と基本的に
は、ほぼ一致するが、成膜時のスパッタリング条件等に
より膜の組成はターゲットの組成からずれることもあ
る。
は、ほぼ一致するが、成膜時のスパッタリング条件等に
より膜の組成はターゲットの組成からずれることもあ
る。
【００２５】本発明のターゲットは、たとえば常圧焼結
法, ホットプレス法などの一般にセラミックスを作製す
る方法で作製できるが、緻密なターゲットを作製できる
ことから、空気などの酸素を含む雰囲気下で焼結するこ
とが好ましい。たとえば空気中で１３００〜１６００℃
の温度条件で常圧焼結する。あるいは、８００〜１１０
０℃の条件で非酸化雰囲気でホットプレスする。
法, ホットプレス法などの一般にセラミックスを作製す
る方法で作製できるが、緻密なターゲットを作製できる
ことから、空気などの酸素を含む雰囲気下で焼結するこ
とが好ましい。たとえば空気中で１３００〜１６００℃
の温度条件で常圧焼結する。あるいは、８００〜１１０
０℃の条件で非酸化雰囲気でホットプレスする。
【００２６】また、本発明のターゲットは、高い導電性
を有していることから、大面積の成膜が可能で、成膜速
度が速い直流スパッタリングに充分対応できる他、高周
波スパッタリング等いずれのスパッタリング法にも対応
できる。
を有していることから、大面積の成膜が可能で、成膜速
度が速い直流スパッタリングに充分対応できる他、高周
波スパッタリング等いずれのスパッタリング法にも対応
できる。
【００２７】本発明における透明導電膜は、膜厚が３ｎ
ｍ〜５μｍの範囲、好ましくは、３〜３００ｎｍの範囲
にあることが好ましい。
ｍ〜５μｍの範囲、好ましくは、３〜３００ｎｍの範囲
にあることが好ましい。
【００２８】膜厚が５μｍを超えると成膜時間が長くな
り、コスト増加を招く。膜厚が３ｎｍより薄いと比抵抗
が高くなる。
り、コスト増加を招く。膜厚が３ｎｍより薄いと比抵抗
が高くなる。
【００２９】本発明の透明発熱体においては、外観を調
整する目的で、透明導電膜層と基体の間に１層以上のア
ンダーコート膜、あるいは透明導電膜層の上に、１層以
上のオーバーコート膜を設けて、光の干渉現象や膜の吸
収を利用して透過・反射色調や可視光線反射率の調整す
ることが可能である。
整する目的で、透明導電膜層と基体の間に１層以上のア
ンダーコート膜、あるいは透明導電膜層の上に、１層以
上のオーバーコート膜を設けて、光の干渉現象や膜の吸
収を利用して透過・反射色調や可視光線反射率の調整す
ることが可能である。
【００３０】本発明は、また、スパッタリング法により
基体上に酸化錫を主成分とする透明導電膜を製造する方
法において、スパッタリングターゲットとして、前記の
スパッタリングターゲットを用いることを特徴とする透
明導電膜の製造方法を提供する。
基体上に酸化錫を主成分とする透明導電膜を製造する方
法において、スパッタリングターゲットとして、前記の
スパッタリングターゲットを用いることを特徴とする透
明導電膜の製造方法を提供する。
【００３１】本発明においては、酸化性ガスを含む雰囲
気下でスパッタリングすることが好ましい。酸化性ガス
とは、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 などの酸素原子含有
ガスを意味する。酸化性ガスの濃度は、膜の導電性、光
透過率などの膜の特性に大きく影響する。したがって、
酸化性ガスの濃度は装置、基板温度、背圧などの使用す
る条件で、最適化する必要がある。
気下でスパッタリングすることが好ましい。酸化性ガス
とは、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2 などの酸素原子含有
ガスを意味する。酸化性ガスの濃度は、膜の導電性、光
透過率などの膜の特性に大きく影響する。したがって、
酸化性ガスの濃度は装置、基板温度、背圧などの使用す
る条件で、最適化する必要がある。
【００３２】スパッタリング法としては、ＤＣ方式、Ｒ
Ｆ方式などあらゆる放電方式で行うことができるが、工
業的な生産性の優れたＤＣスパッタリングが好ましい。
Ｆ方式などあらゆる放電方式で行うことができるが、工
業的な生産性の優れたＤＣスパッタリングが好ましい。
【００３３】成膜される基体としては、ガラス、セラミ
ックス、プラスチック、金属などが挙げられる。成膜中
の基体の温度は、特に制約されないが、非晶質膜を得ら
れやすいという点で、３００℃以下であることが好まし
い。また、成膜後、基体を後加熱（熱処理）することも
できる。
ックス、プラスチック、金属などが挙げられる。成膜中
の基体の温度は、特に制約されないが、非晶質膜を得ら
れやすいという点で、３００℃以下であることが好まし
い。また、成膜後、基体を後加熱（熱処理）することも
できる。
【００３４】
【作用】ターゲットを製造する際、酸化ガリウムおよび
酸化インジウムは、主成分である酸化錫を焼結するとき
の焼結を促進する助剤として働く。このとき、酸化ガリ
ウムと酸化インジウムがお互いの作用を強め合う。ま
た、酸化ガリウムと酸化インジウムは、ターゲットに導
電性を付与する添加物としても働く。この場合も、酸化
ガリウムと酸化インジウムがお互いの作用を強め合い、
より低抵抗化する。
酸化インジウムは、主成分である酸化錫を焼結するとき
の焼結を促進する助剤として働く。このとき、酸化ガリ
ウムと酸化インジウムがお互いの作用を強め合う。ま
た、酸化ガリウムと酸化インジウムは、ターゲットに導
電性を付与する添加物としても働く。この場合も、酸化
ガリウムと酸化インジウムがお互いの作用を強め合い、
より低抵抗化する。
【００３５】また、本発明の透明導電膜においても、タ
ーゲットと同様に酸化ガリウムと酸化インジウムは、膜
に導電性を付与する添加物として働く。この場合も、酸
化ガリウムと酸化インジウムがお互いの作用を強め合
い、より低抵抗化する。また、酸化ガリウムと酸化イン
ジウムは、膜を不純物効果により非晶質化するように働
く。
ーゲットと同様に酸化ガリウムと酸化インジウムは、膜
に導電性を付与する添加物として働く。この場合も、酸
化ガリウムと酸化インジウムがお互いの作用を強め合
い、より低抵抗化する。また、酸化ガリウムと酸化イン
ジウムは、膜を不純物効果により非晶質化するように働
く。
【００３６】また、アンチモンおよびテルルは、膜およ
びターゲット中のキャリア電子を増加するように働き、
膜およびターゲットを低抵抗化する。
びターゲット中のキャリア電子を増加するように働き、
膜およびターゲットを低抵抗化する。
【００３７】
【実施例】（例１〜１５）Ｇａ2 Ｏ3 粉末、Ｉｎ2 Ｏ3
粉末およびＳｎＯ2 粉末を用意し、これら粉末を表１に
示す割合で、乾式ボールミルで混合した。
粉末およびＳｎＯ2 粉末を用意し、これら粉末を表１に
示す割合で、乾式ボールミルで混合した。
【００３８】この混合粉末をゴム型に充填し、冷間等方
プレス装置（ＣＩＰ装置）で加圧成形し、その後、空気
中で１５００℃の温度で焼成した。この焼結体（ターゲ
ット）の密度および比抵抗を表１に示す。密度はアルキ
メデス法で、比抵抗は、３×３×３０ｍｍの角柱サンプ
ルを切り出し、４端子法で測定した。
プレス装置（ＣＩＰ装置）で加圧成形し、その後、空気
中で１５００℃の温度で焼成した。この焼結体（ターゲ
ット）の密度および比抵抗を表１に示す。密度はアルキ
メデス法で、比抵抗は、３×３×３０ｍｍの角柱サンプ
ルを切り出し、４端子法で測定した。
【００３９】つぎに、前述の焼結体を直径６インチ、厚
さ５ｍｍの寸法に切り出し、ターゲットを作製した。
（以下、ＧＩＴターゲットと呼ぶ）これら各種ＧＩＴタ
ーゲットを用いて、マグネトロンＤＣ（直流）スパッタ
リング装置を使用して、Ｇａ2 Ｏ3 −Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 系（以下、ＧＩＴ膜と呼ぶ）の成膜を、投入電力：
５００Ｗ、導入ガス：Ａｒ−ＣＯ2 混合ガス、圧力：４
×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度：無加熱の条件で行った。
基体には、ソーダライムガラスを用いた。幾何学的膜厚
はおよそ１０ｎｍとなるように行った。
さ５ｍｍの寸法に切り出し、ターゲットを作製した。
（以下、ＧＩＴターゲットと呼ぶ）これら各種ＧＩＴタ
ーゲットを用いて、マグネトロンＤＣ（直流）スパッタ
リング装置を使用して、Ｇａ2 Ｏ3 −Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 系（以下、ＧＩＴ膜と呼ぶ）の成膜を、投入電力：
５００Ｗ、導入ガス：Ａｒ−ＣＯ2 混合ガス、圧力：４
×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度：無加熱の条件で行った。
基体には、ソーダライムガラスを用いた。幾何学的膜厚
はおよそ１０ｎｍとなるように行った。
【００４０】例１〜１５では、ＣＯ2 濃度の最適値は、
１０〜４０体積％（導入ガスのアルゴンと酸素の合計に
対する割合）であった。得られた各種の膜の比抵抗と透
過率を表２に示す。
１０〜４０体積％（導入ガスのアルゴンと酸素の合計に
対する割合）であった。得られた各種の膜の比抵抗と透
過率を表２に示す。
【００４１】表２の膜組成は、ＩＣＰ法で測定した。こ
の場合、ターゲットの組成と、膜の組成はほぼ一致して
いた。
の場合、ターゲットの組成と、膜の組成はほぼ一致して
いた。
【００４２】Ｘ線回折計により、膜の同定を行った。例
１〜１５すべて、Ｘ線回折パターンはフラットであり、
膜は非晶質であった。図１に、例２で得られた膜のＸ線
回折パターンを代表して示す。
１〜１５すべて、Ｘ線回折パターンはフラットであり、
膜は非晶質であった。図１に、例２で得られた膜のＸ線
回折パターンを代表して示す。
【００４３】（例１６〜１９）Ｓｂ2 Ｏ5 粉末、または
ＴｅＯ2 粉末を加えた系についても検討した。粉末の混
合割合は表１に示すとおりである。例１〜１５と同様
に、ターゲットを作製した。この焼結体（ターゲット）
の密度および比抵抗を表１に示す。
ＴｅＯ2 粉末を加えた系についても検討した。粉末の混
合割合は表１に示すとおりである。例１〜１５と同様
に、ターゲットを作製した。この焼結体（ターゲット）
の密度および比抵抗を表１に示す。
【００４４】例１〜１５と同様の条件で、マグネトロン
ＤＣ（直流）スパッタリング装置を使用して、成膜を行
った。このときの膜の比抵抗と透過率を表２に示す。
ＤＣ（直流）スパッタリング装置を使用して、成膜を行
った。このときの膜の比抵抗と透過率を表２に示す。
【００４５】表２の膜組成は、ＩＣＰ法で測定した。こ
の場合、膜中のＳｂ2 Ｏ5 およびＴｅＯ2 は、ターゲッ
トの原料仕込み量と比較すると膜の組成はかなり少なく
なっていた。
の場合、膜中のＳｂ2 Ｏ5 およびＴｅＯ2 は、ターゲッ
トの原料仕込み量と比較すると膜の組成はかなり少なく
なっていた。
【００４６】Ｘ線回折計により、膜の同定を行った。例
１６〜１９すべて、Ｘ線回折パターンはフラットであ
り、膜は非晶質であった。
１６〜１９すべて、Ｘ線回折パターンはフラットであ
り、膜は非晶質であった。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【発明の効果】本発明の透明導電膜は、耐薬品性に富
む、酸化錫が主成分であり、高い耐酸性、耐アルカリ性
などの耐薬品性が優れる。
む、酸化錫が主成分であり、高い耐酸性、耐アルカリ性
などの耐薬品性が優れる。
【００５０】さらに、膜が非晶質なので、表面の凹凸が
なく、滑らかであるので、耐擦傷性に富み、かつ、導電
性であるので、絶縁物のオーバーコートに用いることに
より、高耐久の帯電防止膜としての効果を有する。特
に、基板加熱しなくても、透明な膜が得られるので、プ
ラスチックフィルムなどの保護膜機能を兼ね備えた帯電
防止膜に利用できる。
なく、滑らかであるので、耐擦傷性に富み、かつ、導電
性であるので、絶縁物のオーバーコートに用いることに
より、高耐久の帯電防止膜としての効果を有する。特
に、基板加熱しなくても、透明な膜が得られるので、プ
ラスチックフィルムなどの保護膜機能を兼ね備えた帯電
防止膜に利用できる。
【００５１】また、本発明のターゲットは、導電性であ
り、成膜速度が速いＤＣスパッタリングが可能である、
しかもターゲットは緻密質であり、安定した放電でスパ
ッタリングできる。
り、成膜速度が速いＤＣスパッタリングが可能である、
しかもターゲットは緻密質であり、安定した放電でスパ
ッタリングできる。
【図１】本発明の例２における膜のＸ線回折パターン
Claims (7)
- 【請求項１】ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫
系の透明導電膜であって、ガリウムをＧａ2 Ｏ3 換算で
Ｇａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との総量に対して
０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ2 Ｏ
3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との総量に
対して０．１〜３０モル％含有することを特徴とする透
明導電膜。 - 【請求項２】ガリウムの含有割合が、Ｇａ2 Ｏ3 換算で
１〜１５モル％で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ
2 Ｏ3 換算で１〜１５モル％である請求項１記載の透明
導電膜。 - 【請求項３】アンチモンおよび／またはテルルを、アン
チモンはＳｂ2 Ｏ5 換算で、テルルはＴｅＯ2 換算で、
Ｓｂ2 Ｏ5 とＴｅＯ2 とＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎ
Ｏ2との総量に対して１０モル％以下含む請求項１また
は２記載の透明導電膜。 - 【請求項４】ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫
系のスパッタリングターゲットであって、ガリウムをＧ
ａ2 Ｏ3 換算でＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との
総量に対して０．１〜３０モル％含有し、かつインジウ
ムをＩｎ2 Ｏ3 換算でＧａ2Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2
との総量に対して０．１〜３０モル％含有することを
特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項５】ガリウムの含有割合が、Ｇａ2 Ｏ3 換算で
１〜１５モル％で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ
2 Ｏ3 換算で１〜１５モル％である請求項４記載のスパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項６】アンチモンおよび／またはテルルを、アン
チモンはＳｂ2 Ｏ5 換算で、テルルはＴｅＯ2 換算で、
Ｓｂ2 Ｏ5 とＴｅＯ2 とＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎ
Ｏ2との総量に対して１０モル％以下含む請求項４また
は５記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項７】スパッタリング法により基体上に酸化錫を
主成分とする透明導電膜を製造する方法において、スパ
ッタリングターゲットとして、請求項４〜６いずれか１
項記載のスパッタリングターゲットを用いることを特徴
とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03813397A JP3925977B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット |
| PCT/JP1998/000708 WO1998037255A1 (fr) | 1997-02-21 | 1998-02-20 | Film transparent conducteur, cible pour metallisation sous vide et substrat revetu dudit film |
| EP98904403A EP1004687B1 (en) | 1997-02-21 | 1998-02-20 | SUBSTRATE COATED WITH A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM and SPUTTERING TARGET FOR THE DEPOSITION OF SAID FILM |
| DE69820639T DE69820639T2 (de) | 1997-02-21 | 1998-02-20 | Substrat mit einem durchsichtigen, leitfähigen Film beschichtet ist und Sputtertarget zur Abscheidung des Films |
| US09/175,964 US6042752A (en) | 1997-02-21 | 1998-10-21 | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03813397A JP3925977B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002012964A true JP2002012964A (ja) | 2002-01-15 |
| JP3925977B2 JP3925977B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=12516947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03813397A Expired - Fee Related JP3925977B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1004687B1 (ja) |
| JP (1) | JP3925977B2 (ja) |
| DE (1) | DE69820639T2 (ja) |
| WO (1) | WO1998037255A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006289901A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Asahi Glass Co Ltd | 反射防止フィルムおよびディスプレイ装置 |
| JPWO2006030762A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2008-05-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス |
| JP2013507526A (ja) * | 2009-10-15 | 2013-03-04 | ユミコア エセ．アー． | 酸化スズセラミックスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JPWO2013027391A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2015-03-05 | 出光興産株式会社 | Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ系酸化物焼結体 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100396813C (zh) * | 2002-08-02 | 2008-06-25 | 出光兴产株式会社 | 溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机el元件及其所用的衬底 |
| JP6724057B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2020-07-15 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750568B2 (ja) * | 1987-01-20 | 1995-05-31 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
| JPH04272612A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明電極 |
| JPH04277408A (ja) * | 1991-03-01 | 1992-10-02 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明電極 |
| JP2707478B2 (ja) * | 1992-08-24 | 1998-01-28 | 新日本製鐵株式会社 | 高耐食性複層電気めっき鋼板 |
| US5407602A (en) * | 1993-10-27 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Transparent conductors comprising gallium-indium-oxide |
| US5473456A (en) * | 1993-10-27 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Method for growing transparent conductive gallium-indium-oxide films by sputtering |
| JP3583163B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2004-10-27 | 出光興産株式会社 | 導電性積層体 |
| JPH08264022A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Gunze Ltd | 透明導電膜 |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP03813397A patent/JP3925977B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-20 EP EP98904403A patent/EP1004687B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 DE DE69820639T patent/DE69820639T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 WO PCT/JP1998/000708 patent/WO1998037255A1/ja active IP Right Grant
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006030762A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2008-05-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス |
| US8728615B2 (en) | 2004-09-13 | 2014-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film and method of fabricating the same, transparent conductive base material, and light-emitting device |
| JP2006289901A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Asahi Glass Co Ltd | 反射防止フィルムおよびディスプレイ装置 |
| JP2013507526A (ja) * | 2009-10-15 | 2013-03-04 | ユミコア エセ．アー． | 酸化スズセラミックスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JPWO2013027391A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2015-03-05 | 出光興産株式会社 | Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ系酸化物焼結体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3925977B2 (ja) | 2007-06-06 |
| EP1004687A4 (en) | 2001-05-23 |
| DE69820639T2 (de) | 2004-10-14 |
| EP1004687B1 (en) | 2003-12-17 |
| EP1004687A1 (en) | 2000-05-31 |
| DE69820639D1 (de) | 2004-01-29 |
| WO1998037255A1 (fr) | 1998-08-27 |
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