JP2000256060A - 透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム - Google Patents
透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルムInfo
- Publication number
- JP2000256060A JP2000256060A JP11058384A JP5838499A JP2000256060A JP 2000256060 A JP2000256060 A JP 2000256060A JP 11058384 A JP11058384 A JP 11058384A JP 5838499 A JP5838499 A JP 5838499A JP 2000256060 A JP2000256060 A JP 2000256060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- oxide
- conductive film
- sintered body
- production
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、透明性と導電性に優れるととも
に、仕事関数が有機化合物のイオン化ポテンシャルの値
と同等で有機エレクトロルミネッセンス素子の電極に用
いたとき、正孔注入効率が高く長期間安定した発光状態
を維持することのできる透明導電材料と、そのスパッタ
リング用ターゲット、透明導電膜を有する透明導電ガラ
ス、透明導電フィルムを提供すること。 【解決手段】酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が
それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を全金属原子に対して０．５〜１０原子
％含有させた組成物からなる透明導電材料、そのスパッ
タリング用ターゲット、透明導電膜を有する透明導電ガ
ラスおよび透明導電フィルム。
に、仕事関数が有機化合物のイオン化ポテンシャルの値
と同等で有機エレクトロルミネッセンス素子の電極に用
いたとき、正孔注入効率が高く長期間安定した発光状態
を維持することのできる透明導電材料と、そのスパッタ
リング用ターゲット、透明導電膜を有する透明導電ガラ
ス、透明導電フィルムを提供すること。 【解決手段】酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が
それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を全金属原子に対して０．５〜１０原子
％含有させた組成物からなる透明導電材料、そのスパッ
タリング用ターゲット、透明導電膜を有する透明導電ガ
ラスおよび透明導電フィルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に用いる
透明導電膜を製造するための透明導電材料と、そのスパ
ッタリング用ターゲット、該透明導電膜を有する透明導
電ガラスおよび透明導電フィルムに関する。
透明導電膜を製造するための透明導電材料と、そのスパ
ッタリング用ターゲット、該透明導電膜を有する透明導
電ガラスおよび透明導電フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置として、従来のＣＲＴよ
りも低消費電力化され、かつ薄型で軽量化された液晶表
示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィール
ドエミッションディスプレイなどが、事務機器や工場に
おける制御システム用に開発されている。
りも低消費電力化され、かつ薄型で軽量化された液晶表
示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィール
ドエミッションディスプレイなどが、事務機器や工場に
おける制御システム用に開発されている。
【０００３】このような平面発光ディスプレイ、例えば
エレクトロルミネッセンス表示装置においては、有機化
合物を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子の開
発が著しく進展している。この有機エレクトロルミネッ
センス素子の構造としては、透明導電膜からなる陽極と
陰極の間に、有機化合物層からなる発光層を形成してな
る単層構造、あるいは陽極と陰極の間に、正孔輸送層と
発光層の２層を形成した２層構造、さらには陽極と陰極
の間に、正孔輸送層と発光層および電子輸送層を形成し
た３層構造などの素子構造を有するものが用いられてい
る。そして、このような有機エレクトロルミネッセンス
素子は、いずれの素子構造を有する場合においても、陽
極から注入された正孔と陰極から注入された電子が、正
孔輸送層あるいは電子輸送層を介して発光層に到達し、
この発光層においてこれら正孔と電子を再結合させて発
光させるようにしてある。
エレクトロルミネッセンス表示装置においては、有機化
合物を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子の開
発が著しく進展している。この有機エレクトロルミネッ
センス素子の構造としては、透明導電膜からなる陽極と
陰極の間に、有機化合物層からなる発光層を形成してな
る単層構造、あるいは陽極と陰極の間に、正孔輸送層と
発光層の２層を形成した２層構造、さらには陽極と陰極
の間に、正孔輸送層と発光層および電子輸送層を形成し
た３層構造などの素子構造を有するものが用いられてい
る。そして、このような有機エレクトロルミネッセンス
素子は、いずれの素子構造を有する場合においても、陽
極から注入された正孔と陰極から注入された電子が、正
孔輸送層あるいは電子輸送層を介して発光層に到達し、
この発光層においてこれら正孔と電子を再結合させて発
光させるようにしてある。
【０００４】このように、有機エレクトロルミネッセン
ス素子の陽極から正孔輸送層を介して正孔が発光層に注
入される際には、この陽極と正孔輸送層の間にエネルギ
ー障壁ができるだけ少ないことが望ましい。このエネル
ギー障壁を少なくするためには、陽極材料の仕事関数
と、正孔輸送層に用いられている有機化合物の有するイ
オン化ポテンシャルの間の差を小さくすることが必要で
ある。この正孔輸送層の形成に用いることの可能な正孔
輸送物質としては、様々な有機化合物が提案されている
が、それらの中でも芳香族アミン系の化合物、とくにト
リフェニルアミン誘導体が優れた機能を有するものとし
て知られている。そして、このトリフェニルアミン誘導
体であるトリフェニルジアミンでは、そのイオン化ポテ
ンシャルが５．５〜５．６エレクトロンボルトである。
一方、透明導電膜としては、透明性がよくかつ電気抵抗
が低いものとして、酸化インジウム−酸化錫（以下、Ｉ
ＴＯと略記する）がよく知られている。そして、このＩ
ＴＯの仕事関数は４．６エレクトロンボルトである。し
たがって、このような一般的な材料からなる陽極と正孔
輸送層との間には、大きなエネルギー障壁が存在する。
ス素子の陽極から正孔輸送層を介して正孔が発光層に注
入される際には、この陽極と正孔輸送層の間にエネルギ
ー障壁ができるだけ少ないことが望ましい。このエネル
ギー障壁を少なくするためには、陽極材料の仕事関数
と、正孔輸送層に用いられている有機化合物の有するイ
オン化ポテンシャルの間の差を小さくすることが必要で
ある。この正孔輸送層の形成に用いることの可能な正孔
輸送物質としては、様々な有機化合物が提案されている
が、それらの中でも芳香族アミン系の化合物、とくにト
リフェニルアミン誘導体が優れた機能を有するものとし
て知られている。そして、このトリフェニルアミン誘導
体であるトリフェニルジアミンでは、そのイオン化ポテ
ンシャルが５．５〜５．６エレクトロンボルトである。
一方、透明導電膜としては、透明性がよくかつ電気抵抗
が低いものとして、酸化インジウム−酸化錫（以下、Ｉ
ＴＯと略記する）がよく知られている。そして、このＩ
ＴＯの仕事関数は４．６エレクトロンボルトである。し
たがって、このような一般的な材料からなる陽極と正孔
輸送層との間には、大きなエネルギー障壁が存在する。
【０００５】このようなことから、例えば、特開平９−
６３７７１号公報においては、陽極と陰極との間に、有
機化合物層を設けた有機薄膜発光素子における陽極とし
て、ＩＴＯよりも仕事関数の大きい金属酸化物からなる
薄膜を用いることを提案している。しかしながら、この
金属酸化物の薄膜からなる陽極は、その光線透過率がた
とえば酸化ルテニウムの場合には１０％、酸化バナジウ
ムの場合には２０％である。また、このような低い光線
透過率を改良するため、ＩＴＯ膜の上に前記金属酸化物
の３００オングストローム以下の超薄膜を積層して２層
構造とすることも提案されているが、この場合において
も、光線透過率は４０〜６０％程度であり、表示装置の
透明電極としては、透明性が十分であるとはいえないと
いう難点を有している。
６３７７１号公報においては、陽極と陰極との間に、有
機化合物層を設けた有機薄膜発光素子における陽極とし
て、ＩＴＯよりも仕事関数の大きい金属酸化物からなる
薄膜を用いることを提案している。しかしながら、この
金属酸化物の薄膜からなる陽極は、その光線透過率がた
とえば酸化ルテニウムの場合には１０％、酸化バナジウ
ムの場合には２０％である。また、このような低い光線
透過率を改良するため、ＩＴＯ膜の上に前記金属酸化物
の３００オングストローム以下の超薄膜を積層して２層
構造とすることも提案されているが、この場合において
も、光線透過率は４０〜６０％程度であり、表示装置の
透明電極としては、透明性が十分であるとはいえないと
いう難点を有している。
【０００６】また、この透明導電膜の素材として用いら
れてきたＩＴＯは、その主原料がインジウムであること
から、高価であるという問題もある。
れてきたＩＴＯは、その主原料がインジウムであること
から、高価であるという問題もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑み、安価で、透明性と導電性に優れるととも
に、有機エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置
用の透明電極として使用したとき、長期間にわたり安定
した発光状態を維持することのできる透明導電材料と、
そのスパッタリング用ターゲット、該透明導電膜を有す
る透明導電ガラスおよび透明導電フィルムを提供するこ
とを目的とするものである。
状況に鑑み、安価で、透明性と導電性に優れるととも
に、有機エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置
用の透明電極として使用したとき、長期間にわたり安定
した発光状態を維持することのできる透明導電材料と、
そのスパッタリング用ターゲット、該透明導電膜を有す
る透明導電ガラスおよび透明導電フィルムを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題の
解決のため鋭意研究を重ねた結果、酸化錫、酸化インジ
ウムおよび酸化亜鉛から選択される１種または２種以上
の金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデンおよ
び酸化ルテニウムから選択される１種または２種以上の
金属酸化物を含有させた組成物の焼結体からなるターゲ
ットを用いて形成した透明導電膜によれば、上記課題を
解決することができることを見出し、これら知見に基づ
いて本発明を完成するに至った。
解決のため鋭意研究を重ねた結果、酸化錫、酸化インジ
ウムおよび酸化亜鉛から選択される１種または２種以上
の金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデンおよ
び酸化ルテニウムから選択される１種または２種以上の
金属酸化物を含有させた組成物の焼結体からなるターゲ
ットを用いて形成した透明導電膜によれば、上記課題を
解決することができることを見出し、これら知見に基づ
いて本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明の要旨は、下記のとおり
である。 （１）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が、それ
らの金属原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜１０原
子％含有させた組成物からなる透明導電材料。 （２）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の金属原
子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２５ である前記（１）に記載の透明導電材料。 （３）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の金属原
子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ である前記（１）に記載の透明導電材料。 （４）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の金属原
子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ である前記（１）に記載の透明導電材料。 （５）前記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を
１２００℃以上の温度において焼結してなる焼結体。 （６）前記（５）に記載の焼結体からなり、比抵抗が１
０ｍΩ・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲット。 （７）ガラス基板表面に、酸化錫、酸化インジウムおよ
び酸化亜鉛が、それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して、０．５〜１０
原子％含有させた組成物からなる透明導電膜を形成して
なる透明導電ガラス。 （８）透明導電膜の光線透過率が７０％以上であり、か
つ仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上である前記
（７）に記載の透明導電ガラス。 （９）透明樹脂フィルム表面に、酸化錫、酸化インジウ
ムおよび酸化亜鉛が、それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して、０．５〜１０
原子％含有させた組成物からなる透明導電膜を形成して
なる透明導電フィルム。 （１０）透明導電膜の光線透過率が７０％以上であり、
かつ仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上である前
記（９）に記載の透明導電フィルム。
である。 （１）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が、それ
らの金属原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜１０原
子％含有させた組成物からなる透明導電材料。 （２）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の金属原
子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２５ である前記（１）に記載の透明導電材料。 （３）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の金属原
子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ である前記（１）に記載の透明導電材料。 （４）酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の金属原
子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ である前記（１）に記載の透明導電材料。 （５）前記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を
１２００℃以上の温度において焼結してなる焼結体。 （６）前記（５）に記載の焼結体からなり、比抵抗が１
０ｍΩ・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲット。 （７）ガラス基板表面に、酸化錫、酸化インジウムおよ
び酸化亜鉛が、それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して、０．５〜１０
原子％含有させた組成物からなる透明導電膜を形成して
なる透明導電ガラス。 （８）透明導電膜の光線透過率が７０％以上であり、か
つ仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上である前記
（７）に記載の透明導電ガラス。 （９）透明樹脂フィルム表面に、酸化錫、酸化インジウ
ムおよび酸化亜鉛が、それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して、０．５〜１０
原子％含有させた組成物からなる透明導電膜を形成して
なる透明導電フィルム。 （１０）透明導電膜の光線透過率が７０％以上であり、
かつ仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上である前
記（９）に記載の透明導電フィルム。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電材料は、酸化
錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が、それら原子比に
おいて、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜１０原
子％含有させた組成物からなる透明導電材料である。
錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が、それら原子比に
おいて、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜１０原
子％含有させた組成物からなる透明導電材料である。
【００１１】そして、より好ましくは、酸化錫、酸化イ
ンジウムおよび酸化亜鉛が、それら原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
ンジウムおよび酸化亜鉛が、それら原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
【００１２】さらに好ましい透明導電材料は、酸化錫、
酸化インジウム、酸化亜鉛がそれらの金属原子比におい
て、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２５ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
酸化インジウム、酸化亜鉛がそれらの金属原子比におい
て、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２５ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
【００１３】そして、より好ましい透明導電材料として
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛がそれらの金属
原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛がそれらの金属
原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
【００１４】そして、最も好ましい透明導電材料として
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛がそれらの金属
原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛がそれらの金属
原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ の割合である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリ
ブデンおよび酸化ルテニウムから選択される１種または
２種以上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜
１０原子％含有させた組成物からなる透明導電材料であ
る。
【００１５】本発明の透明導電材料において、その基本
的な構成成分である酸化錫、酸化インジウム、酸化亜
鉛、またはこれら金属酸化物の混合物は、上記のとお
り、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛をそれぞれ単独
で用いてもよく、また酸化錫と酸化インジウムの混合
物、あるいは酸化錫と酸化亜鉛の混合物、さらには酸化
錫と酸化インジウムおよび酸化亜鉛の混合物を用いても
よい。
的な構成成分である酸化錫、酸化インジウム、酸化亜
鉛、またはこれら金属酸化物の混合物は、上記のとお
り、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛をそれぞれ単独
で用いてもよく、また酸化錫と酸化インジウムの混合
物、あるいは酸化錫と酸化亜鉛の混合物、さらには酸化
錫と酸化インジウムおよび酸化亜鉛の混合物を用いても
よい。
【００１６】そして、この基本的な構成成分における各
成分の含有割合については、酸化錫は、透明導電膜とし
て安価でかつ耐湿熱性に優れたものを得るためには、少
なくともその含有割合が原子比で０．５５であるものが
好ましい。また、酸化インジウムは、これを必要としな
い場合もあるが、透明導電膜として高い導電性を維持す
るために、その原子比が０．４５以内であるものが好ま
しい。この酸化インジウムの含有割合がその原子比で
０．４５を超えるものでは、透明導電膜の製造コストの
上昇を招くことになる。さらに、酸化亜鉛については、
これも必要としない場合もあるが、透明導電膜のエッチ
ング加工性を向上させるために、その原子比で０．０５
以上としてあるものが好ましく、また、透明導電膜の耐
湿熱性を良好に維持するために、これが原子比で０．２
５以下含有するものが好ましい。なお、この透明導電膜
のエッチング加工性が充分でない場合には、透明導電膜
のスパッタリング成膜時に水や水素を少量添加すること
によっても、そのエッチング加工性の向上を図ることが
できる。
成分の含有割合については、酸化錫は、透明導電膜とし
て安価でかつ耐湿熱性に優れたものを得るためには、少
なくともその含有割合が原子比で０．５５であるものが
好ましい。また、酸化インジウムは、これを必要としな
い場合もあるが、透明導電膜として高い導電性を維持す
るために、その原子比が０．４５以内であるものが好ま
しい。この酸化インジウムの含有割合がその原子比で
０．４５を超えるものでは、透明導電膜の製造コストの
上昇を招くことになる。さらに、酸化亜鉛については、
これも必要としない場合もあるが、透明導電膜のエッチ
ング加工性を向上させるために、その原子比で０．０５
以上としてあるものが好ましく、また、透明導電膜の耐
湿熱性を良好に維持するために、これが原子比で０．２
５以下含有するものが好ましい。なお、この透明導電膜
のエッチング加工性が充分でない場合には、透明導電膜
のスパッタリング成膜時に水や水素を少量添加すること
によっても、そのエッチング加工性の向上を図ることが
できる。
【００１７】つぎに、上記の基本的な構成成分に含有さ
せる酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは酸化ルテニ
ウムは、それぞれ単独であっても任意の混合割合での混
合物であってもよい。そして、これらの含有割合は、こ
れら金属酸化物を配合して得られる透明導電材料の全金
属原子に対して、０．５〜１０原子％である。これを金
属原子比で示すと、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．００５〜０．１０ Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．００５〜０．１０ Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．００５〜０．１０ であり、好ましくは、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０１〜０．０８ Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０１〜０．０８ Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０１〜０．０８ さらに好ましくは Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０２〜０．０５ Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０２〜０．０５ Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２〜０．０５ てある。これら酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは
酸化ルテニウムのいずれか、あるいはそれらの混合物の
含有率が０．５原子％未満であると、得られる透明導電
膜の仕事関数を充分に高めることができず、またこれら
の含有率が１０原子％を超えると、透明性の低下を招く
ようになるからである。
せる酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは酸化ルテニ
ウムは、それぞれ単独であっても任意の混合割合での混
合物であってもよい。そして、これらの含有割合は、こ
れら金属酸化物を配合して得られる透明導電材料の全金
属原子に対して、０．５〜１０原子％である。これを金
属原子比で示すと、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．００５〜０．１０ Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．００５〜０．１０ Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．００５〜０．１０ であり、好ましくは、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０１〜０．０８ Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０１〜０．０８ Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０１〜０．０８ さらに好ましくは Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０２〜０．０５ Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０２〜０．０５ Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２〜０．０５ てある。これら酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは
酸化ルテニウムのいずれか、あるいはそれらの混合物の
含有率が０．５原子％未満であると、得られる透明導電
膜の仕事関数を充分に高めることができず、またこれら
の含有率が１０原子％を超えると、透明性の低下を招く
ようになるからである。
【００１８】そして、上記の基本的な構成成分に対し
て、これら酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは酸化
ルテニウムを全金属原子に対して０．５〜１０原子％含
有させて得られる金属酸化物の組成物は、これを焼結し
てスパッタリング用ターゲットとし、これを用いて成膜
された透明導電膜の光線透過率が７０％以上で、かつそ
の仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上の値を有す
るものとなる。この透明導電膜の仕事関数の値は、有機
エレクトロルミネッセンス素子における発光物質や正孔
輸送物質として用いる有機化合物のイオン化ポテンシャ
ルの平均的な値である５．５〜５．６エレクトロンボル
トとほぼ同じ水準である。したがって、この透明導電膜
を有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極として用い
た場合、この陽極から正孔輸送層あるいは発光層に正孔
を注入する際のエネルギー障壁が小さくなり、高い正孔
注入効率が得られ、これに伴って、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の駆動電圧の低電圧化が可能となるほ
か、エネルギー障壁の存在に由来する発熱が抑制され、
長期間の安定した発光が可能になるのである。
て、これら酸化バナジウム、酸化モリブデンまたは酸化
ルテニウムを全金属原子に対して０．５〜１０原子％含
有させて得られる金属酸化物の組成物は、これを焼結し
てスパッタリング用ターゲットとし、これを用いて成膜
された透明導電膜の光線透過率が７０％以上で、かつそ
の仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上の値を有す
るものとなる。この透明導電膜の仕事関数の値は、有機
エレクトロルミネッセンス素子における発光物質や正孔
輸送物質として用いる有機化合物のイオン化ポテンシャ
ルの平均的な値である５．５〜５．６エレクトロンボル
トとほぼ同じ水準である。したがって、この透明導電膜
を有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極として用い
た場合、この陽極から正孔輸送層あるいは発光層に正孔
を注入する際のエネルギー障壁が小さくなり、高い正孔
注入効率が得られ、これに伴って、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の駆動電圧の低電圧化が可能となるほ
か、エネルギー障壁の存在に由来する発熱が抑制され、
長期間の安定した発光が可能になるのである。
【００１９】つぎに、本発明の透明導電材料を製造する
方法については、上記各金属酸化物の粉末を所定割合で
混合し、これを混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビ
ーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉砕するこ
とによって得られる。ここでの原料粉末の混合粉砕は、
微細に粉砕するほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下
となるように混合粉砕処理をしたものが望ましい。
方法については、上記各金属酸化物の粉末を所定割合で
混合し、これを混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビ
ーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉砕するこ
とによって得られる。ここでの原料粉末の混合粉砕は、
微細に粉砕するほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下
となるように混合粉砕処理をしたものが望ましい。
【００２０】また、この透明導電材料を用いて焼結体を
得るには、これを造粒した後、プレス成形により所望の
形状に整形し、焼成により焼結すればよい。この場合の
焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好まし
くは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７２時
間、好ましくは２４〜４８時間焼成すればよい。また、
この場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよ
い。このような焼成条件の採用によって、その比抵抗が
１０ｍΩ・ｃｍ以下の焼結体が得られる。
得るには、これを造粒した後、プレス成形により所望の
形状に整形し、焼成により焼結すればよい。この場合の
焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好まし
くは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７２時
間、好ましくは２４〜４８時間焼成すればよい。また、
この場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよ
い。このような焼成条件の採用によって、その比抵抗が
１０ｍΩ・ｃｍ以下の焼結体が得られる。
【００２１】つぎに、このようにして得られた焼結体
を、スパッタリング装置に装着可能な形状に切削加工
し、さらに装着用治具の取付をすることにより、導電性
がよく、スパッタリングを安定して行うことのできるス
パッタリング用ターゲットを得ることができる。このよ
うにして得られるスパッタリング用ターゲットを用いて
成膜する際に用いる透明基材としては、従来から用いら
れているガラス基板や、高い透明性を有する合成樹脂製
のフィルム、シートが用いられる。この合成樹脂として
は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、
ポリアリレート樹脂などが好適である。
を、スパッタリング装置に装着可能な形状に切削加工
し、さらに装着用治具の取付をすることにより、導電性
がよく、スパッタリングを安定して行うことのできるス
パッタリング用ターゲットを得ることができる。このよ
うにして得られるスパッタリング用ターゲットを用いて
成膜する際に用いる透明基材としては、従来から用いら
れているガラス基板や、高い透明性を有する合成樹脂製
のフィルム、シートが用いられる。この合成樹脂として
は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、
ポリアリレート樹脂などが好適である。
【００２２】つぎに、上記ターゲットを用いて、透明導
電膜を透明基材上にスパッタリング法により成膜するに
あたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に
用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリング
により成膜する際の条件としては、ターゲットの表面積
や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動する
が、通常、このプラズマ出力を、ターゲットの表面積１
ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、成膜時間を５〜
１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明
導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置
の種類によって異なるが、通常、２００〜６，０００オ
ングストローム、好ましくは３００〜２，０００オング
ストロームである。
電膜を透明基材上にスパッタリング法により成膜するに
あたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に
用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリング
により成膜する際の条件としては、ターゲットの表面積
や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動する
が、通常、このプラズマ出力を、ターゲットの表面積１
ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、成膜時間を５〜
１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明
導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置
の種類によって異なるが、通常、２００〜６，０００オ
ングストローム、好ましくは３００〜２，０００オング
ストロームである。
【００２３】また、前記焼結体からなるターゲットは、
エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装置に
より成膜する場合にも使用することができる。これら装
置を用いて成膜する際にも、上記のスパッタリング装置
による場合と同様な成膜条件下において、透明導電膜の
成膜を行うことができる。このようにして得られる本発
明の透明導電ガラスや透明導電フィルムは、成膜に用い
た焼結体と同一組成からなる金属酸化物の組成物からな
る透明導電膜を有し、その透明導電膜の透明性について
は、波長５００ｎｍの光の光線透過率が７０％を上回る
ものとなる。そして、上述のとおり、この透明導電膜の
仕事関数は、従来から用いられてきたＩＴＯ膜よりも高
く、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層や正孔
輸送層を形成する有機化合物のイオン化ポテンシャルの
値とほぼ同一水準である、５．４エレクトロンボルト以
上の値を有している。
エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装置に
より成膜する場合にも使用することができる。これら装
置を用いて成膜する際にも、上記のスパッタリング装置
による場合と同様な成膜条件下において、透明導電膜の
成膜を行うことができる。このようにして得られる本発
明の透明導電ガラスや透明導電フィルムは、成膜に用い
た焼結体と同一組成からなる金属酸化物の組成物からな
る透明導電膜を有し、その透明導電膜の透明性について
は、波長５００ｎｍの光の光線透過率が７０％を上回る
ものとなる。そして、上述のとおり、この透明導電膜の
仕事関数は、従来から用いられてきたＩＴＯ膜よりも高
く、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層や正孔
輸送層を形成する有機化合物のイオン化ポテンシャルの
値とほぼ同一水準である、５．４エレクトロンボルト以
上の値を有している。
【００２４】したがって、本発明の透明導電ガラスや透
明導電フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子
をはじめとする各種の表示装置の透明電極として好適に
用いることができる。
明導電フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子
をはじめとする各種の表示装置の透明電極として好適に
用いることができる。
【００２５】
（１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化バナジウムの
粉末を、これら金属の原子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８０ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２０ であり、かつ、 Ｖ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０４ となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２
時間にわたり混合粉砕することにより、透明導電材料の
原料粉末を得た。得られた透明導電材料の金属の原子比
を第１表に示す。
粉末を、これら金属の原子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８０ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２０ であり、かつ、 Ｖ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０４ となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２
時間にわたり混合粉砕することにより、透明導電材料の
原料粉末を得た。得られた透明導電材料の金属の原子比
を第１表に示す。
【００２６】（２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を造粒し
た後、直径４インチ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス整形し
て、これを焼成炉に装入し、１４００℃において、３６
時間加圧焼成した。このようにして得られた焼結体は、
その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、またバルク電気抵
抗は６．５ｍΩ・ｃｍであった。得られた焼結体の物性
の測定結果を第１表に示す。
た後、直径４インチ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス整形し
て、これを焼成炉に装入し、１４００℃において、３６
時間加圧焼成した。このようにして得られた焼結体は、
その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、またバルク電気抵
抗は６．５ｍΩ・ｃｍであった。得られた焼結体の物性
の測定結果を第１表に示す。
【００２７】（３）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体より、直径４イン
チ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲット〔Ａ〕を
作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に
装着して、室温においてガラス基板上に製膜した。この
場合のスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに
適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０
-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２５℃、投
入電力１００Ｗ、成膜時間１４分間とした。
チ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲット〔Ａ〕を
作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に
装着して、室温においてガラス基板上に製膜した。この
場合のスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに
適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０
-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２５℃、投
入電力１００Ｗ、成膜時間１４分間とした。
【００２８】このようにして得られた透明導電ガラス上
の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロー
ムであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の
光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線に
ついて測定した結果、８０％であった。また、４探針法
により測定した透明導電膜の比抵抗は、１，０００ｍΩ
・ｃｍであった。さらに、仕事関数を紫外光電子分光法
により測定した結果、５．５０エレクトロンボルトであ
った。これら透明導電膜の評価結果を第２表に示す。
の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロー
ムであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の
光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線に
ついて測定した結果、８０％であった。また、４探針法
により測定した透明導電膜の比抵抗は、１，０００ｍΩ
・ｃｍであった。さらに、仕事関数を紫外光電子分光法
により測定した結果、５．５０エレクトロンボルトであ
った。これら透明導電膜の評価結果を第２表に示す。
【００２９】〔実施例２〕 （１）透明導電ガラスの製造 実施例１と同一のスパッタリング用ターゲット〔Ａ〕を
用い、スパッタ条件のうち、基板温度を２１５℃に変更
した他は、実施例１の（３）と同様にして、透明導電ガ
ラスを製造した。得られた透明導電ガラス上の透明導電
膜の評価結果を第２表に示す。
用い、スパッタ条件のうち、基板温度を２１５℃に変更
した他は、実施例１の（３）と同様にして、透明導電ガ
ラスを製造した。得られた透明導電ガラス上の透明導電
膜の評価結果を第２表に示す。
【００３０】〔実施例３〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化錫バナジウム
の粉末をこれら金属の原子比が、第１表に示すとおりの
組成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同
様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｂ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
の粉末をこれら金属の原子比が、第１表に示すとおりの
組成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同
様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｂ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３１】〔実施例４〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化錫バナジウム
の粉末をこれら金属の原子比が、第１表に示すとおりの
組成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同
様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｃ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
の粉末をこれら金属の原子比が、第１表に示すとおりの
組成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同
様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｃ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３２】〔実施例５〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウムおよび酸化錫バナ
ジウムの粉末をこれら金属の原子比が、第１表に示すと
おりの組成となるように混合した他は、実施例１の
（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｄ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
ジウムの粉末をこれら金属の原子比が、第１表に示すと
おりの組成となるように混合した他は、実施例１の
（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｄ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３３】〔実施例６〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫および酸化錫バナジウムの粉末をこ
れら金属の原子比が、第１表に示すとおりの組成となる
ように混合した他は、実施例１の（１）と同様にして、
透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｅ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
れら金属の原子比が、第１表に示すとおりの組成となる
ように混合した他は、実施例１の（１）と同様にして、
透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｅ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３４】〔実施例７〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および
酸化バナジウムの粉末をこれら金属の原子比が、第１表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｆ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
酸化バナジウムの粉末をこれら金属の原子比が、第１表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｆ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３５】〔実施例８〕 （１）透明導電フィルムの製造 透明基材として、ガラスに代えてポリカーボネートフィ
ルムを用い、実施例７で得られたスパッタリング用ター
ゲット〔Ｆ〕を用いて透明導電フィルムの製造をした。
得られた透明導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
ルムを用い、実施例７で得られたスパッタリング用ター
ゲット〔Ｆ〕を用いて透明導電フィルムの製造をした。
得られた透明導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３６】〔実施例９〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および
酸化バナジウムの粉末をこれら金属の原子比が、第１表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｇ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
酸化バナジウムの粉末をこれら金属の原子比が、第１表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｇ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３７】〔比較例１〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化インジウムと酸化亜鉛の粉末を、これ
ら金属の原子比が、第１表に示すとおりの組成となるよ
うに混合した他は、実施例１の（１）と同様にして、透
明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｈ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
ら金属の原子比が、第１表に示すとおりの組成となるよ
うに混合した他は、実施例１の（１）と同様にして、透
明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｈ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３８】〔比較例２〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫と酸化インジウムの粉末を、これら
金属の原子比が、第１表に示すとおりの組成となるよう
に混合した他は、実施例１の（１）と同様にして、透明
導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｉ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
金属の原子比が、第１表に示すとおりの組成となるよう
に混合した他は、実施例１の（１）と同様にして、透明
導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｉ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００３９】〔比較例３〕 （１）透明導電ガラスの製造 比較例１で作製したスパッタリング用ターゲット〔Ｈ〕
を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を２１５
℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透明導電
ガラスの製造をした。得られた透明導電膜の物性の評価
結果を第２表に示す。
を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を２１５
℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透明導電
ガラスの製造をした。得られた透明導電膜の物性の評価
結果を第２表に示す。
【００４０】〔比較例４〕 （１）透明導電ガラスの製造 比較例２で作製したスパッタリング用ターゲット〔Ｉ〕
を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を２１５
℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透明導電
ガラスの製造をした。
を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を２１５
℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透明導電
ガラスの製造をした。
【００４１】得られた透明導電膜の物性の評価結果を第
２表に示す。
２表に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】〔実施例１０〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化モリブデンの
粉末をこれら金属の原子比が、第３表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｊ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
粉末をこれら金属の原子比が、第３表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｊ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
【００４５】〔実施例１１〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化モリブデンの
粉末をこれら金属の原子比が、第３表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｋ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
粉末をこれら金属の原子比が、第３表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｋ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
【００４６】〔実施例１２〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウムおよび酸化モリブ
デンの粉末をこれら金属の原子比が、第３表に示すとお
りの組成となるように混合した他は、実施例１の（１）
と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｌ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
デンの粉末をこれら金属の原子比が、第３表に示すとお
りの組成となるように混合した他は、実施例１の（１）
と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｌ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
【００４７】〔実施例１３〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および
酸化モリブデンの粉末をこれら金属の原子比が、第３表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｍ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
酸化モリブデンの粉末をこれら金属の原子比が、第３表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｍ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
【００４８】〔実施例１４〕 （１）透明導電ガラスの製造 実施例１３で作製したスパッタリング用ターゲット
〔Ｍ〕を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を
２１５℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透
明導電ガラスの製造をした。得られた透明導電膜の物性
の評価結果を第４表に示す。
〔Ｍ〕を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を
２１５℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透
明導電ガラスの製造をした。得られた透明導電膜の物性
の評価結果を第４表に示す。
【００４９】〔実施例１５〕 （１）透明導電フィルムの製造 透明基板として、ガラス基板に代えて、ポリカーボネー
トフィルムを用い、実施例１３で作製したスパッタリン
グ用ターゲット〔Ｍ〕を用いた他は、実施例１の（３）
と同様にして透明導電フィルムの製造をした。得られた
透明導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
トフィルムを用い、実施例１３で作製したスパッタリン
グ用ターゲット〔Ｍ〕を用いた他は、実施例１の（３）
と同様にして透明導電フィルムの製造をした。得られた
透明導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
【００５０】〔実施例１６〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および
酸化モリブデンの粉末をこれら金属の原子比が、第３表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。
酸化モリブデンの粉末をこれら金属の原子比が、第３表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。
【００５１】（２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｎ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第３表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｎ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第４表に示す。
【００５２】
【表３】
【００５３】
【表４】
【００５４】〔実施例１７〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化ルテニウムの
粉末をこれら金属の原子比が、第５表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。
粉末をこれら金属の原子比が、第５表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。
【００５５】（２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｏ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｏ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
【００５６】〔実施例１８〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化亜鉛および酸化ルテニウムの
粉末をこれら金属の原子比が、第５表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｐ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
粉末をこれら金属の原子比が、第５表に示すとおりの組
成となるように混合した他は、実施例１の（１）と同様
にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｐ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
【００５７】〔実施例１９〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウムおよび酸化ルテニ
ウムの粉末をこれら金属の原子比が、第５表に示すとお
りの組成となるように混合した他は、実施例１の（１）
と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｑ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
ウムの粉末をこれら金属の原子比が、第５表に示すとお
りの組成となるように混合した他は、実施例１の（１）
と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｑ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
【００５８】〔実施例２０〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および
酸化ルテニウムの粉末をこれら金属の原子比が、第５表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｒ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
酸化ルテニウムの粉末をこれら金属の原子比が、第５表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。 （２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｒ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
【００５９】〔実施例２１〕 （１）透明導電ガラスの製造 実施例２０で作製したスパッタリング用ターゲット
〔Ｒ〕を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を
２１５℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透
明導電ガラスの製造をした。得られた透明導電膜の物性
の評価結果を第６表に示す。
〔Ｒ〕を用い、スパッタリング時のガラス基板の温度を
２１５℃とした他は、実施例１の（３）と同様にして透
明導電ガラスの製造をした。得られた透明導電膜の物性
の評価結果を第６表に示す。
【００６０】〔実施例２２〕 （１）透明導電フィルムの製造 透明基板として、ガラス基板に代えて、ポリカーボネー
トフィルムを用い、実施例２０で作製したスパッタリン
グ用ターゲット〔Ｒ〕を用いた他は、実施例１の（３）
と同様にして透明導電フィルムの製造をした。得られた
透明導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
トフィルムを用い、実施例２０で作製したスパッタリン
グ用ターゲット〔Ｒ〕を用いた他は、実施例１の（３）
と同様にして透明導電フィルムの製造をした。得られた
透明導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
【００６１】〔実施例２３〕 （１）透明導電材料の原料粉末の製造 原料として、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛および
酸化ルテニウムの粉末をこれら金属の原子比が、第５表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。
酸化ルテニウムの粉末をこれら金属の原子比が、第５表
に示すとおりの組成となるように混合した他は、実施例
１の（１）と同様にして、透明導電材料の原料粉末を得
た。
【００６２】（２）焼結体の製造 上記（１）で得られた透明導電材料の原料粉末を用いた
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｓ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
他は、実施例１の（２）と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の物性の測定結果を第５表に示す。 （３）透明導電ガラスの製造 上記（２）で得られた焼結体で作製したスパッタリング
用ターゲット〔Ｓ〕を用いた他は、実施例１の（３）と
同様にして透明導電ガラスの製造をした。得られた透明
導電膜の物性の評価結果を第６表に示す。
【００６３】
【表５】
【００６４】
【表６】
【００６５】
【発明の効果】本発明の透明導電材料を用いて作製した
スパッタリング用ターゲットにより製膜した透明導電膜
は、安価で、透明性や導電性に優れるとともに、有機エ
レクトロルミネッセンス素子などの表示装置の電極に使
用したとき、長期間にわたり安定して発光状態を維持す
ることができるという効果が得られる。
スパッタリング用ターゲットにより製膜した透明導電膜
は、安価で、透明性や導電性に優れるとともに、有機エ
レクトロルミネッセンス素子などの表示装置の電極に使
用したとき、長期間にわたり安定して発光状態を維持す
ることができるという効果が得られる。
Claims (10)
- 【請求項１】 酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛
が、それらの金属原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して０．５〜１０原
子％含有させた組成物からなる透明導電材料。 - 【請求項２】 酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛
の金属原子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２５ である請求項１に記載の透明導電材料。 - 【請求項３】 酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛
の金属原子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４０ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ である請求項１に記載の透明導電材料。 - 【請求項４】 酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛
の金属原子比が、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．９５ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．３５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０ である請求項１に記載の透明導電材料。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の組成物
を１２００℃以上の温度において焼結してなる焼結体。 - 【請求項６】 請求項５に記載の焼結体からなり、比抵
抗が１０ｍΩ・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲ
ット。 - 【請求項７】 ガラス基板表面に、酸化錫、酸化インジ
ウムおよび酸化亜鉛が、それらの原子比において、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して、０．５〜１０
原子％含有させた組成物からなる透明導電膜を形成して
なる透明導電ガラス。 - 【請求項８】 透明導電膜の光線透過率が７０％以上で
あり、かつ仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上で
ある請求項７記載の透明導電ガラス。 - 【請求項９】 透明樹脂フィルム表面に、酸化錫、酸化
インジウムおよび酸化亜鉛が、それらの原子比におい
て、 Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．５５〜１．００ Ｉｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．４５ Ｚｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２５ である金属酸化物に、酸化バナジウム、酸化モリブデン
および酸化ルテニウムから選択される１種または２種以
上の金属酸化物を、全金属原子に対して、０．５〜１０
原子％含有させた組成物からなる透明導電膜を形成して
なる透明導電フィルム。 - 【請求項１０】透明導電膜の光線透過率が７０％以上で
あり、かつ仕事関数が５．４エレクトロンボルト以上で
ある請求項９記載の透明導電フィルム。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05838499A JP4559554B2 (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | スパッタリング、エレクトロンビーム及びイオンプレーティング用焼結体及びスパッタリング用ターゲット |
| PCT/JP1999/004453 WO2000012445A1 (fr) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | Cible pour film electroconducteur transparent, matiere electroconductrice transparente, verre electroconducteur transparent et film electroconducteur transparent |
| EP13161296.2A EP2610231A2 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass, and transparent electroconductive film |
| EP13161293.9A EP2610230A2 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass, and transparent electroconductive film |
| US09/529,416 US6534183B1 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass, and transparent electroconductive film |
| EP99938524A EP1033355A4 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | TARGET FOR TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER, TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL, TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE GLASS AND TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER |
| EP13161290.5A EP2610229A3 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | Transparent electroconductive glass coated with transparent electroconductive film containing IZTO |
| KR1020007004590A KR100622168B1 (ko) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | 투명 도전막용 타겟, 투명 도전 재료, 투명 도전 유리 및투명 도전 필름 |
| CNB998019828A CN1281544C (zh) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜 |
| TW088114565A TW514622B (en) | 1998-08-31 | 1999-08-25 | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent EL |
| US10/302,928 US6689477B2 (en) | 1998-08-31 | 2002-11-25 | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent electroconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05838499A JP4559554B2 (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | スパッタリング、エレクトロンビーム及びイオンプレーティング用焼結体及びスパッタリング用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256060A true JP2000256060A (ja) | 2000-09-19 |
| JP4559554B2 JP4559554B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=13082852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05838499A Expired - Fee Related JP4559554B2 (ja) | 1998-08-31 | 1999-03-05 | スパッタリング、エレクトロンビーム及びイオンプレーティング用焼結体及びスパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4559554B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110365A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用透明電極基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| JP2005150741A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| WO2006075506A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 透明電極及びその製造方法 |
| JP2006196200A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明電極及びその製造方法 |
| EP1717335A1 (en) * | 2004-02-17 | 2006-11-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target, optical information recording medium and process for producing the same |
| WO2007026783A1 (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 |
| JP2007063649A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| JP2007115431A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明導電膜、透明電極、電極基板及びその製造方法 |
| JP2007314364A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜ならびにその製造方法 |
| KR100839337B1 (ko) | 2007-02-13 | 2008-06-17 | 경북대학교 산학협력단 | n형 투명전도 박막을 스퍼터링 방법으로 증착시 필요한In2O3-ZnO-Sb2O5 계 타겟 조성 및 이의 제조 방법 |
| JP2009510263A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド | スパッタリングターゲット、低い抵抗性の透明な導電性被膜、このような被膜の形成法および該導電性被膜に使用するための組成物 |
| WO2009157571A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 住友化学株式会社 | 透明導電膜とその製造方法 |
| JP4846726B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-12-28 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 |
| US8304359B2 (en) * | 2005-09-27 | 2012-11-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive film, and transparent electrode for touch panel |
| JP2013047361A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート |
| JP2015038027A (ja) * | 2008-11-20 | 2015-02-26 | 出光興産株式会社 | ＺｎＯ−ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系酸化物焼結体及び非晶質透明導電膜 |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP05838499A patent/JP4559554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6008047995, Ｓｅｋｈａｒ Ｃ．Ｒａｙ ｅｔ ａｌ, "Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ａｎｄ ｕｎｄｏｐｅｄ ｔｉｎ ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｔｈｅ ｏｐｅｎ ａｉｒ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔ", Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ, 1997, Ｖｏｌ．３０７，ｐｐ．２２１−２２７, NL, Ｅｌｓｅｖｉｅｒ * |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110365A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用透明電極基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| JP2005150741A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| EP1717335A4 (en) * | 2004-02-17 | 2010-07-21 | Nippon Mining Co | SPUTTERTARGET, OPTICAL INFORMATION RECORDING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| EP1717335A1 (en) * | 2004-02-17 | 2006-11-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target, optical information recording medium and process for producing the same |
| WO2006075506A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 透明電極及びその製造方法 |
| JP2006196200A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明電極及びその製造方法 |
| WO2007026783A1 (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 |
| JP2007063649A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| US8920683B2 (en) | 2005-09-01 | 2014-12-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode |
| US8524123B2 (en) | 2005-09-01 | 2013-09-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode |
| JP4846726B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-12-28 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 |
| US8304359B2 (en) * | 2005-09-27 | 2012-11-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive film, and transparent electrode for touch panel |
| JP2009510263A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド | スパッタリングターゲット、低い抵抗性の透明な導電性被膜、このような被膜の形成法および該導電性被膜に使用するための組成物 |
| JP2007115431A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明導電膜、透明電極、電極基板及びその製造方法 |
| JP2007314364A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜ならびにその製造方法 |
| KR100839337B1 (ko) | 2007-02-13 | 2008-06-17 | 경북대학교 산학협력단 | n형 투명전도 박막을 스퍼터링 방법으로 증착시 필요한In2O3-ZnO-Sb2O5 계 타겟 조성 및 이의 제조 방법 |
| JP2010031364A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜とその製造方法 |
| WO2009157571A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 住友化学株式会社 | 透明導電膜とその製造方法 |
| JP2015038027A (ja) * | 2008-11-20 | 2015-02-26 | 出光興産株式会社 | ＺｎＯ−ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系酸化物焼結体及び非晶質透明導電膜 |
| JP2013047361A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4559554B2 (ja) | 2010-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000072526A (ja) | 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム | |
| JP2000256060A (ja) | 透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム | |
| KR100606642B1 (ko) | 투명 도전성 박막용 타깃, 투명 도전성 박막 및 그제조방법, 디스플레이용 전극재료 및 유기 전자 발광소자그리고 태양전지 | |
| EP1693483B1 (en) | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein | |
| WO2000012445A1 (fr) | Cible pour film electroconducteur transparent, matiere electroconductrice transparente, verre electroconducteur transparent et film electroconducteur transparent | |
| JP4560149B2 (ja) | 透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム | |
| JP2007277075A (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜 | |
| JPWO2007142330A1 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット | |
| JP4233641B2 (ja) | 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム | |
| JP4788463B2 (ja) | 酸化物焼結体、透明酸化物膜、ガスバリア性透明樹脂基板、ガスバリア性透明導電性樹脂基板およびフレキシブル表示素子 | |
| JPH1167459A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| WO2005062678A2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、導電積層体及び表示装置 | |
| Jeong et al. | The insert of zinc oxide thin film in indium tin oxide anode for organic electroluminescence devices | |
| JP5115194B2 (ja) | 電気伝導性材料 | |
| JP3918721B2 (ja) | 透明導電性薄膜、その製造方法と製造用焼結体ターゲット、及び有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| JP4372876B2 (ja) | 透明導電材料および透明導電ガラスならびに透明導電フィルム | |
| JP2000256059A (ja) | 透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム | |
| JP5156591B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2007113026A (ja) | 透明導電膜及びそれを含む透明導電性基材 | |
| TW200408537A (en) | Transparent conductive film, its manufacturing method and electroluminescent light emitting element using the same | |
| JP5907086B2 (ja) | 酸化インジウム系の酸化物焼結体およびその製造方法 | |
| JP2000340033A (ja) | 透明導電材料および透明導電ガラスならびに透明導電フィルム | |
| JP2006249554A (ja) | スパッタリングターゲット及びその調製方法ならびにスパッタ方法 | |
| KR20080065092A (ko) | 투명 도전 산화막, 인듐-아연 복합 산화물, 및 소결체 | |
| TWI424076B (zh) | A transparent conductive film and a transparent conductive substrate using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100205 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100629 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100723 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |